JPH1096944A - 電気的接続構造および液晶表示装置 - Google Patents
電気的接続構造および液晶表示装置Info
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- JPH1096944A JPH1096944A JP25340496A JP25340496A JPH1096944A JP H1096944 A JPH1096944 A JP H1096944A JP 25340496 A JP25340496 A JP 25340496A JP 25340496 A JP25340496 A JP 25340496A JP H1096944 A JPH1096944 A JP H1096944A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フレキシブル基板と接続端子の接続部が小形
化され、かつ強固で信頼性の高い接続を得ることを可能
とする電気的接続構造を提供することを目的とする。 【解決手段】 液晶セルを備えた透明基板上に形成され
た液晶駆動回路の共通配線の接続端子と、電源供給・信
号入出力用フレキシブル基板の端子上に設けられた金属
突起とを加圧、加熱して接合してなる電気的接続構造で
あって、前記接続端子は、少なくとも表面がアルミニウ
ムにより構成され、前記金属突起は少なくとも表面が金
により構成され、前記加圧、加熱により金−アルミニウ
ム合金が形成され、この金−アルミニウム合金を介して
前記接続端子と金属突起との接合がなされていることを
特徴とする。
化され、かつ強固で信頼性の高い接続を得ることを可能
とする電気的接続構造を提供することを目的とする。 【解決手段】 液晶セルを備えた透明基板上に形成され
た液晶駆動回路の共通配線の接続端子と、電源供給・信
号入出力用フレキシブル基板の端子上に設けられた金属
突起とを加圧、加熱して接合してなる電気的接続構造で
あって、前記接続端子は、少なくとも表面がアルミニウ
ムにより構成され、前記金属突起は少なくとも表面が金
により構成され、前記加圧、加熱により金−アルミニウ
ム合金が形成され、この金−アルミニウム合金を介して
前記接続端子と金属突起との接合がなされていることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た接続端子とフレキシブル基板の端子との接続部を小型
化した電気的接続構造、およびその電気的接続構造を具
備する液晶表示装置に関する。
た接続端子とフレキシブル基板の端子との接続部を小型
化した電気的接続構造、およびその電気的接続構造を具
備する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化社会の進展に伴い、表示容
量が大きく、カラー表示が可能な平面ディスプレイが求
められている。この平面ディスプレイとしては、カラー
フィルタと光源を付加することにより、カラー表示を比
較的容易に得ることができる液晶表示装置（ＬＣＤ）が
適しており、とりわけ、液晶パネルの各画素に設けられ
た薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor: ＴＦＴ）
により液晶セルのオン・オフ動作を制御するＴＦＴ−Ｌ
ＣＤが急速に普及している。
量が大きく、カラー表示が可能な平面ディスプレイが求
められている。この平面ディスプレイとしては、カラー
フィルタと光源を付加することにより、カラー表示を比
較的容易に得ることができる液晶表示装置（ＬＣＤ）が
適しており、とりわけ、液晶パネルの各画素に設けられ
た薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor: ＴＦＴ）
により液晶セルのオン・オフ動作を制御するＴＦＴ−Ｌ
ＣＤが急速に普及している。
【０００３】一般に、ＴＦＴとしては、ガラス基板上に
低温で形成できるアモルファスＳｉ−ＴＦＴが用いられ
ているが、最近ではアモルファスＳｉ−ＴＦＴに比べて
移動度が大きい多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いて、パネル駆
動用の回路も同一ガラス基板上に集積、内蔵することに
より、コスト低減を図る開発が進められている。
低温で形成できるアモルファスＳｉ−ＴＦＴが用いられ
ているが、最近ではアモルファスＳｉ−ＴＦＴに比べて
移動度が大きい多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いて、パネル駆
動用の回路も同一ガラス基板上に集積、内蔵することに
より、コスト低減を図る開発が進められている。
【０００４】以下、液晶表示装置用液晶パネルの従来例
として、多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いてパネル駆動用の回
路を同一ガラス基板上に集積、内蔵した液晶表示装置の
構成を図６を参照して説明する。
として、多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いてパネル駆動用の回
路を同一ガラス基板上に集積、内蔵した液晶表示装置の
構成を図６を参照して説明する。
【０００５】図６（ａ）において、参照符号１１は２枚
のガラス等の透明な絶縁基板からなる液晶パネルを示
し、この液晶パネル１１は、矩形の表示領域１１ａを有
している。表示領域１１ａの周辺には、液晶パネル駆動
用の回路１２ｘ，１２ｙが集積、内蔵されている。この
内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙへの電源、入出力信号は、
液晶パネル１１上の図示しない配線により、液晶パネル
１１端部に形成された接続端子１３により、外部の回路
と接続されている。
のガラス等の透明な絶縁基板からなる液晶パネルを示
し、この液晶パネル１１は、矩形の表示領域１１ａを有
している。表示領域１１ａの周辺には、液晶パネル駆動
用の回路１２ｘ，１２ｙが集積、内蔵されている。この
内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙへの電源、入出力信号は、
液晶パネル１１上の図示しない配線により、液晶パネル
１１端部に形成された接続端子１３により、外部の回路
と接続されている。
【０００６】外部の回路としては、内蔵駆動回路１２
ｘ，１２ｙを制御する制御回路や電源回路などがある。
図６（ｂ）に外部回路との接続部の断面図を示す。接続
端子１３と外部の回路との接続には、異方性導電膜２１
（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film ）を用いて、
フレキシブル基板１４と接続端子１３とを加圧加熱する
ことにより、電気的接続を行っている。
ｘ，１２ｙを制御する制御回路や電源回路などがある。
図６（ｂ）に外部回路との接続部の断面図を示す。接続
端子１３と外部の回路との接続には、異方性導電膜２１
（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film ）を用いて、
フレキシブル基板１４と接続端子１３とを加圧加熱する
ことにより、電気的接続を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、液晶
表示装置の軽薄狭省化の要求が高まっており、表示され
ない部分（額縁）の寸法を小さくすることが要求されて
いる。また、駆動回路を内蔵する動きに合わせて、従
来、液晶パネルの外に配置されていた制御回路、電源回
路を液晶パネル上に実装する開発も始められている。
表示装置の軽薄狭省化の要求が高まっており、表示され
ない部分（額縁）の寸法を小さくすることが要求されて
いる。また、駆動回路を内蔵する動きに合わせて、従
来、液晶パネルの外に配置されていた制御回路、電源回
路を液晶パネル上に実装する開発も始められている。
【０００８】しかし、従来例のように、フレキシブル基
板の端子と基板上の接続端子とをそのままＡＣＦを使っ
て接続する方法では、図６（ｂ）に示すＡＣＦの幅が
１．５〜２ｍｍあるため、これより接続部の長さを小さ
くすることはできなかった。
板の端子と基板上の接続端子とをそのままＡＣＦを使っ
て接続する方法では、図６（ｂ）に示すＡＣＦの幅が
１．５〜２ｍｍあるため、これより接続部の長さを小さ
くすることはできなかった。
【０００９】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れ、フレキシブル基板と接続端子の接続部が小形化さ
れ、かつ強固で信頼性の高い接続を得ることを可能とす
る電気的接続構造を提供することを目的とする。本発明
の他の目的は、上記電気的接続構造を具備する液晶表示
装置を提供することにある。
れ、フレキシブル基板と接続端子の接続部が小形化さ
れ、かつ強固で信頼性の高い接続を得ることを可能とす
る電気的接続構造を提供することを目的とする。本発明
の他の目的は、上記電気的接続構造を具備する液晶表示
装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の電気的接続構造では、液晶セルを備えた透
明基板上に形成された液晶駆動回路の共通配線の接続端
子と、電源供給・信号入出力用フレキシブル基板の端子
上に設けられた金属突起とを加圧、加熱することにより
接合している。この場合、接続端子は、少なくとも表面
がアルミニウムにより構成され、前記金属突起は少なく
とも表面が金により構成されているので、両者を加圧、
加熱することにより、両者の界面に金−アルミニウム合
金が形成され、この金−アルミニウム合金を介して両者
の接合がなされている。
め、本発明の電気的接続構造では、液晶セルを備えた透
明基板上に形成された液晶駆動回路の共通配線の接続端
子と、電源供給・信号入出力用フレキシブル基板の端子
上に設けられた金属突起とを加圧、加熱することにより
接合している。この場合、接続端子は、少なくとも表面
がアルミニウムにより構成され、前記金属突起は少なく
とも表面が金により構成されているので、両者を加圧、
加熱することにより、両者の界面に金−アルミニウム合
金が形成され、この金−アルミニウム合金を介して両者
の接合がなされている。
【００１１】また、本発明は、このような電気的接続構
造により、液晶セルおよび液晶駆動回路の共通配線の接
続端子を備えた透明基板に、前記接続端子と接合された
金属突起を端子上に有する電源供給・信号入出力用フレ
キシブル基板を接続した液晶表示装置を提供するもので
もある。
造により、液晶セルおよび液晶駆動回路の共通配線の接
続端子を備えた透明基板に、前記接続端子と接合された
金属突起を端子上に有する電源供給・信号入出力用フレ
キシブル基板を接続した液晶表示装置を提供するもので
もある。
【００１２】上述のように、本発明の電気的接続構造
は、透明基板の接続端子が、少なくとも表面がアルミニ
ウムにより構成されており、フレキシブル基板の上に形
成された金属突起が、少なくとも表面が金により構成さ
れ、接続端子と金属突起とを加圧、加熱することにおよ
り金−アルミニウム合金を形成し、この金−アルミニウ
ム合金を介して前記接続端子と金属突起とを接合するこ
とを特徴とする。
は、透明基板の接続端子が、少なくとも表面がアルミニ
ウムにより構成されており、フレキシブル基板の上に形
成された金属突起が、少なくとも表面が金により構成さ
れ、接続端子と金属突起とを加圧、加熱することにおよ
り金−アルミニウム合金を形成し、この金−アルミニウ
ム合金を介して前記接続端子と金属突起とを接合するこ
とを特徴とする。
【００１３】接続端子は、そのすべてがアルミニウムに
より構成されている必要はないが、接合に十分な金−ア
ルミニウム合金を形成するためには、その表面に少なく
とも１００ｎｍ以上の厚みのアルミニウムが形成されて
いる必要がある。同様に、金属突起は、そのすべてが金
により構成されている必要はないが、接合に十分な金−
アルミニウム合金を形成するためには、その表面に少な
くとも５０以上の厚みの金が形成されている必要があ
る。
より構成されている必要はないが、接合に十分な金−ア
ルミニウム合金を形成するためには、その表面に少なく
とも１００ｎｍ以上の厚みのアルミニウムが形成されて
いる必要がある。同様に、金属突起は、そのすべてが金
により構成されている必要はないが、接合に十分な金−
アルミニウム合金を形成するためには、その表面に少な
くとも５０以上の厚みの金が形成されている必要があ
る。
【００１４】金−アルミニウム合金を形成するための圧
力は、２０ｋｇ／ｃｍ2 〜６０ｋｇ／ｃｍ2 程度が好ま
しく、温度は２００℃〜３５０℃程度が好ましい。この
ような条件で形成された金−アルミニウム合金は、Ａｕ
Ａｌ、Ａｕ4 ＡｌまたはＡｕ2 Ａｌを含む数種類の金属
間化合物からなる。かかる組成の金−アルミニウム合金
をもつ界面で接合された金属突起−接続端子間抵抗は、
断面積７０μｍ×７０μｍの金属の場合、約５０ｍΩ以
下であり、従って、本発明の電気的接続構造によると、
低抵抗の接続が可能である。
力は、２０ｋｇ／ｃｍ2 〜６０ｋｇ／ｃｍ2 程度が好ま
しく、温度は２００℃〜３５０℃程度が好ましい。この
ような条件で形成された金−アルミニウム合金は、Ａｕ
Ａｌ、Ａｕ4 ＡｌまたはＡｕ2 Ａｌを含む数種類の金属
間化合物からなる。かかる組成の金−アルミニウム合金
をもつ界面で接合された金属突起−接続端子間抵抗は、
断面積７０μｍ×７０μｍの金属の場合、約５０ｍΩ以
下であり、従って、本発明の電気的接続構造によると、
低抵抗の接続が可能である。
【００１５】以上のように構成される本発明の電気的接
続構造によると、従来、問題であった異方性導電膜の幅
の制約を受けることがなく、接続部をより小型化するこ
とができる。また、合金接合での強固で信頼性の高い接
続を得ることができるとともに、異方性導電膜を使用す
る必要がないので、材料費およびプロセス工数を削減す
ることができる。
続構造によると、従来、問題であった異方性導電膜の幅
の制約を受けることがなく、接続部をより小型化するこ
とができる。また、合金接合での強固で信頼性の高い接
続を得ることができるとともに、異方性導電膜を使用す
る必要がないので、材料費およびプロセス工数を削減す
ることができる。
【００１６】また、接続部を異方性導電膜またはＵＶ硬
化樹脂により被覆することにより、更に強固で信頼性の
高い接続を得ることができる。なお、ＵＶ硬化樹脂は、
接続部をＵＶ硬化性樹脂により被覆した後、加圧、ＵＶ
照射することにより得ることができる。
化樹脂により被覆することにより、更に強固で信頼性の
高い接続を得ることができる。なお、ＵＶ硬化樹脂は、
接続部をＵＶ硬化性樹脂により被覆した後、加圧、ＵＶ
照射することにより得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施
例に係る、液晶パネルとフレキシブル基板との接続プロ
セスを示す断面図である。図１（ａ）に示すように、液
晶パネル１１の周縁部に接続端子１３が設けられてお
り、この接続端子１３の少なくとも表面はアルミニウム
により構成されている。すなわち、接続端子１３はすべ
てがアルミニウムにより構成されていなくてもよく、表
面にアルミニウム層が形成されていることで足りる。ア
ルミニウムは低抵抗の配線材料であることから、表示領
域の形成にも使用されており、その表示領域の形成の際
に同時に接続端子を形成すればよく、それによって液晶
パネルの製造プロセスの工程数を増加させることはな
い。
て、図面を参照して説明する。図１は、本発明の一実施
例に係る、液晶パネルとフレキシブル基板との接続プロ
セスを示す断面図である。図１（ａ）に示すように、液
晶パネル１１の周縁部に接続端子１３が設けられてお
り、この接続端子１３の少なくとも表面はアルミニウム
により構成されている。すなわち、接続端子１３はすべ
てがアルミニウムにより構成されていなくてもよく、表
面にアルミニウム層が形成されていることで足りる。ア
ルミニウムは低抵抗の配線材料であることから、表示領
域の形成にも使用されており、その表示領域の形成の際
に同時に接続端子を形成すればよく、それによって液晶
パネルの製造プロセスの工程数を増加させることはな
い。
【００１８】接続端子１３の上方にフレキシブル基板１
４が配置されており、このフレキシブル基板１４の、液
晶パネルの接続端子１３と対向する位置には、例えば転
写バンプ法や電解めっき法により、金からなる金属突起
１５が形成されている。金属突起１５は、高精細なパタ
ーンを形成できるテープキャリア（Tape Carrier）を使
用することにより、例えば、幅４０μｍ×長さ１００μ
ｍの金属突起であれば、６０μｍピッチの配列で、フレ
キシブル基板に形成することができる。また、金属突起
１５は、接合に寄与する表面層が金であれば良く、突起
部すべてが金でなくても構わず、銅バンプに金めっきを
したものでもよい。
４が配置されており、このフレキシブル基板１４の、液
晶パネルの接続端子１３と対向する位置には、例えば転
写バンプ法や電解めっき法により、金からなる金属突起
１５が形成されている。金属突起１５は、高精細なパタ
ーンを形成できるテープキャリア（Tape Carrier）を使
用することにより、例えば、幅４０μｍ×長さ１００μ
ｍの金属突起であれば、６０μｍピッチの配列で、フレ
キシブル基板に形成することができる。また、金属突起
１５は、接合に寄与する表面層が金であれば良く、突起
部すべてが金でなくても構わず、銅バンプに金めっきを
したものでもよい。
【００１９】以下、接合プロセスについて説明すると、
まず、液晶パネル１１の接続端子１３とフレキシブル基
板１４の金属突起１５とを位置合わせする（図１
（ａ））。位置合わせが完了したら、ボンディングツー
ル３１を金属突起の上方より液晶パネル１１の方向に下
降させる（図１（ｂ））。次いで、ボンディングツール
３１により、フレキシブル基板１４を液晶パネルの接続
端子１３に加圧し、加熱することにより、金属突起１５
は液晶パネル１１の接続端子１３に圧接される。そのと
き、金属突起１５を構成する金と接続端子１３を構成す
るアルミニウムとは合金を形成し、この合金を介して金
属突起１５と接続端子１３は接合される（図１
（ｃ））。
まず、液晶パネル１１の接続端子１３とフレキシブル基
板１４の金属突起１５とを位置合わせする（図１
（ａ））。位置合わせが完了したら、ボンディングツー
ル３１を金属突起の上方より液晶パネル１１の方向に下
降させる（図１（ｂ））。次いで、ボンディングツール
３１により、フレキシブル基板１４を液晶パネルの接続
端子１３に加圧し、加熱することにより、金属突起１５
は液晶パネル１１の接続端子１３に圧接される。そのと
き、金属突起１５を構成する金と接続端子１３を構成す
るアルミニウムとは合金を形成し、この合金を介して金
属突起１５と接続端子１３は接合される（図１
（ｃ））。
【００２０】このようにして、金−アルミニウム合金接
合により、液晶パネル１１において低抵抗の配線材料と
して一般に用いられているアルミニウムの接続端子１３
上に、何ら別の導体を用いることなく、金属突起１５の
接続を行うことができる。接続後は、接合部の機械的な
保護のため、本実施例では基板の端部に樹脂１６により
補強を施している（図１（ｄ））。
合により、液晶パネル１１において低抵抗の配線材料と
して一般に用いられているアルミニウムの接続端子１３
上に、何ら別の導体を用いることなく、金属突起１５の
接続を行うことができる。接続後は、接合部の機械的な
保護のため、本実施例では基板の端部に樹脂１６により
補強を施している（図１（ｄ））。
【００２１】なお、図１に示す接続構造では、フレキシ
ブル基板１４として、金属突起１５が形成される端子１
７がビーム状に突出しているものを用いているが、図２
に示すように、端子の反対面にフレキシブル基板のベー
ス材料であるポリイミド層１８が形成されているもので
も構わない。
ブル基板１４として、金属突起１５が形成される端子１
７がビーム状に突出しているものを用いているが、図２
に示すように、端子の反対面にフレキシブル基板のベー
ス材料であるポリイミド層１８が形成されているもので
も構わない。
【００２２】次に、本発明の他の実施例について、図３
〜図５を参照して説明する。図３（ａ）は、従来は液晶
パネル１１の外に配置していた内蔵駆動回路１２ｘ，１
２ｙのタイミングなど制御するための半導体素子４１
を、液晶パネル１１上に搭載した構造の液晶パネルを示
す平面図、図３（ｂ）は、その接続部の断面図である。
〜図５を参照して説明する。図３（ａ）は、従来は液晶
パネル１１の外に配置していた内蔵駆動回路１２ｘ，１
２ｙのタイミングなど制御するための半導体素子４１
を、液晶パネル１１上に搭載した構造の液晶パネルを示
す平面図、図３（ｂ）は、その接続部の断面図である。
【００２３】この液晶パネルでは、図１に示す実施例と
同様に、フレキシブル基板１４は、金属突起１５を介し
て液晶パネル１１上の接続端子１３に接続されており、
液晶パネル１１上には、接続端子１３に接続された半導
体素子４１が実装されている。その結果、フレキシブル
基板１４からの図示しない電源、入出力信号は、接続端
子１３を介して、半導体素子４１に接続されている。ま
た、半導体素子４１からの図示しない制御信号は、液晶
パネル１１上の配線を介して内蔵駆動回路１２ｘ，１２
ｙへと接続されている。
同様に、フレキシブル基板１４は、金属突起１５を介し
て液晶パネル１１上の接続端子１３に接続されており、
液晶パネル１１上には、接続端子１３に接続された半導
体素子４１が実装されている。その結果、フレキシブル
基板１４からの図示しない電源、入出力信号は、接続端
子１３を介して、半導体素子４１に接続されている。ま
た、半導体素子４１からの図示しない制御信号は、液晶
パネル１１上の配線を介して内蔵駆動回路１２ｘ，１２
ｙへと接続されている。
【００２４】なお、半導体素子４１は、異方性導電膜を
用いて液晶パネル１１上に実装しても良いし、図３
（ｂ）に示すように、半導体素子４１の金からなる金属
突起１５と、液晶パネル１１上のアルミニウムを表面層
とする接続端子１６とを加圧、加熱して金−アルミニウ
ム合金を形成し、この合金層を介して、半導体素子４１
と液晶パネル１１とを接合しても構わない。
用いて液晶パネル１１上に実装しても良いし、図３
（ｂ）に示すように、半導体素子４１の金からなる金属
突起１５と、液晶パネル１１上のアルミニウムを表面層
とする接続端子１６とを加圧、加熱して金−アルミニウ
ム合金を形成し、この合金層を介して、半導体素子４１
と液晶パネル１１とを接合しても構わない。
【００２５】また、図３に示す構造では、液晶パネル１
１上に半導体素子４１をひとつしか記載していないが、
複数個あってもよく、また、半導体素子４１以外にコン
デンサ、抵抗などの受動素子４２を搭載しても構わな
い。
１上に半導体素子４１をひとつしか記載していないが、
複数個あってもよく、また、半導体素子４１以外にコン
デンサ、抵抗などの受動素子４２を搭載しても構わな
い。
【００２６】図４（ａ）は、従来は液晶パネル１１の外
に配置していた内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙのタイミン
グなど制御するための半導体素子４１を、フレキシブル
基板１４上に搭載して、液晶パネル１１の外形の中に収
めたものの平面図、図４（ｂ）は、半導体素子４１の接
続部を示す断面図である。
に配置していた内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙのタイミン
グなど制御するための半導体素子４１を、フレキシブル
基板１４上に搭載して、液晶パネル１１の外形の中に収
めたものの平面図、図４（ｂ）は、半導体素子４１の接
続部を示す断面図である。
【００２７】図４に示す実施例では、半導体素子４１を
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式により、フレキ
シブル基板１４に実装している。半導体素子４１からの
図示しない制御信号は、液晶パネル１１上の接続端子１
３と金属突起１５との間に形成された金−アルミニウム
合金接合により接続され、図示しない液晶パネル上の配
線により内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙへと接続される。
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式により、フレキ
シブル基板１４に実装している。半導体素子４１からの
図示しない制御信号は、液晶パネル１１上の接続端子１
３と金属突起１５との間に形成された金−アルミニウム
合金接合により接続され、図示しない液晶パネル上の配
線により内蔵駆動回路１２ｘ，１２ｙへと接続される。
【００２８】なお、図４（ａ）では、フレキシブル基板
１４上に半導体素子４１をひとつしか記載していない
が、複数個あってもよく、また、フレキシブル基板１４
上には、半導体素子以外に、コンデンサ、抵抗などの受
動素子を搭載しても構わない。
１４上に半導体素子４１をひとつしか記載していない
が、複数個あってもよく、また、フレキシブル基板１４
上には、半導体素子以外に、コンデンサ、抵抗などの受
動素子を搭載しても構わない。
【００２９】従来のＡＣＦを用いた接続方法では、接続
領域が大きかったため、液晶パネル上には他の部品を搭
載することができなかったが、本発明により、接続領域
を小型化することができたため、他の部品を搭載するこ
とが可能となった。
領域が大きかったため、液晶パネル上には他の部品を搭
載することができなかったが、本発明により、接続領域
を小型化することができたため、他の部品を搭載するこ
とが可能となった。
【００３０】図５は、フレキシブル基板１４に形成した
金属突起１５と液晶パネル１１上の接続端子１３の接続
部の断面図である。図５に示す例では、フレキシブル基
板１４に形成した金属突起１５と液晶パネル１１上の接
続端子１３とは、上述の実施例と同様に、金−アルミニ
ウム合金により接合されているとともに、その接合部を
異方性導電膜２１により覆っている。また、図から明ら
かなように、接続端子１３は、異方性導電膜２１の幅よ
りも小さく形成されている。この場合、フレキシブル基
板１４の金属突起１５を除く部分には、基板の他の端子
と接触して短絡しないように、絶縁処理層２０が形成さ
れている。
金属突起１５と液晶パネル１１上の接続端子１３の接続
部の断面図である。図５に示す例では、フレキシブル基
板１４に形成した金属突起１５と液晶パネル１１上の接
続端子１３とは、上述の実施例と同様に、金−アルミニ
ウム合金により接合されているとともに、その接合部を
異方性導電膜２１により覆っている。また、図から明ら
かなように、接続端子１３は、異方性導電膜２１の幅よ
りも小さく形成されている。この場合、フレキシブル基
板１４の金属突起１５を除く部分には、基板の他の端子
と接触して短絡しないように、絶縁処理層２０が形成さ
れている。
【００３１】なお、異方性導電膜２１の代わりに、ＵＶ
硬化樹脂膜２２を用いることも可能である。図５に示す
ような接続構造によると、接続部が異方性導電膜２１ま
たはＵＶ硬化樹脂膜２２により覆われているため、更に
強固で信頼性の高い接続を達成することができる。
硬化樹脂膜２２を用いることも可能である。図５に示す
ような接続構造によると、接続部が異方性導電膜２１ま
たはＵＶ硬化樹脂膜２２により覆われているため、更に
強固で信頼性の高い接続を達成することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電気的接
続構造によると、接続端子と金属突起とを加圧、加熱す
ることにより金−アルミニウム合金を形成し、この金−
アルミニウム合金を介して接合を行っているため、従
来、問題であった異方性導電膜の幅の制約を受けること
がなく、接続部をより小型化することができる。また、
合金接合での強固で信頼性の高い接続を得ることができ
るとともに、異方性導電膜を使用する必要がないので、
材料費およびプロセス工数を削減することが可能であ
る。また、接続部を異方性導電膜またはＵＶ硬化樹脂に
より被覆することにより、更に強固で信頼性の高い接続
を得ることができる。
続構造によると、接続端子と金属突起とを加圧、加熱す
ることにより金−アルミニウム合金を形成し、この金−
アルミニウム合金を介して接合を行っているため、従
来、問題であった異方性導電膜の幅の制約を受けること
がなく、接続部をより小型化することができる。また、
合金接合での強固で信頼性の高い接続を得ることができ
るとともに、異方性導電膜を使用する必要がないので、
材料費およびプロセス工数を削減することが可能であ
る。また、接続部を異方性導電膜またはＵＶ硬化樹脂に
より被覆することにより、更に強固で信頼性の高い接続
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る接合プロセスを工程順
に示す断面図。
に示す断面図。
【図２】本発明の他の実施例に係る接合部の断面図。
【図３】本発明の他の実施例に係る液晶パネルの平面図
および断面図。
および断面図。
【図４】本発明の他の実施例に係る液晶パネルの平面図
および断面図。
および断面図。
【図５】本発明の他の実施例に係る接合部の断面図。
【図６】従来の液晶表示パネルの平面図。
１１…液晶パネル １１ａ…表示領域 １２ｘ，１２ｙ…内蔵駆動回路 １３…接続端子 １４…フレキシブル基板 １５…金属突起 １６…樹脂 １７…端子 １８…ポリイミド層 ２１…異方性導電膜 ２２…ＵＶ硬化樹脂膜 ３１…ボンディングツール ４１…半導体素子 ４２…受動素子。
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶セルを備えた透明基板上に形成され
た液晶駆動回路の共通配線の接続端子と、電源供給・信
号入出力用フレキシブル基板の端子上に設けられた金属
突起とを加圧、加熱して接合してなる電気的接続構造で
あって、前記接続端子は、少なくとも表面がアルミニウ
ムにより構成され、前記金属突起は少なくとも表面が金
により構成され、前記加圧、加熱により金−アルミニウ
ム合金が形成され、この金−アルミニウム合金を介して
前記接続端子と金属突起との接合がなされていることを
特徴とする電気的接続構造。 - 【請求項２】 前記接続端子と金属突起との間の接合部
に異方性導電膜が被覆されていることを特徴とする請求
項１に記載の電気的接続構造。 - 【請求項３】 前記接続端子と金属突起との間の接合部
にＵＶ硬化樹脂膜が被覆されていることを特徴とする請
求項１に記載の電気的接続構造。 - 【請求項４】 液晶セルおよび液晶駆動回路の共通配線
の接続端子を備えた透明基板と、前記接続端子と接合さ
れた金属突起を端子上に有する電源供給・信号入出力用
フレキシブル基板とを具備する液晶表示装置であって、
前記接続端子は、少なくとも表面がアルミニウムにより
構成され、前記金属突起は少なくとも表面が金により構
成され、前記接続端子と金属突起とを加圧、加熱するこ
とにより金−アルミニウム合金が形成され、この金−ア
ルミニウム合金を介して前記接続端子と金属突起との接
合がなされていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25340496A JPH1096944A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 電気的接続構造および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25340496A JPH1096944A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 電気的接続構造および液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1096944A true JPH1096944A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17250916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25340496A Pending JPH1096944A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 電気的接続構造および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1096944A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006330711A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び液晶表示装置 |
| WO2007088631A1 (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板の接続部および回路基板の接続構造 |
| JP2012053467A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8259463B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP25340496A patent/JPH1096944A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9059045B2 (en) | 2000-03-08 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9786687B2 (en) | 2000-03-08 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9368514B2 (en) | 2000-03-08 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10162235B2 (en) | 2005-04-28 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US8259463B2 (en) | 2005-04-28 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US9411203B2 (en) | 2005-04-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| JP2006330711A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び液晶表示装置 |
| US10877329B2 (en) | 2005-04-28 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US11520193B2 (en) | 2005-04-28 | 2022-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US11726373B2 (en) | 2005-04-28 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
| US7973247B2 (en) | 2006-02-03 | 2011-07-05 | Panasonic Corporation | Connecting portion of circuit board and circuit board-connecting structure technical field |
| WO2007088631A1 (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板の接続部および回路基板の接続構造 |
| JP2012053467A (ja) * | 2011-09-14 | 2012-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
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