KR20000027768A - 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 - Google Patents

고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000027768A
KR20000027768A KR1019980045785A KR19980045785A KR20000027768A KR 20000027768 A KR20000027768 A KR 20000027768A KR 1019980045785 A KR1019980045785 A KR 1019980045785A KR 19980045785 A KR19980045785 A KR 19980045785A KR 20000027768 A KR20000027768 A KR 20000027768A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
bus line
data bus
electrode
counter electrode
Prior art date
Application number
KR1019980045785A
Other languages
English (en)
Inventor
최우호
안성준
전종엽
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019980045785A priority Critical patent/KR20000027768A/ko
Priority to US09/428,273 priority patent/US6429918B1/en
Publication of KR20000027768A publication Critical patent/KR20000027768A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes

Abstract

본 발명은 누설광의 발생 대역을 감소시키어, 개구율의 저하를 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치를 개시한다. 본 발명은, 액정을 사이에 두고 소정 거리 대향,대치되어 있는 상,하 기판과; 상기 하부 기판의 내측면에 액티브 매트릭스 형태로 배열되며, 단위 화소를 한정하는 게이트 버스 라인 및 데이터 버스 라인과; 상기 하부 기판의 내측면의 단위 화소 공간에 형성되는 투명한 카운터 전극과; 상기 단위 화소 공간에 형성되고, 카운터 전극과 상하 기판간의 거리보다 좁은 간격을 두고 이격되면서, 카운터 전극과 함께 액정내 분자를 구동시키기 위한 프린지 필드를 형성하는 투명한 화소 전극과; 상기 카운터 전극 및 화소 전극이 형성된 하부 기판과 액정층 사이 및 상기 상부 기판과 액정층 사이에 각각 형성된 배향막을 포함하는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 있어서, 상기 데이터 버스 라인과 대응되는 상부 기판의 배향막 표면에 상기 카운터 전극과 동일 신호가 인가되는 차폐 전극이 배치되어, 오프시 데이터 버스 라인과 차폐 전극사이에 전계를 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치
본 발명은 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다크시 누설광을 줄일 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 IPS(In-Plane Switching) 모드의 액정 표시 장치는 TN(twist nematic) 모드 액정 표시 장치의 좁은 시야각 특성을 개선하기 위하여, 일본국 히다찌사에서 개발된 모드이다.
이러한 IPS 모드 액정 표시 장치는 액정 분자를 구동시키는 화소 전극과 카운터 전극을 모두 동일한 기판에 배치시키므로써, 기판과 평행한 형태의 전계를 형성한다.
그러나, 이러한 IPS 모드의 액정 표시 장치는 화소 전극과 카운터 전극이 모두 불투명 금속막으로 액정 표시 장치의 개구면에 배치되어, 개구율 및 투과율이 TN 모드 액정 표시 장치에 비하여 매우 낮다.
따라서, 종래에는 이러한 IPS 모드 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율을 확보하고자, 화소 전극 및 카운터 전극을 투명 전도막으로 형성하는 기술이 국내 출원 98-9243호로 출원된 바 있다. 이러한 액정 표시 장치를 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치(또는 프린지 필드 스위칭 액정 표시 장치)라 하며, 이 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치는 화소 전극과 카운터 전극이 모두 투명한 물질로 형성되고, 화소 전극과 카운터 전극 사이의 이격된 거리는 상하 기판간의 거리보다 좁도록 형성되며, 화소 전극과 카운터 전극사이에 형성되는 전계가 각각의 전극 상부의 모든 부분에 미칠 수 있을 정도의 폭을 갖도록 형성된다.
이러한 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치는 화소 전극과 카운터 전극이 투명한 물질로 형성됨에 따라 개구율이 증대되고, 화소 전극과 카운터 전극 사이에 프린지 필드가 형성되어, 전극들 사이 및 전극들 상부에 존재하는 액정 분자까지 모두 동작시키므로써, 투과율이 증대된다.
그러나, 상기한 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치는 누설광 발생대역이 IPS 모드에 비하여 상대적으로 넓다.
즉, 게이트 버스 라인에 선택되지않고, 데이터 버스 라인에 디스플레이 신호가 계속적으로 인가될 때, 데이터 버스 라인 신호와 인접하는 카운터 전극 사이에 기생 전계가 발생된다. 이에따라, 이 기생 전계에 의하여 액정 분자들이 틀어지게 되므로써, 광이 누설되는 것이다.
여기서, 오프시 누설광을 보여주는 시뮬레이션 결과도면이 도 1에 제시되어 있다. 도 1은 데이터 버스 라인에 6.5V 전압이 인가되고 있으며, 게이트 버스 라인에는 전압이 인가되는 않는 상태로서, 도면에서 X 영역은 액정 분자 분포 및 등전위면을 나타낸 것이고, Y 영역은 광의 투과율을 나타낸 것이다. 도면에서와 같이 데이터 버스 라인 주변에서 오프시 원치않는 누설광이 발생되고, 이 누설광은 화소 영역으로 약 9㎛ 정도 침범하게 된다.
이와같이 누설광이 발생하게 되면, 액정 표시 장치의 콘트라스트비가 저하되어, 표시 품위가 떨어지게 된다.
종래의 다른 방식으로는 누설광이 발생되는 영역의 면적을 고려하여, 블랙 매트릭스를 넓게 형성하는 방법이 제안되었다. 그러나, 이 방법은 블랙 매트릭스가 액정 표시 장치의 개구 영역을 침범하게 되어, 개구율을 저하시키게 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 누설광의 발생 대역을 감소시키어, 개구율의 저하를 방지할 수 있는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 종래의 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 오프시 시뮬레이션 결과그래프.
도 2는 본 발명에 따른 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 오프시 시뮬레이션 결과 그래프
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 - 하부 기판 11 - 카운터 전극
13 - 게이트 절연막 15 - 화소 전극
17 - 데이터 버스 라인 19, 25 - 배향막
20 - 상부 기판 23 - 블랙 매트릭스
27 - 차폐 전극
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 액정을 사이에 두고 소정 거리 대향,대치되어 있는 상,하 기판과; 상기 하부 기판의 내측면에 액티브 매트릭스 형태로 배열되며, 단위 화소를 한정하는 게이트 버스 라인 및 데이터 버스 라인과; 상기 하부 기판의 내측면의 단위 화소 공간에 형성되는 투명한 카운터 전극과; 상기 단위 화소 공간에 형성되고, 카운터 전극과 상하 기판간의 거리보다 좁은 간격을 두고 이격되면서, 카운터 전극과 함께 액정내 분자를 구동시키기 위한 프린지 필드를 형성하는 투명한 화소 전극과; 상기 카운터 전극 및 화소 전극이 형성된 하부 기판과 액정층 사이 및 상기 상부 기판과 액정층 사이에 각각 형성된 배향막을 포함하는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 있어서, 상기 데이터 버스 라인과 대응되는 상부 기판의 상부 배향막 상부에 상기 카운터 전극과 동일 신호가 인가되는 차폐 전극이 배치되어, 오프시 데이터 버스 라인과 차폐 전극사이에 전계를 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 있어서, 데이터 버스 라인과 대응되는 상부 기판에 오프시 누설광을 차단하는 차폐 전극을 설치한다. 이에따라, 오프시 누설되는 면적을 줄일 수 있어, 블랙 매트릭스의 면적을 좁게 형성할 수 있다. 따라서, 개구율이 개선된다.
(실시예)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 도 2는 본 발명에 따른 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치를 시뮬레이션한 그래프이다.
먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치는, 하부 기판(10)과 상부 기판(20)은 소정 거리를 두고 대향,대치되어 있고, 하부 기판(10)과 상부 기판(20) 사이에는 수개의 액정 분자(도시되지 않음)를 포함하는 액정층(30)이 개재되어 있다. 여기서, 상하 기판(20,10)간의 거리 즉, 액정층(30)의 두께를 D라 한다. 또한, 액정층(30)은 유전율 이방성이 양 또는 음이 선택적으로 사용될 수 있다. 이때, 액정 분자의 굴절율 이방성과 셀갭의 곱(Δnd)은 0.2 내지 0.6㎛ 정도로 하는 것이 본 발명의 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치의 적정 화질을 구현하는데 적정하다.
하부 기판(10) 상에는 투명 전도체 예를들어, ITO로 된 카운터 전극(11)이 스트립(strip) 형태로, 소정 폭을 가지면서 일정 등간격으로 이격,배치된다. 카운터 전극(11)이 형성된 하부 기판(10) 상부에는 게이트 절연막(13)이 피복되고, 카운터 전극(11) 사이의 게이트 절연막(13) 상부에는 스트립 형상을 갖으며, 투명 전도체로 된 화소 전극(15)이 형성된다. 이때, 화소 전극(15)과 카운터 전극(11)간의 간격(L)은 프린지 필드를 형성하기 위하여 셀갭(D)보다 작으며, 카운터 전극(11)과 화소 전극(15)의 폭은 화소 전극(15)과 카운터 전극(11) 사이에 형성되는 전계가 각각의 전극(11,15) 상부에도 미칠수 있을 정도이다. 이때, 게이트 절연막(13)의 소정 부분 상부에는 단위 픽셀(도시되지 않음)이 한정되도록, 데이터 버스 라인(17)이 배치된다. 이때, 데이터 버스 라인(17)은 전도 특성이 우수한 불투명 금속막으로 형성된다. 화소 전극(15) 및 데이터 버스 라인(17)이 형성된 게이트 절연막(13) 상부에 하부 배향막(19)이 형성된다.
하부 기판(10)과 대향하는 상부 기판(20)면에는 데이터 버스 라인(17)과 대응되도록 블랙 매트릭스(23)가 배치된다. 이때, 블랙 매트릭스(23)는 데이터 버스라인(17) 주변에서 발생되는 누설광을 방지할 수 있도록 데이터 버스 라인(17)의 폭보다는 넓은 폭으로 형성되지만, 종래의 폭보다는 좁게 형성된다. 이에 대하여는 하기에서 설명될 것이다. 블랙 매트릭스(23)가 형성된 상부 기판(20)면에는 상부 배향막(25)이 형성되고, 블랙 매트릭스(23) 상의 상부 배향막(25) 상부에는 누설광의 발생 자체를 차단하는 차폐 전극(27)이 형성된다. 이때, 차폐 전극(27)은 불투명 금속막으로 형성되고, 차폐 전극(27)의 폭은 데이터 버스 라인(17)의 폭보다는 크고, 블랙 매트릭스(23)의 폭보다는 작다. 아울러, 차폐 전극(27)은 카운터 전극(11)과 동일한 신호가 인가된다.
여기서 차폐 전극(27)은 오프시 데이터 버스 라인(17)과 전계를 형성하게 되므로, 데이터 버스 라인(17)과 이웃하는 카운터 전극(11)과 전계가 발생될 확률을 줄이게 되어, 누설광이 크게 감소된다. 이때, 블랙 매트릭스(23)은 블랙 수지 물질로 형성되고, 차폐 전극(27)은 불투명 금속막으로 형성함이 바람직하다.
실제적으로 도 3은 상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치를 시뮬레이션한 결과 그래프로서, 오프시 데이터 버스 라인(17)에는 6.5V를 인가하고, 카운터 전극(11) 및 화소 전극(15)에 0V를 인가하였다,
그러면, 액정 표시 장치의 오프시, 도 3에서와 같이, 데이터 버스 라인(17) 상부 및 데이터 버스 라인(17) 주변에서 누설광이 발생된다. 이때, 누설광이 발생되는 폭은 종래의 폭(9㎛)보다 좁은 약 7㎛ 정도이다. 이때, 누설광이 발생되는 폭이 종래보다 좁게 나타나는 것은 상기 차폐 전극(27)과 데이터 버스 라인(17)간에 전계를 형성하였기 때문이다. 이에따라, 누설광이 발생 영역이 감소하였으므로, 블랙 매트릭스의 면적또한 감소되어, 액정 표시 장치의 화이트 개구율이 개선된다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 있어서, 데이터 버스 라인과 대응되는 상부 기판에 오프시 누설광을 차단하는 차폐 전극을 설치한다. 이에따라, 오프시 누설되는 면적을 줄일 수 있어, 블랙 매트릭스의 면적을 좁게 형성할 수 있다. 따라서, 개구율이 개선된다.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (2)

  1. 액정을 사이에 두고 소정 거리 대향,대치되어 있는 상,하 기판과; 상기 하부 기판의 내측면에 액티브 매트릭스 형태로 배열되며, 단위 화소를 한정하는 게이트 버스 라인 및 데이터 버스 라인과; 상기 하부 기판의 내측면의 단위 화소 공간에 형성되는 투명한 카운터 전극과; 상기 단위 화소 공간에 형성되고, 카운터 전극과 상하 기판간의 거리보다 좁은 간격을 두고 이격되면서, 카운터 전극과 함께 액정내 분자를 구동시키기 위한 프린지 필드를 형성하는 투명한 화소 전극과; 상기 카운터 전극 및 화소 전극이 형성된 하부 기판과 액정층 사이 및 상기 상부 기판과 액정층 사이에 각각 형성된 배향막을 포함하는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 데이터 버스 라인과 대응되는 상부 기판의 배향막 표면에 상기 카운터 전극과 동일 신호가 인가되는 차폐 전극이 배치되어, 오프시 데이터 버스 라인과 차폐 전극사이에 전계를 형성하는 것을 특징으로 하는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 차폐 전극의 폭은 상기 데이터 버스 라인의 폭보다는 크고, 상기 블랙 매트릭스의 폭보다는 작거나 동일한 것을 특징으로 하는 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치.
KR1019980045785A 1998-10-29 1998-10-29 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 KR20000027768A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980045785A KR20000027768A (ko) 1998-10-29 1998-10-29 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치
US09/428,273 US6429918B1 (en) 1998-10-29 1999-10-27 Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980045785A KR20000027768A (ko) 1998-10-29 1998-10-29 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000027768A true KR20000027768A (ko) 2000-05-15

Family

ID=19556104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980045785A KR20000027768A (ko) 1998-10-29 1998-10-29 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6429918B1 (ko)
KR (1) KR20000027768A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100494638B1 (ko) * 2001-03-15 2005-06-13 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 능동매트릭스형 액정표시장치 및 그 제조방법
CN109752892A (zh) * 2019-03-20 2019-05-14 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001330849A (ja) * 2000-05-18 2001-11-30 Nec Corp 液晶表示装置
KR100587367B1 (ko) * 2000-10-20 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100759965B1 (ko) * 2000-10-27 2007-09-18 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI299414B (ko) * 2001-03-16 2008-08-01 Chi Mei Optoelectronics Corp
GB0302485D0 (en) * 2003-02-04 2003-03-05 Plastic Logic Ltd Pixel capacitors
US7433007B2 (en) * 2003-03-03 2008-10-07 Hannistar Display Corporation Pixel structure for liquid crystal display
KR20050024166A (ko) * 2003-09-05 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계형 액정표시장치
US7436118B2 (en) * 2003-11-26 2008-10-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel with light-shielding layer
KR101107245B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101107265B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101125254B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
JP2009229599A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
CN102023408B (zh) * 2009-09-11 2013-04-03 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示器的彩膜基板及其制造方法
CN105511175A (zh) * 2016-01-28 2016-04-20 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN106019750A (zh) * 2016-08-10 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
WO2018082003A1 (en) * 2016-11-04 2018-05-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, liquid crystal display panel and fabricating method thereof, and liquid crystal display apparatus
JP2019049579A (ja) * 2017-09-07 2019-03-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびヘッドマウントディスプレイ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2770763B2 (ja) 1995-01-31 1998-07-02 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
TW477905B (en) * 1995-06-14 2002-03-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle
JP3795589B2 (ja) 1996-09-30 2006-07-12 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3883244B2 (ja) * 1997-01-23 2007-02-21 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 液晶表示装置
JP3817012B2 (ja) 1997-03-25 2006-08-30 松下電器産業株式会社 座標検出機能付液晶表示装置とその駆動回路
US5907380A (en) 1997-10-30 1999-05-25 International Business Machines Corporation Liquid crystal cell employing thin wall for pre-tilt control
JP4364332B2 (ja) * 1998-06-23 2009-11-18 シャープ株式会社 液晶表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100494638B1 (ko) * 2001-03-15 2005-06-13 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 능동매트릭스형 액정표시장치 및 그 제조방법
CN109752892A (zh) * 2019-03-20 2019-05-14 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6429918B1 (en) 2002-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7777852B2 (en) High aperture ratio in-plane switching mode active matrix liquid crystal display unit
US6657695B1 (en) Liquid crystal display wherein pixel electrode having openings and protrusions in the same substrate
US6600542B2 (en) Liquid crystal display having high transmittance and high aperture ratio in which the counter electrodes having rectangular plate shape and the pixel electrodes having branches
KR20000027768A (ko) 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치
KR100293811B1 (ko) 아이피에스모드의액정표시장치
KR100921137B1 (ko) 액정 표시 장치
KR100446383B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
JP2005091819A (ja) 液晶表示装置
KR20010066247A (ko) 횡전계방식 액정표시장치
KR100658072B1 (ko) 프린지 필드 구동 액정표시장치
KR100648212B1 (ko) 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
KR100494681B1 (ko) 광시야각을 갖는 액정 표시 장치
KR20050041586A (ko) 액정표시장치
KR100412124B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치
KR20050023084A (ko) 프린지 필드 구동 액정표시장치
JP2001183699A (ja) 液晶表示装置
KR100949491B1 (ko) 횡전계 방식 액정표시장치
KR100658073B1 (ko) 액정표시장치
KR100446381B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
KR20020044283A (ko) 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
KR20000045272A (ko) 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100658074B1 (ko) 투과도 및 잔상을 개선한 크로스 필드 스위칭 모드액정표시장치
KR100448043B1 (ko) 광 누설이 제거된 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20000009312A (ko) 광시야각 액정 표시 장치
KR101253044B1 (ko) 수평전계방식 액정표시소자

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application