JP2002174821A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 干渉光の発生を抑制する。
【解決手段】 液晶を介して互いに対向配置される基板
のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に他方の基板を
介して入射される外来光を反射させる画素電極を備え、
この画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されて
いるとともに、前記各凸部は該画素電極を平面的に観た
場合に異なる形状のものが２種以上ある。
のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に他方の基板を
介して入射される外来光を反射させる画素電極を備え、
この画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されて
いるとともに、前記各凸部は該画素電極を平面的に観た
場合に異なる形状のものが２種以上ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、入射した外来光の反射光を用いて表示を行う
いわゆる反射型と称されるタイプ又は透過型と反射型を
兼ねたタイプのアクティブ・マトリクス型の液晶表示装
置に関する。
り、特に、入射した外来光の反射光を用いて表示を行う
いわゆる反射型と称されるタイプ又は透過型と反射型を
兼ねたタイプのアクティブ・マトリクス型の液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装
置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の
基板の液晶側の面にたとえばｘ方向に延在しｙ方向に並
設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設さ
れるドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域とし、
これら各画素領域に、片側のゲート信号線からの走査信
号の供給により駆動する薄膜トランジスタと、この薄膜
トランジスタを介して片側のドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極とを備えている。
置は、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方の
基板の液晶側の面にたとえばｘ方向に延在しｙ方向に並
設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設さ
れるドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域とし、
これら各画素領域に、片側のゲート信号線からの走査信
号の供給により駆動する薄膜トランジスタと、この薄膜
トランジスタを介して片側のドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極とを備えている。
【０００３】この画素電極は、他方の基板の液晶側の面
に形成された対向電極との間に該映像信号に対応した強
さの電界を発生せしめ、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。
に形成された対向電極との間に該映像信号に対応した強
さの電界を発生せしめ、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。
【０００４】そして、このような液晶表示装置は、該画
素電極を前記他方の基板（観察者側に位置づけられる基
板）を介して入射される外来光を反射させる材料（たと
えばＡｌ）で構成することによって、いわゆる反射型と
して用いるものが知られている。
素電極を前記他方の基板（観察者側に位置づけられる基
板）を介して入射される外来光を反射させる材料（たと
えばＡｌ）で構成することによって、いわゆる反射型と
して用いるものが知られている。
【０００５】また、画素電極の下層側に島状の材料層を
散在的に位置づけさせるようにして、該材料層の凸部を
該画素電極の表面に顕在させるようにし、均一で光散乱
性の良好な反射特性を有するものも知られている（特開
２０００−９８３７５号公報、特開平１１−３３７９６
１号公報参照）。
散在的に位置づけさせるようにして、該材料層の凸部を
該画素電極の表面に顕在させるようにし、均一で光散乱
性の良好な反射特性を有するものも知られている（特開
２０００−９８３７５号公報、特開平１１−３３７９６
１号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、画素電極の下層側に形
成される島状の各材料層が、平面的に観察した場合にす
べて同一の形状（相似的なものも含む）からなるため、
これら各材料層によって該画素電極の表面に顕在された
凸部の側面は全て同一のテーパ角を有するようになる。
うに構成された液晶表示装置は、画素電極の下層側に形
成される島状の各材料層が、平面的に観察した場合にす
べて同一の形状（相似的なものも含む）からなるため、
これら各材料層によって該画素電極の表面に顕在された
凸部の側面は全て同一のテーパ角を有するようになる。
【０００７】このため、画素電極の凸部の側面にて反射
する光同士は互いに干渉し、これによって発生する干渉
光が、表示品質の向上において不都合を生じせしめるこ
とが指摘されるに到った。本発明は、このような事情に
基づいてなされたものであり、その目的は、干渉光の発
生を抑制できる液晶表示装置を提供することにある。
する光同士は互いに干渉し、これによって発生する干渉
光が、表示品質の向上において不都合を生じせしめるこ
とが指摘されるに到った。本発明は、このような事情に
基づいてなされたものであり、その目的は、干渉光の発
生を抑制できる液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００９】本発明による液晶表示装置は、たとえば、
液晶を介して互いに対向配置される基板のうち一方の基
板の液晶側の各画素領域に他方の基板を介して入射され
る外来光を反射させる画素電極を備え、この画素電極は
その表面に凸部が散在されて形成されているとともに、
前記各凸部は該画素電極を平面的に観た場合に異なる形
状のものが２種以上あることを特徴とするものである。
液晶を介して互いに対向配置される基板のうち一方の基
板の液晶側の各画素領域に他方の基板を介して入射され
る外来光を反射させる画素電極を備え、この画素電極は
その表面に凸部が散在されて形成されているとともに、
前記各凸部は該画素電極を平面的に観た場合に異なる形
状のものが２種以上あることを特徴とするものである。
【００１０】このように構成された液晶表示装置は、画
素電極の表面に形成された凸部において、該画素電極を
平面的に観た場合に異なる形状のものを２種以上存在さ
せることによって、該画素電極の凸部の側面にて反射す
る光同士は互いに干渉し難くなる。このため、表示品質
の向上が図れる。
素電極の表面に形成された凸部において、該画素電極を
平面的に観た場合に異なる形状のものを２種以上存在さ
せることによって、該画素電極の凸部の側面にて反射す
る光同士は互いに干渉し難くなる。このため、表示品質
の向上が図れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１２】実施例１．図２は本発明による液晶表示装
置の画素の一実施例を示す平面図である。また、図２の
I−I線における断面図を図１に示している。
置の画素の一実施例を示す平面図である。また、図２の
I−I線における断面図を図１に示している。
【００１３】図２は、マトリクス状に配置された多数の
画素のうちの一つを示すもので、この画素の左右および
上下のそれぞれに配置される他の画素も同様の構成とな
っている。
画素のうちの一つを示すもので、この画素の左右および
上下のそれぞれに配置される他の画素も同様の構成とな
っている。
【００１４】まず、図２において、透明基板ＳＵＢ１の
液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲ
ート信号線ＧＬが形成されている。
液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲ
ート信号線ＧＬが形成されている。
【００１５】このゲート信号線ＧＬはたとえばアルミニ
ウム（Ａｌ）から形成され、その表面は陽極酸化されて
Ａｌの酸化膜ＡＯが形成されている。その後の熱処理に
よってヒロックが生じたとえばドレイン信号線ＤＬとの
電気的ショート等が発生するのを回避するためである。
ウム（Ａｌ）から形成され、その表面は陽極酸化されて
Ａｌの酸化膜ＡＯが形成されている。その後の熱処理に
よってヒロックが生じたとえばドレイン信号線ＤＬとの
電気的ショート等が発生するのを回避するためである。
【００１６】そして、隣接する一対のゲート信号線ＧＬ
と後述の隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれ
る領域となる画素領域内には、幾つかの島状のＡｌ層が
形成されている。
と後述の隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれ
る領域となる画素領域内には、幾つかの島状のＡｌ層が
形成されている。
【００１７】このＡｌ層は後に説明する他の島状の材料
層とで積層されて画素領域内に凸部ＰＲを形成する層で
あり、この実施例では第１凸部ＰＲ１と称する。また、
後の説明でいう第ｎ凸部ＰＲｎ（ｎ＝１、２、３、…）
とは積層体から構成される凸部ＰＲの一つの材料層を示
すことを意味する。
層とで積層されて画素領域内に凸部ＰＲを形成する層で
あり、この実施例では第１凸部ＰＲ１と称する。また、
後の説明でいう第ｎ凸部ＰＲｎ（ｎ＝１、２、３、…）
とは積層体から構成される凸部ＰＲの一つの材料層を示
すことを意味する。
【００１８】なお、画素領域内に形成される前記凸部Ｐ
Ｒは、この実施例では図２に示すように規則正しく整列
されたものとして形成されている。しかし、第１凸部Ｐ
Ｒ１からなるＡｌ層はこれら各凸部ＰＲを形成すべき位
置に全て形成する必要はなく、ある凸部ＰＲには該第１
凸部ＰＲ１が形成され、他の凸部ＰＲには該第１凸部Ｐ
Ｒ１が形成されていないというようになっている。
Ｒは、この実施例では図２に示すように規則正しく整列
されたものとして形成されている。しかし、第１凸部Ｐ
Ｒ１からなるＡｌ層はこれら各凸部ＰＲを形成すべき位
置に全て形成する必要はなく、ある凸部ＰＲには該第１
凸部ＰＲ１が形成され、他の凸部ＰＲには該第１凸部Ｐ
Ｒ１が形成されていないというようになっている。
【００１９】また、前記第１凸部ＰＲ１のうち幾つかの
第１凸部ＰＲ１に重畳するようにしてたとえばＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜からなる第２凸部ＰＲ２が形成
されている。この第２凸部ＰＲ２はこの実施例では第１
凸部ＰＲ１に対して中心がずれて形成されている。この
ようにした理由は他の凸部ＰＲと比較して平面的に観た
形状をなるべく異ならしめるようにするとする趣旨から
である。
第１凸部ＰＲ１に重畳するようにしてたとえばＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜からなる第２凸部ＰＲ２が形成
されている。この第２凸部ＰＲ２はこの実施例では第１
凸部ＰＲ１に対して中心がずれて形成されている。この
ようにした理由は他の凸部ＰＲと比較して平面的に観た
形状をなるべく異ならしめるようにするとする趣旨から
である。
【００２０】このため、凸部ＰＲを形成しようとする個
所であって、第１凸部ＰＲ１が形成されていない領域に
おいて前記第２凸部ＰＲ２が形成されている部分もあ
る。
所であって、第１凸部ＰＲ１が形成されていない領域に
おいて前記第２凸部ＰＲ２が形成されている部分もあ
る。
【００２１】そして、ゲート信号線ＧＬ、第１凸部ＰＲ
１、第２凸部ＰＲ２をも被って透明基板ＳＵＢ１の面に
たとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが形成されている。
１、第２凸部ＰＲ２をも被って透明基板ＳＵＢ１の面に
たとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが形成されている。
【００２２】この絶縁膜ＧＩは、後述のドイレン信号線
ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬとの層間絶縁膜として
の機能、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに対してはその
ゲート絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに
対してはその誘電体膜としての機能を有するようになっ
ている。
ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬとの層間絶縁膜として
の機能、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに対してはその
ゲート絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに
対してはその誘電体膜としての機能を有するようになっ
ている。
【００２３】このため、この絶縁膜ＧＩは各画素領域の
全域にわたって形成されるのが通常であるが、この実施
例では、画素領域内の凸部ＰＲの形成領域にて選択的に
形成され、その周囲の部分はエッチングがなされたもの
として形成されている（図１参照）。このようにした理
由は、画素領域内に形成する各凸部ＰＲにおいて、この
絶縁膜ＧＩをもその一部すなわち第３凸部ＰＲ３として
構成しようとせんがためである。
全域にわたって形成されるのが通常であるが、この実施
例では、画素領域内の凸部ＰＲの形成領域にて選択的に
形成され、その周囲の部分はエッチングがなされたもの
として形成されている（図１参照）。このようにした理
由は、画素領域内に形成する各凸部ＰＲにおいて、この
絶縁膜ＧＩをもその一部すなわち第３凸部ＰＲ３として
構成しようとせんがためである。
【００２４】そして、画素領域の左下においてゲート信
号線ＧＬと重畳する前記絶縁膜ＧＩ上において、たとえ
ばａ−Ｓｉからなるｉ型（真性：導電型決定不純物がド
ープされていない）の半導体層ＡＳが形成されている。
号線ＧＬと重畳する前記絶縁膜ＧＩ上において、たとえ
ばａ−Ｓｉからなるｉ型（真性：導電型決定不純物がド
ープされていない）の半導体層ＡＳが形成されている。
【００２５】この半導体層ＡＳは、その上面にソース電
極およびドレイン電極を形成することによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの一部をゲート電極とするＭＩＳ型の薄
膜トラシジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
極およびドレイン電極を形成することによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの一部をゲート電極とするＭＩＳ型の薄
膜トラシジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００２６】ここで、この半導体層ＡＳにおいても、こ
の実施例では、画素領域内の凸部ＰＲの形成領域にて選
択的に形成されている（図１参照）。前記絶縁膜ＧＩと
同様に各凸部ＰＲにおいて該半導体層ＡＳを第４凸部Ｐ
Ｒ４として構成しようとせんがためである。
の実施例では、画素領域内の凸部ＰＲの形成領域にて選
択的に形成されている（図１参照）。前記絶縁膜ＧＩと
同様に各凸部ＰＲにおいて該半導体層ＡＳを第４凸部Ｐ
Ｒ４として構成しようとせんがためである。
【００２７】薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ
１およびドレイン電極ＳＤ２は、前記絶縁膜ＧＩ上に形
成されるドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるように
なっている。
１およびドレイン電極ＳＤ２は、前記絶縁膜ＧＩ上に形
成されるドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるように
なっている。
【００２８】すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に
並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイ
ン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの上面にまで延
在させて形成することにより、その延在部は薄膜トラン
ジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２として形成される。
並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、このドレイ
ン信号線ＤＬの一部を前記半導体層ＡＳの上面にまで延
在させて形成することにより、その延在部は薄膜トラン
ジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２として形成される。
【００２９】一方、ソース電極ＳＤ１は画素領域内の大
部分の領域にわたって形成される画素電極ＰＩＸと一体
に形成されるようになっている。
部分の領域にわたって形成される画素電極ＰＩＸと一体
に形成されるようになっている。
【００３０】ドレイン信号線ＤＬ（ドレイン電極）と画
素電極ＰＩＸ（ソース電極）は、いずれも同一の材料層
で形成され、この実施例の場合、クロム（Ｃｒ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の順次積層体によって形成されてい
る。下層としてクロムを用いたのは半導体層ＡＳとの接
続を考慮し、また上層としてアルミニウムを用いたのは
反射電極として機能させる画素電極ＰＩＸの反射効率を
考慮したためである。
素電極ＰＩＸ（ソース電極）は、いずれも同一の材料層
で形成され、この実施例の場合、クロム（Ｃｒ）とアル
ミニウム（Ａｌ）の順次積層体によって形成されてい
る。下層としてクロムを用いたのは半導体層ＡＳとの接
続を考慮し、また上層としてアルミニウムを用いたのは
反射電極として機能させる画素電極ＰＩＸの反射効率を
考慮したためである。
【００３１】そして、このようにして形成された画素電
極ＰＩＸの表面には前記凸部ＰＲの形状がほぼそのまま
に表面に顕在化するようになる。そして、これら各凸部
ＰＲは層の数の異なるものもあり、また平面的に観た形
状の異なるものもあるように構成されていることから、
反射光の方向がランダムになり、これらが干渉し合うよ
うなことはなくなる。したがって、表示の品質を向上さ
せることができる効果を奏する。
極ＰＩＸの表面には前記凸部ＰＲの形状がほぼそのまま
に表面に顕在化するようになる。そして、これら各凸部
ＰＲは層の数の異なるものもあり、また平面的に観た形
状の異なるものもあるように構成されていることから、
反射光の方向がランダムになり、これらが干渉し合うよ
うなことはなくなる。したがって、表示の品質を向上さ
せることができる効果を奏する。
【００３２】なお、ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極Ｓ
Ｄ１の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた
半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層とし
て機能するようになっている。
Ｄ１の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた
半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層とし
て機能するようになっている。
【００３３】前記半導体層ＡＳを形成した後、その表面
に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、
ドレイン電極ＳＤ２およびソース電極ＳＤ１を形成した
後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された
不純物がドープされた半導体層をエッチングすることに
より、上述した構成とすることができる。
に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、
ドレイン電極ＳＤ２およびソース電極ＳＤ１を形成した
後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された
不純物がドープされた半導体層をエッチングすることに
より、上述した構成とすることができる。
【００３４】そして、このようにドレイン信号線ＤＬお
よび画素電極ＰＩＸ等が形成された透明基板ＳＵＢ１の
表面には、該ドレイン信号線ＤＬ等をも被ってたとえば
ＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この保
護膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避するため等に設けられるものである。
よび画素電極ＰＩＸ等が形成された透明基板ＳＵＢ１の
表面には、該ドレイン信号線ＤＬ等をも被ってたとえば
ＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この保
護膜ＰＳＶは薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避するため等に設けられるものである。
【００３５】一方、図示していないが、この透明基板Ｓ
ＵＢと液晶を介して対向配置される透明基板の液晶側の
面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリ
クス（図２において点線枠ＢＭで示している）が形成さ
れている。
ＵＢと液晶を介して対向配置される透明基板の液晶側の
面には、各画素領域を画するようにしてブラックマトリ
クス（図２において点線枠ＢＭで示している）が形成さ
れている。
【００３６】このブラックマトリクスＢＭは、外来の光
が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するのを回避させるた
めと、表示のコントラストを良好にするために設けられ
ている。
が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するのを回避させるた
めと、表示のコントラストを良好にするために設けられ
ている。
【００３７】さらに、ブラックマトリクスＢＭの開口部
（光が透過する領域となり、実質的な画素領域となる）
には各画素領域に対応した色を有するカラーフィルタが
形成されている。
（光が透過する領域となり、実質的な画素領域となる）
には各画素領域に対応した色を有するカラーフィルタが
形成されている。
【００３８】このカラーフィルタは、たとえばｙ方向に
並設される各画素領域において同色のフィルタが用いら
れ、ｘ方向の各画素領域毎にたとえば赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に繰り返されて配列
されている。
並設される各画素領域において同色のフィルタが用いら
れ、ｘ方向の各画素領域毎にたとえば赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に繰り返されて配列
されている。
【００３９】以下、このように構成される液晶表示装置
の製造方法の一実施例を図３（ａ）ないし（ｅ）を用い
て説明する。
の製造方法の一実施例を図３（ａ）ないし（ｅ）を用い
て説明する。
【００４０】工程１．（図３（ａ）） まず、透明基板ＳＵＢ上に、Ａｌ層をたとえばスパッタ
リング方法を用いて約３００ｎｍの厚さに形成する。ホ
トリソグラフィ技術を用いてホトレジスト樹脂膜による
マスクパターンを該Ａｌ層上に形成する（以下、ホト工
程と称す）。
リング方法を用いて約３００ｎｍの厚さに形成する。ホ
トリソグラフィ技術を用いてホトレジスト樹脂膜による
マスクパターンを該Ａｌ層上に形成する（以下、ホト工
程と称す）。
【００４１】燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液で該Ａｌを選
択エッチングした後、該ホトレジスト樹脂膜を剥離す
る。
択エッチングした後、該ホトレジスト樹脂膜を剥離す
る。
【００４２】これによって残存したＡｌ層のパターンに
よって、ゲート信号線ＧＬ、および画素電極の表面に顕
在させる複数の散在された第１凸部ＰＲ１を形成する。
よって、ゲート信号線ＧＬ、および画素電極の表面に顕
在させる複数の散在された第１凸部ＰＲ１を形成する。
【００４３】工程２．（図３（ｂ）） パターニングされたＡｌ層の表面を酒石酸溶液中で陽極
酸化し、これにより厚さ約１８０ｎｍの陽極酸化膜ＡＯ
を形成する。
酸化し、これにより厚さ約１８０ｎｍの陽極酸化膜ＡＯ
を形成する。
【００４４】その後、透明基板ＳＵＢの表面に、ＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜をたとえばスパッタリング方法
により厚さ約１００ｎｍで形成し、ホト工程を経て、該
ＩＴＯ膜を王水溶液で選択エッチングする。
（Indium-Tin-Oxide）膜をたとえばスパッタリング方法
により厚さ約１００ｎｍで形成し、ホト工程を経て、該
ＩＴＯ膜を王水溶液で選択エッチングする。
【００４５】残存されたＩＴＯ膜は前記Ａｌによる第１
凸部ＰＲ１のうち幾つかの第１凸部ＰＲ１上の第２凸部
ＰＲ２として形成され、あるいは前記第１凸部ＰＲ１の
形成されていない部分において第２凸部ＰＲ２として形
成される。
凸部ＰＲ１のうち幾つかの第１凸部ＰＲ１上の第２凸部
ＰＲ２として形成され、あるいは前記第１凸部ＰＲ１の
形成されていない部分において第２凸部ＰＲ２として形
成される。
【００４６】工程３．（図３（ｃ）） 透明基板ＳＵＢの表面に、窒化シリコン膜ＳｉＮをたと
えばＣＶＤ方法を用いて厚さ約２４０ｎｍに堆積する。
この窒化シリコン膜ＳｉＮは絶縁膜ＧＩとして構成され
る。
えばＣＶＤ方法を用いて厚さ約２４０ｎｍに堆積する。
この窒化シリコン膜ＳｉＮは絶縁膜ＧＩとして構成され
る。
【００４７】次に、非晶質シリコン層をＣＶＤ方法によ
り厚さ約２００ｎｍに堆積させた後、燐（Ｐ）を約１％
ドーピングしたｎ（＋）非晶質シリコン層を厚さ約３５
ｎｍに堆積する。これら非晶質シリコン層およびｎ
（＋）非晶質シリコン層の順次積層体は半導体層ＡＳと
して構成される。
り厚さ約２００ｎｍに堆積させた後、燐（Ｐ）を約１％
ドーピングしたｎ（＋）非晶質シリコン層を厚さ約３５
ｎｍに堆積する。これら非晶質シリコン層およびｎ
（＋）非晶質シリコン層の順次積層体は半導体層ＡＳと
して構成される。
【００４８】ホト工程後、６フッ化硫黄ガスを用いて前
記半導体層ＡＳと絶縁膜ＧＩを一括ドライエッチングす
る。
記半導体層ＡＳと絶縁膜ＧＩを一括ドライエッチングす
る。
【００４９】この場合、上層の半導体層のエッチング速
度の方が、下層の絶縁膜のエッチング速度よりも速いた
め、絶縁膜の端部が約４°の順テーパ角となるのに対し
て、半導体層の端部は約７０°の順テーパ角となる。
度の方が、下層の絶縁膜のエッチング速度よりも速いた
め、絶縁膜の端部が約４°の順テーパ角となるのに対し
て、半導体層の端部は約７０°の順テーパ角となる。
【００５０】この際のホト工程を経る半導体層ＡＳと絶
縁膜ＧＩのドライ選択エッチングにおいては、前記第１
凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部ＰＲ２）上に重畳される
ように絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの積層体からなる第３
凸部ＰＲ３、および第４凸部ＰＲ４が形成されるように
なる。
縁膜ＧＩのドライ選択エッチングにおいては、前記第１
凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部ＰＲ２）上に重畳される
ように絶縁膜ＧＩと半導体層ＡＳの積層体からなる第３
凸部ＰＲ３、および第４凸部ＰＲ４が形成されるように
なる。
【００５１】同図では、これら第３凸部ＰＲ３、第４凸
部ＰＲ４は全ての第１凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部Ｐ
Ｒ２）上に重畳して形成されているが、これに限定され
ることはなく、第１凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部ＰＲ
２）のうち選択された幾つかのものに重畳して形成する
ようにしてもよい。
部ＰＲ４は全ての第１凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部Ｐ
Ｒ２）上に重畳して形成されているが、これに限定され
ることはなく、第１凸部ＰＲ１（あるいは第２凸部ＰＲ
２）のうち選択された幾つかのものに重畳して形成する
ようにしてもよい。
【００５２】工程４．（図３（ｄ）） 透明基板ＳＵＢの表面に、クロム（Ｃｒ）をたとえばス
パッタリング方法を用いて厚さ約３０ｎｍに堆積し、さ
らにアルミニウム（Ａｌ）を厚さ約２００ｎｍに堆積す
る。これらＣｒとＡｌの積層体はドレイン信号線ＤＬ
（薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１、ソー
ス電極ＳＤ２）あるいは画素電極ＰＩＸとして構成され
る。
パッタリング方法を用いて厚さ約３０ｎｍに堆積し、さ
らにアルミニウム（Ａｌ）を厚さ約２００ｎｍに堆積す
る。これらＣｒとＡｌの積層体はドレイン信号線ＤＬ
（薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ１、ソー
ス電極ＳＤ２）あるいは画素電極ＰＩＸとして構成され
る。
【００５３】ホト工程後、燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液
を用いてＡｌを選択エッチングし、硝酸セリウム第二ア
ンモン溶液を用いてＣｒを選択エッチングする。
を用いてＡｌを選択エッチングし、硝酸セリウム第二ア
ンモン溶液を用いてＣｒを選択エッチングする。
【００５４】そして、半導体層ＡＳ上のドレイン電極Ｓ
Ｄ１およびソース電極ＳＤ２から露出されたｎ（＋）非
晶質シリコン層を６フッ化硫黄ガスを用いてドライエッ
チングによって除去する。
Ｄ１およびソース電極ＳＤ２から露出されたｎ（＋）非
晶質シリコン層を６フッ化硫黄ガスを用いてドライエッ
チングによって除去する。
【００５５】工程５．（図３（ｅ）） 透明ガラス基板の表面に、窒化シリコン（ＳｉＮ）をた
とえばＣＶＤ方法を用いて厚さ約３００ｎｍに堆積す
る。このＳｉＮ膜は保護膜ＰＳＶとして構成される。
とえばＣＶＤ方法を用いて厚さ約３００ｎｍに堆積す
る。このＳｉＮ膜は保護膜ＰＳＶとして構成される。
【００５６】ホト工程後、６フッ化硫黄ガスを用いてド
ライエッチングによりパターニングする。このパターニ
ングは、図示されていないが、画素領域の集合からなる
表示部の領域外においてゲート信号線ＧＬあるいはドレ
イン信号線ＤＬの端子を露出するための孔開けとなる。
ライエッチングによりパターニングする。このパターニ
ングは、図示されていないが、画素領域の集合からなる
表示部の領域外においてゲート信号線ＧＬあるいはドレ
イン信号線ＤＬの端子を露出するための孔開けとなる。
【００５７】実施例２．図４は本発明による液晶表示装
置の画素の他の実施例を示す平面図で、図２と対応した
図となっている。図５は図４のV−V線における断面図を
示している。
置の画素の他の実施例を示す平面図で、図２と対応した
図となっている。図５は図４のV−V線における断面図を
示している。
【００５８】図２の構成と比較して異なる構成は、薄膜
トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２（ドレイン電極
ＳＤ１、ドレイン信号線ＤＬも同様）と画素電極ＰＩＸ
は保護膜ＰＳＶを介して異なる層に位置づけられ、該画
素電極ＰＩＸは保護膜ＰＳＶに形成されたコンタクト孔
ＣＨを通してソース電極ＳＤ２に接続されていることに
ある。
トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２（ドレイン電極
ＳＤ１、ドレイン信号線ＤＬも同様）と画素電極ＰＩＸ
は保護膜ＰＳＶを介して異なる層に位置づけられ、該画
素電極ＰＩＸは保護膜ＰＳＶに形成されたコンタクト孔
ＣＨを通してソース電極ＳＤ２に接続されていることに
ある。
【００５９】このような構成においても画素電極ＰＩＸ
の下層側には多数の平面的形状の異なる凸部ＰＲが形成
されており、該凸部ＰＲが画素電極ＰＩＸの表面に顕在
化されている。
の下層側には多数の平面的形状の異なる凸部ＰＲが形成
されており、該凸部ＰＲが画素電極ＰＩＸの表面に顕在
化されている。
【００６０】以下、このようにして構成される液晶表示
装置の製造方法の一実施例を図６を用いて説明する。な
お、この製造方法は、実施例１（図３）に示す構成の製
造方法において、工程５（図３（ｅ））までは同じとな
っているため、それ以降の工程について説明する。
装置の製造方法の一実施例を図６を用いて説明する。な
お、この製造方法は、実施例１（図３）に示す構成の製
造方法において、工程５（図３（ｅ））までは同じとな
っているため、それ以降の工程について説明する。
【００６１】工程６．（図６（ａ）） 透明基板ＳＵＢの表面に形成された保護膜ＰＳＶに、ホ
ト工程を経てソース電極ＳＤ２の延在部の一部を露出さ
せて、コンタクト孔ＣＨを形成する。
ト工程を経てソース電極ＳＤ２の延在部の一部を露出さ
せて、コンタクト孔ＣＨを形成する。
【００６２】工程７．（図６（ｂ）） 透明基板ＳＵＢの表面に、クロム（Ｃｒ）をたとえばス
パッタリング方法を用いて厚さ約３０ｎｍに堆積し、さ
らにアルミニウム（Ａｌ）を厚さ約２００ｎｍに堆積す
る。これらＣｒとＡｌの積層体は画素電極ＰＩＸとして
構成される。
パッタリング方法を用いて厚さ約３０ｎｍに堆積し、さ
らにアルミニウム（Ａｌ）を厚さ約２００ｎｍに堆積す
る。これらＣｒとＡｌの積層体は画素電極ＰＩＸとして
構成される。
【００６３】ホト工程後、燐酸、塩酸、硝酸の混合溶液
を用いてＡｌを選択エッチングし、硝酸セリウム第二ア
ンモン溶液を用いてＣｒを選択エッチングする。
を用いてＡｌを選択エッチングし、硝酸セリウム第二ア
ンモン溶液を用いてＣｒを選択エッチングする。
【００６４】ここで、この工程７で保護膜ＰＳＶの上面
に画素電極ＰＩＸを形成することにより、実施例１で形
成されたクロムとアルミニウムとの順次積層体は画素電
極としての機能が損なわれるようになる。
に画素電極ＰＩＸを形成することにより、実施例１で形
成されたクロムとアルミニウムとの順次積層体は画素電
極としての機能が損なわれるようになる。
【００６５】この積層体をそのまま残存させても液晶表
示装置として何ら弊害はないが、凸部ＰＲの形成領域に
おいて島状に選択的に形成するようにしてもよい。
示装置として何ら弊害はないが、凸部ＰＲの形成領域に
おいて島状に選択的に形成するようにしてもよい。
【００６６】すなわち、ドレイン信号線ＤＬ（ドレイン
電極ＳＤ１）、ソース電極を形成する際に、その金属層
（ＣｒとＡｌの順次積層体）によって、第５凸部ＰＲ５
を形成することによって、該凸部ＰＲの形状に変化をも
たせることができる。図７はこのようにした場合の構成
図である。
電極ＳＤ１）、ソース電極を形成する際に、その金属層
（ＣｒとＡｌの順次積層体）によって、第５凸部ＰＲ５
を形成することによって、該凸部ＰＲの形状に変化をも
たせることができる。図７はこのようにした場合の構成
図である。
【００６７】工程８．（図６（ｃ）） 透明ガラス基板の表面に、窒化シリコン（ＳｉＮ）をた
とえばＣＶＤ方法を用いて厚さ約３００ｎｍに堆積す
る。このＳｉＮ膜は保護膜ＰＳＶ１として構成される。
とえばＣＶＤ方法を用いて厚さ約３００ｎｍに堆積す
る。このＳｉＮ膜は保護膜ＰＳＶ１として構成される。
【００６８】ホト工程後、６フッ化硫黄ガスを用いてド
ライエッチングによりパターニングする。このパターニ
ングは、図示されていないが、画素領域の集合からなる
表示部の領域外においてゲート信号線ＧＬあるいはドレ
イン信号線ＤＬの端子を露出するための孔開けとなる。
ライエッチングによりパターニングする。このパターニ
ングは、図示されていないが、画素領域の集合からなる
表示部の領域外においてゲート信号線ＧＬあるいはドレ
イン信号線ＤＬの端子を露出するための孔開けとなる。
【００６９】上述したように、画素電極ＰＩＸの下層に
位置づけられる各凸部ＰＲは、該画素電極ＰＩＸを平面
的に観察した場合に、少なくとも２種の形状のものが含
まれているように構成したものである。
位置づけられる各凸部ＰＲは、該画素電極ＰＩＸを平面
的に観察した場合に、少なくとも２種の形状のものが含
まれているように構成したものである。
【００７０】ここで、形状の異なる各凸部のそれぞれの
態様を図８ないし図１０を用いて説明をする。各図は、
多数散在する凸部ＰＲのうちたとえば隣接する３個を選
択し、それら３個の凸部ＰＲの形状を示しており、各図
（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における
断面図を示している。
態様を図８ないし図１０を用いて説明をする。各図は、
多数散在する凸部ＰＲのうちたとえば隣接する３個を選
択し、それら３個の凸部ＰＲの形状を示しており、各図
（ａ）は平面図を、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における
断面図を示している。
【００７１】また、各図では、円形形状の材料を主とし
て用いて凸部ＰＲを形成しているがこの形状に限らず、
矩形、多角形あるいはその他の特殊な形状であってもよ
いことはいうまでもない。
て用いて凸部ＰＲを形成しているがこの形状に限らず、
矩形、多角形あるいはその他の特殊な形状であってもよ
いことはいうまでもない。
【００７２】まず、図８は、各凸部ＰＲは２層の材料層
からなるともに、一層目の凸部も二層目の凸部も円形形
状からなっている。
からなるともに、一層目の凸部も二層目の凸部も円形形
状からなっている。
【００７３】ここで、二層目の凸部は一層目の凸部に対
して中心をずらして配置させていることにある。
して中心をずらして配置させていることにある。
【００７４】このように構成することにより、各凸部を
比較した場合、それらの側壁におけるテーパ角が異な
り、また同じであったとしても方向が異なるようにテー
パが配置されることになる。
比較した場合、それらの側壁におけるテーパ角が異な
り、また同じであったとしても方向が異なるようにテー
パが配置されることになる。
【００７５】また、図９は、各凸部ＰＲにおいて、一層
の材料からなるもの、二層の材料からなるもの、三層の
材料からなるものがあり、それらが混在して配置されて
いる。
の材料からなるもの、二層の材料からなるもの、三層の
材料からなるものがあり、それらが混在して配置されて
いる。
【００７６】このように構成しても、各凸部ＰＲを比較
した場合、それらの側壁におけるテーパ角が異なるよう
になる。
した場合、それらの側壁におけるテーパ角が異なるよう
になる。
【００７７】さらに、図１０は、各凸部ＰＲが２層の材
料層からなるともに、二層目の材料はそれぞれ形状が異
なったものとなっている。
料層からなるともに、二層目の材料はそれぞれ形状が異
なったものとなっている。
【００７８】このように構成しても、各凸部を比較した
場合、それらの側壁におけるテーパ角が異なるようにな
る。そして、本願発明の実施において、上述した基本的
な各構成を組み合わせるようにして形成してもよいこと
はいうまでもない。
場合、それらの側壁におけるテーパ角が異なるようにな
る。そして、本願発明の実施において、上述した基本的
な各構成を組み合わせるようにして形成してもよいこと
はいうまでもない。
【００７９】上述した実施例では、画素電極ＰＩＸ上の
下層に形成する保護膜ＰＳＶはＳｉＮ等の無機膜とした
ものであるが、たとえば樹脂膜等の有機膜であってもよ
く、また、無機膜と有機膜との順次積層体であってもよ
い。そして、これらを凸部ＰＲにおける島状の材料層と
して形成する場合、該凸部ＰＲはその頂部が滑らかな形
状となることから、それが顕在化された画素電極ＰＩＸ
の表面に反射する光は方向がばらつき拡散性がよくなる
効果を奏する。
下層に形成する保護膜ＰＳＶはＳｉＮ等の無機膜とした
ものであるが、たとえば樹脂膜等の有機膜であってもよ
く、また、無機膜と有機膜との順次積層体であってもよ
い。そして、これらを凸部ＰＲにおける島状の材料層と
して形成する場合、該凸部ＰＲはその頂部が滑らかな形
状となることから、それが顕在化された画素電極ＰＩＸ
の表面に反射する光は方向がばらつき拡散性がよくなる
効果を奏する。
【００８０】上述した実施例１では、表示領域の画素電
極ＰＩＸ上に保護膜ＰＳＶ、実施例２では表示領域の画
素電極ＰＩＸ上に保護膜ＰＳＶ１を設けているが、少な
くともＴＦＴ部を被膜する構成としても、本願発明の効
果は変わらない。
極ＰＩＸ上に保護膜ＰＳＶ、実施例２では表示領域の画
素電極ＰＩＸ上に保護膜ＰＳＶ１を設けているが、少な
くともＴＦＴ部を被膜する構成としても、本願発明の効
果は変わらない。
【００８１】なお、各実施例に示した液晶表示装置は各
画素においてその大部分の領域に反射電極からなる画素
電極を形成したものである。しかし、各画素においてほ
ぼ半分の領域に透明電極からなる画素電極と残りの他の
部分の領域に反射電極からなる画素電極を形成し、いわ
ゆる透過型と反射型を兼ねた液晶表示装置においても適
用できることはいうまでもない。
画素においてその大部分の領域に反射電極からなる画素
電極を形成したものである。しかし、各画素においてほ
ぼ半分の領域に透明電極からなる画素電極と残りの他の
部分の領域に反射電極からなる画素電極を形成し、いわ
ゆる透過型と反射型を兼ねた液晶表示装置においても適
用できることはいうまでもない。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、干渉光の発生を抑
制できるようになる。
本発明による液晶表示装置によれば、干渉光の発生を抑
制できるようになる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要
部構成図で、図２のI−I線における断面図である。
部構成図で、図２のI−I線における断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施
例を示す工程図である。
例を示す工程図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】図４のV−V線における断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の製造方法の他の実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
要部断面図である。
要部断面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
説明図である。
説明図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す説明図である。
す説明図である。
ＳＵＢ……透明基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……
ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＩＸ
……画素電極、ＰＲ……凸部、ＰＲ１……第１凸部、Ｐ
Ｒ２……第２凸部、ＰＲ３……第３凸部、ＰＲ４……第
４凸部、ＰＲ５……第５凸部。
ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＩＸ
……画素電極、ＰＲ……凸部、ＰＲ１……第１凸部、Ｐ
Ｒ２……第２凸部、ＰＲ３……第３凸部、ＰＲ４……第
４凸部、ＰＲ５……第５凸部。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HA05 HB02X HB07X HD04 HD06 2H092 JA37 JB22 JB56 JB57 KB04 KB25 MA24 5C094 AA02 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA06 EA07 EB02
Claims (12)
- 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される基板
のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に他方の基板を
介して入射される外来光を反射させる画素電極を備え、 この画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されて
いるとともに、前記各凸部は該画素電極を平面的に観た
場合に異なる形状のものが２種以上あることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項２】 画素電極の表面に形成される凸部は、該
画素電極の下層側に位置づけられる島状の多層の材料層
によって形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 島状の多層の各材料層は、その側壁に形
成されるテーパにて角度の異なるものが存在することを
特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 島状の多層の各材料層は、その層の数が
異なるものが存在することを特徴とする請求項２に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項５】 島状の多層の各材料層は、その一の層の
形状が他の島状の多層の材料層の一の層の形状と異なる
ものが存在することを特徴とする請求項２に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項６】 島状の多層の各材料層は、その一の層の
形状の中心位置が他の層の形状の中心位置に対してずれ
ていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項７】 液晶を介して互いに対向配置される基板
のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に他方の基板を
介して入射される外来光を反射させる画素電極を備え、 この画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されて
いるとともに、前記各凸部はそれぞれの側壁における形
状が該画素電極を平面的に観た場合に異なるものが２種
以上あることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】 一方の基板の液晶側の面に隣接して配置
されるゲート信号線と隣接して配置されるドレイン信号
線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に片
側のゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動さ
れる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介し
て片側のドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極が備えられている請求項１あるいは７に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項９】 画素電極は画素領域の大部分に形成され
ていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】 画素電極は画素領域の一部分に形成さ
れていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１１】 一方の基板の液晶側の面に隣接して配
置されるゲート信号線と隣接して配置されるドレイン信
号線とで囲まれた領域を画素領域とし、この画素領域に
片側のゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動
される薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
して片側のドレイン信号線からの映像信号が供給される
画素電極が備えられ、 この画素電極はその表面に凸部が散在されて形成され、
この凸部は該画素電極の下層側に位置づけられる前記ゲ
ート信号線と同一の材料層、薄膜トラシジスタのゲート
絶縁膜と同一の材料層、ドレイン信号線と同一の材料
層、薄膜トランジスタを被う保護膜と同一の材料層のう
ち少なくとも２つの材料層の積層体によって形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 保護膜は有機材料、あるいは無機材料
と有機材料の順次積層体からなることを特徴とする請求
項１１に記載の液晶表示装置。
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| JP2000372786A JP3904828B2 (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 液晶表示装置 |
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| US10/002,134 US6891586B2 (en) | 2000-12-07 | 2001-12-05 | Liquid crystal display device |
| KR10-2001-0076816A KR100465861B1 (ko) | 2000-12-07 | 2001-12-06 | 액정표시장치 |
| CNB01143113XA CN1196964C (zh) | 2000-12-07 | 2001-12-07 | 液晶显示设备 |
| CNB2004100120546A CN100335946C (zh) | 2000-12-07 | 2001-12-07 | 液晶显示设备 |
| US10/867,716 US7102712B2 (en) | 2000-12-07 | 2004-06-16 | Liquid crystal display device comprising pixel electrodes having protruding portions formed of island-like multi-layered material layers |
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| KR100934710B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2009-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
| JP4299717B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2009-07-22 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
| JP4499481B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7342253B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-03-11 | Tpo Display Corp. | Display panels with anti-Newton ring structures |
| JP5010586B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2012-08-29 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| US20090195741A1 (en) * | 2006-06-30 | 2009-08-06 | Yoshihito Hara | Liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display |
| US8243236B2 (en) * | 2006-10-18 | 2012-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method for manufacturing liquid crystal display |
| US8421967B2 (en) * | 2006-12-14 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device |
| JP4943454B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2012-05-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN101600987B (zh) * | 2007-01-31 | 2011-09-21 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| JP5184517B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2013-04-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN101688993B (zh) * | 2007-06-26 | 2011-09-21 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 |
| TWI361327B (en) * | 2007-12-05 | 2012-04-01 | Au Optronics Corp | Color filter with different alignment structures and display panel using the same |
| EP2077466A1 (en) * | 2008-01-07 | 2009-07-08 | TPO Displays Corp. | Electrode structure for an LCD device |
| TWI453835B (zh) * | 2012-01-11 | 2014-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 畫素結構及其製作方法 |
| CN104701326A (zh) * | 2015-03-19 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| EP4375742A2 (en) * | 2020-02-26 | 2024-05-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418635A (en) | 1992-02-19 | 1995-05-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with a reflective substrate with bumps of photosensitive resin which have 2 or more heights and random configuration |
| JP3066192B2 (ja) | 1992-07-10 | 2000-07-17 | シャープ株式会社 | 反射型アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP2756206B2 (ja) | 1992-02-19 | 1998-05-25 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2740401B2 (ja) | 1992-04-02 | 1998-04-15 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2948736B2 (ja) | 1994-09-28 | 1999-09-13 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH1010525A (ja) | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 反射型基板およびその製造方法並びに反射型液晶表示装置 |
| KR100460060B1 (ko) * | 1996-06-29 | 2005-05-19 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형기판,그의제조방법및이를적용한반사형액정표시장치 |
| US6330047B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US6195140B1 (en) | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| JP3284187B2 (ja) | 1998-01-29 | 2002-05-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3019831B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH11337961A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sharp Corp | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3478528B2 (ja) | 1998-07-23 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP4238399B2 (ja) | 1998-12-18 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | 拡散反射板及びその製造方法と反射型表示装置 |
| CN1174359C (zh) * | 1999-03-04 | 2004-11-03 | 三星电子株式会社 | 反射型液晶显示器及其制造方法 |
| KR100582600B1 (ko) | 1999-03-12 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시소자 |
| WO2001061403A1 (fr) | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Corps moule, panneau reflechissant, afficheur reflectif et procede pour produire un panneau reflechissant |
| US6747289B2 (en) * | 2000-04-27 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating thereof |
| US6362065B1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Blocking of boron diffusion through the emitter-emitter poly interface in PNP HBTs through use of a SiC layer at the top of the emitter epi layer |
| JP3904828B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
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