JP4827984B2 - 液晶表示装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施例では、膜厚0.8μmのアクリル樹脂膜を形成する。
。同時に、コンタクトホールが貫通した時に、第2の層間膜の表面の一部が除去され、第2の層間膜の表面上の一部に第2の形状のレジスト膜より膜厚の薄い第4の形状のレジスト膜114が残る(図8(B2))。
従って、実施例1〜2の画素部の上面図を示す図6では、少なくともゲート配線469と画素電極470の間隙と、ゲート配線469と接続電極468の間隙と、接続電極468と画素電極470の間隙を遮光する必要がある。本実施例では、それらの遮光すべき位置に着色層の積層からなる遮光部が重なるように各着色層を配置して、対向基板を貼り合わせた。
投影型の露光装置であるミラープロジェクターアライナーにより露光した場合は、図7に示す遮光部104と遮光部104の間(つまり透光部103)の間隔SA1〜SA2を3.0μm以下、望ましくは1.5μm以下とすることが望ましい。
また、遮光部104はどのような形状を取るにせよ、直径15μm以下、望ましくは1.0μm以下の円に全体が含まれる大きさとすることが望ましい。遮光部の幅が広すぎるとエッチング条件によってはコンタクトホール形成と同時に形成する凹凸部において平滑な領域が占める面積が多くなり、反射電極に入射した光が鏡面反射しやすくなるため注意が必要である。
本発明は表示部2402に適用することができる。
106:第2の形状のレジスト膜
108〜111:コンタクトホール
112:第2の凹凸部
125:第1の凹凸部
462:第2の層間膜
470:画素電極
Claims (3)
- 半導体層上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に、エッチングにおける選択比が前記第2の絶縁膜と異なる感光性樹脂膜を形成し、
フォトマスクを用いて前記感光性樹脂膜を露光することにより、第1の形状を有するレジスト膜と、表面に不規則な第1の凹凸が設けられた第2の形状を有するレジスト膜とを形成し、
前記第1の形状を有するレジスト膜を用いた第1のエッチング処理により、前記第1の絶縁膜に達しない第1のコンタクトホールを前記第2の絶縁膜に形成し、
前記第1のエッチング処理におけるエッチャントを換えて、前記第1の形状を有するレジスト膜をエッチングして第3の形状を有するレジスト膜を形成するとともに、前記第2の形状を有するレジスト膜をエッチングして、前記第1の凹凸を反映した第4の形状を有するレジスト膜を形成し、
前記第3の形状を有するレジスト膜を用いた第2のエッチング処理により、前記第1の絶縁膜に達する第2のコンタクトホールを前記第2の絶縁膜に形成するととともに、前記第4の形状を有するレジスト膜を用いた前記第2のエッチング処理により、前記第2の絶縁膜の表面の一部に第2の凹凸を形成し、
前記第3の形状を有するレジスト膜及び前記第4の形状を有するレジスト膜を残したまま前記第1の絶縁膜をエッチングして、前記半導体層に達する第3のコンタクトホールを形成し、
前記第3の形状を有するレジスト膜及び前記第4の形状を有するレジスト膜を除去し、
前記第2の絶縁膜上に反射性を有する導電膜を形成した後、パターニングすることにより、前記第3のコンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続され、かつ、前記第2の凹凸を反映した第3の凹凸が設けられた画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第2の絶縁膜として、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のエッチング処理における前記第2の絶縁膜のエッチング速度は、前記第1のエッチング処理における前記感光性樹脂膜のエッチング速度の5倍〜10倍であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
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