JP2005031662A - アレー基板及びこれの製造方法と、これを有する液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
ラビング方向を10時方向に仮定するとき、ゲートラインとソースライン形成時ゲートラインからフローティングされた第1光遮断パターンを形成し、透過窓の境界領域を第1光遮断パターンと一部領域を重ね合わせて透過窓の左側垂直辺近傍で発生される残像や光漏洩現象を除去する。ソースラインからフローティングされた第2光遮断パターンを形成し、単位ピクセルに具備される透過窓の境界領域を第2光遮断パターンと一部領域を重ね合わせることで、透過窓の上側水平辺近傍で発生される残像や光漏洩現象を除去することができる。
【選択図】 図11
Description
また、透過型液晶表示装置はバックライトなどの装置から入射される人工光を使用するので、明るい場所でも暗い場所でも表示される画像を認識することはできるが、光源の出力に応じて電力消費が大きくなり、特に電池により動作させる携帯用表示装置などには適合していない短所がある。
図1は一般の液晶表示装置を示すための図面である。
図2及び図3は前記した図1の動作原理を示すための図面である。特に、図2は反射モード動作を示すための図面で、図3は透過モード動作を示すための図面である。特に液晶に印加される電圧がないときホワイトカラーを示すノーマルホワイトモードの液晶を具備する場合をその一例として示す。
前記円偏光が液晶層30を通過するが、このとき、液晶層30は液晶に印加される電圧がないので、ツイスト状態を保持するのでこのようなツイストされた液晶層により円偏光は位相がλ/4分だけ変わって線偏光された後、前記線偏光が反射板19に反射されて液晶層30を再び通過しながらλ/4分だけ位相が変わって円偏光になる。前記円偏光が上部λ/4位相遅延フィルム40を通ると最初に入射した光と同一の線偏光に変換された後上部偏光板50を経由して光が透過してホワイトカラーを表示する。
前記円偏光が液晶層30を通過するが、このとき、液晶層30は液晶に印加された電圧により配列されるので円偏光をそのまま通過させ、液晶層30を通過した円偏光は反射板60に反射されて液晶層を再び通り上部λ/4位相遅延フィルム40により位相がλ/4分だけ変わってλ/4位相分だけ遅延された線偏光になる。前記線偏光が上部偏光板30を経由しながら光が損失されてブラックカラーを表示する。
一方、液晶層30に印加される電圧があるとき、前記人工光は偏光板90を通過し線偏光に変換され、下部λ/4位相遅延フィルム60により円偏光に変換された後、透明電極18を経由して液晶層30に到達する。このとき液晶層30には電圧が印加されているので液晶は垂直配列され、垂直配列された液晶層によって円偏光をそのまま保持し上部λ/4位相遅延フィルム40に到達する。
また、本発明の他の目的は前記したアレー基板の製造方法を提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的はアレー基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
また、前記した本発明のさらに他の目的を実現するための特徴を有する液晶表示装置は、色画素を具備する上部基板と、互いに隣接するゲートラインとソースラインにより画定される画素領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、反射領域と透過窓を画定しながら前記透過窓のエッジが前記画素領域のエッジ領域に重畳されるように前記画素領域に形成された反射板を具備する下部基板と、
前記上部基板と下部基板との間に形成されるものの、前記反射領域と透過窓に対応して形成された液晶層とを含む。
図4は偏光液晶表示装置を示すための平面図であり、特に、トップITO(透明電極がカラーフィルタ上部に配置された)構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板の単位画素を示している。
図5は前記した図4における切断線A−A’線に沿って切断した断面図である。
図5に示すように、液晶表示装置はアレー基板100、カラーフィルター基板200及びアレー基板100とカラーフィルター基板200との間に形成された液晶層300を含む。
また、アレー基板100は有機絶縁層140上に一部領域が開口されて、第1コンタクトホール141を通じてドレーン電極130に連結される画素電極150と、前記スイッチング素子TFT全体を被いながら形成された保護層152と、保護層152上に形成された反射板160を含み、反射板160が形成された領域を反射領域として画定し、反射板160が形成されていない部分が透過窓145として画定される。
一方、カラーフィルター基板200は、透明基板205上に、R、G、Bそれぞれの画素領域を画定するブラックマトリックス層(図示せず)と、前記ブラックマトリックス層により画定される領域に形成された色画素層210と、前記ブラックマトリックス層と色画素層210を保護するために塗布された表面保護層(図示せず)を含む。勿論、前記したブラックマトリックス層を形成しなくても、隣接する色画素層210を互いにオーバーラップさせる方式を通じてブラックマトリックス機能を付与することができる。また、前記表面保護層上部、即ち、液晶層300に近接する面に、図示していない共通電極層をさらに形成することができる。
図6及び図7は、偏光液晶表示装置で発生する残像現象及び光漏洩現象をそれぞれ示すための図面である。図面上のCNTはスイッチング素子のドレーン電極に形成されたコンタクトホールである。
観察者観点で配向膜のラビング方向が概ね10時方向のとき、図6に示されたように、前記したラビング工程が透過窓に対応して終了する領域、即ち、透過窓の2つの辺H1、V1近傍で光漏洩性残像現象が観察される。また、観察者観点でラビング方向が概ね10時方向のとき、図7に示すように、前記ラビング工程が透過窓の境界領域、即ち、前記透過窓の4つの辺の近傍H1、H2、V1、V2で光漏洩現象が観察される。
図8に示すように、電圧が印加された20ms後には反射領域や透過窓内側領域では、液晶分子が正常に垂直配向状態を保持するが、透過窓エッジ領域では正常な垂直配向状態で保持できない液晶分子が存在する。このような正常な垂直配向状態が保持できない液晶分子により、右側領域(前記図4の透過窓の右側垂直辺)では光漏洩現象X11が発生し、左側領域(前記図4の透過窓の左側垂直辺)では前記右側領域で発生する光漏洩現象レベルより高い光漏洩性残像現象Y11が発生する。
図9は偏光液晶表示装置を動作させて200ms後の液晶配列と残像及び光漏洩現象を示すための図面である。特に、前記した図4の切断線B−B’に沿って切断した断面図の液晶配列とこれに対応する残像及び光漏洩現象を示す。
図9に示すように、電圧が印加された200ms後にも前記した垂直配列状態を保持していない液晶分子が存在する。右側領域(前記図4の透過窓の右側垂直辺)では相変わらず光漏洩現象X21が発生し、左側領域(前記図4の透過窓の左側垂直辺)では図8に示された残像はなくなるが、光漏洩現象Y22が発生する。
即ち、現在フレーム初期に前回フレームに印加された電圧により残像現象が発生することを確認することができ、現在フレームだけではなく、次フレーム、その次フレームの間中前回フレームに印加された電圧により光漏洩現象が発生することが確認できる。
そのため、以下多重セルギャップ反射−透過型液晶表示装置で発生する残像や光漏洩現象を防止するための望ましい実施形態を図面を参照して説明する。
図10に示すように、本発明の一実施形態によるアレー基板は、ゲートライン409、ソースライン419、ゲートライン409の形成時に形成された第1光遮断パターン413、ソースライン419の形成時に形成された第2光遮断パターン422、スイッチング素子TFT、画素電極450、そして反射領域と透過窓445を画定する反射板460とを含む。
ゲートライン409は基板(図示せず)上に横方向に伸長され、縦方向に間隔をあけて配列され、ソースライン419は縦方向に伸長され、横方向に間隔をあけて配列される。
第2光遮断パターン422はソースライン419形成時フローティング状態で形成され、平面で観察するとき下部に形成されたゲートライン409とは一部領域が重なり合うように横方向に伸長され縦方向に配列される。第2光遮断パターン422は平面で観察するときラビング方向が大体下側から上側に向かうとき透過窓445の上側水平辺を通じて発生される残像及び光漏洩現象を遮断する。
画素電極450は、互いに隣接するゲートライン409と互いに隣接するソースライン419によって画定されるそれぞれの領域に形成され、コンタクトホール441を通じてドレーン電極430と連結される。
反射板460(図11参照)は、画素電極450上に形成されて自然光を反射する反射領域と人工光を透過させる透過領域または透過窓445を画定し、前記反射領域のエッジの一定領域で前記透過領域に延長されて画素電極450と連結される。
図11は前記した図10のC−C’線に沿って切断した断面図を示す。特に、トップITO方式の液晶表示装置を示す。
アレー基板400は透明基板405上に形成されたゲート電極410、ゲート電極410及び透明基板405上に形成されたゲート絶縁膜412、半導体層414、オーミックコンタクト層416、ソース電極420及びドレーン電極430を具備するスイッチング素子TFTと、第1光遮断パターン413と、前記スイッチング素子TFTを被覆しドレーン電極430の一部を露出させるパッシベーション層440、パッシベーション層440上に形成されながらドレーン電極430の一部を露出させ厚く形成された有機絶縁層444を含む。第1光遮断パターン413は、ゲート電極410形成時にフローティング状態で形成し、有機絶縁層444の表面には反射効率を高めるために複数の溝と窪みを形成することが望ましい。
画素電極450は光を透過させる透過電極として、インジウム錫酸化物ITOや錫酸化物TOまたはインジウム亜鉛酸化物IZOが利用される。図示していないが、画素電極450を形成する以前に、前記スイッチング素子TFTから一定距離離隔される領域、望ましくは反射板460の下部領域に別途のキャパシター配線を形成して、前記キャパシター配線と画素電極450をストレージキャパシターとして画定する。
図示していないが、前記表面保護層上部、即ち、液晶層300に近接する面に、図示していない共通電極層をさらに形成することができる。
特に、前記液晶層300を構成する液晶分子の異方性屈折率を△nにし、セルギャップをdにするとき、前記反射領域のうちコンタクトホール441が形成された領域には前記有機絶縁層444が形成されていないので、液晶層300は△nd1の光学特性を有する。コンタクトホール441が形成されていない領域にはコンタクトホール441が形成された領域に形成された有機絶縁層より高い位置に有機絶縁層が形成されるので、液晶層300は△nd2の光学特性を有する。一方、前記透過領域には最も低い位置に有機絶縁層が形成されるので前記透過領域に対応する液晶層300は△nd3の特性を有する。
また、液晶層300に具備される液晶分子は、ホモジニアス配向処理してツイスト角を0°として設計する。前記ツイスト角を0°にラビング設計するために、アレー基板400に具備される第1配向膜(図示せず)が第1方向にラビングされると仮定するとき、カラーフィルター基板200に具備される第2配向膜(図示せず)は前記第1方向とは反対である第2方向にラビングする。このとき、反射板460のエッジのうち、前記スイッチング素子TFTに近接した側のエッジが透過窓445領域に延長される。勿論、アレー基板400に具備される第1配向膜が第2方向にラビングされると、カラーフィルター基板200に具備される第2配向膜は第1方向にラビングされ、反射板460のエッジのうち前記スイッチング素子TFTから離れている側のエッジが透過窓445領域に延長される。
以上、アレー基板400に画素電極450を形成し、カラーフィルター基板200に共通電極(図示せず)を形成して、液晶層300両端間に電圧を印加する方式を説明したが、カラーフィルター基板200に前記共通電極層を形成しない場合、例えば、IPSモードやFFSモードのようにCEモードを採用する液晶表示装置にも同様に採用することができる。
<反射モード動作時>
図12に示すように、反射モード動作時、液晶に印加される電圧がないとき外部入射光が上部偏光板50を通過したあと線偏光になり、再び上部λ/4位相板40を通過して左円偏光になる。勿論、右円変更であることもあり得る。
前記円偏光が液晶層300を通過するが、このとき液晶層300は液晶に印加される電圧がないので水平配列状態を保持し、このような水平配列状態の液晶層300により左円偏光は位相がλ/4分だけ変わって線偏光になった後前記線偏光が反射板460に反射されて液晶層300を再び通りながらλ/4分だけ位相が変わって左円偏光になる。前記反射モードに対応する液晶層300は、前記した図11に示すように△nd2の光学特性を有する。
前記左円偏光が上部λ/4位相板40を通り最初に入射された光と同一の線偏光に変換された後、上部偏光板50を経由して光が透過してホワイトカラーを表示する。
前記左円偏光が液晶層300を通過するが、このとき液晶層300は液晶に印加された電圧により垂直配列されるので左円偏光をそのまま通過させ、液晶層300を通過した左円偏光は反射板460に反射されて右円偏光になり、前記右円偏光は液晶層300を再び通過して上部λ/4位相板40により位相がλ/4分だけ変わって、λ/4遅延された線偏光になる。前記線偏光が上部偏光板50を経由しながら光が損失されてブラックカラーを表示する。
<透過モード動作時>
図13に示すように、透過モード動作時、液晶層300に印加される電圧がないとき、バックライト組立体(図示せず)から提供された光は下部偏光板70を通過しながら線偏光に変換され、下部λ/4位相板60によって右円偏光に変換され、画素電極450を経由して液晶層300に到達する。前記透過モードに対応する液晶層300は、前記した図11に示すように△nd3の光学特性を有する。前記△nd3は前記反射モードに対応する液晶層300の光学特性である△nd2の2倍である。
一方、液晶層300に印加される電圧がある時、バックライト組立体から提供された光は偏光板70を通過して線偏光に変換され、下部λ/4位相板60上により右円偏光に変換された後、画素電極450を経由して液晶層300に到達する。
上部λ/4位相板40に到達した右円偏光は線偏光に変換された後上部偏光板50に到達し、上部偏光板50に到達した線偏光は光が損失されるのでブラックカラーを表示する。
図14乃至図18は、前記した図10のアレー基板の製造方法を示すための図面である。
図面上に図示されていないが、ゲート電極410を形成するときストレージ電極ラインをさらに形成し、ゲート電極410を含む基板の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着法で積層してゲート絶縁膜を形成した後、前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜及び自然(insitu)ドーピングされたn+アモルファスシリコン膜をパターニングして、前記ゲート絶縁膜のうち下にゲート電極410が位置した領域上に半導体層及びオーミックコンタクト層を順次に形成する。
続いて、図17に示すように、ゲートライン409とソースライン419により画定される各画素に画素電極442を画成するためのITO層を形成し、ドレーン電極430と既に形成されたホール441を通じて連結する。前記ITO層を全面塗布した後、前記各画素領域に対応するITO層のみ残されるようにパターニングすることができ、前記画素領域のみに形成されるように部分塗布することができる。
そして、本発明による透過窓の2辺に対応して反射板を透過窓に重ね合わせ、前記透過窓の残りの2辺に対応しては別途のフローティングパターンを形成することで、残像や光漏洩現象を遮断可能であることをシミュレーション結果を通じて簡略に説明する。
図19に示すように、電圧が印加された20ms後に反射領域や透過窓内側では液晶が正常に垂直配向状態を保持するが、透過窓エッジ領域では正常な垂直配向状態で保持できなくて、光漏洩現象及び残像が発生する。即ち、右側領域(前記図10の透過窓右側垂直辺)では光漏洩現象X31が発生し、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)では残像現象Y31が発生する。
これは反射領域と透過領域に対応するセルギャップ間の段差に起因して、正常でない周縁場(fringe field)により液晶分子が影響を受けるからである。
しかし、右側領域(前記図10の透過窓の右側垂直辺)に配置される延長された反射板460により光漏洩現象X31は遮断され、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)に配置される第1光遮断パターン413により残像現象Y31は遮断される。
図20に示すように、右側領域(前記図10の透過窓の右側垂直辺)では相変わらず光漏洩現象X41が発生し、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)では前記右側領域から発生する光漏洩現象レベルより高い光漏洩現象X42が発生している。しかし、右側領域(前記図10の透過窓の下側水平辺)配置される延長された反射板460のより光漏洩現象X41は遮断され、左側領域(前記図10の透過窓の上側水平辺)に配置される第1光遮断パターン413により光漏洩現象X42は遮断される。
図21は前記した図10の切断線E−E’線に沿って切断した概略的な断面図において、電圧を印加してから20ms後の液晶配列とこれに対応する残像及び光漏洩現象を示すための図面である。
図21に示すように、電圧が印加されて20ms後の右側領域(前記図10の透過窓の右側垂直辺)では光漏洩現象X51が発生し、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)では残像現象Y51が発生している。
しかし、右側領域(前記図10の透過窓の右側垂直辺)に配置される延長された反射板460によって前記光漏洩現象X51は遮断され、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)に配置される第2光遮断パターン422により残像現象Y51は遮断される。
図22に示すように、右側領域(前記図10の透過窓の右側垂直辺)では相変わらず光漏洩現象X61が発生しており、左側領域(前記図10の透過窓の左側垂直辺)では前記右側領域から発生する光漏洩現象のレベルより高い光漏洩現象X62が発生している。
図23は、本発明の他の実施形態による偏光液晶表示装置を示すための平面図である。特に、ボトムITO構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を示す。
図23に示すように、本発明の他の実施形態によるアレー基板は、ゲートライン509、ソースライン519、ゲートライン509の形成時に形成された第1光遮断パターン513、ソースライン519の形成時に形成された第2光遮断パターン522、スイッチング素子TFT、画素電極542、そして反射領域と透過窓545を画定する反射板560を含む。
第1光遮断パターン513はゲートライン509の形成時に形成されるが、平面上で観察するとき上部に形成されるソースライン519とは一部領域が重なり合うように縦方向に伸長されながら横方向に配列される。第1光遮断パターン513は平面で観察する場合にラビング方向が概ね左側から右側に向かうとき、透過窓545の左側垂直辺を通じて発生する残像及び光漏洩現象を遮断する。
スイッチング素子TFTは、互いに隣接するゲートライン509と互いに隣接するソースライン519により画定されるそれぞれの領域に形成され、ゲートライン509から延長されたゲート電極510、ソースライン519から延長されたソース電極520及びソース電極520から離隔されたドレーン電極530を有する。
画素電極542は、互いに隣接するゲートライン509と互いに隣接するソースライン519により画定されるそれぞれの領域に形成され、コンタクトホール541を通じてドレーン電極530と連結される。
反射板560は前記反射領域に対応する領域に形成され、図示されていない配向膜のラビング方向を考慮して、透過窓545に延長されて下部に具備される画素電極542と連結される。特に、図面上では観察者の観点から見る時、前記配向膜を概ね10時方向にラビング処理すると仮定して、透過窓545の下部辺と右側辺に隣接する反射領域のエッジの一定領域から透過窓545に延長されて下部に具備される画素電極542と連結されることを示す。
図24は、前記した図23の切断線B−B’線に沿って切断した断面図を示す。特に、ボトムITO方式の液晶表示装置を示す。
アレー基板500は透明基板505上に形成されたゲート電極510、ゲート電極510及び透明基板505上に形成されたゲート絶縁膜512、半導体層514、オーミックコンタクト層516、ソース電極520及びドレーン電極530を具備するスイッチング素子TFTと、第1光遮断パターン513、前記スイッチング素子TFTを被覆しドレーン電極530の一部を露出させるパッシベーション層540を含む。第1光遮断パターン513は、ゲート電極510の形成時フローティング状態で形成することが望ましい。
アレー基板500は、有機絶縁層544上においては前記スイッチング素子TFT全体を被い形成された反射板を含み、反射板560が形成された領域を反射領域として画定し、反射板560が形成されていない領域を透過窓545として画定する。
図示していないが、画素電極542を形成する前に、前記スイッチング素子TFTから一定の距離離隔される領域、望ましくは反射板560の下部領域に別途のキャパシター配線を形成し、前記キャパシター配線と画素電極542をストレージキャパシターとして画定する。
一方、液晶層300はアレー基板500とカラーフィルター基板200との間に形成され、アレー基板500の画素電極542に印加される電圧とカラーフィルター基板200の共通電極層(図示せず)に印加される電圧に応答して、カラーフィルター基板200を経由する自然光を透過させるか、透過窓545を経由する人工光を透過させる。このとき、液晶層300は反射領域に対応する液晶層と、透過窓545に対応する液晶層とでそれぞれ区分することができ、区分されるそれぞれの液晶層は互いに異なるセルギャップを有する。前記反射領域に対応する液晶層のセルギャップはd4であり、透過窓545に対応する液晶層のセルギャップはd5であり、相互に相異する液晶層の光学特性を有する。
図25に示すように、多重セルギャップ液晶表示装置はアレー基板600と、カラーフィルター基板700、アレー基板600及びカラーフィルター基板700との間に形成された液晶層800と、カラーフィルター基板700上に形成された上部光学フィルム組立体910と、アレー基板600の下に形成された下部光学フィルム組立体920とを含む。
また、アレー基板600は有機絶縁層644上に一部領域が開口されて、この開口の第1コンタクトホール641を通じてドレーン電極630に連結される画素電極650と、前記スイッチング素子TFT全体を被覆しながら形成された保護層652と、保護層652上に形成された反射板660を含み、反射板660が形成された部分が反射領域として画定され、反射板660が形成されていない領域が透過窓645としてされる。
反射板660は、保護層652の上部領域のうち前記反射領域に対応する領域に形成される。図面上では反射板660と画素電極650が保護層652により離隔されて電気的に絶縁されることを図示したが、保護層652の一部を除去して反射板660と画素電極650を連結させることができる。
一方、液晶層800は、垂直配向モードを有し、アレー基板600とカラーフィルター基板700との間に形成され、アレー基板600の画素電極650に印加される電圧とカラーフィルター基板700の共通電極層(図示せず)に印加される電圧に応答して、カラーフィルター基板700を経由する自然光を透過させるか、透過窓670を経由する人工光を透過させる。前記した液晶層が垂直配向モードを採用することで、ノーマルブラックモードとして動作してブラックカラーを表示するとき発生される光漏洩現象を防止する。
前記反射領域と透過窓に対する最適のセルギャップは、液晶層800を形成する液晶分子や液晶層800の上下両側にそれぞれ具備される光学フィルム組立体の条件によって異なるが、前記反射領域に対応するセルギャップd5は2.0乃至2.5μmであり、前記透過窓に対応するセルギャップd6は4.0乃至5.0μmである。
上部光学フィルム組立体910は、カラーフィルター基板700上に順次に形成されたλ/4位相遅延フィルム912及び上部偏光板914を含み、自然光の特性を変換してカラーフィルター基板700に提供するか、反射された自然光の特性を変換して外部に出射する。その詳細な動作に対しては下記する図27及び図27に示す。勿論、液晶表示装置の光視野角のために上部λ/位相遅延フィルム912と上部偏光板914との間に別途の光視野角位相板をさらに具備する。
以上、アレー基板600に画素電極650を、カラーフィルター基板700に共通電極層(図示せず)を形成して、液晶層800の両端間に電圧を印加する方式を説明したが、カラーフィルター基板700に共通電極層を形成しない場合、例えば、IPS(In Plane Switching)モードやFFS(Fringe Field Switching)モードのように、CEモードを採用する液晶表示装置にも同一に採用することができる。
図26及び図27は前記した図25の動作原理を示すための図面である。特に垂直配向モードを有する反射−透過型液晶表示装置の動作原理を示す。
図26に示すように、反射モード動作時、液晶層800に加えられる電圧があるとき外部入射光が上部偏光板914を通過した後線偏光になり、再び上部λ/4位相遅延フィルム912を通過して円偏光になる。
前記円偏光が上部λ/4位相遅延フィルム912を通ると、最初に入射した光と同一の線偏光に変換された後上部偏光板914を経由して光が透過してホワイトカラーを表示する。
前記円偏光が液晶層800を通過するが、このとき液晶層800は液晶に印加された電圧により垂直配列されるので円偏光をそのまま通過させ、液晶層800を通過した円偏光は反射板660に反射されて円偏光になり、前記円偏光は液晶層800を再び通り上部λ/4位相遅延フィルム912により位相がλ/4分だけ変わってλ/4遅延された線偏光になる。前記線偏光が上部偏光板914を経由して光が損失されてブラックカラーを表示する。
円偏光が到達した液晶層800には電圧が印加されるので液晶は水平配列状態を保持し、水平配列された液晶層800によって円偏光に変換された後、上部λ/4位相遅延フィルム912により位相がλ/4変換されて線偏光になる。このとき、変換された線偏光は上部偏光板914を通過してホワイトカラーを表示する。
一方、液晶層800に印加される電圧がないとき、バックライト組立体から提供された光は偏光板924を通過しながら線偏光に変換され、下部λ/4位相遅延フィルム922によって円偏光に変換された後、透明電極150を経由して液晶層800に到達する。
上部λ/4位相遅延フィルム912に到達した円偏光は線偏光に変換されてた後上部偏光板914に到達し、上部偏光板914に到達した線偏光は光が損失されるのでブラックカラーを表示する。
以上、液晶層と偏光板との間にλ/4位相遅延フィルムを配置する一例を図示したが、光視野角位相板をさらに具備することもできる。即ち、上部λ/4位相遅延フィルム上に光視野角位相板を配置し、下部λ/4位相遅延フィルムの下に光視野角位相板を配置して視野角特性を向上させることができる。
このように、本発明による垂直配向モードの液晶表示装置は、ノーマルブラックモードとして動作するのでピクセル損傷を減少させることができる。
反面、本発明によるVAモードを採用する液晶表示装置はノーマルブラックモードで動作するので、電圧が印加されていない状態でブラックカラーを表示し、電圧が印加されることによっていホワイトカラーを表示する。このとき、高レベルの電圧印加によって正常にホワイトカラーが表示できないピクセルはブラックカラーを示し、このようなブラックカラーは利用者にはホワイト画面で小さい損傷として観察される。
また、前記透過窓の左側境界領域や下側境界領域近傍で発生する残像や光漏洩現象は、前記透過窓を画定する反射板を前記透過窓の境界領域側に延長させることで除去可能である。
また、本発明によると多重セルギャップモード反射−透過型液晶表示装置でV/Aモードを採用するので、液晶分子の初期配向状態がアレー基板またはカラーフィルター基板に対して垂直であるのでノーマルブラックモードの動作特性を有し、これによってECBモードよりコントラスト比率が非常に良好である。
即ち、ECBモードでは電圧印加時に液晶分子が垂直整列してブラックカラーを表示するが、ピクセルの外郭領域近傍では隣接するピクセルの影響によって垂直整列されない液晶分子が存在するようになり、これによって正常にブラックカラーを表示できなくなる。しかし、本発明によるVAモードでは、電圧未印加時ブラックカラーを表示するのでピクセルの外郭領域の近傍でも前記した垂直整列されていない液晶分子が存在しなくなるのでコントラスト比率がモード特性上優秀である。
また、反射領域と透過窓との間の段差領域で光漏洩現象及び残像現象を除去することができる。なぜなら、ECBモードの場合には電圧未印加時ホワイトカラーを表示し、電圧印加時ブラックカラーを表示するので、前記段差領域で光漏洩現象及び残像現象が発生する。しかし、VAモードの場合には電圧印加時ホワイトカラーを表示し、電圧未印加時ブラックカラーを表示するので前記段差領域で光漏洩現象及び残像現象が誘発されない。
また、一般にECBモードの視野角が±40°内外である反面、本発明によるVAモードの視野角は±70°内外であるので視野角特性が良子であるだけではなく、光視野角の各位相差板を使用するので視野角特性を向上させることができる。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
50、70 偏光板
200 カラーフィルター基板
300 液晶層
400 アレー基板
409、509 ゲートライン
413、422、513、522 光遮断パターン
419、519 ソースライン
445、545 透過窓
450、542 画素電極
460、560 反射板
Claims (30)
- 反射領域と透過窓に区分され、前記透過窓が境界部分に隣接して形成された画素領域を具備する基板と、
前記画素領域に形成されたスイッチング素子と、
前記透過窓に形成され、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、
前記反射領域に形成された反射板と、
を含むアレー基板。 - 前記画素電極は前記透過窓と反射領域に連続されて形成されることを特徴とする請求項1記載のアレー基板。
- 前記画素電極は前記透過窓に形成されるものの、一部領域が前記反射板に連結されることを特徴とする請求項1記載のアレー基板。
- 前記透過窓は前記画素領域の角領域に形成されることを特徴とする請求項1記載のアレー基板。
- 前記透過窓のエッジ領域の一部に形成されて、前記透過窓のエッジに光が入射されることを防止する光遮断部をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のアレー基板。
- 前記光遮断部は前記ゲートラインの形成時にフローティングされて形成され、前記ソースライン伸長方向と同一に伸長され、前記透過窓の第1辺に対応する領域を被覆する第1光遮断パターンを含むことを特徴とする請求項5記載のアレー基板。
- 前記光遮断部は前記ソースラインの形成時にフローティングされて形成され、前記ゲートライン伸長方向と同一に伸長され、前記透過窓の第2辺に対応する領域を被覆する第2光遮断パターンを含むことを特徴とする請求項5記載のアレー基板。
- 前記反射板は前記透過窓に接する前記反射領域の一部エッジで前記透過窓に延長されたことを特徴とする請求項1記載のアレー基板。
- 前記反射板上にラビングされた配向膜をさらに具備し、前記透過窓に延長された反射板の形状は前記配向膜のラビング方向に従属することを特徴とする請求項8記載のアレー基板。
- 前記スイッチング素子及び基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記スイッチング素子のドレーン電極を露出させ前記反射領域に対応して前記スイッチング素子上に形成され、前記透過窓に対応して前記基板を露出させる有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に形成され、前記ドレーン電極と連結された前記画素電極上に形成された保護層をさらに含み、
前記反射板が前記保護層の上部領域のうち前記反射領域に対応する領域に形成され、前記反射領域のエッジの所定領域で前記透過窓に延長されて形成されたことを特徴とする請求項1記載のアレー基板。 - 前記スイッチング素子のドレーン電極を露出させ前記スイッチング素子及び第1基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ドレーン電極に連結された前記画素電極及びスイッチング素子上に形成されて前記透過窓に対応して前記ゲート絶縁膜を露出させる有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上部領域のうち前記反射領域に形成された保護層をさらに含み、
前記反射板が前記保護層の上部領域に形成され、前記反射領域のエッジの所定領域で前記透過窓に延長されて前記画素電極に連結されたことを特徴とする請求項1記載のアレー基板。 - (a)基板上に形成されたゲートラインとソースラインにより画定される画素領域にスイッチング素子と光遮断部を形成する段階と、
(b)前記画素領域のうち前記スイッチング素子と光遮断部の一部が含まれた領域を反射領域として画定し、前記光遮断部の残りが含まれた領域を透過領域として画定し、前記反射領域上に有機絶縁層を形成する段階と、
(c)前記有機絶縁層表面及び前記透過領域に連続して画素電極を形成する段階と、
(d)前記反射領域に反射板を形成する段階と、
を含むアレー基板の製造方法。 - 前記段階(a)は、
(a−1)前記基板上に第1方向に伸長されるゲートラインと、前記ゲートラインから延長されたゲート電極と、第2方向に伸長される光遮断部の第1光遮断パターンを形成する段階と、
(a−2)前記第2方向に伸長されるソースラインと、前記ソースラインから延長されたソース電極と、前記ソースラインと所定間隔離隔され、前記ソース電極から所定間隔離隔されたドレーン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項12記載のアレー基板の製造方法。 - 前記段階(a−2)は前記第1方向に伸長される前記光遮断部の第2光遮断パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項13記載のアレー基板の製造方法。
- (a)基板上に形成されたゲートラインとソースラインにより画定される画素領域にスイッチング素子と光遮断部を形成する段階と、
(b)前記画素領域のうち前記スイッチング素子と光遮断部の一部が含まれた領域を反射領域として画定し、前記光遮断部の残りが含まれる領域を透過領域として画定し、前記透過領域と前記反射領域の一部に連続して画素電極を形成する段階と、
(c)前記反射領域に有機絶縁層を形成する段階と、
(d)有機絶縁層表面に反射板を形成する段階と、
を含むアレー基板の製造方法。 - 前記段階(a)は、
(a−1)前記基板上に第1方向に伸長されるゲートラインと、前記ゲートラインから延長されたゲート電極と、第2方向に伸長される前記光遮断部の第1光遮断パターンを形成する段階と、
(a−2)前記第2方向に伸長されるソースラインと、前記ソースラインから延長されたソース電極と、前記ソースラインと所定間隔離隔され、前記ソース電極から所定間隔離隔されたドレーン電極を形成する段階と、を含む請求項15記載のアレー基板の製造方法。 - 前記段階(a−2)は、前記第1方向に伸長される前記光遮断部の第2光遮断パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16記載のアレー基板の製造方法。
- 色画素を具備する上部基板と、
互いに隣接するゲートラインとソースラインにより画定される画素領域に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、反射領域と透過窓を画定し、前記透過窓のエッジが前記画素領域のエッジ領域に重畳されるように前記画素領域に形成された反射板とを具備する下部基板と、
前記上部基板と下部基板との間に形成されるものの、前記反射領域と透過窓に対応して形成された液晶層と、
を含む液晶表示装置。 - 前記透過窓に対応する色画素の厚さは、前記反射領域に対応する色画素の厚さより厚いことを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記透過窓に対応する液晶層のセルギャップは、前記反射領域に対応する液晶層のセルギャップより大きいことを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記透過窓に対応する液晶層のセルギャップは、前記反射領域に対応する液晶層のセルギャップの2倍であることを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層はホモジニアス配向されることを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記下部基板は前記液晶層を配向するために前記反射板上にラビングされた配向膜をさらに具備し、前記透過窓の配置は前記配向膜ラビング方向に従属することを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記透過窓の左側垂直辺及び上側水平辺は上面から観察するとき、前記ラビング方向が略10時から11時方向である場合、前記画素領域の左側垂直辺及び上側水平辺側にシフトされたことを特徴とする請求項22記載の液晶表示装置。
- 前記液晶層は垂直配向モードを有することを特徴とする請求項18記載の液晶表示装置。
- 前記反射領域に対応する色画素には複数のホールが形成されることを特徴とする請求項25記載の液晶表示装置。
- 前記上部基板上に配置された上部λ/4位相遅延フィルムと、
前記上部λ/4位相遅延フィルム上に配置された上部偏光板と、をさらに含むことを特徴とする請求項25記載の液晶表示装置。 - 前記下部基板の下に配置された下部λ/4位相遅延フィルムと、
前記下部λ/4位相遅延フィルムの下に配置された下部偏光板と、をさらに含むことを特徴とする請求項25記載の液晶表示装置。 - 前記上部基板の上に配置された上部λ/4位相遅延フィルムと、
前記上部λ/4位相遅延フィルム上に配置された上部光視野角位相板と、
前記上部光視野角位相板の上に配置された上部偏光板と、をさらに含むことを特徴とする請求項25記載の液晶表示装置。 - 前記下部基板の下に配置された上部λ/4位相遅延フィルムと、
前記上部λ/4位相遅延フィルムの下に配置された下部光視野角位相板と、
前記下部光視野角位相板の下に配置された下部偏光板と、をさらに含むことを特徴とする請求項25記載の液晶表示装置。
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