JPS62206Y2 - - Google Patents
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- JPS62206Y2 JPS62206Y2 JP13516281U JP13516281U JPS62206Y2 JP S62206 Y2 JPS62206 Y2 JP S62206Y2 JP 13516281 U JP13516281 U JP 13516281U JP 13516281 U JP13516281 U JP 13516281U JP S62206 Y2 JPS62206 Y2 JP S62206Y2
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Landscapes
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体装置に関し、特にその素子表
面に形成された酸化錫（SnO2）透明導電層と内部
配線等に供されるアルミニウム（Al）導電層と
のオーミツクコンタクトを良好ならしめんとする
ものである。
面に形成された酸化錫（SnO2）透明導電層と内部
配線等に供されるアルミニウム（Al）導電層と
のオーミツクコンタクトを良好ならしめんとする
ものである。
SnO2透明導電膜は半導体装置への応用とし
て、例えばCCD撮像素子のセンサー電極に使用
することが試みられている。このSnO2透明導電
膜は、従来の多結晶シリコン電極（透明）に比べ
て光透過率がはるかに良いために、SnO2透明導
電膜を使用した場合、より高解像度のCCD撮像
素子が得られる。しかしながら、SnO2透明導電
膜は内部配線等に使用されるAl導電層との相性
が悪く、即ちSnO2とAlとの反応性が非常に強く
界面にAl2O3と思われる絶縁膜の生成があるな
ど、SnO2とAl間で良好なオーミツクコンタクト
が得られず、且つ時として数ボルトの絶縁状態を
生じる場合があつた。
て、例えばCCD撮像素子のセンサー電極に使用
することが試みられている。このSnO2透明導電
膜は、従来の多結晶シリコン電極（透明）に比べ
て光透過率がはるかに良いために、SnO2透明導
電膜を使用した場合、より高解像度のCCD撮像
素子が得られる。しかしながら、SnO2透明導電
膜は内部配線等に使用されるAl導電層との相性
が悪く、即ちSnO2とAlとの反応性が非常に強く
界面にAl2O3と思われる絶縁膜の生成があるな
ど、SnO2とAl間で良好なオーミツクコンタクト
が得られず、且つ時として数ボルトの絶縁状態を
生じる場合があつた。
本考案は、かかる点に鑑みなされたもので、特
に半導体素子上に形成された酸化錫（SnO2）によ
る透明導電層に対してチタン（Ti）層及びタン
グステン（Ｗ）層を介してアルミニウム（Al）
導電層を接続することを特徴とするものである。
に半導体素子上に形成された酸化錫（SnO2）によ
る透明導電層に対してチタン（Ti）層及びタン
グステン（Ｗ）層を介してアルミニウム（Al）
導電層を接続することを特徴とするものである。
以下、図面を用いて本考案の実施例を説明す
る。
る。
第１図の実施例は、シリコン半導体基体１上に
熱酸化によるSnO2層２を介してSnO2透明導電層
３をCVD法（化学気相成長法）、スパツタリング
法等によつて形成し、これをパターニングして
後、全面にCVD法によりSiO2層４を形成する。
このSiO2層４に選択エツチングによつてSnO2透
明導電層３の接続部に達するコンタクト窓５を形
成し、このコンタクト窓５のSnO2透明導電層３
を含んで厚さ500ÅのTi層６、厚さ300ÅのＷ層
７及び内部配線となる厚さ1.0μｍのAl導電層８
を順次蒸着によつて被着形成する。その後Al−
Ｗ−Tiの層をパターニングし、シンタリング処
理する。
熱酸化によるSnO2層２を介してSnO2透明導電層
３をCVD法（化学気相成長法）、スパツタリング
法等によつて形成し、これをパターニングして
後、全面にCVD法によりSiO2層４を形成する。
このSiO2層４に選択エツチングによつてSnO2透
明導電層３の接続部に達するコンタクト窓５を形
成し、このコンタクト窓５のSnO2透明導電層３
を含んで厚さ500ÅのTi層６、厚さ300ÅのＷ層
７及び内部配線となる厚さ1.0μｍのAl導電層８
を順次蒸着によつて被着形成する。その後Al−
Ｗ−Tiの層をパターニングし、シンタリング処
理する。
第２図の実施例は、半導体基体１上に熱酸化に
よるSiO2層２を介して所定パターンのSnO2透明
導電層３を形成し、この導電層３上に直接Ti層
６、Ｗ層７及びAl導電層８を被着し、その後
SnO2透明導電層３との接続部を残してAl−Ｗ−
Tiの層をパターニングし、シンタリング処理し
て構成する。
よるSiO2層２を介して所定パターンのSnO2透明
導電層３を形成し、この導電層３上に直接Ti層
６、Ｗ層７及びAl導電層８を被着し、その後
SnO2透明導電層３との接続部を残してAl−Ｗ−
Tiの層をパターニングし、シンタリング処理し
て構成する。
尚、上例においてシンタリング処理は、380℃
〜450℃の窒素ガス又はフオーミングガス中で行
うを可とする。又Ti層６及びＷ層７の膜厚は上
記数値の±50％の範囲内であれば可とする。
〜450℃の窒素ガス又はフオーミングガス中で行
うを可とする。又Ti層６及びＷ層７の膜厚は上
記数値の±50％の範囲内であれば可とする。
上述した本案構成によれば、半導体素子上に形
成したSnO2透明導電層３に対してTi層６及びＷ
層７を介してAl導電層８を被着したことによ
り、SnO2透明導電層３と内部配線となるAl導電
層８とのオーミツクコンタクトが良好となり、且
つ加工性を損うことがない。又SnO2とTi−Ｗ−
Alとのオーミツクコンタクトをとるには上述し
たシンタリング処理を施すのが望ましい。
成したSnO2透明導電層３に対してTi層６及びＷ
層７を介してAl導電層８を被着したことによ
り、SnO2透明導電層３と内部配線となるAl導電
層８とのオーミツクコンタクトが良好となり、且
つ加工性を損うことがない。又SnO2とTi−Ｗ−
Alとのオーミツクコンタクトをとるには上述し
たシンタリング処理を施すのが望ましい。
従つて、本考案を例えばCCD撮像素子に適用
すればそのセンサー電極にSnO2透明導電膜を用
いることができ、高解像度のCCD撮像素子が得
られる。
すればそのセンサー電極にSnO2透明導電膜を用
いることができ、高解像度のCCD撮像素子が得
られる。
第１図及び第２図は夫々本考案の実施例を示す
断面図である。 １は半導体基体、２，４はSiO2層、３はSnO2
透明導電層、６はTi層、７はＷ層、８はAl導電
層である。
断面図である。 １は半導体基体、２，４はSiO2層、３はSnO2
透明導電層、６はTi層、７はＷ層、８はAl導電
層である。
Claims (1)
- 半導体素子上に形成された酸化錫による透明導
電層に対してチタン層及びタングステン層を介し
てアルミニウム導電層が接続されて成る半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516281U JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13516281U JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840848U JPS5840848U (ja) | 1983-03-17 |
| JPS62206Y2 true JPS62206Y2 (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=29928545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13516281U Granted JPS5840848U (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840848U (ja) |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP13516281U patent/JPS5840848U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840848U (ja) | 1983-03-17 |
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