JPH06104424A - ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH06104424A JPH06104424A JP4249389A JP24938992A JPH06104424A JP H06104424 A JPH06104424 A JP H06104424A JP 4249389 A JP4249389 A JP 4249389A JP 24938992 A JP24938992 A JP 24938992A JP H06104424 A JPH06104424 A JP H06104424A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 信頼性の高いショットキバリヤ型ダイオード
を提供すると共に歩留まりを向上することのできるショ
ットキバリヤ型ダイオードの製造方法を提供することに
ある。 【構成】 酸化膜に窓開けした半導体基板上にバリヤ金
属を堆積させた後、金属の拡散防止層を堆積させ、更に
金属電極を堆積させた構造になっており、最上層の金属
電極が半導体基板表面に侵入することができないように
なっている為、ショットキバリヤ高さが安定且つ逆方向
耐電圧特性が安定している。
を提供すると共に歩留まりを向上することのできるショ
ットキバリヤ型ダイオードの製造方法を提供することに
ある。 【構成】 酸化膜に窓開けした半導体基板上にバリヤ金
属を堆積させた後、金属の拡散防止層を堆積させ、更に
金属電極を堆積させた構造になっており、最上層の金属
電極が半導体基板表面に侵入することができないように
なっている為、ショットキバリヤ高さが安定且つ逆方向
耐電圧特性が安定している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はショットキバリヤ型ダイ
オード及びその製造方法に関するものである。
オード及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超高速スイッチングを目的とするスイッ
チングダイオードとして、金属から半導体接触によるシ
ョットキバリヤ型ダイオードが実用化されている。以
下、図１〜図３を参照しながら、従来のショットキバリ
ヤ型ダイオードの製造方法について説明する。
チングダイオードとして、金属から半導体接触によるシ
ョットキバリヤ型ダイオードが実用化されている。以
下、図１〜図３を参照しながら、従来のショットキバリ
ヤ型ダイオードの製造方法について説明する。
【０００３】図４〜図６は従来のショットキバリヤ型ダ
イオードの製造工程を示す断面図である。図４に示すよ
うに半導体基板（Ｓｉ）１ａ表面に絶縁膜たる酸化膜
（ＳｉＯ2）１ｂを形成し、酸化膜１ｂの窓開けを行
う。この半導体基板１ａ上にバリヤ金属２例えばモリブ
デン（Ｍｏ）を蒸着し、続いて金属電極４例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）を蒸着する（図５）。そして、これをエ
ッチング処理することにより、図６に示すように金属電
極４及びバリヤ金属２を所定の形状に形成する。
イオードの製造工程を示す断面図である。図４に示すよ
うに半導体基板（Ｓｉ）１ａ表面に絶縁膜たる酸化膜
（ＳｉＯ2）１ｂを形成し、酸化膜１ｂの窓開けを行
う。この半導体基板１ａ上にバリヤ金属２例えばモリブ
デン（Ｍｏ）を蒸着し、続いて金属電極４例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）を蒸着する（図５）。そして、これをエ
ッチング処理することにより、図６に示すように金属電
極４及びバリヤ金属２を所定の形状に形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記製造方法
によれば、金属電極であるアルミニウムがバリヤ金属で
あるモリブデンを通過しやすく、金属から半導体間のシ
ョットキバリヤ高さを不安定にしてしまうという問題点
がある。又、そのアルミニウムが半導体基板と化合し、
酸化膜１ｂ端部を破壊し、その逆方向耐電圧特性を劣化
させてしまうという欠点があり、これらが製造上の歩留
まり低下の原因になっている。
によれば、金属電極であるアルミニウムがバリヤ金属で
あるモリブデンを通過しやすく、金属から半導体間のシ
ョットキバリヤ高さを不安定にしてしまうという問題点
がある。又、そのアルミニウムが半導体基板と化合し、
酸化膜１ｂ端部を破壊し、その逆方向耐電圧特性を劣化
させてしまうという欠点があり、これらが製造上の歩留
まり低下の原因になっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に対応
するために成されたものであり、その目的とするところ
は、信頼性の高いショットキバリヤ型ダイオードを提供
すると共に、歩留まりを向上することのできるショット
キバリヤ型ダイオードの製造方法を提供することにあ
る。
するために成されたものであり、その目的とするところ
は、信頼性の高いショットキバリヤ型ダイオードを提供
すると共に、歩留まりを向上することのできるショット
キバリヤ型ダイオードの製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】バリヤ金属と金属電極の間に拡散防止層を
具備することを特徴とし、ショットキバリヤ型ダイオー
ドの信頼性の向上を図ったものであり、又、ショットキ
バリヤ型ダイオードを製造するにあたり、半導体基板上
の絶縁膜の窓開けを行ってバリヤ金属、拡散防止層、金
属層を堆積させた後、エッチング処理により所定の形状
に形成することを特徴とし、歩留まりの向上を図ったも
のである。
具備することを特徴とし、ショットキバリヤ型ダイオー
ドの信頼性の向上を図ったものであり、又、ショットキ
バリヤ型ダイオードを製造するにあたり、半導体基板上
の絶縁膜の窓開けを行ってバリヤ金属、拡散防止層、金
属層を堆積させた後、エッチング処理により所定の形状
に形成することを特徴とし、歩留まりの向上を図ったも
のである。
【０００７】
【作用】このように、バリヤ金属２の表面に拡散防止層
３を配設したので、最上部の金属電極４中の金属成分が
バリヤ金属２中を通過できないため、バリヤ金属２と半
導体基板間のショットキバリヤ高さは常に安定し、か
つ、金属電極４の成分と半導体基板の化合物が酸化膜１
ｂの端部を破壊して逆方向耐電圧特性を劣化させること
がない。
３を配設したので、最上部の金属電極４中の金属成分が
バリヤ金属２中を通過できないため、バリヤ金属２と半
導体基板間のショットキバリヤ高さは常に安定し、か
つ、金属電極４の成分と半導体基板の化合物が酸化膜１
ｂの端部を破壊して逆方向耐電圧特性を劣化させること
がない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。図３は本発明の一実施例たるショットキバリヤ型ダ
イオードの断面図であり、図１、図２、図３はその製造
工程の断面図である。
る。図３は本発明の一実施例たるショットキバリヤ型ダ
イオードの断面図であり、図１、図２、図３はその製造
工程の断面図である。
【０００９】図３において本実施例たるショットキバリ
ヤ型ダイオードが従来（図６）のものと異なるのは、バ
リヤ金属２の表面に拡散防止層３を具備した点である。
このようにすれば、最上部の金属電極４中の金属成分が
バリヤ金属２中を通過できない為、バリヤ金属２と半導
体基板間のショットキバリヤ高さは常に安定し、又、金
属電極４の成分と半導体基板１ａの化合物が酸化膜１ｂ
の端部を破壊して逆方向耐電圧特性を劣化させる事も無
い。
ヤ型ダイオードが従来（図６）のものと異なるのは、バ
リヤ金属２の表面に拡散防止層３を具備した点である。
このようにすれば、最上部の金属電極４中の金属成分が
バリヤ金属２中を通過できない為、バリヤ金属２と半導
体基板間のショットキバリヤ高さは常に安定し、又、金
属電極４の成分と半導体基板１ａの化合物が酸化膜１ｂ
の端部を破壊して逆方向耐電圧特性を劣化させる事も無
い。
【００１０】次に、上述したショットキバリヤ型ダイオ
ードの製造方法について詳細に説明する。図１に示すよ
うに窓開けを行った酸化膜１ｂを有する半導体基板１ａ
を真空蒸着装置内にて２５０〜４００℃に加熱し、図２
に示すようにバリヤ金属２、例えば、モリブデンを４５
００Å真空蒸着した後、わずかの酸素ガスもしくは水蒸
気をチャンバー内に導入しながら拡散防止層３、例え
ば、モリブデンをさらに５００Å真空蒸着する。ガスの
導入と拡散防止層３の蒸着を終了した後、真空状態のま
まチャンバー温度を降下させ１５０℃以下にて金属電極
４、例えば、アルミニウムを真空蒸着する。また、拡散
防止層３として窒化チタンを利用する場合は、バリヤ金
属２を蒸着した後、基板１ａをスパッタリング装置に移
し窒化チタンと金属電極４を連続的に堆積する。
ードの製造方法について詳細に説明する。図１に示すよ
うに窓開けを行った酸化膜１ｂを有する半導体基板１ａ
を真空蒸着装置内にて２５０〜４００℃に加熱し、図２
に示すようにバリヤ金属２、例えば、モリブデンを４５
００Å真空蒸着した後、わずかの酸素ガスもしくは水蒸
気をチャンバー内に導入しながら拡散防止層３、例え
ば、モリブデンをさらに５００Å真空蒸着する。ガスの
導入と拡散防止層３の蒸着を終了した後、真空状態のま
まチャンバー温度を降下させ１５０℃以下にて金属電極
４、例えば、アルミニウムを真空蒸着する。また、拡散
防止層３として窒化チタンを利用する場合は、バリヤ金
属２を蒸着した後、基板１ａをスパッタリング装置に移
し窒化チタンと金属電極４を連続的に堆積する。
【００１１】その後、図３に示すようにエッチング処理
により、バリヤ金属２、拡散防止層３、金属電極４を所
定の形状に形成する。以上、本発明に係わるショットキ
バリヤ型ダイオード及びその製造方法の一実施例につい
て説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨の範囲内で適宜に変形実施が可能
であるのは云うまでもない。
により、バリヤ金属２、拡散防止層３、金属電極４を所
定の形状に形成する。以上、本発明に係わるショットキ
バリヤ型ダイオード及びその製造方法の一実施例につい
て説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨の範囲内で適宜に変形実施が可能
であるのは云うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】信頼性の高いショットキバリヤ型ダイオ
ードを提供することができると共に、歩留まりを向上す
ることができるショットキバリヤ型ダイオードの製造方
法を提供することができる。
ードを提供することができると共に、歩留まりを向上す
ることができるショットキバリヤ型ダイオードの製造方
法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例たるショットキバリヤ型ダイ
オードの製造工程を示す断面図である。
オードの製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明のショットキバリヤ型ダイオードの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】本発明のショットキバリヤ型ダイオードの最終
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図４】従来のショットキバリヤ型ダイオードの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図５】従来のショットキバリヤ型ダイオードの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図６】従来のショットキバリヤ型ダイオードの最終製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
１ａ 半導体基板 １ｂ 酸化膜 ２ バリヤ金属 ３ 拡散防止層 ４ 金属電極
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板にバリア金属を蒸着して成る
ショットキバリヤ型ダイオードにおいて、バリヤ金属と
金属電極の間に拡散防止層を具備することを特徴とする
ショットキバリヤ型ダイオード。 - 【請求項２】 前記バリヤ金属はモリブデンである請求
項１に記載のショットキバリヤ型ダイオード。 - 【請求項３】 前記金属電極はアルミニウムである請求
項１又は２に記載のショットキバリヤ型ダイオード。 - 【請求項４】 バリア金属表面に金属電極成分の拡散防
止層を具備するショットキバリヤ型ダイオードを製造す
るにあたり、半導体基板上の絶縁膜窓開けを行ってバリ
ヤ金属を蒸着した後に拡散防止層を付け、金属電極を蒸
着し、その後、エッチング処理により金属電極、拡散防
止層、バリヤ金属を所定の形状に形成することを特徴と
するショットキバリヤ型ダイオードの製造方法。 - 【請求項５】 前記拡散防止層は酸化モリブデンもしく
は窒化チタンである特許請求の範囲第４項に記載のショ
ットキバリヤ型ダイオードの製造方法。 - 【請求項６】 前記バリヤ金属はモリブデンである請求
項４又は５に記載のショットキバリヤ型ダイオードの製
造方法。 - 【請求項７】 前記金属電極はアルミニウムである請求
項４、５又は６に記載のショットキバリヤ型ダイオード
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH06104424A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4249389A JPH06104424A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104424A true JPH06104424A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17192275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249389A Pending JPH06104424A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ショットキバリヤ型ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104424A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2320465A1 (en) * | 2008-08-05 | 2011-05-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode |
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2014080820A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
| CN113257893A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-13 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 一种肖特基二极管及其制作方法和芯片 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP4249389A patent/JPH06104424A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2320465A1 (en) * | 2008-08-05 | 2011-05-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode |
| EP2320465A4 (en) * | 2008-08-05 | 2014-01-22 | Sumitomo Electric Industries | SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING PROCESS FOR A SCHOTTKY DIODE |
| US8901698B2 (en) | 2008-08-05 | 2014-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Schottky barrier diode and method for manufacturing schottky barrier diode |
| JP2011146753A (ja) * | 2011-05-06 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2014080820A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
| JP2014042053A (ja) * | 2013-10-15 | 2014-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| CN113257893A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-08-13 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 一种肖特基二极管及其制作方法和芯片 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |