JPS6232610A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6232610A JPS6232610A JP17211385A JP17211385A JPS6232610A JP S6232610 A JPS6232610 A JP S6232610A JP 17211385 A JP17211385 A JP 17211385A JP 17211385 A JP17211385 A JP 17211385A JP S6232610 A JPS6232610 A JP S6232610A
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- contact hole
- tin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
コンタクト孔内で、基板の珪素(Si)に配線のアルミ
ニウム(AI)、またはアルミニウム珪素(AI−5i
)合金が接してオーミックコンタクトを形成する場合に
、その界面において基板から一旦^l中に吸い上げられ
たS1%またはAl−5i中のStが析出してエピタキ
シャル層を形成し、この層の成長によりコンタクト抵抗
が上昇する。
ニウム(AI)、またはアルミニウム珪素(AI−5i
)合金が接してオーミックコンタクトを形成する場合に
、その界面において基板から一旦^l中に吸い上げられ
たS1%またはAl−5i中のStが析出してエピタキ
シャル層を形成し、この層の成長によりコンタクト抵抗
が上昇する。
低コンタクト抵抗を保ち、かつこのエピタキシャル層の
成長を防止するためのバリアメタルになる、チタン(T
i)と窒化チタン(TiN)の二重層の簡易な形成方法
を提案する。
成長を防止するためのバリアメタルになる、チタン(T
i)と窒化チタン(TiN)の二重層の簡易な形成方法
を提案する。
本発明はコンタクト孔内にバリアメタルを形成してなる
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
コンタクト孔内で、SiとAI、またはAl−5iが接
する界面においてA1、またはAl−5iからp型のS
iが析出してエピタキシャル層を形成する。
する界面においてA1、またはAl−5iからp型のS
iが析出してエピタキシャル層を形成する。
この層の成長を防止するためのバリアメタルとして窒化
チタン(TiN)が極めて有効であるが、TjNを直接
Siにコンタクトさせるとコンタクト抵抗が高くなる。
チタン(TiN)が極めて有効であるが、TjNを直接
Siにコンタクトさせるとコンタクト抵抗が高くなる。
一方、TiはSiとの界面でチタンシリサイ゛ド(Ti
Si)を形成し、基板のSiとTi0間では低コンタク
ト抵抗が得られるが、TiSi上のAt、またはAl−
5iからのSiエピタキシャル析出を防止するバリア性
はない。
Si)を形成し、基板のSiとTi0間では低コンタク
ト抵抗が得られるが、TiSi上のAt、またはAl−
5iからのSiエピタキシャル析出を防止するバリア性
はない。
このため、直接S+と接する面はTi層を形成し、その
上にI<TiNを形成する方法の開発が要望されている
。
上にI<TiNを形成する方法の開発が要望されている
。
第2図(1)〜(3)は従来例によるコンタクトの形成
工程を工程順に説明する断面図である。
工程を工程順に説明する断面図である。
第2図(1)において、■は半導体基板で珪素(Si)
基板で、この上に絶縁層として通常の化学気相成長(C
VD)法により二酸化珪素(SiO□)層2を被着する
。
基板で、この上に絶縁層として通常の化学気相成長(C
VD)法により二酸化珪素(SiO□)層2を被着する
。
つぎに、SiO□層2に通常のフォトプロセスを用いて
コンタクト孔3を開口する。
コンタクト孔3を開口する。
つぎに、コンタクト孔3を覆ってスパッタによりコンタ
クト層として71層4を被着する。TiとSiとの界面
は加熱による両者の固相反応によりTiSiが形成され
る。
クト層として71層4を被着する。TiとSiとの界面
は加熱による両者の固相反応によりTiSiが形成され
る。
第2図(2)において、Ttii4の上に、スパッタに
よりバリア層として TiN層5を被着する。
よりバリア層として TiN層5を被着する。
TiNのスパッタは、リアクティブスパッタ法を用い窒
素(N2)とアルゴン(Ar) (約50%〕虫で堆積
を行う。
素(N2)とアルゴン(Ar) (約50%〕虫で堆積
を行う。
第2図(3)において、TiN層5を覆って配線層とし
て41層6を被着する。
て41層6を被着する。
つぎに、図示されないが41層6、TiN層5.71層
4をパターニングして配線パターンの形成を行う。
4をパターニングして配線パターンの形成を行う。
以上の工程では、コンタクトメタルとしてのTi層、バ
リアメタルとしてのTiN層をそれぞれスパッタ等の堆
積工程で行った。
リアメタルとしてのTiN層をそれぞれスパッタ等の堆
積工程で行った。
従来の低コンタクト抵抗を有するバリアメタルの形成は
2回の堆積工程を必要とした。
2回の堆積工程を必要とした。
上記問題点の解決は、半導体基板(1)上に被着された
絶縁層(2)にコンタクト孔(3)を形成し、該コンタ
クト孔(3)を覆ってチタン(Ti)層(4)を被着し
、窒素中の加熱により該チタン層(4)の表面に窒化チ
タン(TiN)層(5)を形成する 工程を含む本発明による半導体装置の製造方法により達
成される。
絶縁層(2)にコンタクト孔(3)を形成し、該コンタ
クト孔(3)を覆ってチタン(Ti)層(4)を被着し
、窒素中の加熱により該チタン層(4)の表面に窒化チ
タン(TiN)層(5)を形成する 工程を含む本発明による半導体装置の製造方法により達
成される。
本発明は、バリアメタルとしてTiN層のみを用いると
Siとのコンタクト抵抗が増大するため、コンタクト抵
抗の小さいTi層とバリア性のよいTiN層とよりなる
2重層を形成するに際し、TiN層の形成を窒素(N2
)中のアニールにより行い、堆積工程はTi層の形成の
みにし、工程を簡素化するものである。
Siとのコンタクト抵抗が増大するため、コンタクト抵
抗の小さいTi層とバリア性のよいTiN層とよりなる
2重層を形成するに際し、TiN層の形成を窒素(N2
)中のアニールにより行い、堆積工程はTi層の形成の
みにし、工程を簡素化するものである。
第1図(1)、(2)は本発明によるコンタクトの形成
工程を工程順に説明する断面図である。
工程を工程順に説明する断面図である。
第1図(1)において、1は半導体基板でSi基板で、
この上に絶縁層としてCVD法により5iOzJii2
を被着する。
この上に絶縁層としてCVD法により5iOzJii2
を被着する。
つぎに、SiO□層2に、コンタクト孔3を開口する。
つぎに、コンタクト孔3を覆ってスペックによりコンタ
クト層として71層4を被着する。
クト層として71層4を被着する。
Tiのスパッタは、ターゲットにTiを用い、10=3
Torrに減圧して周波数13.56M)lzの電力を
ウェハ当たり数KW印加して行う。
Torrに減圧して周波数13.56M)lzの電力を
ウェハ当たり数KW印加して行う。
つぎに、基板をN2中で600〜900℃に加熱してア
ニールを行い、71層4の表面に厚さ500人のTiN
層5を形成する。
ニールを行い、71層4の表面に厚さ500人のTiN
層5を形成する。
第1図(2)において、TiNFJ5を覆って配線層と
してA11i、またはAl−5i iff 6を被着す
る。
してA11i、またはAl−5i iff 6を被着す
る。
Al−5i合金のSi含有量は従来通りの1〜2%のも
のを用いてよい。
のを用いてよい。
つぎに、図示されないがA11i 6 、TiN層5.
71層4をパターニングして配線パターンの形成を行う
。
71層4をパターニングして配線パターンの形成を行う
。
以上の工程では、コンタクトメタルとしてのTi層は堆
積工程により1、バリアメタルとしてのTiN層はアニ
ールにより形成した。
積工程により1、バリアメタルとしてのTiN層はアニ
ールにより形成した。
以上詳細に説明したように本発明による、低コンタクト
抵抗を有するバリアメタルの形成は1回の堆積工程で行
え、工程の簡素化ができる。
抵抗を有するバリアメタルの形成は1回の堆積工程で行
え、工程の簡素化ができる。
第1図+11、(2)は本発明によるコンタクトの形成
工程を工程順に説明する断面図、 第2図(1)〜(3)は従来例によるコンタクトの形成
工程を工程順に説明する断面図である。 図において、 1は半導体基板でSi基板、 2は絶縁層で5i(h!、 3はコンタクト孔、 4はコンタクト層でTi層、 5はバリア層でTiN1i。 6は配線層でA1層、またはAl−5i層木イトB目の
工程゛2−ハ兇日目する断面口菓1図
工程を工程順に説明する断面図、 第2図(1)〜(3)は従来例によるコンタクトの形成
工程を工程順に説明する断面図である。 図において、 1は半導体基板でSi基板、 2は絶縁層で5i(h!、 3はコンタクト孔、 4はコンタクト層でTi層、 5はバリア層でTiN1i。 6は配線層でA1層、またはAl−5i層木イトB目の
工程゛2−ハ兇日目する断面口菓1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板(1)上に被着された絶縁層(2)にコンタ
クト孔(3)を形成し、該コンタクト孔(3)を覆って
チタン(Ti)層(4)を被着し、 窒素中の加熱により該チタン層(4)の表面に窒化チタ
ン(TiN)層(5)を形成する 工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17211385A JPS6232610A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17211385A JPS6232610A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6232610A true JPS6232610A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15935793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17211385A Pending JPS6232610A (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6232610A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63244861A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JPS6449243A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-23 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
JPH0228320A (ja) * | 1988-04-06 | 1990-01-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5776831A (en) * | 1995-12-27 | 1998-07-07 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a high electromigration resistant metallization system |
US6051281A (en) * | 1996-10-01 | 2000-04-18 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a titanium film and a barrier metal film on a surface of a substrate through lamination |
US6451691B2 (en) | 2000-06-28 | 2002-09-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing a metal pattern of a semiconductor device which include forming nitride layer at exposed sidewalls of Ti layer of the pattern |
US6537621B1 (en) | 1996-10-01 | 2003-03-25 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a titanium film and a barrier film on a surface of a substrate through lamination |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846631A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS6010717A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Nec Corp | 半導体装置用コンタクトの形成方法 |
JPS61142739A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-05 JP JP17211385A patent/JPS6232610A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100363013B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2002-11-29 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치의 금속 패턴 형성 방법 |
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