JPS5846631A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPS5846631A JPS5846631A JP56144794A JP14479481A JPS5846631A JP S5846631 A JPS5846631 A JP S5846631A JP 56144794 A JP56144794 A JP 56144794A JP 14479481 A JP14479481 A JP 14479481A JP S5846631 A JPS5846631 A JP S5846631A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコン半導体装置において、高い耐熱性を
有し大電流密度に耐えうるオーミック接触またはショッ
トキ接合を供する半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
有し大電流密度に耐えうるオーミック接触またはショッ
トキ接合を供する半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
従来、シリコン半導体装置用電極としては、オー建ツク
接触抵抗が低い仁と、導電率が高いこと、シリコン酸化
膜との密着力が強いこと、ボンディング強度が強いこと
、パターニングが容易なことなどの理由から、アルミニ
ウムが多く用いられてさたが、電極パターンの微細化お
よび拡散層のシャロク化に伴い、オーンツク処理工程に
おけるアル(ニクムのシリコンとの反応や大電流密度下
におけるエレクトロマイグレーションなどによ多接合短
絡や抵抗増大などの不良が発生し易くなるためにオーミ
ック接触には高温で安定な金輌シリサイドが使われるこ
とが多くなった。ショットキ接合について本同様であシ
、耐熱性の低いアル1ニウム電極に代わり、安定な金属
シリサイドが使用されるようになった。しかし配線材料
としてのアルミニウムの利点は捨て難く集積回路の配線
材料の主流を成している。
接触抵抗が低い仁と、導電率が高いこと、シリコン酸化
膜との密着力が強いこと、ボンディング強度が強いこと
、パターニングが容易なことなどの理由から、アルミニ
ウムが多く用いられてさたが、電極パターンの微細化お
よび拡散層のシャロク化に伴い、オーンツク処理工程に
おけるアル(ニクムのシリコンとの反応や大電流密度下
におけるエレクトロマイグレーションなどによ多接合短
絡や抵抗増大などの不良が発生し易くなるためにオーミ
ック接触には高温で安定な金輌シリサイドが使われるこ
とが多くなった。ショットキ接合について本同様であシ
、耐熱性の低いアル1ニウム電極に代わり、安定な金属
シリサイドが使用されるようになった。しかし配線材料
としてのアルミニウムの利点は捨て難く集積回路の配線
材料の主流を成している。
しかし、オーミック接触やショットキ接合に金属シリサ
イドを使用し、かつ第2層にアルミニウムを配線材料と
して使用した場合、金属シリサイドとアル1ニウムとの
間で金属間化合物を形成し、アルミニウムのシリコンと
の合金化による接合翅絡ないしはショットキ接合障壁の
高さが変わるなどの不良が生じ、アーミーウ疋−独で用
いた場合と同じ結果となり、金−シリサイドを使用する
ことの利点がなくなることが知られており、両者の反応
を阻止するための第3Q層の必要性が高まっていた。
イドを使用し、かつ第2層にアルミニウムを配線材料と
して使用した場合、金属シリサイドとアル1ニウムとの
間で金属間化合物を形成し、アルミニウムのシリコンと
の合金化による接合翅絡ないしはショットキ接合障壁の
高さが変わるなどの不良が生じ、アーミーウ疋−独で用
いた場合と同じ結果となり、金−シリサイドを使用する
ことの利点がなくなることが知られており、両者の反応
を阻止するための第3Q層の必要性が高まっていた。
本発明は金属シリサイドとアルミニウム相互間の反応を
防止するために、第3の層として窒化チタン層を挿入す
る構造を提供するものであり、さらに窒化チタンの耐熱
性と安定性を利用してアルオニつ五層形成後に熱処理を
し金属シリサイドを形成することと、アル2ニウムをマ
スクとして窒化チタンをエツチングする方法をも提供す
るものである。
防止するために、第3の層として窒化チタン層を挿入す
る構造を提供するものであり、さらに窒化チタンの耐熱
性と安定性を利用してアルオニつ五層形成後に熱処理を
し金属シリサイドを形成することと、アル2ニウムをマ
スクとして窒化チタンをエツチングする方法をも提供す
るものである。
第1図は本発明の実施例であって、lはシリコン基転
2はシリコン酸化膜、3は金属シリサイド、4は窒化チ
タン、5はアルミニウムである。
2はシリコン酸化膜、3は金属シリサイド、4は窒化チ
タン、5はアルミニウムである。
この構造の製造方法はまずシリコン基板にオーミック接
触またはショットキ接合を形成するためのチタンまたは
白金などの金属をスパッタリング法または真空蒸着法に
よシ大略200X付着させ450°C1s分@tの熱処
理をすることによりチタニウムシリサイドまたは白金シ
リサイドを形成する。つづいて熱処理により反応せずに
残つ九シリコン酸化膜上のチタンまたは白金をエツチン
グ除去した後、アルゴン、窒素混合ガス中の反応性スパ
ッタリング法などにより窒化チタンを例えば1ooo
X形成し、つづいてアルミニウムをスパッタリング法ま
たは真空蒸着法により例えば1.5μm形成する。
触またはショットキ接合を形成するためのチタンまたは
白金などの金属をスパッタリング法または真空蒸着法に
よシ大略200X付着させ450°C1s分@tの熱処
理をすることによりチタニウムシリサイドまたは白金シ
リサイドを形成する。つづいて熱処理により反応せずに
残つ九シリコン酸化膜上のチタンまたは白金をエツチン
グ除去した後、アルゴン、窒素混合ガス中の反応性スパ
ッタリング法などにより窒化チタンを例えば1ooo
X形成し、つづいてアルミニウムをスパッタリング法ま
たは真空蒸着法により例えば1.5μm形成する。
パターン形成は通常の方法によシアルきニウムについて
まず行なう。つづいて窒化チタンのエツチングは過酸化
水素水11に対してEDTム(エチレンジアミン四酢e
IR)1yの割合で混ぜたものを使用すればアルミニウ
ムは侵されずに窒化チタンのみがエツチング除去される
。このようにして第1図の構造のものが完成される。こ
の構造により、従来のアルミニウム単体の場合よりは高
い耐熱性を有し、高電流密度に耐えうる電極を提供しう
る。
まず行なう。つづいて窒化チタンのエツチングは過酸化
水素水11に対してEDTム(エチレンジアミン四酢e
IR)1yの割合で混ぜたものを使用すればアルミニウ
ムは侵されずに窒化チタンのみがエツチング除去される
。このようにして第1図の構造のものが完成される。こ
の構造により、従来のアルミニウム単体の場合よりは高
い耐熱性を有し、高電流密度に耐えうる電極を提供しう
る。
また、窒化チタンのシリコン酸化膜への付着強度につい
ては実用上十分なものである。
ては実用上十分なものである。
第2図は本発明の他の実施例であり第1図の例とは製造
方法が異なる。即ち、金属シリサイド形成のだめの熱処
理工程を通さずにチタンまたは白金よりなる第1層、そ
の上に窒化チタンのts2層及びアルミニウムの第3層
を順に形成し、アルミニウムのエツチングを行う。その
後熱処理を施し金属シリサイドを形成する。第2図にお
いて1はシリコン基板、2はシリコン酸化膜、3はチタ
ンまたは白金シリサイド、3′はシリサイドとならずに
残ったチタンまたは白金、4は窒化チタン、5はアルミ
ニウムである。この方法によれば、第1層から第3層ま
で同一の装置でつづけて形成できること、シリサイド形
成の熱処理は窒化チタンが優れた耐熱性と安定性をもつ
ことによシ完成品に近い状態でも実施できるために他の
高温プロセス例えば表面保m膜形成工程などと併用でき
ることなど、工程の簡略化に与える利点も生ずる。
方法が異なる。即ち、金属シリサイド形成のだめの熱処
理工程を通さずにチタンまたは白金よりなる第1層、そ
の上に窒化チタンのts2層及びアルミニウムの第3層
を順に形成し、アルミニウムのエツチングを行う。その
後熱処理を施し金属シリサイドを形成する。第2図にお
いて1はシリコン基板、2はシリコン酸化膜、3はチタ
ンまたは白金シリサイド、3′はシリサイドとならずに
残ったチタンまたは白金、4は窒化チタン、5はアルミ
ニウムである。この方法によれば、第1層から第3層ま
で同一の装置でつづけて形成できること、シリサイド形
成の熱処理は窒化チタンが優れた耐熱性と安定性をもつ
ことによシ完成品に近い状態でも実施できるために他の
高温プロセス例えば表面保m膜形成工程などと併用でき
ることなど、工程の簡略化に与える利点も生ずる。
以上説明したようにシリコン半導体装置のオーミック接
触またはショットキ接合に対してチタニウムシリサイド
または白金シリサイドを使用し、かつ最外層としてアル
ミニウムを使用する電極において、シリサイド層とアル
ミニウム層の中間に第3の層として窒化チタン層を使用
する構造とすることによシ、オー建ツク処理等の熱処理
工程においてアルきニラみのシリコン中への侵入による
接合蝮絡やショットキ接合障壁の高さの異常などの発生
が抑えられることから着しい歩留り向上が得られるはか
、大電流密度下におけるエレクトロマイグレーシ1ンが
抑えられるために実用動作の面でも着しい信頼性の向上
が得られる。
触またはショットキ接合に対してチタニウムシリサイド
または白金シリサイドを使用し、かつ最外層としてアル
ミニウムを使用する電極において、シリサイド層とアル
ミニウム層の中間に第3の層として窒化チタン層を使用
する構造とすることによシ、オー建ツク処理等の熱処理
工程においてアルきニラみのシリコン中への侵入による
接合蝮絡やショットキ接合障壁の高さの異常などの発生
が抑えられることから着しい歩留り向上が得られるはか
、大電流密度下におけるエレクトロマイグレーシ1ンが
抑えられるために実用動作の面でも着しい信頼性の向上
が得られる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は他の実施
例の1面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・チタニウムシリサイドまたは白金シリサイド、3・
・・チタンまたは白金、4・・・脅化チタン、Sアルミ
ニウム特許出願人 第1図 第2図
例の1面図である。 1・・・シリコン基板、2・・・シリコン酸化膜、3・
・・チタニウムシリサイドまたは白金シリサイド、3・
・・チタンまたは白金、4・・・脅化チタン、Sアルミ
ニウム特許出願人 第1図 第2図
Claims (3)
- (1)シリコン半導体装置のオーミック接触を九はショ
ットキ接合に対してシリコン基板上に形成されたチタニ
ウムシリサイドまたは白金シリサイドよりなる第1層と
、その上に形成された窒化チタンよりなる第2層と、さ
らにその上に形成されたアルミニウムからなる第3層と
を備えることを特徴とするシリコン半導体装置。 - (2)シリコン半導体装置のオーミック接触またはショ
ット4−接合に対して、シリコン基板上にチタンまたは
白金により第1層を形成して熱処理を行い、その上に第
2層として窒化チタン、さらに第3層としてアルミニウ
ムを形成することを特徴とするシリコン半導体装置の製
造方法。 - (3)シリコン半導体装置のオーミック接触またはクヨ
ットキ接合に対し、シリコン基板上にチタン管たは白金
により第1層を形成し、その上に第2層ヒして窒化チタ
ン、さらに第3層としてアルミニウムを形成したのち、
熱処理を施すことを特徴とするシリコン半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56144794A JPS5846631A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56144794A JPS5846631A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5846631A true JPS5846631A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15370602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56144794A Pending JPS5846631A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5846631A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS61185928A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成法 |
JPS61212041A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Hitachi Ltd | 電極・配線の製造方法 |
JPS61226959A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JPS6236844A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP0236034A2 (en) * | 1986-03-03 | 1987-09-09 | AT&T Corp. | Selective electroless plating of vias in vlsi devices |
JPS63257269A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のコンタクト形成方法 |
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