JPS61212041A - 電極・配線の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は大規模集積回路に使用される金属シリサイド電
極・配線に関するものであり、特に窒素またはアンモニ
アガス中で容易に窒化可能な金属の微細シリサイド電極
の形成に好適な電極・配線の形成方法に関する。

〔発明の背景〕

従来、金属シリサイド電極・配線の形成方法としては、
Ｃ，Ｙ、Ｔｉｎｇ　ａｎｄ　Ｍ、Ｗｉｔｔｍｅｒ　；Ｊ
、Ａｐｐｌ、ＰｈＹＳ、５４　９３７（１９８３）か知
られている。

上記公知例に従い、Ｔｉ８ｉｔ’ａ：形成してみるとＴ
ｊＯｚはできないか、’ｌ’１３ｉ２表面が荒れ、凸凹
しており、まｔ１開孔したコンタクトからＴ　ｉ　Ｓ　
ｉ　ｚかはみ出して成長しているのが観察された。

〔発明の目的〕

本発明の目的は表面の荒れがなく、また、開孔し次コン
タクトからはみ出して成長することのない自己整合的な
金属シリサイド電極の形成方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

Ｔ！Ｓｉｘの形成全窒素ま′ｆｃはアンモニア雰囲気で
行うと、ＴＩ　Ｓ　Ｉｚ形成中にＴｉの表面にはＴｉＮ
が形成され、ＴｊＳｊｚ表面の荒れ、コンタクトにおけ
るＴｊＳｊｚの横方向成長か防止できることを見つけた
。しかも、ＴｉＮのエツチングＦｉＨｚ　Ｏ＊ＮＨ４Ｏ
Ｈ系のエツチング液で容易に行なえ、Ｔ！Ｓ！２はエツ
チングされないため、Ｔｌ５１２のみ全コンタクト部に
残すことが可能である。

〔発明の実施例〕

第１図乃至第３図は本発明の一実施例を示し次ものであ
る。第１図に示すように１９備のｐ型Ｓｉ基板１に形成
しＺｔＭＩＳ型電界効果型トランジスタのソース７、ド
レイン８上の８ｉＣｈｔエツチング除去後、Ｔｉ６ｉ０
．１５μｍの厚さに堆積さぜる。２１１′ｊ：ゲートｌ
［化膜、３は素子分離用の５ｌＯｔ、４はゲート電極、
５はＰ２Ｏである。

次に第２図に示すようにこの試料１６００ｃの窒素ま次
はアンモニア雰囲気中で加熱して厚さ７０ｎｍのＴｉ８
ｉ＊９にソース、ドレイン上に形成するとともにＴｉの
表面にはＴ　；Ｎｔｏｐ形成する。

次に第３図に示すようにＨ２Ｏ５ＮＨ４ＯＨ溶液中にこ
の試料を浸漬するとソース、ドレイ／上にはＴｊ８ｊｚ
のみが自己整合的に残る。この方法で形成したＴｉ８ｉ
ｚ電極の表面は滑らかであシ、凹凸は見られなかった。

ま几、ソース、ドレインからの’ｐｉＳｉ２のはみ出し
も見られながっ几。

〔発明の効果〕

以上説明したごとく本発明によれは、簡単なプロセスで
自己整合的な微細電極を形成できる九め、特に低抵抗電
極・配線として有望なＴｉ５ｉｌＯ大規模集積回路への
適用が容易に可能となる。シリサイドとしては本発明に
用いたＴｉの他にｚｒ。

Ｈｆ＋　Ｖ　＊　Ｎ　ｂ　＋　Ｔ　ａ　、　ｃｒシリサ
イドも用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の一実施例におけるＭＯＳト
ランジスタの製造工程を示す素子の断面説明図である。 図中、１・・・Ｓｉ基板、２・・・ゲート酸化膜、３・
・・フィールド酸化膜、４・・・ゲート電極、５・・・
Ｐ　Ｓ　Ｇ。 ６・・・Ｔｉ、７・・・ソース、８・・・ドレイン、９
・・・寡　１ 冨　２ 第　３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 拡散層上の絶縁膜の一部を開孔したシリコン基板上に堆
   積した金属を窒素またはアンモニアガス雰囲気中にて加
   熱することにより、拡散層表面に金属シリサイド電極を
   形成するとともに、金属表面には金属窒化物を形成し、
   金属シリサイド表面の荒れ、および開孔部より金属シリ
   サイドがはみ出して成長することを防止することを特徴
   とする金属シサイド電極・配線の形成方法。