WO2014080820A1 - ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - Google Patents

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邦亮 石原
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住友電気工業株式会社
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    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes

Definitions

  • the present invention relates to a Schottky barrier diode capable of flowing a large current with a high breakdown voltage and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 discloses a Schottky barrier diode using a group III nitride film grown on a silicon substrate.
  • An SBD (Schottky barrier diode) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-156457 (Patent Document 1) has a group III nitride film used for SBD on a silicon substrate having a chemical composition different from that of group III nitride. Therefore, it is difficult to maintain a high breakdown voltage because the dislocation density of the film is as high as 1 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2 or more.
  • a group III nitride buffer film having low crystallinity is grown on the silicon substrate, and the group III nitride buffer film is formed on the group III nitride buffer film. It is necessary to grow a group nitride film.
  • the group III nitride buffer film has a high resistance, it is difficult to use it for an SBD having a vertical structure capable of flowing a large current.
  • An object of the present invention is to solve the above problems and provide a low-cost Schottky barrier diode capable of flowing a large current with a high breakdown voltage and a method for manufacturing the same.
  • a first electrode, a group III nitride film, and an opening are sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side.
  • the Schottky barrier diode includes an insulating film, a Schottky contact metal film, a bonding metal film, a conductive support substrate, and a second electrode.
  • a part of the Schottky contact metal film can run on a part of the insulating film.
  • the Schottky barrier diode according to this aspect of the present invention further includes a buried metal film disposed between the concave portion of the Schottky contact metal film that is present when the insulating film has an opening and the bonding metal film. be able to. Further, the diffusion barrier metal film may be further included between the Schottky contact metal film and the buried metal film and the bonding metal film.
  • the Schottky barrier diode according to this aspect of the present invention may further include a diffusion prevention metal film disposed between the Schottky contact metal film and the junction metal film.
  • the insulating film may further include a buried metal film disposed between the concave portion of the diffusion preventing metal film and the bonding metal film which are present due to the opening.
  • the first electrode can be positioned on a part of the main surface of the group III nitride film.
  • a group III nitride is formed on a base group III nitride film of a base composite substrate including a base support substrate and a base group III nitride film bonded to one main surface side of the base support substrate.
  • a step of forming a nitride film; a step of forming an insulating film having an opening on the group III nitride film; and a Schottky contact metal film on the group III nitride film and the insulating film in the opening of the insulating film Forming a bonding substrate by bonding a conductive support substrate with a bonding metal film interposed on the Schottky contact metal film, removing the base composite substrate from the bonding substrate, and group III Forming a first electrode on the nitride film and forming a second electrode on the conductive support substrate.
  • the Schottky contact in the step of forming the Schottky contact metal film, is so formed that a part of the Schottky contact metal film runs on a part of the insulating film.
  • a metal film can be formed.
  • the buried metal film on the recess of the Schottky contact metal film can be performed by bonding the conductive support substrate to the Schottky contact metal film and the buried metal film with the bonded metal film interposed therebetween. Furthermore, after the step of forming the buried metal film and before the step of obtaining the bonding substrate, the method further includes the step of forming a diffusion prevention metal film on the Schottky contact metal film and the buried metal film to obtain the bonding substrate. Can be performed by bonding a conductive support substrate with a bonding metal film interposed on the diffusion preventing metal film.
  • the diffusion preventing metal on the Schottky contact metal film may further include the step of obtaining a bonded substrate by bonding the conductive support substrate with the bonded metal film interposed on the diffusion preventing metal film.
  • the method further includes a step of forming a buried metal film on the concave portion of the diffusion preventing metal film, and the step of obtaining the bonding substrate is diffusion prevention. This can be performed by bonding a conductive support substrate with a bonding metal film interposed between the metal film and the embedded metal film.
  • the first electrode can be further formed on a part of the main surface of the group III nitride film.
  • the present invention it is possible to provide a low-cost Schottky barrier diode capable of flowing a large current with a high breakdown voltage and a method for manufacturing the same.
  • an SBD Schottky barrier diode that is an embodiment of the present invention is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side.
  • the SBD of this embodiment includes a first electrode 72, a group III nitride film 20, an insulating film 30 having an opening, a Schottky contact metal film 40, a bonding metal film 60, a conductive support substrate 50, and a second Since the electrodes 75 are arranged in this order, a large current can flow with a high breakdown voltage.
  • the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. .
  • the Schottky contact metal film 40 is on the vicinity of the Schottky contact portion 40 a located on the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 and the periphery of the opening that is a part of the insulating film 30.
  • an insulating contact portion 40b located in contact with the substrate.
  • the width W of a part where a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30 (that is, the width W of the insulating contact part 40b of the Schottky contact metal film 40). ) Is necessary to ensure adhesion between a part of the Schottky contact metal film 40 riding on the part of the insulating film 30 and a part of the insulating film 30 and not to contribute to the current. From the viewpoint of not occupying a large area, it is preferably 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and more preferably 5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the planar shape of the opening of the insulating film 30 and the shape of the main surface of the Schottky contact metal film 40 are not particularly limited, but the Schottky contact metal From the viewpoint of reducing the electric field concentration on the end of the Schottky contact portion 40a of the film 40 and increasing the area of the operation main surface, at least one of a polygon, a circle, and an ellipse having an apex portion is preferable.
  • the apex portion is an arc-shaped square (FIG. 6)
  • the apex portion is an arc-shaped rectangle (FIG. 7), a circle (FIG. 8), or the like.
  • the plane size of the opening portion of the insulating film 30 allows the opening portion of the insulating film 30 to be stably manufactured, and the processing margin when chipping with the insulating contact portion 40b of the Schottky contact metal film 40 is reduced.
  • the shortest distance or shortest diameter is preferably 50 ⁇ m or more, more preferably 200 ⁇ m or more, and the longest distance or longest diameter is preferably (chip width ⁇ 60) ⁇ m or less (chip) More preferably, the width is ⁇ 100) ⁇ m or less.
  • the longest distance is preferably 1440 ⁇ m or less, and more preferably 1400 ⁇ m or less. Specific embodiments will be described below.
  • the SBD according to the first embodiment of the present invention includes a first electrode 72, which is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side, and III Group nitride film 20, insulating film 30 having an opening, Schottky contact metal film 40, bonding metal film 60, conductive support substrate 50, and second electrode 75 are included. Further, a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. As described above, the SBD of the first embodiment can flow a large current with a high breakdown voltage.
  • the first electrode 72 is not particularly limited, but from the viewpoint of obtaining a good electrical connection between the group III nitride film 20 and an external electrode (not shown), the Al layer and the group III nitride film 20 side An electrode structure including an Au layer is preferable.
  • a four-layer structure of the group III nitride film 20 including a Ti layer, an Al layer, a Ti layer, and an Au layer is formed.
  • the second electrode 75 is not particularly limited, but from the viewpoint of obtaining good electrical connection with the conductive support substrate 50 and the external electrode (not shown), the Ti layer from the conductive support substrate 50 side, A three-layer structure of a Pt layer and an Au layer was adopted.
  • the group III nitride film 20 is not particularly limited, but preferably has a dislocation density of 1 ⁇ 10 6 cm ⁇ 2 or less from the viewpoint of increasing the breakdown voltage.
  • the group III nitride film 20 having such a low dislocation density is For example, as shown in Embodiment 6 to be described later, on the base group III nitride film of the base composite substrate including the base support substrate and the base group III nitride film bonded to one main surface side of the base support substrate. It is obtained by growing.
  • the group III nitride film 20 has a group III nitride film for the purpose of forming a Schottky junction with the Schottky contact metal film 40 and simultaneously forming an ohmic junction with the first electrode 72.
  • the n + -III nitride layer 21 having a relatively high donor concentration is formed on the first electrode 72 side of 20, and the n-III nitride layer 22 having a relatively low donor concentration is formed on the opposite side. It is preferable.
  • the insulating film 30 having an opening is not particularly limited, but an SiO 2 film, an Si 3 N 4 film, or the like is preferable from the viewpoint of improving the insulating property of the insulating film 30 that is a non-opening.
  • the Schottky contact metal film 40 is not particularly limited as long as the Schottky contact metal film 40 is a metal film that forms a Schottky contact with the group III nitride film 20, but the metal work function forming the metal film and the group III nitride film are formed. Ni / Au film, Ti / Au film, Pt / Au film, etc. are preferable from the viewpoint of making the difference between the group III nitride and the Fermi level appropriate.
  • the bonding metal film 60 is not particularly limited, but preferably includes an Au—Sn alloy layer from the viewpoint of enhancing bonding properties with the Schottky contact metal film 40 and a buried metal film and a diffusion prevention metal film described later. Further, the bonding metal film 60 is formed between the Au—Sn alloy layer of the bonding metal film 60 and the conductive support substrate 50 from the viewpoint of preventing the diffusion of Sn from the Au—Sn alloy layer to the conductive support substrate 50. It is preferable to have three layers of a Ni layer, a Pt layer, and an Au layer arranged in this order from the conductive support substrate 50 side.
  • the conductive support substrate 50 is not particularly limited, but is preferably a silicon (Si) substrate, a germanium (Ge) substrate, a silicon carbide (SiC) substrate, or the like from the viewpoint of high conductivity, and also has high thermal conductivity.
  • a copper (Cu) substrate, a molybdenum (Mo) substrate, a tungsten (W) substrate, a copper-tungsten (Cu—W) alloy substrate and the like are also preferable.
  • the Schottky contact metal film 40 is disposed on the insulating film 30 having an opening disposed on the group III nitride film 20 and a part of the Schottky contact metal film 40.
  • the Schottky contact portion 40 a located in contact with the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 in the Schottky contact metal film 40 is insulated. It is recessed compared to the insulating contact portion 40 b located on and in contact with the film 30.
  • the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is filled with the bonding metal film 60.
  • the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is completely filled with the bonding metal film 60.
  • the SBD according to the second embodiment of the present invention includes a first electrode 72, which is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side, and III Group nitride film 20, insulating film 30 having an opening, Schottky contact metal film 40, buried metal film 80, bonding metal film 60, conductive support substrate 50, second electrode 75, including. Further, a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30.
  • the SBD of the second embodiment is the same as the SBD of the first embodiment, in which the embedded insulating film 30 is disposed between the concave portion of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 that are present due to the opening.
  • a metal film 80 is further included.
  • the SBD of the second embodiment can pass a large current with a high withstand voltage, similar to the SBD of the first embodiment.
  • the second electrode 75 includes the first electrode 72, the group III nitride film 20, the insulating film 30 having an opening, the Schottky contact metal film 40, the bonding metal film 60, and the conductive support substrate 50 in the SBD of the first embodiment. , And the second electrode 75, respectively.
  • the Schottky contact metal film 40 is disposed on the insulating film 30 having an opening disposed on the group III nitride film 20 and a part of the Schottky contact metal film 40.
  • the Schottky contact portion 40 a located in contact with the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 in the Schottky contact metal film 40 is insulated. Since it is recessed as compared with the insulating contact portion 40 b located on and in contact with the film 30, when the opening of the insulating film 30 is large, a gap is generated between the recess of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60.
  • a buried metal film 80 is disposed between the concave portion of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60, and the gap between the concave portion of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 is completely buried with the buried metal film 80. Therefore, it is possible to prevent the generation of voids between them. Thereby, the on-resistance of the SBD, the breakdown voltage, the appearance yield such as the presence or absence of peeling of the group III nitride film 20 and the like can be improved.
  • the embedded metal film 80 is not particularly limited, but from the viewpoint of having a work function close to that of the Schottky contact metal film 40, the embedded metal film 80 preferably has a two-layer structure of an Ni layer and an Au layer from the Schottky contact metal film 40 side.
  • the SBD according to the third embodiment of the present invention includes a first electrode 72, which is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side, and III Group nitride film 20, insulating film 30 having an opening, Schottky contact metal film 40, buried metal film 80, diffusion prevention metal film 90, bonding metal film 60, conductive support substrate 50, A second electrode 75. Further, a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. That is, the SBD of the third embodiment further includes the diffusion prevention metal film 90 disposed between the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80 and the bonding metal film 60 in the SBD of the second embodiment.
  • the SBD of the third embodiment can flow a large current with a high breakdown voltage like the SBD of the first embodiment, and is bonded to the concave portion of the Schottky contact metal film 40 by the embedded metal film 80, similar to the SBD of the second embodiment. Since the gap between the metal film 60 and the metal film 60 can be completely prevented from being generated, the on-resistance of the SBD, the breakdown voltage, the appearance yield such as the presence or absence of peeling of the group III nitride film 20, etc. Can improve.
  • the second electrode 75 includes the first electrode 72, the group III nitride film 20, the insulating film 30 having an opening, the Schottky contact metal film 40, the bonding metal film 60, and the conductive support substrate 50 in the SBD of the first embodiment.
  • the second electrode 75 respectively.
  • the buried metal film 80 in the SBD of the third embodiment is the same as the buried metal film 80 in the SBD of the second embodiment.
  • the diffusion preventing metal film 90 is disposed between the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80 and the bonding metal film 60, the Schottky contact metal from the bonding metal film 60 is used. Since diffusion of metal atoms in the bonding metal film 60 to the film 40 and the buried metal film 80 can be prevented, the forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, etc. of the SBD are improved.
  • the diffusion preventing metal film 90 is not particularly limited.
  • the bonding metal film 60 includes an Au—Sn alloy layer
  • the Schottky contact metal film 40 is used to prevent Sn from diffusing from the Au—Sn alloy layer.
  • the SBD according to the fourth embodiment of the present invention includes a first electrode 72, which is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side, and III Group nitride film 20, insulating film 30 having an opening, Schottky contact metal film 40, diffusion prevention metal film 90, bonding metal film 60, conductive support substrate 50, second electrode 75, ,including. Further, a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. That is, the SBD of the fourth embodiment further includes the diffusion preventing metal film 90 disposed between the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 in the SBD of the first embodiment.
  • the SBD of the fourth embodiment can flow a large current with a high breakdown voltage.
  • the second electrode 75 includes the first electrode 72, the group III nitride film 20, the insulating film 30 having an opening, the Schottky contact metal film 40, the bonding metal film 60, and the conductive support substrate 50 in the SBD of the first embodiment. , And the second electrode 75, respectively.
  • the diffusion preventing metal film 90 is disposed between the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60, the bonding from the bonding metal film 60 to the Schottky contact metal film 40 is performed. Since diffusion of metal atoms in the metal film 60 can be prevented, the SBD forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, and the like are improved.
  • the diffusion prevention metal film 90 in the SBD of the fourth embodiment is the same as the diffusion prevention metal film 90 in the SBD of the third embodiment.
  • the insulating film 30 having an opening is disposed on the group III nitride film 20
  • the Schottky contact metal film 40 is disposed on the insulating film 30 having the opening, and the Schottky contact metal film is formed.
  • An anti-diffusion metal film 90 is disposed on 40.
  • a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. Therefore, the Schottky contact portion 40 a located in contact with the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 in the Schottky contact metal film 40 becomes the insulating contact portion 40 b located in contact with the insulating film 30.
  • the portion of the diffusion preventing metal film 90 formed on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is concave as compared with the portion formed on the portion other than the concave portion.
  • the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 is filled with the bonding metal film 60.
  • the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 is completely filled with the bonding metal film 60.
  • the SBD according to the fifth embodiment of the present invention includes a first electrode 72, which is sequentially arranged in one direction from the first main surface side to the second main surface side, and III Group nitride film 20, insulating film 30 having an opening, Schottky contact metal film 40, diffusion preventing metal film 90, buried metal film 80, bonding metal film 60, conductive support substrate 50, A second electrode 75. Further, a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30.
  • the SBD of the fifth embodiment is the same as the SBD of the fourth embodiment in that the embedded metal disposed between the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 and the bonding metal film 60 that are present when the insulating film 30 has the opening. Further included is a membrane 80.
  • the SBD of the fifth embodiment can flow a large current with a high breakdown voltage as in the SBD of the fourth embodiment, and the metal atoms in the bonding metal film 60 from the bonding metal film 60 to the Schottky contact metal film 40 Since diffusion can be prevented, the forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, etc. of the SBD are improved.
  • the second electrode 75 includes the first electrode 72, the group III nitride film 20, the insulating film 30 having an opening, the Schottky contact metal film 40, the bonding metal film 60, and the conductive support substrate 50 in the SBD of the first embodiment.
  • the second electrode 75 respectively.
  • the diffusion preventing metal film 90 in the SBD of the fifth embodiment is the same as the diffusion preventing metal film 90 in the SBD of the fourth embodiment.
  • the insulating film 30 having an opening is disposed on the group III nitride film 20
  • the Schottky contact metal film 40 is disposed on the insulating film 30 having the opening
  • the Schottky contact metal film is formed.
  • a diffusion preventing metal film 90 is disposed on the semiconductor layer 40, and a part of the Schottky contact metal film 40 runs on a part of the insulating film 30. Therefore, the Schottky contact portion 40 a located in contact with the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 in the Schottky contact metal film 40 becomes the insulating contact portion 40 b located in contact with the insulating film 30.
  • the portion of the diffusion preventing metal film 90 formed on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is concave as compared with the portion formed on the portion other than the concave portion. For this reason, when the opening of the insulating film 30 is large, a gap may be generated between the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 and the bonding metal film 60. Therefore, by disposing the buried metal film 80 between the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 and the bonding metal film 60, the gap between the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 and the bonding metal film 60 is buried by the buried metal film 80.
  • the buried metal film 80 in the SBD of the fifth embodiment is the same as the buried metal film 80 in the SBD of the second embodiment.
  • the first electrode 72 is the main group III nitride film 20 from the viewpoint of facilitating alignment during chip formation. It is preferable that the 1st electrode 72 is patterned so that it may be located on a part of surface. When the first electrode 72 is formed on the entire surface of the group III nitride film 20, the arrangement of the Schottky contact metal film 40 becomes invisible and alignment during chip formation becomes difficult.
  • a manufacturing method of an SBD (Schottky barrier diode) which is another embodiment of the present invention is a base support substrate 11 and a base bonded to one main surface side of the base support substrate 11.
  • a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 including the group III nitride film 13 (FIG. 9 to FIG. 13A), and group III nitride Step of forming insulating film 30 having an opening on material film 20 (FIG. 9 to FIG.
  • the step of forming the Schottky contact metal film 40 (FIG. 9 to FIG. 13C) and the conductive support substrate 50 are bonded on the Schottky contact metal film 40 with the bonding metal film 60 interposed therebetween.
  • the manufacturing method of the SBD of this embodiment can manufacture a Schottky barrier diode capable of flowing a large current with a high breakdown voltage at a low cost by including the above-described steps.
  • a part of the Schottky contact metal film 40 is formed. It is preferable to form the Schottky contact metal film 40 so as to run on a part of the insulating film 30. At this time, the Schottky contact metal film 40 is on the vicinity of the Schottky contact portion 40 a located on the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 and the periphery of the opening that is a part of the insulating film 30. And an insulating contact portion 40b located in contact with the substrate.
  • the SBD manufacturing method according to the sixth embodiment of the present invention is a method for manufacturing the SBD according to the first embodiment, and is bonded to one main surface side of the base support substrate 11 and the base support substrate 11.
  • the manufacturing method of the SBD of the sixth embodiment includes the above-described steps, whereby a Schottky barrier diode that can flow a large current with a high breakdown voltage can be manufactured at a low cost.
  • the base composite substrate 10 used in the step of forming the group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 can be manufactured at a low cost. Since the base III nitride film 13 is bonded to one main surface side of the support substrate 11, the base composite substrate 10 is a low cost, and the dislocation density is low on the base III nitride film 13. A highly reliable group III nitride film can be grown.
  • the step of preparing the base composite substrate 10 is not particularly limited, but the base group III nitride has a low dislocation density and high crystallinity on the one main surface 11 m side of the base support substrate 11.
  • a sub-process for forming the base bonding film 12a on the main surface 11m of the base support substrate 11, and the main group III nitride film base material substrate 13D
  • Sub-step of forming base bonding film 12b on surface 13n and forming ion implantation region 13i at a predetermined depth from main surface 13n of base group III nitride film base material substrate 13D (FIG. 14B)
  • a sub-process (FIG. 14A) for forming the base bonding film 12a on the main surface 11m of the base support substrate 11, and the main group III nitride film base material substrate 13D
  • the base support substrate 11 of the base composite substrate 10 is not particularly limited. However, the group III nitride film 20 having a low dislocation density and high crystallinity is cracked on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10. From the viewpoint of growth without any problem, the thermal expansion coefficient of the underlying support substrate 11 is the same as the thermal expansion coefficient of the underlying group III nitride film 13 and the thermal expansion coefficient of the group III nitride film 20, or the absolute difference between the thermal expansion coefficients. The value is preferably 2 ⁇ 10 ⁇ 6 K ⁇ 1 or less. Specifically, the underlying support substrate is preferably a molybdenum substrate, a mullite (Al 2 O 3 —SiO 2 ) substrate, an yttria-stabilized zirconia-mullite substrate, or the like.
  • the method for forming the group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 is not particularly limited. However, the viewpoint of epitaxially growing the group III nitride film 20 having a low dislocation density and high crystallinity. Therefore, HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method, MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method, MBE (molecular beam vapor phase epitaxy) method and the like are preferable.
  • HVPE hydrogen vapor phase epitaxy
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • MBE molecular beam vapor phase epitaxy
  • the step of forming insulating film 30 having an opening on group III nitride film 20 is not particularly limited, but the sub-step of forming insulating film 30 includes insulating film 30. It is preferable to include a sub-process for forming the opening.
  • a method for forming the insulating film 30 is not particularly limited, and a plasma CVD (chemical vapor deposition) method, a sputtering method, or the like can be applied.
  • a method for forming the opening in the insulating film 30 is not particularly limited, and a method of etching the insulating film 30 using a resist mask (not shown) formed by a photolithography method can be applied.
  • Schottky contact metal film 40 is formed.
  • the method of forming is not particularly limited, and a resist mask (not shown) is formed by photolithography, and a metal film composed of a plurality of layers by EB (electron beam) vapor deposition, resistance heating, sputtering, etc.
  • EB electron beam
  • the Schottky contact metal film 40 thus obtained is formed on the group III nitride film 20 and the insulating film 30 in the opening of the insulating film 30, and a part of the Schottky contact metal film 40 is formed. Since the Schottky contact metal film 40 is formed so as to run on a part of the insulating film 30, the Schottky contact portion located on the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 in the Schottky contact metal film 40. 40a is recessed compared to the insulating contact portion 40b located on and in contact with the insulating film 30.
  • a sub-process for forming the bonding metal film 60 on the conductive support substrate 50 by an EB vapor deposition method, a resistance heating method, a sputtering method, or the like, and a Schottky using a wafer bonder It is preferable to include a sub-step of bonding by bonding the contact metal film 40 and the bonding metal film 60 together.
  • the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is filled with the bonding metal film 60.
  • the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is completely filled with the bonding metal film 60.
  • the process of removing the base composite substrate 10 from the joint substrate 100 is not particularly limited.
  • the base support substrate 11, the base joint film 12 and the base III constituting the base composite substrate 10 are not limited. This is done by removing group nitride film 13.
  • the method of removing the base support substrate 11, the base bonding film 12, and the base group III nitride film 13 differs depending on the types of materials constituting them.
  • the base support substrate 11 is removed by etching with nitric acid in the case of a molybdenum substrate, or by etching with hydrofluoric acid in the case of a mullite substrate or a yttria stabilized zirconia-mullite substrate.
  • Removal of the base bonding film 12 is performed by etching with hydrofluoric acid or the like in the case of a SiO 2 film or a Si 3 N 4 film.
  • the removal of the base group III nitride film 13 is performed by ICP (inductive coupling type) -RIE (reactive ion etching) using chlorine gas as an etching gas.
  • the first electrode 72 is formed.
  • the method of forming the metal film There is no particular limitation on the method of forming the metal film.
  • a metal film composed of a plurality of layers is formed by EB vapor deposition, resistance heating, sputtering, or the like using a resist mask (not shown) formed by photolithography. And then annealing.
  • the first electrode 72 is formed by patterning so as to be located on a part of the main surface of the group III nitride film 20.
  • the method of forming the second electrode 75 is not particularly limited.
  • the second electrode 75 is formed by annealing after forming a metal film having a plurality of layers by EB vapor deposition, resistance heating, sputtering, or the like.
  • the SBD of the first embodiment can be obtained by making the deposited film substrate obtained by the above process into chips.
  • the SBD manufacturing method according to the seventh embodiment of the present invention is a method for manufacturing the SBD according to the second embodiment, and is bonded to one main surface side of the base support substrate 11 and the base support substrate 11.
  • Forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 including the base group III nitride film 13 formed (FIG. 10A), and group III nitride A step of forming an insulating film 30 having an opening on the film 20 (FIG.
  • a step of forming the first electrode 72 on the group III nitride film 20 and the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 10G), including.
  • the Schottky contact metal film 40 is formed so that a part of the Schottky contact metal film runs on a part of the insulating film. To do.
  • the SBD manufacturing method of the seventh embodiment is the same as the SBD manufacturing method of the sixth embodiment, after the step of forming the Schottky contact metal film 40 and before the step of obtaining the bonding substrate 100.
  • the step of obtaining the bonding substrate 100 further includes the step of forming the buried metal film 80 on the concave portion 40, and the step of obtaining the bonding substrate 100 includes the bonding metal film 60 interposed on the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80. This is performed by bonding the conductive support substrate 50.
  • the manufacturing method of the SBD of the seventh embodiment includes the above-described steps, and manufactures a Schottky barrier diode that can flow a large current with a high breakdown voltage at a low cost, similar to the manufacturing method of the SBD of the sixth embodiment. be able to.
  • the Schottky contact metal film 40 disposed on the insulating film 30 having the opening disposed on the group III nitride film 20 is the Schottky contact metal film 40.
  • the Schottky contact portion 40a located in contact with the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 is recessed as compared with the insulating contact portion 40b located in contact with the insulating film 30, so that the shot is performed as it is.
  • the step of disposing the buried metal film 80 between the recess of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 causes the buried metal film 80 to form the recess of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60.
  • FIG. 10A shows a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of the seventh embodiment (FIG. 10A), opening on the group III nitride film 20 Forming the insulating film 30 having a portion (FIG. 10B), and forming the Schottky contact metal film 40 on the group III nitride film 20 and the insulating film 30 in the opening of the insulating film 30 (FIG. FIG. 10C shows a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG.
  • Step of forming insulating film 30 having an opening on group III nitride film 20 (FIG. 9B), and Schottky on group III nitride film 20 and insulating film 30 in the opening of insulating film 30 Contour Forming a preparative metal film 40 is the same as that (FIG. 9 (C)).
  • the method for forming the buried metal film 80 is not particularly limited, and is a photolithography method.
  • a method of forming a resist mask (not shown), forming a metal film of a plurality of layers by EB (electron beam) vapor deposition, resistance heating, sputtering, or the like from the resist mask (not shown) and then lifting off can be applied.
  • the step of forming the buried metal film 80 on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 reduces or flattens the concave portion of the Schottky contact metal film 40.
  • the bonding metal film 60 is bonded without a gap.
  • the step of bonding the conductive support substrate 50 via the bonding metal film 60 is the same as the step of bonding the conductive support substrate 50 via the bonding metal film 60 in the SBD manufacturing method of the sixth embodiment. It is preferable to include similar sub-steps.
  • the step of forming the second electrode 75 on the substrate 50 is a step of removing the base composite substrate 10 from the bonding substrate 100 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG. 9E). ), And the step of forming the first electrode 72 on the group III nitride film 20 and the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 9F).
  • the SBD manufacturing method according to the eighth embodiment of the present invention is a method for manufacturing the SBD according to the third embodiment, and is bonded to one main surface side of the base support substrate 11 and the base support substrate 11.
  • a step of forming the film 40 (FIG. 11C), a step of forming the buried metal film 80 on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 (FIG. 11D), and the Schottky contact metal film 40 And buried metal film 8
  • a bonding substrate is formed by bonding a conductive support substrate 50 on the diffusion preventing metal film 90 with a bonding metal film 60 interposed on the diffusion preventing metal film 90 (FIG. 11E).
  • 100 (FIG. 11F), a step of removing the base composite substrate 10 from the bonded substrate 100 (FIG.
  • a first electrode 72 is formed on the group III nitride film 20.
  • a step of forming the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 11H).
  • the Schottky contact metal film 40 in the step of forming the Schottky contact metal film 40 (FIG. 11C), the Schottky contact metal film 40 so that a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30.
  • the SBD manufacturing method of the eighth embodiment is the same as the SBD manufacturing method of the seventh embodiment on the Schottky contact metal film 40 after the step of forming the buried metal film 80 and before the step of obtaining the bonding substrate 100.
  • a step of forming the diffusion preventing metal film 90 on the buried metal film 80, and the step of obtaining the bonding substrate 100 is performed by interposing the bonding metal film 60 on the diffusion preventing metal film 90. 50 is joined.
  • the manufacturing method of the SBD of the eighth embodiment includes the above-described steps, and manufactures a Schottky barrier diode that can flow a large current with a high breakdown voltage at a low cost, similar to the manufacturing method of the SBD of the seventh embodiment.
  • the gap between the concave portion of the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 is completely filled with the buried metal film 80, it is possible to prevent the generation of voids therebetween.
  • the appearance yield such as the presence or absence of peeling of the group III nitride film 20 can be improved.
  • the step of forming the diffusion prevention metal film 90 on the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80, and the bonding metal film 60 on the diffusion prevention metal film 90 are formed.
  • the diffusion preventing metal film 90 is formed between the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80 and the bonding metal film 60 by the step of obtaining the bonding substrate 100 by bonding the conductive support substrate 50 with the interposition. Therefore, diffusion of metal atoms in the junction metal film 60 from the junction metal film 60 to the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80 can be prevented, so that the forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, etc. of the SBD are increased. Improve.
  • a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of the eighth embodiment (FIG. 11A), opening on the group III nitride film 20 Forming the insulating film 30 having a portion (FIG. 11B), forming the Schottky contact metal film 40 on the group III nitride film 20 and the insulating film 30 in the opening of the insulating film 30 (FIG. 11).
  • 11 (C)) and the step of forming the buried metal film 80 on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 (FIG. 11D) are performed on the underlying composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 7, respectively.
  • a step of forming a group III nitride film 20 on the underlying group III nitride film 13 (FIG. 10A), a step of forming an insulating film 30 having an opening on the group III nitride film 20 (FIG. 10A).
  • B ) A step of forming Schottky contact metal film 40 on group III nitride film 20 and insulating film 30 in the opening of insulating film 30 (FIG. 10C), and on the recess of Schottky contact metal film 40
  • the process is similar to the step of forming the buried metal film 80 (FIG. 10D).
  • the method for forming diffusion preventing metal film 90 is not particularly limited.
  • a method of forming a metal film composed of a plurality of layers by EB (electron beam) vapor deposition, resistance heating, sputtering, or the like can be applied.
  • the bonding metal film 60 is formed.
  • the method of bonding the conductive support substrate 50 by interposing is the same as the step of bonding the conductive support substrate 50 by interposing the bonding metal film 60 in the SBD manufacturing method of the sixth embodiment.
  • the step of forming the second electrode 75 on the substrate 50 (FIG. 11H) is a step of removing the base composite substrate 10 from the bonding substrate 100 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG. 9E). ), And the step of forming the first electrode 72 on the group III nitride film 20 and the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 9F).
  • the SBD manufacturing method according to the ninth embodiment of the present invention is a method for manufacturing the SBD according to the fourth embodiment, and is bonded to one main surface side of the base support substrate 11 and the base support substrate 11.
  • the SBD manufacturing method of the ninth embodiment is the same as the SBD manufacturing method of the sixth embodiment, after the step of forming the Schottky contact metal film 40 and before the step of obtaining the bonding substrate 100.
  • the step of obtaining the bonding substrate 100 further includes the step of forming the diffusion preventing metal film 90 on the substrate 40, and the step of obtaining the bonding substrate 100 is to bond the conductive support substrate 50 to the diffusion preventing metal film 90 with the bonding metal film 60 interposed therebetween. Is to be performed.
  • the manufacturing method of the SBD of the ninth embodiment includes the above-described steps, thereby manufacturing a Schottky barrier diode that can flow a large current with a high breakdown voltage at a low cost, similar to the manufacturing method of the SBD of the sixth embodiment. be able to.
  • the step of forming the diffusion prevention metal film 90 on the Schottky contact metal film 40 and the conductive support by interposing the bonding metal film 60 on the diffusion prevention metal film 90 are performed. Since the diffusion preventing metal film 90 is formed between the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60 by the step of obtaining the bonding substrate 100 by bonding the substrate 50, the Schottky from the bonding metal film 60 is obtained. Since diffusion of metal atoms in the bonding metal film 60 to the contact metal film 40 can be prevented, the SBD forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, and the like are improved.
  • FIG. 12A shows a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 9 (FIG. 12A), an opening on the group III nitride film 20 Forming the insulating film 30 having a portion (FIG. 12B), and forming the Schottky contact metal film 40 on the group III nitride film 20 and the insulating film 30 in the opening of the insulating film 30 (FIG. FIG. 12C shows a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG.
  • Step of forming insulating film 30 having an opening on group III nitride film 20 (FIG. 9B), and Schottky on group III nitride film 20 and insulating film 30 in the opening of insulating film 30 Contour Forming a preparative metal film 40 is the same as that (FIG. 9 (C)).
  • the method of forming the diffusion prevention metal film 90 is the diffusion prevention metal film in the SBD of the eighth embodiment. This is similar to the method of forming 90.
  • the diffusion preventing metal film 90 thus obtained has an insulating contact portion 40b in which the Schottky contact portion 40a formed on the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 is formed on the insulating film 30. Therefore, the portion of the diffusion prevention metal film 90 that is formed on the recess of the Schottky contact metal film 40 is recessed as compared with the other portions. It is out.
  • the bonding metal film 60 is formed.
  • the step of bonding the conductive support substrate 50 through the interposition includes the same sub-step as the step of bonding the conductive support substrate 50 through the bonding metal film 60 in the SBD manufacturing method of the sixth embodiment. Is preferred.
  • the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 is filled with the bonding metal film 60.
  • the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 is completely filled with the bonding metal film 60.
  • the step of forming the second electrode 75 on the substrate 50 is a step of removing the base composite substrate 10 from the bonded substrate 100 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG. 9E).
  • the step of forming the first electrode 72 on the group III nitride film 20 and the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 9F).
  • the SBD manufacturing method according to the tenth embodiment of the present invention is a method for manufacturing the SBD according to the fifth embodiment, and is bonded to one main surface side of the base support substrate 11 and the base support substrate 11.
  • the first electrode 72 is formed on the group III nitride film 20, and the conductive support substrate 50 is formed. Forming a second electrode 75 (FIG. 13H).
  • the Schottky contact metal film 40 is so formed that a part of the Schottky contact metal film 40 rides on a part of the insulating film 30. Form.
  • the SBD manufacturing method according to the tenth embodiment is the same as the SBD manufacturing method according to the ninth embodiment, after the step of forming the diffusion preventing metal film 90 and before the step of obtaining the bonded substrate 100.
  • the step of forming the buried metal film 80 on the concave portion further includes the step of obtaining the bonding substrate 100 by providing the bonding metal film 60 on the diffusion preventing metal film 90 and the buried metal film 80 to provide conductive support. This is performed by bonding the substrate 50.
  • the manufacturing method of the SBD of the tenth embodiment includes the above-described steps, and manufactures a Schottky barrier diode that can flow a large current with a high breakdown voltage at a low cost, similar to the manufacturing method of the SBD of the ninth embodiment.
  • the diffusion preventing metal film 90 is formed between the Schottky contact metal film 40 and the bonding metal film 60, the metal in the bonding metal film 60 from the bonding metal film 60 to the Schottky contact metal film 40. Since atom diffusion can be prevented, the forward threshold voltage, on-resistance, breakdown voltage, etc. of SBD are improved.
  • the diffusion preventing metal film 90 has the Schottky contact portion 40 a formed on the group III nitride film 20 in the opening of the insulating film 30 formed on the insulating film 30. It is formed on the Schottky contact metal film 40 that is recessed compared to the insulated contact portion 40b. For this reason, the portion of the diffusion preventing metal film 90 formed on the concave portion of the Schottky contact metal film 40 is recessed as compared with the portion formed on the other portion.
  • the gap between the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 and the bonding metal film 60 is completely filled with the buried metal film 80, thereby generating voids therebetween. Therefore, it is possible to improve the on-resistance of the SBD, the breakdown voltage, the appearance yield such as the presence or absence of peeling of the group III nitride film 20, and the like.
  • a step of forming a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 10 (FIG. 13A), opening on the group III nitride film 20 Forming the insulating film 30 having a portion (FIG. 13B), forming the Schottky contact metal film 40 on the group III nitride film 20 and the insulating film 30 in the opening of the insulating film 30 (FIG. 13).
  • 13 (C)) and the step of forming the diffusion prevention metal film 90 on the Schottky contact metal film 40 are performed on the base III of the base composite substrate 10 in the SBD manufacturing method of Embodiment 9, respectively.
  • Step of forming group III nitride film 20 on group nitride film 13 (FIG. 12A), step of forming insulating film 30 having an opening on group III nitride film 20 (FIG. 12B) ), Step of forming Schottky contact metal film 40 on group III nitride film 20 and insulating film 30 in the opening of edge film 30 (FIG. 12C), and diffusion preventing metal on Schottky contact metal film 40 This is similar to the step of forming the film 90 (FIG. 12D).
  • the method of forming the buried metal film 80 is the same as the method of manufacturing the SBD according to the seventh embodiment. This is the same as the method for forming the metal film 80.
  • the concave portion of the diffusion preventing metal film 90 is reduced or flattened.
  • the bonding metal film 60 is bonded without a gap.
  • the step of bonding the conductive support substrate 50 via the bonding metal film 60 is the same as the step of bonding the conductive support substrate 50 via the bonding metal film 60 in the SBD manufacturing method of the sixth embodiment. It is preferable to include similar sub-steps.
  • a step of removing base composite substrate 10 from bonded substrate 100 in the SBD manufacturing method of Embodiment 10 (FIG. 13G), and first electrode 72 is formed on group III nitride film 20 to provide conductive support.
  • the step of forming the second electrode 75 on the substrate 50 (FIG. 13H) is a step of removing the base composite substrate 10 from the bonding substrate 100 in the SBD manufacturing method of Embodiment 6 (FIG. 9E).
  • the step of forming the first electrode 72 on the group III nitride film 20 and the second electrode 75 on the conductive support substrate 50 (FIG. 9F).
  • the first electrode 72 is located on a part of the main surface of the group III nitride film 20.
  • the method for patterning the first electrode 72 is not particularly limited, but a photolithography method or the like is preferable from the viewpoint of efficient patterning.
  • Example 1 is an example corresponding to the manufacturing method of the SBD of the first embodiment and the SBD of the sixth embodiment.
  • a base bonding film comprising a base support substrate 11 having a thickness of 450 ⁇ m and a SiO 2 film having a thickness of 400 nm disposed on one main surface thereof.
  • the main surface of the underlying group III nitride film was a Ga atom plane that is a (0001) plane. As shown in FIG.
  • the base composite substrate 10 is bonded to the base support substrate 11 and the base group III nitride film base material substrate 13D on which the ion implantation region is formed, with the base bonding film 12 interposed therebetween.
  • the base group III nitride film base material substrate 13D is obtained by separating the base group III nitride film 13 and the base base group III nitride film base material substrate 30E in the ion implantation region 13i.
  • the underlying group III nitride film 13 had a low dislocation density of 1 ⁇ 10 5 cm ⁇ 2 and high crystallinity.
  • the base composite substrate 10 three types of base composite substrates each including the following three types of substrates were prepared as the base support substrate 11.
  • the base support substrate 11 was three types of substrates: a molybdenum substrate, a mullite substrate, and a yttria stabilized zirconia-mullite substrate.
  • the chemical composition of the mullite substrate was 64 mol% and 36 mol% for Al 2 O 3 and SiO 2 , respectively.
  • the chemical composition of the yttria stabilized zirconia-mullite substrate is 30% by weight and 70% by weight for yttria stabilized zirconia and mullite, respectively, and the chemical composition of yttria stabilized zirconia is 10 mol% for Y 2 O 3 and ZrO 2 respectively.
  • the chemical composition of mullite was 60 mol% and 40 mol% for Al 2 O 3 and SiO 2 , respectively.
  • Each of these base support substrates 11 has a diameter of 2 inches (5.08 cm), a thickness of 450 ⁇ m, and a main surface having a roughness Ra (where roughness Ra is an arithmetic defined in JIS B0601: 2001).
  • the average roughness Ra was precisely mirror-polished to less than 10 nm.
  • the thermal expansion coefficients of the molybdenum substrate and the yttria-stabilized zirconia-mullite substrate were the same as those of GaN from room temperature (25 ° C.) to 1200 ° C.
  • the thermal expansion coefficient of the mullite substrate was 80% of the thermal expansion coefficient of GaN from room temperature (25 ° C.) to 1200 ° C.
  • n + having a donor concentration of 1 ⁇ m in thickness of 1.5 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 is formed as a group III nitride film 20 on the base group III nitride film 13 of the base composite substrate 10 by MOCVD.
  • An n + -III nitride layer 21 composed of a -GaN layer, an n-III nitride layer 22 composed of an n-GaN layer having a donor concentration of 7 ⁇ m and a donor concentration of 5.5 ⁇ 10 15 cm ⁇ 3 Formed.
  • the obtained group III nitride film 20 was not cracked, and the dislocation density was as low as 10 5 cm ⁇ 2 as measured by CL (cathode luminescence).
  • a 500 nm-thickness is formed on group III nitride film 20 by plasma CVD using silane gas and ammonia gas as source gases.
  • An insulating film 30 made of a Si 3 N 4 film was formed.
  • annealing was performed at 600 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere using an RTA (fast annealing furnace).
  • buffered hydrofluoric acid a 50% by mass hydrofluoric acid aqueous solution and a 40% by mass ammonium fluoride aqueous solution in a mass ratio of 1: 5 is used.
  • the insulating film 30 in the resist mask opening was removed by etching for 15 minutes. After etching, the resist mask was removed using acetone.
  • an insulating film 30 having an arcuate rectangular opening having a planar shape of 200 ⁇ m ⁇ 5000 ⁇ m and a vertex radius of curvature of 50 ⁇ m was formed as a field plate.
  • a resist mask is formed on the insulating film 30 having the opening by photolithography, and the group III nitride in the opening of the insulating film 30 is formed.
  • a Ni layer having a thickness of 500 mm and an Au layer having a thickness of 3000 mm were sequentially formed by EB vapor deposition, and patterned by lifting off using acetone.
  • an alloy was formed by annealing at 400 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere using an RTA (fast annealing furnace), and a part of the Schottky contact metal film 40 ran over a part of the insulating film 30.
  • a Schottky contact metal film 40 was formed.
  • the width of the part of the Schottky contact metal film 40 overlying the part of the insulating film 30 (hereinafter referred to as the width of the insulating contact part 40b of the Schottky contact metal film 40) was 15 ⁇ m.
  • a Si substrate having a thickness of 2 inches (5.08 cm) and a thickness of 320 ⁇ m was prepared as the conductive support substrate 50.
  • This Si substrate had a resistivity of less than 0.001 ⁇ cm and was doped p-type.
  • a 500 nm thick Ni layer, a 4000 mm thick Pt layer, and a 500 mm thick Au layer are formed as a bonding metal film 60 on the conductive support substrate 50 by EB vapor deposition.
  • an Au—Sn layer (chemical composition was 70 mass% Au and 30 mass% Sn) was formed by resistance heating vapor deposition.
  • the bonding substrate 100 was obtained by bonding the Au layer of the Schottky contact metal film 40 and the Au—Sn layer of the bonding metal film 60 using a wafer bonder.
  • the bonding conditions were a vacuum atmosphere of less than 1 Pa, a temperature of 300 ° C., and a bonding time of 10 minutes. After joining, it was confirmed by an ultrasonic microscope that there were no defects (residual voids) on the joining surface.
  • the base support substrate 11 was a molybdenum substrate
  • a sapphire substrate (not shown) having a diameter of 3 inches (7.62 cm) and a thickness of 500 ⁇ m was prepared.
  • the Si substrate side of the conductive support substrate 50 of the bonding substrate 100 was attached to the sapphire substrate with wax interposed, and the outer peripheral side surface was also protected with wax.
  • a 35 mass% nitric acid aqueous solution was prepared.
  • the bonding substrate 100 bonded to the sapphire substrate in an aqueous nitric acid solution stirred at 200 rpm for 40 minutes the molybdenum substrate which is the base support substrate was removed by etching.
  • the obtained substrate was washed with hydrochloric acid and pure water.
  • the SiO 2 film as the base bonding film 12 was removed by etching by dipping in buffered hydrofluoric acid for 10 minutes.
  • the underlying GaN film as the underlying III-nitride film 13 was exposed.
  • the mullite substrate which is the base support substrate 11 of the bonding substrate 100
  • the mullite substrate was ground using a surface grinder to a thickness of 40 ⁇ m.
  • a sapphire substrate (not shown) having a diameter of 3 inches (7.62 cm) and a thickness of 500 ⁇ m was prepared.
  • the Si substrate side of the conductive support substrate 50 of the bonding substrate 100 was attached to the sapphire substrate with wax interposed, and the outer peripheral side surface was also protected with wax.
  • a 50 mass% hydrofluoric acid aqueous solution was prepared.
  • the SiO 2 film which is the base bonding film 12
  • the SiO 2 film is removed by etching.
  • a mullite substrate was lifted off.
  • the underlying GaN film as the underlying III-nitride film 13 was exposed.
  • the base support substrate 11 is a yttria-stabilized zirconia-mullite substrate
  • the yttria-stabilized zirconia-mullite substrate which is the base support substrate 11 of the bonding substrate 100
  • a sapphire substrate (not shown) having a diameter of 3 inches (7.62 cm) and a thickness of 500 ⁇ m was prepared.
  • the Si substrate side of the conductive support substrate 50 of the bonding substrate 100 was attached to the sapphire substrate with wax interposed, and the outer peripheral side surface was also protected with wax.
  • a 50 mass% hydrofluoric acid aqueous solution was prepared.
  • the SiO 2 film as the underlying bonding film 12 is removed by etching, whereby the underlying support substrate 11 A mullite substrate was lifted off.
  • the underlying GaN film as the underlying III-nitride film 13 was exposed.
  • the underlying GaN film which is the underlying group III nitride film 13 exposed on the obtained substrate, was removed by ICP-RIE using chlorine gas as an etching gas.
  • a resist mask is formed on the group III nitride film 20 of the obtained substrate by a photolithography method, and then Then, a 200 ⁇ m thick Ti layer, a 300 mm thick Al layer, a 200 mm thick Ti layer, and a 3000 ⁇ m thick Au layer are formed in this order by the EB vapor deposition method, and the planar shape is 300 ⁇ m ⁇ 5100 ⁇ m.
  • a rectangular first electrode 72 was formed.
  • the second layer is formed by sequentially forming a Ti layer having a thickness of 200 mm, a Pt layer having a thickness of 300 mm, and an Au layer having a thickness of 3000 mm on the conductive support substrate 50 of the obtained substrate by EB vapor deposition.
  • the electrode 75 was formed.
  • the first electrode 72 and the second electrode 75 were annealed at 250 ° C. for 3 minutes in a nitrogen atmosphere.
  • the SBD obtained in this way is attached on the UV curable dicing tape with the first electrode 72 formed on the group III nitride film 20 facing down, and conductively matched to the chip pattern with a dicer.
  • the Si substrate which is the conductive support substrate 50 was cut from the main surface to a depth of 300 ⁇ m.
  • the cut portion was broken by a break device, whereby the remaining portion was separated and formed into an SBD chip having a main surface of 400 ⁇ m ⁇ 5200 ⁇ m.
  • the withstand voltage against reverse bias was 600 V or more, and 5 A or more was successfully passed with a 1 mm 2 electrode pattern chip during forward bias operation.
  • Example 2 is an example corresponding to the manufacturing method of the SBD of the second embodiment and the SBD of the seventh embodiment.
  • group III nitridation is performed in the same manner as in Example 1. Formation of the material film 20, formation of the insulating film 30 having an arc-shaped square opening having a planar shape of 1000 ⁇ m ⁇ 1000 ⁇ m and a radius of curvature of the apex of 100 ⁇ m, and a group III nitride film in the opening of the insulating film 30 Further, the Schottky contact metal film 40 in which the width of the insulating contact portion 40b of the Schottky contact metal film 40 is 30 ⁇ m on a part of the insulating film was formed.
  • a resist mask (not shown) is formed by photolithography on the concave portion of Schottky contact metal film 40, and EB (electron beam) deposition is performed thereon.
  • EB electron beam
  • the withstand voltage against reverse bias was 600 V or more, and 5 A or more was successfully passed with a 1 mm 2 electrode pattern chip during forward bias operation.
  • Example 3 is an example corresponding to the manufacturing method of the SBD of the third embodiment and the SBD of the eighth embodiment.
  • a Ni layer having a thickness of 500 mm and a thickness of 4000 mm are formed on the Schottky contact metal film 40 and the buried metal film 80 by EB (electron beam) evaporation.
  • the diffusion preventing metal film 90 was formed by sequentially forming a Pt layer and an Au layer having a thickness of 500 mm.
  • the withstand voltage against reverse bias was 600 V or more, and 5 A or more was successfully passed with a 1 mm 2 electrode pattern chip during forward bias operation.
  • Example 4 is an example corresponding to the manufacturing method of the SBD of the fourth embodiment and the SBD of the ninth embodiment.
  • group III nitridation is performed in the same manner as in Example 1. Formation of the material film 20, formation of the insulating film 30 having an arcuate rectangular opening having a planar shape of 200 ⁇ m ⁇ 5000 ⁇ m and a radius of curvature of the apex of 50 ⁇ m, and the group III nitride film in the opening of the insulating film 30 Further, the Schottky contact metal film 40 in which the width of the insulating contact portion 40b of the Schottky contact metal film 40 is 15 ⁇ m on a part of the insulating film was formed.
  • an EB (electron beam) vapor deposition method is used to form a Ni layer having a thickness of 500 mm, a Pt layer having a thickness of 4000 mm, and a thickness.
  • a diffusion preventing metal film 90 was formed by sequentially forming a 500-thick Au layer.
  • the withstand voltage against reverse bias was 600 V or more, and 5 A or more was successfully passed with a 1 mm 2 electrode pattern chip during forward bias operation.
  • Example 5 is an example corresponding to the manufacturing method of the SBD of the fifth embodiment and the SBD of the tenth embodiment.
  • Example 4 Formation of Group III Nitride Film, Formation of Insulating Film with Opening, Formation of Schottky Contact Metal Film, and Formation of Diffusion Prevention Metal Film Referring to FIGS. 13A to 13D, Example 4 Similarly, formation of group III nitride film 20, formation of insulating film 30 having an arc-shaped square opening having a planar shape of 1000 ⁇ m ⁇ 1000 ⁇ m and a radius of curvature of the apex of 100 ⁇ m, in the opening of insulating film 30 Formation of the Schottky contact metal film 40 in which the width of the insulating contact portion 40b of the Schottky contact metal film 40 is 30 ⁇ m and the formation of the diffusion prevention metal film 90 on the group III nitride film and a part of the insulating film. I did it.
  • a resist mask (not shown) is formed by photolithography on the concave portion of diffusion preventing metal film 90, and EB (electron beam) vapor deposition is performed thereon.
  • EB electron beam
  • bonding is performed in the same manner as in Example 1.
  • the substrate 100 By forming the substrate 100, removing the base composite substrate 10 from the bonding substrate 100, forming the first electrode 72 and the second electrode 75, and further forming a chip, an SBD having a main surface of 1500 ⁇ m ⁇ 1500 ⁇ m I got a chip.
  • the withstand voltage against reverse bias was 600 V or more, and 5 A or more was successfully passed with a 1 mm 2 electrode pattern chip during forward bias operation.
  • Base composite substrate 11 Base support substrate, 11m, 13n Main surface, 12, 12a, 12b Base bonding film, 13 Base group III nitride film, 13D Base group III nitride film base material substrate, 13i Ion implantation region, 20 Group III nitride film, 21 n + -GaN layer, 22 n-GaN layer, 30 insulating film, 40 Schottky contact metal film, 40a Schottky contact part, 40b insulating contact part, 50 conductive support substrate, 60 junction metal Film, 72 first electrode, 75 second electrode, 80 buried metal film, 90 diffusion preventing metal film, 100 bonding substrate.

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Abstract

　本ショットキーバリアダイオードは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極（７２）と、ＩＩＩ族窒化物膜（２０）と、開口部を有する絶縁膜（３０）と、ショットキーコンタクト金属膜（４０）と、接合金属膜（６０）と、導電性支持基板（５０）と、第２の電極（７５）と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜（４０）の一部は絶縁膜（３０）の一部の上に乗り上げることができる。また、本ショットキーバリアダイオードは、ショットキーコンタクト金属膜（４０）の凹部と接合金属膜（６０）との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含むことができる。これにより、高耐圧で大電流を流すことができる低コストのショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。

Description

ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法
　本発明は、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードおよびその製造方法に関する。
　ＩＩＩ族窒化物膜を用いたショットキーバリアダイオード（以下、ＳＢＤともいう）は、高周波特性、耐圧特性、低スイッチング損失性などに優れることから、近年注目されている。たとえば、特開２００６－１５６４５７号公報（特許文献１）は、シリコン基板上に成長させたＩＩＩ族窒化物膜を用いたショットキーバリアダイオードを開示する。
特開２００６－１５６４５７号公報
　特開２００６－１５６４５７号公報（特許文献１）で開示されたＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）は、ＳＢＤに用いられているＩＩＩ族窒化物膜が、ＩＩＩ族窒化物と化学組成が異なるシリコン基板上で成長されたことから、膜の転位密度が１×１０8ｃｍ-2以上と高いため、高い耐圧を保持することが難しい。また、シリコン基板上に化学組成の異なるＩＩＩ族窒化物膜を成長させるためには、シリコン基板上に結晶性の低いＩＩＩ族窒化物バッファ膜を成長させ、そのＩＩＩ族窒化物バッファ膜上にＩＩＩ族窒化物膜を成長させる必要がある。ここで、ＩＩＩ族窒化物バッファ膜は、高抵抗であるため、大電流を流せる縦型構造のＳＢＤに用いることが困難である。
　ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための下地基板としてＩＩＩ族窒化物基板を用いると、上記の問題を解決することができるが、ＩＩＩ族窒化物基板が高価であるため、ＳＢＤの製造コストが高くなる。
　本発明は、上記の問題を解決して、高耐圧で大電流を流すことができる低コストのショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、ある局面に従えば、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極と、ＩＩＩ族窒化物膜と、開口部を有する絶縁膜と、ショットキーコンタクト金属膜と、接合金属膜と、導電性支持基板と、第２の電極と、を含むショットキーバリアダイオードである。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキーコンタクト金属膜の一部が絶縁膜の一部の上に乗り上げることができる。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードにおいて、さらに、絶縁膜が開口部を有することにより存在するショットキーコンタクト金属膜の凹部と接合金属膜との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含むことができる。さらに、ショットキーコンタクト金属膜および埋め込み金属膜と接合金属膜との間に配置されている拡散防止金属膜をさらに含むことができる。
　また、本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードにおいて、さらに、ショットキーコンタクト金属膜と接合金属膜との間に配置されている拡散防止金属膜をさらに含むことができる。さらに、絶縁膜が開口部を有することにより存在する拡散防止金属膜の凹部と接合金属膜との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含むことができる。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアバイオードにおいて、さらに、第１の電極はＩＩＩ族窒化物膜の主面の一部上に位置することができる。
　本発明は、別の局面に従えば、下地支持基板と下地支持基板の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜とを含む下地複合基板の下地ＩＩＩ族窒化物膜上にＩＩＩ族窒化物膜を形成する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜上および絶縁膜上にショットキーコンタクト金属膜を形成する工程と、ショットキーコンタクト金属膜上に接合金属膜を介在させて導電性支持基板を接合することにより接合基板を得る工程と、接合基板から下地複合基板を除去する工程と、ＩＩＩ族窒化物膜上に第１の電極を形成し、導電性支持基板上に第２の電極を形成する工程と、を含むショットキーバリアダイオードの製造方法である。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードの製造方法においては、ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程において、ショットキーコンタクト金属膜の一部が絶縁膜の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜を形成することができる。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードの製造方法において、さらに、ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程の後、接合基板を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜の凹部上に埋め込み金属膜を形成する工程をさらに含み、接合基板を得る工程は、ショットキーコンタクト金属膜上および埋め込み金属膜上に、接合金属膜を介在させて、導電性支持基板を接合することにより行なうことができる。さらに、埋め込み金属膜を形成する工程の後、接合基板を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜上および埋め込み金属膜上に拡散防止金属膜を形成する工程をさらに含み、接合基板を得る工程は拡散防止金属膜上に接合金属膜を介在させて導電性支持基板を接合することにより行なうことができる。
　また、本発明のかかる局面に従うショットキーバリアダイオードの製造方法において、さらに、ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程の後、接合基板を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜上に拡散防止金属膜を形成する工程をさらに含み、接合基板を得る工程は拡散防止金属膜上に接合金属膜を介在させて導電性支持基板を接合することにより行なうことができる。さらに、拡散防止金属膜を形成する工程の後、接合基板を得る工程の前に、拡散防止金属膜の凹部上に、埋め込み金属膜を形成する工程をさらに含み、接合基板を得る工程は拡散防止金属膜上および埋め込み金属膜上に接合金属膜を介在させて導電性支持基板を接合することにより行なうことができる。
　本発明のかかる局面に従うショットキーバリアバイオードの製造方法において、さらに、第１の電極を、ＩＩＩ族窒化物膜の主面の一部上に形成することができる。
　本発明によれば、高耐圧で大電流を流すことができる低コストのショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供できる。
本発明にかかるショットキーバリアダイオードのある例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードのさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードのさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードのさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードにおけるＩＩＩ族窒化物膜、開口部を有する絶縁膜およびショットキーバリア金属膜の配置状態のある例を示す概略平面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードにおけるＩＩＩ族窒化物膜、開口部を有する絶縁膜およびショットキーバリア金属膜の配置状態の別の例を示す概略平面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードにおけるＩＩＩ族窒化物膜、開口部を有する絶縁膜およびショットキーバリア金属膜の配置状態のさらに別の例を示す概略平面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法のある例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法の別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法のさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法のさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法のさらに別の例を示す概略断面図である。 本発明にかかるショットキーバリアダイオードの製造方法において用いられる下地複合基板の製造方法のある例を示す概略断面図である。
　［ショットキーバリアダイオード］
　図１～図５を参照して、本発明の一実施形態であるＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）は、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。
　本実施形態のＳＢＤは、第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５がこの順に配置されているため、高耐圧で大電流を流すことができる。
　図１～図５に加えて図６～図８も参照して、本実施形態のＳＢＤは、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げていることが好ましい。このとき、ショットキーコンタクト金属膜４０は、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａと絶縁膜３０の一部である開口部の周囲近傍上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂとを有する。これにより、ショットキーコンタクト金属膜４０のショットキーコンタクト部分４０ａの端部への電界集中が緩和されるとともに、ショットキーコンタクト金属膜４０と絶縁膜３０との間に隙間が生じることがないため、高耐圧のＳＢＤが得られる。ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜の一部の上に乗り上げていない場合は、ショットキーコンタクト金属膜４０の端部に電界集中が生じるとともに、ショットキーコンタクト金属膜４０と絶縁膜３０との間に隙間が生じて、かかる隙間は接着性が高い仕事関数の小さい金属材料（たとえばＳｎ合金）で埋め込まれ、かかる金属材料とＩＩＩ族窒化物膜との接触部分がオーミックコンタクトに近くなることから、ＳＢＤの耐圧向上が阻害される。
　本実施形態のＳＢＤにおいて、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている部分の幅Ｗ（すなわち、ショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅Ｗ）は、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている部分と絶縁膜３０の一部の間の密着性を確保し、かつ、電流に寄与しない不必要な面積を占有しない観点から、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。
　図６～図８を参照して、本実施形態のＳＢＤにおいて、絶縁膜３０の開口部の平面形状およびショットキーコンタクト金属膜４０の主面の形状は、特に制限はないが、ショットキーコンタクト金属膜４０のショットキーコンタクト部分４０ａの端部への電界集中が緩和されるとともに、作動主面の面積を大きくする観点から、頂点部分が弧状の多角形、円、および楕円の少なくともいずれかが好ましく、たとえば、頂点部が弧状の正方形（図６）、頂点部が弧状の長方形（図７）、円（図８）などであることが好ましい。また、絶縁膜３０の開口部の平面の大きさは、絶縁膜３０の開口部を安定して作製でき、かつ、ショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂとチップ化する際の加工しろを確保する観点から、対向する辺間の距離または径のうち、最短距離または最短径で５０μｍ以上が好ましく２００μｍ以上がより好ましく、最長距離または最長径で（チップ幅－６０）μｍ以下が好ましく（チップ幅－１００）μｍ以下がより好ましい。たとえば、チップサイズがチップ幅１５００μｍ×チップ幅１５００μｍの正方形状の場合、最長距離は１４４０μｍ以下が好ましく、１４００μｍ以下がより好ましい。以下に、具体的な実施形態を説明する。
　（実施形態１）
　図１を参照して、本発明の実施形態１であるＳＢＤは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。上述のように、実施形態１のＳＢＤは、高耐圧で大電流を流すことができる。
　第１の電極７２は、特に制限はないが、ＩＩＩ族窒化物膜２０および外部電極（図示せず）との良好な電気的接続を得る観点から、ＩＩＩ族窒化物膜２０側からＡｌ層およびＡｕ層を含む電極構造とすることが好ましい。ここではＩＩＩ族窒化物膜２０、第１の電極７２および外部電極間の密着性を考え、ＩＩＩ族窒化物膜２０からＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層、およびＡｕ層の４層構造とした。また、第２の電極７５は、特に制限はないが、導電性支持基板５０および外部電極（図示せず）との良好な電気的接続を得る観点から、導電性支持基板５０側からＴｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層の３層構造とした。
　ＩＩＩ族窒化物膜２０は、特に制限はないが、耐圧を高くする観点から転位密度が１×１０6ｃｍ-2以下のものが好ましく、このような低い転位密度のＩＩＩ族窒化物膜２０は、たとえば、後述する実施形態６に示すように、下地支持基板と下地支持基板の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜とを含む下地複合基板の下地ＩＩＩ族窒化物膜上に成長させることにより得られる。また、ＩＩＩ族窒化物膜２０は、ショットキーコンタクト金属膜４０との間にショットキー接合を形成し、同時に第１の電極７２との間にオーミック接合を形成する目的から、ＩＩＩ族窒化物膜２０の第１の電極７２側にドナー濃度が相対的に高いｎ+－ＩＩＩ族窒化物層２１を形成し、反対側にドナー濃度が相対的に低いｎ－ＩＩＩ族窒化物層２２を形成することが好ましい。
　開口部を有する絶縁膜３０は、特に制限はないが、非開口部である絶縁膜３０の絶縁性を高める観点から、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などが好ましい。
　ショットキーコンタクト金属膜４０は、ＩＩＩ族窒化物膜２０とショットキーコンタクトを形成する金属膜であれば、特に制限はないが、金属膜を形成する金属の仕事関数とＩＩＩ族窒化物膜を形成するＩＩＩ族窒化物のフェルミレベルとの間の差を適正にする観点から、Ｎｉ／Ａｕ膜、Ｔｉ／Ａｕ膜、Ｐｔ／Ａｕ膜などが好ましい。
　接合金属膜６０は、特に制限はないが、ショットキーコンタクト金属膜４０ならびに後述する埋め込み金属膜および拡散防止金属膜との接合性を高める観点から、Ａｕ－Ｓｎ合金層を含むことが好ましい。また、接合金属膜６０は、Ａｕ－Ｓｎ合金層からの導電性支持基板５０へのＳｎの拡散を防止する観点から、接合金属膜６０のＡｕ－Ｓｎ合金層と導電性支持基板５０との間に導電性支持基板５０側から順に配置されたＮｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層の３層を有することが好ましい。
　導電性支持基板５０は、特に制限はないが、高い導電性を有する観点から、シリコン（Ｓｉ）基板、ゲルマニウム（Ｇｅ）基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板などが好ましく、さらには高い熱伝導性も併せ持つ銅（Ｃｕ）基板、モリブデン（Ｍｏ）基板、タングステン（Ｗ）基板、銅－タングステン（Ｃｕ－Ｗ）合金基板などが好ましい。
　実施形態１のＳＢＤにおいて、ショットキーコンタクト金属膜４０は、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に配置されている開口部を有する絶縁膜３０上に配置され、また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げていることから、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａは絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいる。しかし、かかるショットキーコンタクト金属膜４０の凹部は、接合金属膜６０により埋められる。特に、絶縁膜３０の開口部が小さい場合は、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部は、接合金属膜６０により完全に埋められる。
　（実施形態２）
　図２を参照して、本発明の実施形態２であるＳＢＤは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、埋め込み金属膜８０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。すなわち、実施形態２のＳＢＤは、実施形態１のＳＢＤにおいて、絶縁膜３０が開口部を有することにより存在するショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間に配置されている埋め込み金属膜８０をさらに含む。
　実施形態２のＳＢＤは、実施形態１のＳＢＤと同様に高耐圧で大電流を流すことができる。ここで、実施形態２のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５は、実施形態１のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５とそれぞれ同様である。
　実施形態２のＳＢＤにおいて、ショットキーコンタクト金属膜４０は、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に配置されている開口部を有する絶縁膜３０上に配置され、また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げていることから、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａは絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいるため、絶縁膜３０の開口部が大きい場合はショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間に空隙が発生する可能性がある。ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間に埋め込み金属膜８０を配置し、埋め込み金属膜８０でショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことにより、それらの間に空隙が発生することを防止できる。これにより、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　埋め込み金属膜８０は、特に制限はないが、ショットキーコンタクト金属膜４０と近い仕事関数を持つ観点から、ショットキーコンタクト金属膜４０側からＮｉ層およびＡｕ層の２層構造を有することが好ましい。
　（実施形態３）
　図３を参照して、本発明の実施形態３であるＳＢＤは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、埋め込み金属膜８０と、拡散防止金属膜９０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。すなわち、実施形態３のＳＢＤは、実施形態２のＳＢＤにおいて、ショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０と接合金属膜６０との間に配置されている拡散防止金属膜９０をさらに含む。
　実施形態３のＳＢＤは、実施形態１のＳＢＤと同様に高耐圧で大電流を流すことができるとともに、実施形態２のＳＢＤと同様に埋め込み金属膜８０でショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことによりそれらの間に空隙が発生することを防止できるため、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　ここで、実施形態３のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５は、実施形態１のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５とそれぞれ同様である。実施形態３のＳＢＤにおける埋め込み金属膜８０は、実施形態２のＳＢＤにおける埋め込み金属膜８０と同様である。
　実施形態３のＳＢＤにおいて、拡散防止金属膜９０がショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０と接合金属膜６０との間に配置されていることから、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　拡散防止金属膜９０は、特に制限はなく、接合金属膜６０中にＡｕ－Ｓｎ合金層を含む場合は、Ａｕ－Ｓｎ合金層からのＳｎの拡散を防止するために、ショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０側から順に配置されたＮｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層の３層を有することが好ましい。
　（実施形態４）
　図４を参照して、本発明の実施形態４であるＳＢＤは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、拡散防止金属膜９０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。すなわち、実施形態４のＳＢＤは、実施形態１のＳＢＤにおいて、ショットキーコンタクト金属膜４０と接合金属膜６０との間に配置されている拡散防止金属膜９０をさらに含む。
　実施形態４のＳＢＤは、実施形態１のＳＢＤと同様に高耐圧で大電流を流すことができる。ここで、実施形態４のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５は、実施形態１のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５とそれぞれ同様である。
　実施形態４のＳＢＤにおいて、拡散防止金属膜９０がショットキーコンタクト金属膜４０と接合金属膜６０との間に配置されていることから、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　ここで、実施形態４のＳＢＤにおける拡散防止金属膜９０は、実施形態３のＳＢＤにおける拡散防止金属膜９０と同様である。
　実施形態４のＳＢＤにおいて、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０が配置され、開口部を有する絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０が配置され、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０が配置されている。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。このため、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａは絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでおり、拡散防止金属膜９０のうちショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に形成された部分はその凹部以外の部分上に形成された部分に比べて凹んでいる。しかし、かかる拡散防止金属膜９０の凹部は、接合金属膜６０により埋められる。特に、絶縁膜３０の開口部が小さい場合は、拡散防止金属膜９０の凹部は、接合金属膜６０により完全に埋められる。
　（実施形態５）
　図５を参照して、本発明の実施形態５であるＳＢＤは、第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極７２と、ＩＩＩ族窒化物膜２０と、開口部を有する絶縁膜３０と、ショットキーコンタクト金属膜４０と、拡散防止金属膜９０と、埋め込み金属膜８０と、接合金属膜６０と、導電性支持基板５０と、第２の電極７５と、を含む。また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。すなわち、実施形態５のＳＢＤは、実施形態４のＳＢＤにおいて、絶縁膜３０が開口部を有することにより存在する拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間に配置されている埋め込み金属膜８０をさらに含む。
　実施形態５のＳＢＤは、実施形態４のＳＢＤと同様に高耐圧で大電流を流すことができるとともに、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　ここで、実施形態５のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５は、実施形態１のＳＢＤにおける第１の電極７２、ＩＩＩ族窒化物膜２０、開口部を有する絶縁膜３０、ショットキーコンタクト金属膜４０、接合金属膜６０、導電性支持基板５０、および第２の電極７５とそれぞれ同様である。また、実施形態５のＳＢＤにおける拡散防止金属膜９０は、実施形態４のＳＢＤにおける拡散防止金属膜９０と同様である。
　実施形態５のＳＢＤにおいて、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０が配置され、開口部を有する絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０が配置され、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０が配置され、また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている。このため、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａは絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでおり、拡散防止金属膜９０のうちショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に形成された部分はその凹部以外の部分上に形成された部分に比べて凹んでいる。このため、絶縁膜３０の開口部が大きい場合は拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間に空隙が発生する可能性がある。このため、拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間に埋め込み金属膜８０を配置することにより、埋め込み金属膜８０で拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことにより、それらの間に空隙が発生することを防止できるため、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　ここで、実施形態５のＳＢＤにおける埋め込み金属膜８０は、実施形態２のＳＢＤにおける埋め込み金属膜８０と同様である。
　図１～図８を参照して、上記の実施形態１～実施形態５のＳＢＤにおいて、チップ化の際のアライメントを容易にする観点から、第１の電極７２がＩＩＩ族窒化物膜２０の主面の一部上に位置するように、第１の電極７２がパターニングされていることが好ましい。第１の電極７２がＩＩＩ族窒化物膜２０の全面に形成されると、ショットキーコンタクト金属膜４０の配置が見えなくなり、チップ化の際のアライメントが難しくなる。
　［ショットキーバリアダイオードの製造方法］
　図９～図１３を参照して、本発明の別の実施形態であるＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）の製造方法は、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図９～図１３の（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図９～図１３の（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図９～図１３の（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図９（Ｄ）、図１０（Ｅ）、図１１（Ｆ）、図１２（Ｅ）、および図１３（Ｆ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ）、図１０（Ｆ）、図１１（Ｇ）、図１２（Ｆ）、および図１３（Ｇ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ）、図１０（Ｇ）、図１１（Ｈ）、図１２（Ｇ）、および図１３（Ｈ））と、を含む。
　本実施形態のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造することができる。
　図９～図１３に加えて図６～図８も参照して、本実施形態のＳＢＤの製造方法においては、ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程において、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成することが好ましい。このとき、ショットキーコンタクト金属膜４０は、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａと絶縁膜３０の一部である開口部の周囲近傍上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂとを有する。これにより、ショットキーコンタクト金属膜４０のショットキーコンタクト部分４０ａの端部への電界集中が緩和されるとともに、ショットキーコンタクト金属膜４０と絶縁膜３０との間に隙間が生じることがないため、高耐圧のＳＢＤが得られる。ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜の一部の上に乗り上げていない場合は、ショットキーコンタクト金属膜４０の端部に電界集中が生じるとともに、ショットキーコンタクト金属膜４０と絶縁膜３０との間に隙間が生じて、かかる隙間は接着性が高い仕事関数の小さい金属材料（たとえばＳｎ合金）で埋め込まれ、かかる金属材料とＩＩＩ族窒化物膜との接触部分がオーミックコンタクトに近くなることから、ＳＢＤの耐圧向上が阻害される。以下に、具体的な実施形態を説明する。
　（実施形態６）
　図９を参照して、本発明の実施形態６であるＳＢＤの製造方法は、実施形態１のＳＢＤを製造する方法であって、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図９（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図９（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図９（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図９（Ｄ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ））と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図９（Ｃ））において、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成する。
　実施形態６のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造することができる。
　図９（Ａ）を参照して、下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程において用いられる下地複合基板１０は、低コストで製造できる下地支持基板１１の一主面側に下地ＩＩＩ族窒化物膜１３が接合されたものであるため、低コストな下地複合基板１０であり、その下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物膜を成長させることができる。
　ここで、図１４を参照して、下地複合基板１０を準備する工程は、特に制限はないが、下地支持基板１１の一主面１１ｍ側に転位密度が低く結晶性が高い下地ＩＩＩ族窒化物膜１３を効率よく接合させる観点から、下地支持基板１１の主面１１ｍ上に下地接合膜１２ａを形成するサブ工程（図１４（Ａ））と、下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄの主面１３ｎ上に下地接合膜１２ｂを形成し、下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄの主面１３ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域１３ｉを形成するサブ工程（図１４（Ｂ））と、下地支持基板１１に形成された下地接合膜１２ａと下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄに形成された下地接合膜１２ｂとを貼り合わせるサブ工程（図１４（Ｃ））と、下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいて下地ＩＩＩ族窒化物膜１３と残りの下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｅとに分離することにより、下地支持基板１１の一主面１１ｍ上に下地接合膜１２を介在させて下地ＩＩＩ族窒化物膜１３が接合された下地複合基板１０を形成するサブ工程（図１４（Ｄ））と、を含むことが好ましい。
　下地複合基板１０の下地支持基板１１は、特に制限はないが、下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物膜２０を割れを発生させることなく成長させる観点から、下地支持基板１１の熱膨張係数は、下地ＩＩＩ族窒化物膜１３の熱膨張係数およびＩＩＩ族窒化物膜２０の熱膨張係数と同じかまたは熱膨張係数の差の絶対値が２×１０-6Ｋ-1以下であることが好ましい。具体的には、下地支持基板は、モリブデン基板、ムライト（Ａｌ2Ｏ3－ＳｉＯ2）基板、イットリア安定化ジルコニア－ムライト基板などが好ましい。
　下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する方法は、特に制限はないが、転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物膜２０をエピタキシャル成長させる観点から、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）法、ＭＢＥ（分子線気相成長）法などが好ましい。
　図９（Ｂ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程は、特に制限はないが、絶縁膜３０を形成するサブ工程、絶縁膜３０に開口部を形成するサブ工程を含むことが好ましい。絶縁膜３０を形成する方法は、特に制限はなく、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法、スパッタ法などが適用できる。絶縁膜３０に開口部を形成する方法は、特に制限はなく、フォトリソグラフィー法で形成したレジストマスク（図示せず）を用いて絶縁膜３０をエッチングする方法などが適用できる。
　図９（Ｃ）を参照して、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程において、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する方法は、特に制限はなく、フォトリソグラフィー法でレジストマスク（図示せず）を形成し、その上からＥＢ（電子線）蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより複数層からなる金属膜を形成し、さらにリフトオフすることによりパターンニングした後、複数層からなる金属膜をアニールすることにより合金化する方法などが適用できる。
　このようにして得られたショットキーコンタクト金属膜４０は、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に形成され、また、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるように形成されていることから、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａは絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいる。
　図９（Ｄ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程は、特に制限はないが、効率よく接合基板１００を得る観点から、導電性支持基板５０上に、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより接合金属膜６０を形成するサブ工程と、ウエハボンダーを用いてショットキーコンタクト金属膜４０と接合金属膜６０とを貼り合わせることにより接合するサブ工程と、を含むことが好ましい。このとき、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部は、接合金属膜６０により埋められる。特に、絶縁膜３０の開口部が小さい場合は、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部は、接合金属膜６０により完全に埋められる。
　図９（Ｅ）を参照して、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程は、特に制限はなく、たとえば、下地複合基板１０を構成する下地支持基板１１、下地接合膜１２および下地ＩＩＩ族窒化物膜１３を除去することにより行なう。下地支持基板１１、下地接合膜１２および下地ＩＩＩ族窒化物膜１３を除去する方法は、それらを構成する材料の種類によって異なる。たとえば、下地支持基板１１の除去は、モリブデン基板の場合は硝酸などによるエッチングにより行ない、ムライト基板またはイットリア安定化ジルコニア－ムライト基板の場合はフッ化水素酸などによるエッチングにより行なう。下地接合膜１２の除去は、ＳｉＯ2膜またはＳｉ3Ｎ4膜の場合はフッ化水素酸などによるエッチングにより行なう。下地ＩＩＩ族窒化物膜１３の除去は、塩素ガスをエッチングガスとして用いたＩＣＰ（誘導結合型）－ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などにより行なう。
　図９（Ｆ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程において、第１の電極７２を形成する方法は、特に制限はなく、たとえば、フォトリソグラフィー法で形成したレジストマスク（図示せず）を用いて、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより複数層からなる金属膜を形成した後アニールすることにより行なう。このようにして、第１の電極７２がＩＩＩ族窒化物膜２０の主面の一部上に位置するようにパタニーングされて形成される。また、第２の電極７５を形成する方法は、特に制限なく、たとえば、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより複数層からなる金属膜を形成した後アニールすることにより行なう。
　さらに、上記の工程により得られた積膜基板をチップ化することにより、実施形態１のＳＢＤが得られる。
　（実施形態７）
　図１０を参照して、本発明の実施形態７であるＳＢＤの製造方法は、実施形態２のＳＢＤを製造する方法であって、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１０（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１０（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１０（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程（図１０（Ｄ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図１０（Ｅ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１０（Ｆ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１０（Ｇ））と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１０（Ｃ））において、ショットキーコンタクト金属膜の一部が絶縁膜の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成する。
　すなわち、実施形態７のＳＢＤの製造方法は、実施形態６のＳＢＤの製造方法において、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程の後、接合基板１００を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程をさらに含み、接合基板１００を得る工程は、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより行なうものである。
　実施形態７のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、実施形態６のＳＢＤの製造方法と同様に、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造することができる。
　さらに、実施形態７のＳＢＤの製造方法においては、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に配置された開口部を有する絶縁膜３０上に配置されたショットキーコンタクト金属膜４０は、ショットキーコンタクト金属膜４０のうち絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に接して位置するショットキーコンタクト部分４０ａが絶縁膜３０上に接して位置する絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいるため、そのままショットキーコンタクト金属膜４０と導電性支持基板５０とを接合金属膜６０を介在させて接合すると、絶縁膜３０の開口部が大きい場合はショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間に空隙が発生する可能性がある。このため、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間に埋め込み金属膜８０を配置する工程により、埋め込み金属膜８０でショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことにより、それらの間に空隙が発生することを防止できるため、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　実施形態７のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１０（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１０（Ｂ））、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１０（Ｃ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図９（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図９（Ｂ））、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図９（Ｃ））と同様である。
　図１０（Ｄ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程において、埋め込み金属膜８０を形成する方法は、特に制限はなく、フォトリソグラフィー法でレジストマスク（図示せず）を形成し、その上からＥＢ（電子線）蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより複数層からなる金属膜を形成し、さらにリフトオフする方法などが適用できる。ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に埋め込み金属膜８０を形成する工程により、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部が低減または平坦化される。
　図１０（Ｅ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程において、埋め込み金属膜８０の形成によりショットキーコンタクト金属膜４０の凹部が低減または平坦化されているため、接合金属膜６０により空隙なく接合される。なお、接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程は、実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程の場合と同様のサブ工程を含むことが好ましい。
　実施形態７のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１０（Ｆ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１０（Ｇ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ））と同様である。
　（実施形態８）
　図１１を参照して、本発明の実施形態８であるＳＢＤの製造方法は、実施形態３のＳＢＤを製造する方法であって、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１１（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１１（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１１（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程（図１１（Ｄ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、拡散防止金属膜９０を形成する工程（図１１（Ｅ））と、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図１１（Ｆ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１１（Ｇ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１１（Ｈ））と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１１（Ｃ））において、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成する。
　すなわち、実施形態８のＳＢＤの製造方法は、実施形態７のＳＢＤの製造方法において、埋め込み金属膜８０を形成する工程の後、接合基板１００を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、拡散防止金属膜９０を形成する工程をさらに含み、接合基板１００を得る工程は、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより行なうものである。
　実施形態８のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、実施形態７のＳＢＤの製造方法と同様に、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造するとともに、埋め込み金属膜８０でショットキーコンタクト金属膜４０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことにより、それらの間に空隙が発生することを防止できるため、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　さらに、実施形態８のＳＢＤの製造方法においては、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程、および拡散防止金属膜９０上に接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程により、拡散防止金属膜９０がショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０と接合金属膜６０との間に形成されることから、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０および埋め込み金属膜８０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　実施形態８のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１１（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１１（Ｂ））、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１１（Ｃ））、およびショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程（図１１（Ｄ））は、それぞれ実施形態７のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１０（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１０（Ｂ））、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１０（Ｃ））、およびショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程（図１０（Ｄ））と同様である。
　図１１（Ｅ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程において、拡散防止金属膜９０を形成する方法は、特に制限はなく、ＥＢ（電子線）蒸着法、抵抗加熱法、スパッタ法などにより複数層からなる金属膜を形成する方法などが適用できる。
　図１１（Ｆ）を参照して、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程において、接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する方法は、実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程と同様である。
　実施形態８のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１１（Ｇ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１１（Ｈ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ））と同様である。
　（実施形態９）
　図１２を参照して、本発明の実施形態９であるＳＢＤの製造方法は、実施形態４のＳＢＤを製造する方法であって、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１２（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１２（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１２（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程（図１２（Ｄ））と、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図１２（Ｅ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１２（Ｆ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１２（Ｇ））と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１２（Ｃ））において、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成する。
　すなわち、実施形態９のＳＢＤの製造方法は、実施形態６のＳＢＤの製造方法において、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程の後、接合基板１００を得る工程の前に、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程をさらに含み、接合基板１００を得る工程は、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより行なうものである。
　実施形態９のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、実施形態６のＳＢＤの製造方法と同様に、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造することができる。
　さらに、実施形態９のＳＢＤの製造方法においては、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程、および拡散防止金属膜９０上に接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程により、拡散防止金属膜９０がショットキーコンタクト金属膜４０と接合金属膜６０との間に形成されることから、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　実施形態９のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１２（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１２（Ｂ））、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１２（Ｃ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図９（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図９（Ｂ））、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図９（Ｃ））と同様である。
　図１２（Ｄ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程において、拡散防止金属膜９０を形成する方法は、実施形態８のＳＢＤにおける拡散防止金属膜９０を形成する方法と同様である。
　このようにして得られた拡散防止金属膜９０は、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に形成されたショットキーコンタクト部分４０ａが絶縁膜３０上に形成された絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいるショットキーコンタクト金属膜４０上に形成されることから、拡散防止金属膜９０においてショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に形成されている部分はそれ以外の部分に比べて凹んでいる。
　図１２（Ｅ）を参照して、拡散防止金属膜９０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程において、接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程は、実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程の場合と同様のサブ工程を含むことが好ましい。このとき、拡散防止金属膜９０の凹部は、接合金属膜６０により埋められる。特に、絶縁膜３０の開口部が小さい場合は、拡散防止金属膜９０の凹部は、接合金属膜６０により完全に埋められる。
　実施形態９のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１２（Ｆ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１２（Ｇ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ））と同様である。
　（実施形態１０）
　図１３を参照して、本発明の実施形態１０であるＳＢＤの製造方法は、実施形態５のＳＢＤを製造する方法であって、下地支持基板１１と下地支持基板１１の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜１３とを含む下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１３（Ａ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１３（Ｂ））と、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１３（Ｃ））と、ショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程（図１３（Ｄ））と、拡散防止金属膜９０の凹部上に埋め込み金属膜８０を形成する工程（図１３（Ｅ））と、拡散防止金属膜９０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程（図１３（Ｆ））と、接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１３（Ｇ））と、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１３（Ｈ））と、を含む。ここで、ショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１３（Ｃ））において、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げるようにショットキーコンタクト金属膜４０を形成する。
　すなわち、実施形態１０のＳＢＤの製造方法は、実施形態９のＳＢＤの製造方法において、拡散防止金属膜９０を形成する工程の後、接合基板１００を得る工程の前に、拡散防止金属膜９０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程をさらに含み、接合基板１００を得る工程は、拡散防止金属膜９０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより行なうものである。
　実施形態１０のＳＢＤの製造方法は、上記の工程を含むことにより、実施形態９のＳＢＤの製造方法と同様に、高耐圧で大電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを低コストで製造するとともに、拡散防止金属膜９０がショットキーコンタクト金属膜４０と接合金属膜６０との間に形成されることから、接合金属膜６０からのショットキーコンタクト金属膜４０への接合金属膜６０中の金属原子の拡散を防止できるため、ＳＢＤの順方向閾値電圧、オン抵抗、耐圧などが改善する。
　さらに、実施形態１０のＳＢＤの製造方法においては、拡散防止金属膜９０は、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上に形成されたショットキーコンタクト部分４０ａが絶縁膜３０上に形成された絶縁コンタクト部分４０ｂに比べて凹んでいるショットキーコンタクト金属膜４０上に形成される。このため、拡散防止金属膜９０のうちショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に形成された部分はそれ以外の部分上に形成された部分に比べて凹んでいるため、そのまま拡散防止金属膜９０と導電性支持基板５０とを接合金属膜６０を介在させて接合すると、絶縁膜３０の開口部が大きい場合、すなわち、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部が大きい場合は拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間に空隙が発生する可能性がある。このため、拡散防止金属膜９０の凹部上に埋め込み金属膜８０を形成する工程と、拡散防止金属膜９０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程とにより、埋め込み金属膜８０で拡散防止金属膜９０の凹部と接合金属膜６０との間を完全に埋め込むことにより、それらの間に空隙が発生することを防止できるため、ＳＢＤのオン抵抗、耐圧、ＩＩＩ族窒化物膜２０の剥がれの有無などの外観歩留などを改善できる。
　実施形態１０のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１３（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１３（Ｂ））、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１３（Ｃ））、およびショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程（図１３（Ｄ））は、それぞれ実施形態９のＳＢＤの製造方法における下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上にＩＩＩ族窒化物膜２０を形成する工程（図１２（Ａ））、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に開口部を有する絶縁膜３０を形成する工程（図１２（Ｂ））、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上にショットキーコンタクト金属膜４０を形成する工程（図１２（Ｃ））、およびショットキーコンタクト金属膜４０上に拡散防止金属膜９０を形成する工程（図１２（Ｄ））と同様である。
　図１３（Ｅ）を参照して、拡散防止金属膜９０の凹部上に、埋め込み金属膜８０を形成する工程において、埋め込み金属膜８０を形成する方法は、実施形態７のＳＢＤの製造方法における埋め込み金属膜８０を形成する方法と同様である。拡散防止金属膜９０の凹部上に埋め込み金属膜８０を形成する工程により、拡散防止金属膜９０の凹部が低減または平坦化される。
　図１３（Ｆ）を参照して、拡散防止金属膜９０上および埋め込み金属膜８０上に、接合金属膜６０を介在させて、導電性支持基板５０を接合することにより接合基板１００を得る工程において、埋め込み金属膜８０の形成により拡散防止金属膜９０の凹部が低減または平坦化されているため、接合金属膜６０により空隙なく接合される。なお、接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程は、実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合金属膜６０を介在させて導電性支持基板５０を接合する工程の場合と同様のサブ工程を含むことが好ましい。
　実施形態１０のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図１３（Ｇ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図１３（Ｈ））は、それぞれ実施形態６のＳＢＤの製造方法における接合基板１００から下地複合基板１０を除去する工程（図９（Ｅ））、およびＩＩＩ族窒化物膜２０上に第１の電極７２を形成し、導電性支持基板５０上に第２の電極７５を形成する工程（図９（Ｆ））と同様である。
　図９（Ｆ）、図１０（Ｇ）、図１１（Ｈ）、図１２（Ｇ）、および図１３（Ｈ）を参照して、上記の実施形態６～実施形態１０のＳＢＤの製造方法において、チップ化の際のアライメントを容易にする観点から、第１の電極７２がＩＩＩ族窒化物膜２０の主面の一部上に位置するように、第１の電極７２をパターニングすることが好ましい。第１の電極７２をパターニングする方法は、特に制限はないが、効率よくパターニングする観点から、フォトリソグラフィー法などが好適である。
　（実施例１）
　実施例１は、実施形態１のＳＢＤおよび実施形態６のＳＢＤの製造方法に対応する実施例である。
　１．ＩＩＩ族窒化物膜の形成
　まず、図９（Ａ）を参照して、厚さ４５０μｍの下地支持基板１１と、その一主面上に配置された厚さ４００ｎｍのＳｉＯ2膜からなる下地接合膜１２と、その上に配置された厚さ１５０ｎｍのＧａＮ膜からなる下地ＩＩＩ族窒化物膜１３と、を含む下地複合基板１０を準備した。下地ＩＩＩ族窒化物膜の主面は、（０００１）面であるＧａ原子面であった。かかる下地複合基板１０は、図１４に示すように、下地支持基板１１とイオン注入領域が形成された下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄとを下地接合膜１２を介在させて貼り合わせた後、下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板１３Ｄをイオン注入領域１３ｉにおいて下地ＩＩＩ族窒化物膜１３と残りの下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板３０Ｅとに分離することにより得られたものであり、下地ＩＩＩ族窒化物膜１３は、その転位密度が１×１０5ｃｍ-2台と低く高い結晶性を有していた。
　ここで、下地複合基板１０としては、下地支持基板１１として以下の３種類の基板をそれぞれ含む３種類の下地複合基板を準備した。下地支持基板１１は、モリブデン基板、ムライト基板、およびイットリア安定化ジルコニア－ムライト基板の３種類の基板であった。ここで、ムライト基板の化学組成はＡｌ2Ｏ3およびＳｉＯ2がそれぞれ６４モル％および３６モル％であった。イットリア安定化ジルコニア－ムライト基板の化学組成はイットリア安定化ジルコニアおよびムライトがそれぞれ３０質量％および７０質量％であり、イットリア安定化ジルコニアの化学組成はＹ2Ｏ3およびＺｒＯ2がそれぞれ１０モル％および９０モル％であり、ムライトの化学組成はＡｌ2Ｏ3およびＳｉＯ2がそれぞれ６０モル％および４０モル％であった。これらの下地支持基板１１は、いずれも、直径が２インチ（５．０８ｃｍ）、厚さが４５０μｍ、主面がその粗さＲａ（ここで、粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１で規定する算術平均粗さＲａを意味する。以下同じ。）が１０ｎｍ未満に精密鏡面研磨されていた。また、モリブデン基板およびイットリア安定化ジルコニア－ムライト基板の熱膨張係数は、室温（２５℃）から１２００℃まで、ＧａＮの熱膨張係数と同じであった。また、ムライト基板の熱膨張係数は、室温（２５℃）から１２００℃まで、ＧａＮの熱膨張係数の８０％であった。
　次に、下地複合基板１０の下地ＩＩＩ族窒化物膜１３上に、ＭＯＣＶＤ法により、ＩＩＩ族窒化物膜２０として、厚さ１μｍのドナー濃度が１．５×１０18ｃｍ-3であるｎ+－ＧａＮ層からなるｎ+－ＩＩＩ族窒化物層２１と、厚さ７μｍのドナー濃度が５．５×１０15ｃｍ-3であるｎ－ＧａＮ層からなるｎ－ＩＩＩ族窒化物層２２と、を形成した。得られたＩＩＩ族窒化物膜２０について、割れは発生せず、転位密度はＣＬ（カソードルミネッセンス）により測定したところ１０5ｃｍ-2台と低かった。
　２．開口部を有する絶縁膜の形成
　次に、図９（Ｂ）を参照して、ＩＩＩ族窒化物膜２０上に、プラズマＣＶＤ法により、シランガスとアンモニアガスを原料ガスとして用いて、厚さ５００ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜からなる絶縁膜３０を形成した。次いで、ＲＴＡ（高速アニール炉）を用いて、窒素雰囲気下６００℃で３分間アニールした。
　次に、絶縁膜３０上にフォトリソグラフィー法で形成したレジストマスクを用いて、バッファードフッ酸（５０質量％フッ化水素酸水溶液と４０質量％フッ化アンモニウム水溶液とを１：５の質量比で混合したものをいう。）で１５分間エッチングし、レジストマスク開口部における絶縁膜３０を除去した。エッチング後、アセトンを用いてレジストマスクを除去した。こうして、フィールドプレートとして、平面形状が２００μｍ×５０００μｍで頂点部の曲率半径が５０μｍの弧状の長方形状の開口部を有する絶縁膜３０を形成した。
　３．ショットキーコンタクト金属膜の形成
　次に、図９（Ｃ）を参照して、開口部を有する絶縁膜３０上にフォトリソグラフィー法でレジストマスクを形成し、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜２０上および絶縁膜３０上に、ＥＢ蒸着法により、厚さ５００ÅのＮｉ層、厚さ３０００ÅのＡｕ層を順次形成し、アセトンを用いてリフトオフすることにより、パターンニングした。次に、ＲＴＡ（高速アニール炉）を用い、窒素雰囲気下４００℃で３分間アニールすることにより、合金化して、ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げたショットキーコンタクト金属膜４０を形成した。ショットキーコンタクト金属膜４０の一部が絶縁膜３０の一部の上に乗り上げている部分の幅（以下、ショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅という）は、１５μｍであった。
　４．接合基板の形成
　次に、図９（Ｄ）を参照して、導電性支持基板５０として、厚さ２インチ（５．０８ｃｍ）で厚さ３２０μｍのＳｉ基板を準備した。このＳｉ基板は、抵抗率が０．００１Ωｃｍ未満であり、ｐ型にドープされていた。
　次に、導電性支持基板５０上に、接合金属膜６０として、ＥＢ蒸着法により、厚さ５００ÅのＮｉ層、厚さ４０００ÅのＰｔ層、および厚さ５００ÅのＡｕ層を形成し、さらにその上に、抵抗加熱蒸着法により、厚さ５μｍのＡｕ－Ｓｎ層（化学組成はＡｕが７０質量％でＳｎが３０質量％）を形成した。
　次に、ショットキーコンタクト金属膜４０のＡｕ層と接合金属膜６０のＡｕ－Ｓｎ層とをウエハボンダーを用いて接合することにより、接合基板１００が得られた。接合条件は、１Ｐａ未満の真空雰囲気下、温度は３００℃で、接合時間は１０分間とした。接合後は超音波顕微鏡で接合面に不良（空隙の残留）などが無いことを確認した。
　５．接合基板からの下地複合基板の除去
　次に、図９（Ｅ）を参照して、接合基板１００から、下地支持基板１１、下地接合膜１２、および下地ＩＩＩ族窒化物膜１３を除去することにより、下地複合基板１０を除去した。
　下地支持基板１１がモリブデン基板の場合は、直径３インチ（７．６２ｃｍ）で厚さ５００μｍのサファイア基板（図示せず）を準備した。このサファイア基板にワックスを介在させて接合基板１００の導電性支持基板５０のＳｉ基板側を貼り付けて、外周側面もワックスで保護した。次に、３５質量％硝酸水溶液を準備した。２００ｒｐｍで撹拌されている硝酸水溶液中に、サファイア基板に貼り合わされた接合基板１００を４０分間浸漬することにより、下地支持基板であるモリブデン基板をエッチング除去した。得られた基板を塩酸および純水で洗浄した。次いで、バッファードフッ酸に１０分間浸漬することにより、下地接合膜１２であるＳｉＯ2膜をエッチング除去した。こうして得られた基板は、下地ＩＩＩ族窒化物膜１３である下地ＧａＮ膜が露出していた。
　また、下地支持基板１１がムライト基板の場合は、接合基板１００の下地支持基板１１であるムライト基板を平面研削機を用いて厚さが４０μｍになるまで研削した。次に、直径３インチ（７．６２ｃｍ）で厚さ５００μｍのサファイア基板（図示せず）を準備した。このサファイア基板にワックスを介在させて接合基板１００の導電性支持基板５０のＳｉ基板側を貼り付けて、外周側面もワックスで保護した。次に、５０質量％フッ化水素酸水溶液を準備した。２００ｒｐｍで撹拌したフッ化水素酸水溶液中に、サファイア基板に貼り合わされた接合基板１００を３０分間浸漬することにより、下地接合膜１２であるＳｉＯ2膜をエッチング除去することにより、下地支持基板１１であるムライト基板をリフトオフした。このようにして得られた基板は、下地ＩＩＩ族窒化物膜１３である下地ＧａＮ膜が露出していた。
　また、下地支持基板１１がイットリア安定化ジルコニア－ムライト基板の場合は、接合基板１００の下地支持基板１１であるイットリア安定化ジルコニア－ムライト基板を平面研削機を用いて厚さが４０μｍになるまで研削した。次に、直径３インチ（７．６２ｃｍ）で厚さ５００μｍのサファイア基板（図示せず）を準備した。このサファイア基板にワックスを介在させて接合基板１００の導電性支持基板５０のＳｉ基板側を貼り付けて、外周側面もワックスで保護した。次に、５０質量％フッ化水素酸水溶液を準備した。２００ｒｐｍで撹拌したフッ化水素酸水溶液中に、サファイア基板に貼り合わされた接合基板１００を８時間浸漬することにより、下地接合膜１２であるＳｉＯ2膜をエッチング除去することにより、下地支持基板１１であるムライト基板をリフトオフした。このようにして得られた基板は、下地ＩＩＩ族窒化物膜１３である下地ＧａＮ膜が露出していた。
　次に、得られた基板に露出していた下地ＩＩＩ族窒化物膜１３である下地ＧａＮ膜を、塩素ガスをエッチングガスとして用いたＩＣＰ－ＲＩＥ法により、エッチング除去した。
　６．第１の電極および第２の電極の形成
　次に、図９（Ｆ）を参照して、得られた基板のＩＩＩ族窒化物膜２０上に、フォトリソグラフィー法によりレジストマスクを形成し、その上からＥＢ蒸着法により、厚さ２００ÅのＴｉ層、厚さ３００ÅのＡｌ層、ふたたび厚さ２００ÅのＴｉ層、最後に厚さ３０００ÅのＡｕ層を順に形成することにより、平面形状が３００μｍ×５１００μｍの長方形状の第１の電極７２を形成した。また、得られた基板の導電性支持基板５０上に、ＥＢ蒸着法により、厚さ２００ÅのＴｉ層、厚さ３００ÅのＰｔ層、および厚さ３０００ÅのＡｕ層を順に形成することにより、第２の電極７５を形成した。次に、ＲＴＡを用いて、第１の電極７２および第２の電極７５を、窒素雰囲気下２５０℃で３分間アニールした。
　次に、このようにして得られたＳＢＤを、ＩＩＩ族窒化物膜２０に形成された第１の電極７２を下にしてＵＶ硬化性ダイシングテープ上に貼り付け、ダイサーでチップパターンに合わせて導電性支持基板５０であるＳｉ基板をその主面から３００μｍの深さまでカットした。次いで、ブレーク装置でカット部をブレークすることにより、残った部分を分離して、主面が４００μｍ×５２００μｍのＳＢＤチップにチップ化した。
　このようにして得られたＳＢＤチップをカーブトレーサで測定したところ、逆バイアスに対する耐圧が６００Ｖ以上を示し、順バイアス動作時には１ｍｍ2の電極パターンチップで５Ａ以上を流すことに成功した。
　（実施例２）
　実施例２は、実施形態２のＳＢＤおよび実施形態７のＳＢＤの製造方法に対応する実施例である。
　１．ＩＩＩ族窒化物膜の形成、開口部を有する絶縁膜の形成、およびショットキーコンタクト金属膜の形成
　図１０（Ａ）～（Ｃ）を参照して、実施例１と同様にして、ＩＩＩ族窒化物膜２０の形成、平面形状が１０００μｍ×１０００μｍで頂点部の曲率半径が１００μｍの弧状の正方形状の開口部を有する絶縁膜３０の形成、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜上および絶縁膜の一部上へのショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅が３０μｍであるショットキーコンタクト金属膜４０の形成を行なった。
　２．埋め込み金属膜の形成
　図１０（Ｄ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０の凹部上に、フォトリソグラフィー法でレジストマスク（図示せず）を形成し、その上からＥＢ（電子線）蒸着法により、厚さ４５００ÅのＮｉ層および厚さ５００ÅのＡｕ層を順次形成することにより、平面形状が９９０μｍ×９９０μｍで頂点部の曲率半径が９５μｍの弧状の正方形状の埋め込み金属膜８０を形成した。
　３．接合基板の形成、接合基板からの下地複合基板の除去、ならびに第１の電極および第２の電極の形成
　図１０（Ｅ）～（Ｇ）を参照して、実施例１と同様にして、接合基板１００の形成、接合基板１００からの下地複合基板１０の除去、ならびに第１の電極７２および第２の電極７５の形成を行ない、さらにチップ化を行なうことにより、主面が１５００μｍ×１５００μｍのＳＢＤチップを得た。
　このようにして得られたＳＢＤチップをカーブトレーサで測定したところ、逆バイアスに対する耐圧が６００Ｖ以上を示し、順バイアス動作時には１ｍｍ2の電極パターンチップで５Ａ以上を流すことに成功した。
　（実施例３）
　実施例３は、実施形態３のＳＢＤおよび実施形態８のＳＢＤの製造方法に対応する実施例である。
　１．ＩＩＩ族窒化物膜の形成、開口部を有する絶縁膜の形成、ショットキーコンタクト金属膜の形成、および埋め込み金属膜の形成
　図１１（Ａ）～（Ｄ）を参照して、実施例２と同様にして、ＩＩＩ族窒化物膜２０の形成、平面形状が１０００μｍ×１０００μｍで頂点部の曲率半径が１００μｍの弧状の正方形状の開口部を有する絶縁膜３０の形成、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜上および絶縁膜の一部上へのショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅が３０μｍであるショットキーコンタクト金属膜４０の形成、および平面形状が９９０μｍ×９９０μｍで頂点部の曲率半径が９５μｍの弧状の正方形状の埋め込み金属膜８０の形成を行なった。
　２．拡散防止金属膜の形成
　図１１（Ｅ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上および埋め込み金属膜８０上に、ＥＢ（電子線）蒸着法により、厚さ５００ÅのＮｉ層、厚さ４０００ÅのＰｔ層、および厚さ５００ÅのＡｕ層を順次形成することにより、拡散防止金属膜９０を形成した。
　３．接合基板の形成、接合基板からの下地複合基板の除去、ならびに第１の電極および第２の電極の形成
　図１１（Ｆ）～（Ｈ）を参照して、実施例１と同様にして、接合基板１００の形成、接合基板１００からの下地複合基板１０の除去、ならびに第１の電極７２および第２の電極７５の形成を行ない、さらにチップ化を行なうことにより、主面が１５００μｍ×１５００μｍのＳＢＤチップを得た。
　このようにして得られたＳＢＤチップをカーブトレーサで測定したところ、逆バイアスに対する耐圧が６００Ｖ以上を示し、順バイアス動作時には１ｍｍ2の電極パターンチップで５Ａ以上を流すことに成功した。
　（実施例４）
　実施例４は、実施形態４のＳＢＤおよび実施形態９のＳＢＤの製造方法に対応する実施例である。
　１．ＩＩＩ族窒化物膜の形成、開口部を有する絶縁膜の形成、およびショットキーコンタクト金属膜の形成
　図１２（Ａ）～（Ｃ）を参照して、実施例１と同様にして、ＩＩＩ族窒化物膜２０の形成、平面形状が２００μｍ×５０００μｍで頂点部の曲率半径が５０μｍの弧状の長方形状の開口部を有する絶縁膜３０の形成、および絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜上および絶縁膜の一部上へのショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅が１５μｍであるショットキーコンタクト金属膜４０の形成を行なった。
　２．拡散防止金属膜の形成
　図１２（Ｄ）を参照して、ショットキーコンタクト金属膜４０上に、ＥＢ（電子線）蒸着法により、厚さ５００ÅのＮｉ層、厚さ４０００ÅのＰｔ層、および厚さ５００ÅのＡｕ層を順次形成することにより、拡散防止金属膜９０を形成した。
　３．接合基板の形成、接合基板からの下地複合基板の除去、ならびに第１の電極および第２の電極の形成
　図１２（Ｅ）～（Ｇ）を参照して、実施例１と同様にして、接合基板１００の形成、接合基板１００からの下地複合基板１０の除去、ならびに第１の電極７２および第２の電極７５の形成を行ない、さらにチップ化を行なうことにより、主面が４００μｍ×５２００μｍのＳＢＤチップを得た。
　このようにして得られたＳＢＤチップをカーブトレーサで測定したところ、逆バイアスに対する耐圧が６００Ｖ以上を示し、順バイアス動作時には１ｍｍ2の電極パターンチップで５Ａ以上を流すことに成功した。
　（実施例５）
　実施例５は、実施形態５のＳＢＤおよび実施形態１０のＳＢＤの製造方法に対応する実施例である。
　１．ＩＩＩ族窒化物膜の形成、開口部を有する絶縁膜の形成、ショットキーコンタクト金属膜の形成、および拡散防止金属膜の形成
　図１３（Ａ）～（Ｄ）を参照して、実施例４と同様にして、ＩＩＩ族窒化物膜の２０形成、平面形状が１０００μｍ×１０００μｍで頂点部の曲率半径が１００μｍの弧状の正方形状の開口部を有する絶縁膜３０の形成、絶縁膜３０の開口部におけるＩＩＩ族窒化物膜上および絶縁膜の一部上へのショットキーコンタクト金属膜４０の絶縁コンタクト部分４０ｂの幅が３０μｍであるショットキーコンタクト金属膜４０の形成、および拡散防止金属膜９０の形成を行なった。
　２．埋め込み金属膜の形成
　図１３（Ｅ）を参照して、拡散防止金属膜９０の凹部上に、フォトリソグラフィー法でレジストマスク（図示せず）を形成し、その上からＥＢ（電子線）蒸着法により、厚さ４５００ÅのＮｉ層および厚さ５００ÅのＡｕ層を順次形成することにより、平面形状が９９０μｍ×９９０μｍで頂点部の曲率半径が９５μｍの弧状の正方形状の埋め込み金属膜８０を形成した。
　３．接合基板の形成、接合基板からの下地複合基板の除去、ならびに第１の電極および第２の電極の形成
　図１３（Ｆ）～（Ｈ）を参照して、実施例１と同様にして、接合基板１００の形成、接合基板１００からの下地複合基板１０の除去、ならびに第１の電極７２および第２の電極７５の形成を行ない、さらにチップ化を行なうことにより、主面が１５００μｍ×１５００μｍのＳＢＤチップを得た。
　このようにして得られたＳＢＤチップをカーブトレーサで測定したところ、逆バイアスに対する耐圧が６００Ｖ以上を示し、順バイアス動作時には１ｍｍ2の電極パターンチップで５Ａ以上を流すことに成功した。
　今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　下地複合基板、１１　下地支持基板、１１ｍ，１３ｎ　主面、１２，１２ａ，１２ｂ　下地接合膜、１３　下地ＩＩＩ族窒化物膜、１３Ｄ　下地ＩＩＩ族窒化物膜母材基板、１３ｉ　イオン注入領域、２０　ＩＩＩ族窒化物膜、２１　ｎ+－ＧａＮ層、２２　ｎ－ＧａＮ層、３０　絶縁膜、４０　ショットキーコンタクト金属膜、４０ａ　ショットキーコンタクト部分、４０ｂ　絶縁コンタクト部分、５０　導電性支持基板、６０　接合金属膜、７２　第１の電極、７５　第２の電極、８０　埋め込み金属膜、９０　拡散防止金属膜、１００　接合基板。

Claims (14)

  1. 　第１の主面側から第２の主面側への一方向に順に配置されている、第１の電極と、ＩＩＩ族窒化物膜と、開口部を有する絶縁膜と、ショットキーコンタクト金属膜と、接合金属膜と、導電性支持基板と、第２の電極と、を含むショットキーバリアダイオード。
  2. 　前記ショットキーコンタクト金属膜の一部が前記絶縁膜の一部の上に乗り上げている請求項１に記載のショットキーバリアダイオード。
  3. 　前記絶縁膜が前記開口部を有することにより存在する前記ショットキーコンタクト金属膜の凹部と前記接合金属膜との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含む請求項２に記載のショットキーバリアダイオード。
  4. 　前記ショットキーコンタクト金属膜および前記埋め込み金属膜と前記接合金属膜との間に配置されている拡散防止金属膜をさらに含む請求項３に記載のショットキーバリアダイオード。
  5. 　前記ショットキーコンタクト金属膜と前記接合金属膜との間に配置されている拡散防止金属膜をさらに含む請求項２に記載のショットキーバリアダイオード。
  6. 　前記絶縁膜が開口部を有することにより存在する前記拡散防止金属膜の凹部と前記接合金属膜との間に配置されている埋め込み金属膜をさらに含む請求項５に記載のショットキーバリアダイオード。
  7. 　前記第１の電極が前記ＩＩＩ族窒化物膜の主面の一部上に位置する請求項２に記載のショットキーバリアダイオード。
  8. 　下地支持基板と前記下地支持基板の一主面側に接合された下地ＩＩＩ族窒化物膜とを含む下地複合基板の前記下地ＩＩＩ族窒化物膜上に、ＩＩＩ族窒化物膜を形成する工程と、
    　前記ＩＩＩ族窒化物膜上に、開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
    　前記絶縁膜の開口部における前記ＩＩＩ族窒化物膜上および前記絶縁膜上に、ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程と、
    　前記ショットキーコンタクト金属膜上に、接合金属膜を介在させて、導電性支持基板を接合することにより接合基板を得る工程と、
    　前記接合基板から前記下地複合基板を除去する工程と、
    　前記ＩＩＩ族窒化物膜上に第１の電極を形成し、前記導電性支持基板上に第２の電極を形成する工程と、を含むショットキーバリアダイオードの製造方法。
  9. 　前記ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程において、前記ショットキーコンタクト金属膜の一部が前記絶縁膜の一部の上に乗り上げるように前記ショットキーコンタクト金属膜を形成する請求項８に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
  10. 　前記ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程の後、前記接合基板を得る工程の前に、前記ショットキーコンタクト金属膜の凹部上に、埋め込み金属膜を形成する工程をさらに含み、
    　前記接合基板を得る工程は、前記ショットキーコンタクト金属膜上および前記埋め込み金属膜上に、前記接合金属膜を介在させて、前記導電性支持基板を接合することにより行なう請求項９に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
  11. 　前記埋め込み金属膜を形成する工程の後、前記接合基板を得る工程の前に、前記ショットキーコンタクト金属膜上および前記埋め込み金属膜上に、拡散防止金属膜を形成する工程をさらに含み、
    　前記接合基板を得る工程は、前記拡散防止金属膜上に、前記接合金属膜を介在させて、前記導電性支持基板を接合することにより行なう請求項１０に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
  12. 　前記ショットキーコンタクト金属膜を形成する工程の後、前記接合基板を得る工程の前に、前記ショットキーコンタクト金属膜上に拡散防止金属膜を形成する工程をさらに含み、
    　前記接合基板を得る工程は、前記拡散防止金属膜上に、前記接合金属膜を介在させて、前記導電性支持基板を接合することにより行なう請求項９に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
  13. 　前記拡散防止金属膜を形成する工程の後、前記接合基板を得る工程の前に、前記拡散防止金属膜の凹部上に、埋め込み金属膜を形成する工程をさらに含み、
    　前記接合基板を得る工程は、前記拡散防止金属膜上および前記埋め込み金属膜上に、前記接合金属膜を介在させて、前記導電性支持基板を接合することにより行なう請求項１２に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
  14. 　前記第１の電極は、前記ＩＩＩ族窒化物膜の主面の一部上に形成する請求項９に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法。
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