CN107190238B - 钯/镁-二氧化钛气致调光薄膜及其制备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钯/镁‑二氧化钛的气致调光薄膜及其制备,所述薄膜包括依次设置在衬底上的镁‑二氧化钛复合薄膜层和钯催化层。其制备方法为先利用直流磁控溅射方法在衬底上生长镁‑二氧化钛复合薄膜层,随后在此膜层上通过射频磁控溅射方法生长钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应,使氢气分解为氢原子与镁基体结合生成氢化物,添加二氧化钛以降低镁的结晶度,减少镁基体向钯膜扩散,无需升温加压,室温下即可实现薄膜在反射态和透明态之间的可逆转换。该调光薄膜成本低,工艺简单,响应、恢复时间短,耐久性好,在智能玻璃领域具有重要的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于调光薄膜技术领域,具体涉及一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜及制备。
背景技术
智能玻璃因其丰富多变的光学特性被广泛研究,这种玻璃的表面覆盖一层调光薄膜,它们可以与氢反应生成氢化物,改变自身的能带结构在透明态和反射态之间转换。最早发现的是以钇、镧为主的纯稀土薄膜,随着镁优异的储氢性能被发掘,镁基复合薄膜逐渐应用于智能玻璃。现在主流的镁基薄膜有很多体系,如镁-稀土金属,镁-碱土金属等。镁-稀土金属薄膜中钯/镁-钇性能最优秀,具有很高的耐久性,但是提高透明态的透射率需要减薄钯和添加过渡层,防止镁基体向钯层扩散,破坏层间结构,这使得制备成本过高,不利于大面积商业应用。镁-碱土金属薄膜在吸氢状态具有良好的透光性能,但是耐久性差。因此我们考虑开发一种新体系镁基薄膜。
二氧化钛是一种重要的宽带隙半导体氧化物材料,其共有三种晶相:金红石、锐钛矿和板钛矿。二氧化钛的透明区为350~1200纳米,具有较高的折射率,三种晶相的光学特性各异,可因制备工艺变化单独存在或混合共存,因此二氧化钛薄膜具有丰富的光学性质,且坚硬抗腐蚀,容易掺杂,已被广泛地应用于减反射层、智能变色窗和薄膜光波导等领域。目前还没有关于镁-二氧化钛共溅射复合薄膜用于调光玻璃或其它可透光材料的报道。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜及其制备,该薄膜在常温下可通过与氢气反应从反射态转为透明态,再与空气反应从透明态转为反射态。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜,包括依次设置在衬底上的镁-二氧化钛复合薄膜层和钯催化层。
优选地,所述镁-二氧化钛复合薄膜层中,镁和二氧化钛的质量百分含量分别为:57~90%、10~43%。所述镁-二氧化钛复合薄膜层中,若镁的含量过高,二氧化钛含量过低,会导致吸放氢时间过长,反应缓慢,转换速率降低;反之,亦会导致调光区间缩小,转换幅度减少。
优选地,所述镁-二氧化钛复合薄膜层的厚度为30~100nm,若复合膜层过厚,会导致吸放氢效率降低;若复合膜层过薄,则会导致未吸氢时的透射率偏高,削弱调光效果;所述钯催化层的厚度为3~10nm,若钯层过厚,会遮挡光线,减少吸氢时的透射率;若钯层过薄,则易因吸放氢过程中发生的体积变化破坏,降低催化效率。
优选地,所述衬底包括石英玻璃、光导纤维、导电玻璃和有机玻璃中的至少一种。
本发明还提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括采用直流磁控溅射法在衬底上生长镁-二氧化钛复合薄膜层,然后在镁-二氧化钛复合薄膜层上采用射频磁控溅射法制备钯催化层的步骤。
优选地,所述方法具体包括以下步骤:
A1、用配制的清洗液浸泡衬底,然后用去离子水冲洗衬底;
A2、将清洗好的衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
A3、加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射清洗靶材,再开始沉积镁-二氧化钛薄膜层;
A4、沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射清洗靶材,再开始沉积钯催化层;所述钯催化层的制备是在维持真空度不变的情况下,即在镁-二氧化钛薄膜层表面原位生成,可避免二次污染;
A5、沉积完毕后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品,然后停止通入工作气体,取出样品。
优选地,所述二氧化钛靶中的二氧化钛靶材的制备为:用纯度(质量分数)为99.99%的二氧化钛粉制成二氧化钛靶材,并附加铜背板。添加铜背板可增强导电性,使靶材散热均匀,保护靶材。
优选地,步骤A3中,所述沉积镁-二氧化钛薄膜层时,镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为40~200W、300-400W,两种靶材共沉积,溅射时间为50~200s。
优选地,步骤A4中,所述沉积钯催化层时,钯靶的溅射功率为150~200W,溅射时间为5~20s。
所述靶材溅射功率及溅射时间可设置程序,导入后实现精准控制,自动化程度高。
优选地,步骤A1中,所述的清洗液为浓硫酸和双氧水的混合溶液,可有效去除石英玻璃表面的杂质污染物,对衬底成分无影响,提高衬底质量。
所述的工作气体为氩气。该气体被电离后生成的氩离子可轰击靶材激发出靶材离子,而不与靶材离子反应,对薄膜成分无影响。
优选地,步骤A3和A4中,所述的预溅射时应关闭靶材前面的挡板,可清除靶材表面污染物和氧化层,同时防止靶材离子溅射至衬底上;沉积时打开挡板。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
1)通过磁控溅射的方法合成薄膜,该制备工艺稳定、易于控制,膜层密度高、均匀性好。
2)利用二氧化钛薄膜的高透性和抗腐蚀性强的特点,将其掺杂在镁基体中,提高复合膜层吸氢态时的透射率,减少镁基体与钯层之间的扩散,维护钯层结构完整性。
3)表层原位生长的钯膜可防止镁基体被氧化,其对氢气的高催化效率可缩短调光薄膜的转换时间,提升灵敏度。
4)本发明利用钯膜的催化效应,使氢气分解为氢原子与镁基体结合生成氢化物,添加二氧化钛以降低镁的结晶度,减少镁基体向钯膜扩散,无需升温加压,室温下即可实现薄膜在反射态和透明态之间的可逆转换。
5)该调光薄膜成本低,工艺简单,响应、恢复时间短,耐久性好,在智能玻璃领域具有重要的应用前景。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明实施例中钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的结构示意图;
图2为本发明实施例1通过透射电镜分析获得的Pd/0.9Mg-0.1TiO2膜层截面示意图;
图3为本发明实施例1测试获得的Pd/0.9Mg-0.1TiO2通氢透射率曲线示意图;
其中:1为钯催化层、2为镁-二氧化钛复合层、3为石英玻璃衬底。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)用纯度(质量分数)为99.99%的二氧化钛粉制成二氧化钛靶材,并附加铜背板,以下实施例2~6中均使用同一块二氧化钛靶材;
(2)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(3)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为195W、325W,溅射时间为50s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为50nm;
(4)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为200W,溅射时间为8s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为5nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到成分为Pd/0.9Mg-0.1TiO2的薄膜。结构如图1所示。
Pd/0.9Mg-0.1TiO2薄膜的截面示意图如图2所示,由图2可知,Pd和0.9Mg-0.1TiO2的界面清晰,无扩散现象,Pd层平整均匀。
测试获得的Pd/0.9Mg-0.1TiO2薄膜通氢透射率曲线示意图如图3所示,由图3可知,Pd/0.9Mg-0.1TiO2薄膜在吸氢态时的透射率较初始态明显提升,在经历二十次吸放氢循环后,透射率保持较好。
实施例2
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(2)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为180W、400W,溅射时间为50s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为56nm;
(3)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为200W,溅射时间为8s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为5nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到成分为Pd/0.83Mg-0.17TiO2的薄膜。
实施例3
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(2)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为80W、300W,溅射时间为180s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为100nm;
(3)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为160W,溅射时间为20s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为10nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到成分为Pd/0.64Mg-0.36TiO2的薄膜。
实施例4
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(2)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为40W、300W,溅射时间为40s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为30nm;
(3)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为180W,溅射时间为5s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为3nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到成分为Pd/0.57Mg-0.43TiO2的薄膜。
实施例5
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(2)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为100W、400W,溅射时间为70s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为60nm;
(3)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为200W,溅射时间为13s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为7.5nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到薄膜成分为Pd/0.72Mg-0.28TiO2的薄膜。
实施例6
本实施例提供了一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)依次用配制的清洗液浸泡石英玻璃片10分钟,去离子水冲洗石英玻璃片1分钟;将清洗好的石英玻璃衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
(2)加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,设置镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为120W、325W,溅射时间为70s,开始沉积镁-二氧化钛薄膜,膜层厚度为65nm;
(3)沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射5分钟以清洗靶材,再调整钯靶的溅射功率为170W,溅射时间为6s,开始沉积钯催化层,膜层厚度为3.5nm;待钯膜生长完成后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品5分钟,停止通入工作气体,取出样品,得到薄膜成分为Pd/0.76Mg-0.24TiO2的薄膜。
实施例2-6所制备的Pd/Mg-TiO2薄膜具有与实施例1相同或相近的效果。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改,这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下,本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。
Claims (8)
1.一种钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜,其特征在于,包括依次设置在衬底上的镁-二氧化钛复合薄膜层和钯催化层;
所述镁-二氧化钛复合薄膜层中,镁和二氧化钛的质量百分含量分别为:57~90%、10~43%;
所述镁-二氧化钛复合薄膜层的厚度为30~100nm;所述钯催化层的厚度为3~10nm;
所述镁-二氧化钛复合薄膜层采用直流磁控溅射法在衬底上生长得到,所述直流磁控溅射法中采用的二氧化钛靶材的制备为:用纯度为99.99%的二氧化钛粉制成二氧化钛靶材,并附加铜背板;所述纯度采用质量分数表示;所述直流磁控溅射法中采用的镁、二氧化钛靶两种靶材共沉积。
2.根据权利要求1所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜,其特征在于,所述衬底包括石英玻璃、光导纤维、导电玻璃、有机玻璃中的至少一种。
3.一种根据权利要求1所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,包括采用直流磁控溅射法在衬底上生长镁-二氧化钛复合薄膜层,然后在镁-二氧化钛复合薄膜层上采用射频磁控溅射法制备钯催化层的步骤。
4.根据权利要求3所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:
A1、用配制的清洗液浸泡衬底,然后用去离子水冲洗衬底;
A2、将清洗好的衬底放入磁控溅射反应室,开启抽真空系统进行抽真空,直至背景真空度为3×10-6Torr;
A3、加热衬底,使衬底温度为20~25℃,通入工作气体,并维持5×10-3Torr的压强,待气压稳定后,开启镁和二氧化钛靶的电源,先预溅射清洗靶材,再开始沉积镁-二氧化钛薄膜层;
A4、沉积完毕后,关闭镁和二氧化钛靶的电源,在真空度维持在5×10-3Torr时,开启钯靶的电源,先预溅射清洗靶材,再开始沉积钯催化层;
A5、沉积完毕后,关闭钯靶的电源,继续用工作气体吹洗样品,然后停止通入工作气体,取出样品。
5.根据权利要求4所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤A3中,所述沉积镁-二氧化钛薄膜层时,镁、二氧化钛靶的溅射功率分别为40~200W、300-400W,两种靶材共沉积,溅射时间为50~200s。
6.权利要求4所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤A4中,所述沉积钯催化层时,钯靶的溅射功率为150~200W,溅射时间为5~20s。
7.根据权利要求4所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤A1中,所述的清洗液为浓硫酸和双氧水的混合溶液;所述的工作气体为氩气。
8.根据权利要求4所述的钯/镁-二氧化钛的气致调光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤A3和A4中,所述的预溅射时应关闭靶材前面的挡板,沉积时打开挡板。
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