CN112596279B - 碳氟/钯/镁-钌气致调光薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种碳氟/钯/镁‑钌体系的气致调光薄膜及其制备方法，所述气致调光薄膜包括依次设置的基底、镁‑钌复合调光膜层、钯催化层和碳氟保护膜层。本发明利用了在吸氢阶段，镁可以吸收氢原子形成镁的氢化物，薄膜从金属的反射态转变为氢化物的透明态，钯膜对该反应有催化作用，钌的添加可以加速氢原子在镁基体内的扩散作用，促进镁转变为镁的氢化物；在脱氢阶段，钌加速了镁氢化物的分解，薄膜由氢化物的透明态转变为金属的反射态。该薄膜在常温下发生上述吸脱氢反应，实现薄膜在透明态与反射态的可逆转化，同时具有耐久性好、响应时间短等优点，在氢气传感器领域具有良好应用前景。

Description

碳氟/钯/镁-钌气致调光薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于调光薄膜技术领域，具体涉及一种碳氟/钯/镁-钌气致调光薄膜及其制备方法。
背景技术
氢气是一种高效洁净燃料，具有无限可循环利用的优点，在航空、汽车、军事等领域具有广阔的应用前景。由于氢气易挥发，无色无味不易被人鼻察觉，当空气中氢气的浓度为4％～75％之间时，气体遇明火极易发生爆炸。因而，在氢能受到国际社会广泛关注的同时，在氢气的制备、运输、储存以及利用过程中，氢安全不容忽视。气致调光薄膜很好地利用了薄膜在吸氢与放氢状态下透明态和反射态的可逆转换，从而对于氢气有探测的作用。相比于电致调光薄膜，气致调光薄膜具有膜层结构简单、响应速度快、调光区间大、成本更低等优点，也是现在调光薄膜研究方向的热点。而气致变色薄膜中最具有代表性的就是镁基功能薄膜，其膜层结构主要为钯/镁基材料/石英玻璃。镁作为调光层，其吸收与脱去氢原子能实现薄膜从透明态到反射态的可逆转换，其他合金元素包括稀土金属、过渡金属和碱土金属等，可以加速镁吸收与脱去氢原子的速度，提高薄膜对氢气的响应速度。钯对于气体的吸附性好，对反应具有催化作用。但是，上述镁基合金的响应速度以及调光区间尚无法完全满足氢气传感器的需求，另外，由于镁元素化学性质活泼，易被空气中的氧气氧化，同时易被空气中的水分以及吸放氢过程中产生的水分腐蚀。因此寻找新的调光层膜层结构以及新的保护层结构以防止薄膜被氧化和腐蚀成为了当今气致调光薄膜的主要课题。
钌是一种硬而脆呈浅灰色的多价稀有金属元素，是铂族金属中的一员。钌纳米颗粒具有多晶界且存在大量缺陷，这些缺陷可能成为氢化反应中的高效活性反应位点。这一现象使得钌有潜力成为新吸放氢反应的催化剂。另外，已有研究表明，钌对于氢具有很好的吸附作用，可以加快镁对于氢原子的吸附作用，同时提升镁的储氢能力。所以，钌加入镁基调光层有着很好的研究前景。
碳氟薄膜是一种含氟的有机功能薄膜材料，由于氟元素的原子半径较小，极性强，C-F键能大，较为牢固，使得碳氟化合物具有很强的防水性，因此氟碳膜具有良好的疏水性和表面自清洁的性能。另外，碳氟膜对太阳光具有较高的透射率(大于90％)，对于薄膜本身的光学性质影响不大，且气体透过性好，有助于吸放氢反应的发生。综上所述，将碳氟层覆盖于镁基调光薄膜外层可以在不影响薄膜光学特性的前提下防止薄膜被腐蚀和氧化，提高薄膜寿命。
发明人前期申请的专利文献CN109136841A中记载了一种氟碳/钯/镁-五氧化二铌的气致调光薄膜及其制备方法，薄膜包括依次设置在基底上的镁-五氧化二铌复合膜层，钯催化层和氟碳疏水层。但该气致调光薄膜的吸放氢速度仍有待提高，且在制备过程中，五氧化二铌是金属氧化物，在进行磁控溅射过程中只能放置于射频靶位，而不能放置于直流靶位(若放置于直流靶位,由于轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止)，使制备条件有局限性。
发明内容
本发明的目的在于寻找新调光薄膜的膜层体系，提高调光薄膜的切换速度、调光区间等光学性能，这里提供一种碳氟/钯/镁-钌的气致调光薄膜及其制备方法，该薄膜在常温下可与氢气发生吸氢反应，薄膜从反射态转为透明态，之后与空气反应脱氢，薄膜从透明态转为反射态。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜，所述气致调光薄膜包括依次设置的基底、镁-钌复合调光膜层、钯催化层和碳氟保护膜层。
优选地，所述镁-钌复合调光膜层中，钌的摩尔百分含量为：1～10％。
优选地，所述镁-钌复合调光膜层的厚度为20～90nm；所述钯催化层的厚度为2～8nm；所述碳氟保护膜层的厚度为20～100nm。
优选地，所述基底包括石英玻璃、光导纤维、导电玻璃、有机玻璃中的一种。
本发明提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括使用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁-钌复合膜层，之后在镁-钌复合膜层上磁控溅射制备钯催化层，最后使用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在钯催化层表面覆盖碳氟保护膜层的步骤。
优选地，所述方法具体包括以下步骤：
S1、将浓硫酸和双氧水以3：1的比例进行混合配置成清洗液，备用；
S2、将基底放入用配制好的清洗液中浸泡，然后用去离子水冲洗基底，最后将薄膜用氮气枪吹干；
S3、将步骤S2处理后的基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空；
S4、加热基底，使基底温度为20～25℃，通入工作气体A，并维持压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭靶材前的挡板，载入预溅射程序，预溅射清洗靶材；
S5、预溅射完毕后，打开镁靶和钌靶的挡板，载入共溅射程序，沉积镁-钌复合膜层；
S6、沉积完毕后，在真空度保持不变的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，再开始沉积；
S7、沉积完毕后，关闭所有靶材的电源，继续用工作气体A吹洗样品，然后停止通入工作气体A，取出样品；
S8、将样品放入反应离子式气相沉积机的反应室内，通入工作气体B，载入相应的工艺程序，在钯催化层表面沉积氟碳膜；沉积完毕后，取出样品，即得碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜。
优选地，步骤S4中，所述的工作气体A为氩气。
优选地，步骤S5中，所述镁-钌层的共溅射程序的工艺参数设置中，镁靶与钌靶的溅射功率分别为80～150W、10～60W，共溅射时间为50～100s。
优选地，所述钌靶放置于直流靶位或者射频靶位，使碳氟/钯/镁-钌的气致调光薄膜中钌的制备条件具有更好的多样性。
优选地，步骤S6中，所述钯催化层的溅射工艺程序的工艺参数设置中，钯靶的溅射功率为50～100W,溅射时间为5～50s。
优选地，步骤S8中，所述的工作气体B为C4F8，氟碳膜的沉积工艺设置参数是工作气压为2～6Pa，气体B流量为20～50sccm，气体激发功率为400～800W，沉积时间为10～100s。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1)根据钌原子对于氢原子良好的吸附性，同时利用纳米钌颗粒因具有多晶界和大量缺陷而提供的氢反应高活性位点，将钌原子掺杂在镁基体中，来综合提高镁的吸放氢反应效率和镁薄膜的调光区间，此外，整个磁控溅射过程中，可以事先预设程序控制整个溅射过程，操作简单，自动化程度高。所制取的薄膜均匀性好，与基底贴合度好。
2)钌是很好的氢化反应的催化剂，所以本发明制备的碳氟/钯/镁-钌的气致调光薄膜的吸放氢速度较快，更适用于氢气传感器的应用。
3)钯膜可以使氢气较容易地透过，同时不透过氧气等其他气体，如此可以很好的保护薄膜的镁基层的完整性。同时，钯膜对于镁基层的吸放氢反应有很好的可逆催化作用。另外，钯膜的覆盖对实验的要求也较低，易于实现。
4)碳氟层是一种含氟的有机功能薄膜材料，该材料对于氢气有很好的透过性，同时很好地阻隔了氧气的透过，从而大大提高了薄膜的抗氧化性。另外，该膜层有很好的疏水性，可以阻止水分子进入镁基调光层中，增加了薄膜的耐腐蚀性，提高薄膜的寿命。使用电感耦合等离子体化学气相沉积法制备碳氟层的工艺较为简单，制备速度快。
5)与其他成分的镁基合金调光薄膜相比，该薄膜具有更好的吸放氢效率，更宽的调光区间以及更好的抗氧化性和耐腐蚀性，在该领域有很好的研究与应用前景。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例1测试获得的FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru吸氢状态和脱氢状态的透射率随波长变化的曲线图；
图2为本发明实施例2通过透射电镜分析获得的FC/Pd/Mg-3.7％mol Ru的膜层截面图；
图3为本发明实施例2通过接触角测试获得的覆盖及未覆盖碳氟层的(FC)/Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜的接触角的对比图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)用质量分数为99.99％的钌粉制成钌靶材，并附加铜背板，以下实施例2、3、4、5中均使用同一块钌靶材；
(2)将石英玻璃浸泡在浓硫酸和双氧水的比例为3：1的混合液中10min，再使用去离子水冲洗石英玻璃1min，使用氮气枪将石英玻璃吹干；将清洗好的石英玻璃基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空，直至背景真空度为1×10-5Pa或更低；
(3)加热基底，使基底温度为20～25℃，通入氩气，并维持0.53Pa的压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭各靶材前面的挡板，载入预溅射程序，预溅射靶材10min。随后载入共溅射工艺程序，镁靶、钌靶(钌靶放置于直流靶位)的溅射功率分别为100W、16W，共溅射时间为70s，开始沉积镁-钌复合调光膜层，膜层厚度为30nm；
(4)沉积完毕后，在真空度维持在0.53Pa的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，调整钯靶的溅射功率为80W，溅射时间为14s，膜层厚度为5nm；待钯膜生长完成后，关闭所有靶材的电源，继续用氩气吹洗样品1min，随后取出样品，得到成分为Pd/Mg-2.5％molRu的薄膜。
(5)将Pd/Mg-2.5％mol Ru薄膜放入电感耦合等离子体化学气相沉积机内，设置碳氟膜的工艺参数分别为工作气压3.0Pa，工作气体B流量35sccm，气体激发功率400W，沉积时间为15.6s。通入工作气体B(C4F8)，载入工艺程序，沉积碳氟膜，膜层厚度约为20nm。完毕后取出样品，得到成分为FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru的薄膜。
通过薄膜光学性能的测试获得的FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru薄膜在吸氢状态和脱氢状态的透射率随波长变化的曲线示意图如图1所示，由图1可知，FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru薄膜在吸氢态的透射率相比于其在脱氢态有非常明显的提升，其中当波长为940nm时，FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru薄膜的调光区间最大。另外，与专利文献CN109136841A的FC/Pd/Mg-Nb2O5薄膜相比，FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru的调光区间基本相同，但是FC/Pd/Mg-2.5％mol Ru在更大的波长范围内(500-1500nm)能够保持更大更稳定的调光区间，在500-1500nm的波长范围内调光区间均大于50％，其性能较好。
实施例2
本实施例提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石英玻璃浸泡在浓硫酸和双氧水的比例为3：1的混合液中10min，再使用去离子水冲洗石英玻璃1min，使用氮气枪将石英玻璃吹干；将清洗好的石英玻璃基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空，直至背景真空度为1×10-5Pa或更低；
(2)加热基底，使基底温度为20～25℃，通入氩气，并维持0.53Pa的压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭各靶材前面的挡板，载入预溅射程序，预溅射靶材10min。随后载入共溅射工艺程序，镁、钌靶(钌靶放置于直流靶位)的溅射功率分别为100W、25W，溅射时间为70s，开始沉积镁-钌复合调光膜层，膜层厚度为30nm；
(3)沉积完毕后，在真空度维持在0.53Pa的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，调整钯靶的溅射功率为80W，溅射时间为14s，膜层厚度为5nm；待钯膜生长完成后，关闭所有靶材的电源，继续用氩气吹洗样品1min，随后取出样品，得到成分为Pd/Mg-3.7％molRu的薄膜。
(4)将Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜放入电感耦合等离子体化学气相沉积机内，设置碳氟膜的工艺参数分别为工作气压3.0Pa，工作气体B流量35sccm，气体激发功率400W，沉积时间为15.6s。通入工作气体B(C4F8)，载入工艺程序，沉积碳氟膜，膜层厚度为20nm。完毕后取出样品，得到成分为FC/Pd/Mg-3.7％mol Ru的薄膜。
FC/Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜通过透射电镜所观察到的截面示意图如图2所示，由图2可知，Pd和Mg-3.7mol Ru的界面以及Pd与碳氟层之间的界面都较为清晰，同时Pd层平整均匀。
图3为实施例2制备的FC/Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜与未覆盖碳氟层的Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜(步骤(3)制得)的水接触角测试结果，显示覆盖碳氟层后水接触角大幅提升。
实施例3
本实施例提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石英玻璃浸泡在浓硫酸和双氧水的比例为3：1的混合液中10min，再使用去离子水冲洗石英玻璃1min，使用氮气枪将石英玻璃吹干；将清洗好的石英玻璃基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空，直至背景真空度为1×10-5Pa或更低；
(2)加热基底，使基底温度为20～25℃，通入氩气，并维持0.53Pa的压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭各靶材前面的挡板，载入预溅射程序，预溅射靶材10min。随后载入共溅射工艺程序，镁、钌靶(钌靶放置于直流靶位)的溅射功率分别为100W、25W，溅射时间为60s，开始沉积镁-钌复合调光膜层，膜层厚度为25nm；
(3)沉积完毕后，在真空度维持在0.53Pa的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，调整钯靶的溅射功率为80W，溅射时间为14s，膜层厚度为5nm；待钯膜生长完成后，关闭所有靶材的电源，继续用氩气吹洗样品1min，随后取出样品，得到成分为Pd/Mg-3.7％molRu的薄膜。
将Pd/Mg-3.7％mol Ru薄膜放入电感耦合等离子体化学气相沉积机内，设置碳氟膜的工艺参数分别为工作气压3.0Pa，工作气体B流量35sccm，气体激发功率400W，沉积时间为15.6s。通入工作气体B(C4F8)，载入工艺程序，沉积碳氟膜，膜层厚度为20nm。完毕后取出样品，得到成分为FC/Pd/Mg-3.7％mol Ru的薄膜。
所得薄膜通过透射电镜所观察到的截面与实施例2基本相同，其水接触角测试结果为112.5°。
实施例4
本实施例提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石英玻璃浸泡在浓硫酸和双氧水的比例为3：1的混合液中10min，再使用去离子水冲洗石英玻璃1min，使用氮气枪将石英玻璃吹干；将清洗好的石英玻璃基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空，直至背景真空度为1×10-5Pa或更低；
(2)加热基底，使基底温度为20～25℃，通入氩气，并维持0.53Pa的压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭各靶材前面的挡板，载入预溅射程序，预溅射靶材10min。随后载入共溅射工艺程序，镁靶、钌靶(钌靶放置于直流靶位)的溅射功率分别为100W、10W，共溅射时间为50s，开始沉积镁-钌复合调光膜层，膜层厚度为20nm；
(3)沉积完毕后，在真空度维持在0.53Pa的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，调整钯靶的溅射功率为50W，溅射时间为5s，膜层厚度为2nm；待钯膜生长完成后，关闭所有靶材的电源，继续用氩气吹洗样品1min，随后取出样品，得到成分为Pd/Mg-1.0％mol Ru的薄膜。
(4)将Pd/Mg-1.0％mol Ru薄膜放入电感耦合等离子体化学气相沉积机内，设置碳氟膜的工艺参数分别为工作气压3.0Pa，工作气体B流量20sccm，气体激发功率400W，沉积时间为15.6s。通入工作气体B(C4F8)，载入工艺程序，沉积碳氟膜，膜层厚度为20nm。完毕后取出样品，得到成分为FC/Pd/Mg-1.0％mol Ru的薄膜。
所得薄膜通过透射电镜所观察到的截面与实施例2基本相同，其水接触角测试结果为113.0°。
实施例5
本实施例提供了一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将石英玻璃浸泡在浓硫酸和双氧水的比例为3：1的混合液中10min，再使用去离子水冲洗石英玻璃1min，使用氮气枪将石英玻璃吹干；将清洗好的石英玻璃基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空，直至背景真空度为1×10-5Pa或更低；
(2)加热基底，使基底温度为20～25℃，通入氩气，并维持0.53Pa的压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭各靶材前面的挡板，载入预溅射程序，预溅射靶材10min。随后载入共溅射工艺程序，镁靶、钌靶(钌靶放置于直流靶位)的溅射功率分别为100W、60W，共溅射时间为100s，开始沉积镁-钌复合调光膜层，膜层厚度为90nm；
(3)沉积完毕后，在真空度维持在0.53Pa的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，调整钯靶的溅射功率为100W，溅射时间为50s，膜层厚度为8nm；待钯膜生长完成后，关闭所有靶材的电源，继续用氩气吹洗样品1min，随后取出样品，得到成分为Pd/Mg-10％mol Ru的薄膜。
(4)将Pd/Mg-10％mol Ru薄膜放入电感耦合等离子体化学气相沉积机内，设置碳氟膜的工艺参数分别为工作气压6.0Pa，工作气体B流量50sccm，气体激发功率800W，沉积时间为75s。通入工作气体B(C4F8)，载入工艺程序，沉积碳氟膜，膜层厚度为100nm。完毕后取出样品，得到成分为FC/Pd/Mg-10％mol Ru的薄膜。
所得薄膜通过透射电镜所观察到的截面与实施例2基本相同，其水接触角测试结果为120.5°。
对比例1
本对比例与实施例4的制备方法基本相同，不同之处仅在于：本对比例中，步骤(2)钌靶的溅射功率为5W。
由于钌靶的溅射功率较小，在磁控溅射制备薄膜的过程中，钌靶无法起辉，即等离子体无法放电，导致无法制备获得共溅射的Mg-Ru调光膜层，所以不建议使用过低的钌靶溅射功率。
对比例2
本对比例与实施例5的制备方法基本相同，不同之处仅在于：本对比例中，步骤(2)钌靶的溅射功率为70W。
所得薄膜通过透射电镜所观察到的截面与实施例2基本相同，其水接触角测试结果为113.5°。
但是在该钌靶溅射功率下制备获得的FC/Pd/Mg-Ru薄膜，由于钌靶的溅射功率较高，钌的添加量过多，导致薄膜的调光性能有较为显著的下降，所以不建议使用过高的钌靶溅射功率。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (5)

1.一种碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜，其特征在于，所述气致调光薄膜包括依次设置的基底、镁-钌复合调光膜层、钯催化层和碳氟保护膜层所述镁-钌复合调光膜层中，钌的摩尔百分含量为：1～10％；
所述镁-钌复合调光膜层的厚度为20～90nm；所述钯催化层的厚度为2～8nm；所述碳氟保护膜层的厚度为20～100nm；
所述的碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜的制备方法，包括使用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁-钌复合膜层，之后在镁-钌复合膜层上磁控溅射制备钯催化层，最后使用电感耦合等离子体化学气相沉积的方法在钯催化层表面覆盖碳氟保护膜层的步骤；
所述方法具体包括以下步骤：
S1、将浓硫酸和双氧水以3：1的比例进行混合配置成清洗液，备用；
S2、将基底放入用配制好的清洗液中浸泡，然后用去离子水冲洗基底，最后将薄膜用氮气枪吹干；
S3、将步骤S2处理后的基底放入磁控溅射反应室，开启抽真空系统进行抽真空；
S4、加热基底，使基底温度为20～25℃，通入工作气体A，并维持压强，待气压稳定后，开启钯、镁和钌靶的电源，关闭靶材前的挡板，载入预溅射程序，预溅射清洗靶材；
S5、预溅射完毕后，打开镁和钌靶的挡板，载入共溅射程序，沉积镁-钌复合膜层；
S6、沉积完毕后，在真空度保持不变的情况下，载入钯催化层的溅射工艺程序，再开始沉积；
S7、沉积完毕后，关闭所有靶材的电源，继续用工作气体A吹洗样品，然后停止通入工作气体A，取出样品；
S8、将样品放入反应离子式气相沉积机的反应室内，通入工作气体B，载入相应的工艺程序，在钯催化层表面沉积氟碳膜；沉积完毕后，取出样品，即得碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜；
步骤S5中，所述镁-钌层的共溅射程序的工艺参数设置中，镁靶与钌靶的溅射功率分别为80～150W、10～60W，共溅射时间为50～100s。
2.根据权利要求1所述的碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜，其特征在于，所述基底包括石英玻璃、光导纤维、导电玻璃、有机玻璃中的一种。
3.根据权利要求1所述的碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜，其特征在于，步骤S4中，所述的工作气体A为氩气。
4.根据权利要求1所述的碳氟/钯/镁-钌体系的气致调光薄膜，其特征在于，步骤S6中，所述钯催化层的溅射工艺程序的工艺参数设置中，钯靶的溅射功率为50～100W,溅射时间为5～50s。
5.根据权利要求1所述的碳氟/钯/镁-钌的气致调光薄膜，其特征在于，步骤S8中，所述的工作气体B为C4F8，氟碳膜的沉积工艺设置参数是工作气压为2～6Pa，气体B流量为20～50sccm，气体激发功率为400～800W，沉积时间为10～100s。
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