JP6711588B2 - 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光装置 - Google Patents
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Description
窒化物半導体発光素子の形態としては、基板の一方の面上に窒化物半導体薄膜を成長させ、窒化物半導体薄膜上に電極を配置し、素子発光を基板の他方の面側から取り出す構造、あるいは基板の一方の面側から取り出す構造が一般的である。どちらの場合でも、基板の一方の面(または、他方の面)と垂直に交わる方向から光を取り出すが、光を取り出す側(以下、光取り出し側)の反対側にも光は放射される。このため、窒化物半導体発光素子の発光効率を高めるためには、反対側への発光を光取り出し側に反射させる必要がある。
しかしながら、この手法では、窒化物半導体薄膜と金属反射層との間の絶縁層が、窒化物半導体薄膜から発光された光を吸収してしまうため、金属反射層と窒化物半導体薄膜(以下、窒化物半導体層と称する)とが直接接触している場合と比較して、窒化物半導体発光素子の発光出力が低下してしまう。
すなわち、本発明の一態様に係る窒化物半導体発光素子は、基板と、前記基板上に設けられた、発光層を有する窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた絶縁層と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられたコンタクト電極と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた反射層と、を備え、前記窒化物半導体層の一方の面は、第1の領域と、第1の領域から離れた第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間に位置する第3の領域とを含み、前記絶縁層は、前記コンタクト電極及び前記反射層よりも電気抵抗が高く、かつ、前記第1の領域と接し、前記コンタクト電極は、前記第2の領域と接し、前記反射層は、前記発光層からの発光のピーク波長における反射率が前記コンタクト電極及び前記絶縁層よりも高く、かつ、前記第3の領域で前記窒化物半導体層と接する。
本発明の一態様に係る窒化物半導体発光装置は、上記の窒化物半導体発光素子を用いて得られる。
本実施形態に係る窒化物半導体発光素子は、基板と、前記基板上に設けられた、発光層を有する窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた絶縁層と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられたコンタクト電極と、前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた反射層と、を備え、前記窒化物半導体層の一方の面は、第1の領域と、第1の領域から離れた第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間に位置する第3の領域とを含み、前記絶縁層は、前記コンタクト電極及び前記反射層よりも電気抵抗が高く、かつ、前記第1の領域と接し、前記コンタクト電極は、前記第2の領域と接し、前記反射層は、前記発光層からの発光のピーク波長における反射率が前記コンタクト電極及び前記絶縁層よりも高く、かつ、前記第3の領域で前記窒化物半導体層と接する。
そこで、反射層のさらに周囲に絶縁層を配置し、反射層の面積を制限することで、電流がリークする現象を抑制することができる、ということを本発明者は見出した。これは、リークの発生率は、欠陥密度と反射層の被覆面積をパラメータとした指数関数で表現することができ、反射層の面積を小さくするとリークの発生率が指数関数的に減少することによるものと考えられる。
つまり、コンタクト電極の周囲の一部分のみに反射層を設け、その周囲を絶縁層で被覆することで、発光効率が高く、且つ、信頼性に優れた窒化物半導体発光素子を実現することができる。本実施形態に係る窒化物半導体発光素子として、例えば、図1〜図5に示す形態の窒化物半導体発光素子が挙げられる。
図1(a)〜(c)に示すように、第1実施形態に係る窒化物半導体発光素子は、基板1と、基板1の一方の面1a上に設けられた、発光層を有する窒化物半導体層2と、窒化物半導体層2の一方の面(すなわち、基板1と接する側の反対側の面)2a上に設けられた絶縁層33と、窒化物半導体層2の一方の面2a上に設けられたコンタクト電極31と、窒化物半導体層2の一方の面2a上に設けられた反射層32と、を備える。窒化物半導体層2の一方の面2aは、第1の領域43と、第1の領域43から離れた第2の領域41と、第1の領域43と第2の領域41との間に位置する第3の領域42とを含む。
本実施形態に係る窒化物半導体発光素子は、外部から電圧を印加して電流を流し、発光が得られる機能を有する。窒化物半導体発光素子は、LEDでも、レーザーダイオードでもよい。発光層に電力を供給するために、必要に応じて、基板1の他方の面(すなわち、裏面)1b側や窒化物半導体層2上にコンタクト電極31とは異なる電極をさらに備えていてもよい。
また、本実施形態における窒化物半導体発光素子の他の形態としては、図2や図3に示す形態の窒化物半導体発光素子も挙げられる。
具体的には、図2においては、絶縁層33の少なくとも一部分が反射層32で覆われている。素子発光の一部が絶縁層33を透過する場合、絶縁層33の上部に設けられた反射層32により素子発光が反射されるため、光取り出し側への光強度を高めることができる。したがって、図1に示した構造よりも図2に示した構造の方が、発光効率をさらに高めることができる。
このように、絶縁層33及びコンタクト電極31の少なくとも一方の少なくとも一部分が、反射層32で覆われていることにより、光取り出し側への光強度を高めることができ、発光効率をさらに高めることができる。
図4(a)〜(c)に示すように、窒化物半導体層2は発光層20を有する。第4実施形態では、この発光層20からの発光のピーク波長をλとし、窒化物半導体層2のコンタクト電極31と接する部分のピーク波長λにおける屈折率をn1とし、絶縁層のピーク波長λにおける屈折率をn2とし、発光層20からコンタクト電極31までの最短距離をtとし、反射層32と窒化物半導体層2との界面におけるコンタクト電極31と絶縁層33との間の距離をLとしたときに、以下の(1)式を満たす。
arcsin(n2/n1)<arctan(L/t)<90°…(1)
なお、本実施形態において、屈折率とは、絶対屈折率(すなわち、真空に対する媒質の屈折率)を意味する。また、arcsinはsinの逆関数sin−1を意味し、arctanはtanの逆関数tan−1を意味する。
なお、第5実施形態において、以下の(2)式を満たす場合は、(1)式を満たす場合と比べて、発光効率が低下することが予想される。
arctan(L/t)≦arcsin(n2/n1)=θc …(2)
また、本実施形態において、コンタクト電極31の窒化物半導体層2と接する部分の面積をaとし、反射層32の窒化物半導体層2と接する部分の面積と、絶縁層33の窒化物半導体層2と接する部分の面積との和をbとしたときに、以下の(3)式を満たす場合、発光効率がさらに高くなる。
0.6<b/(a+b)<0.95…(3)
<基板>
本実施形態の窒化物半導体発光素子における基板は、基板上に窒化物半導体を形成することが可能なものであれば特に制限されない。基板として、具体的にはサファイア、Si、SiC、MgO、Ga2O3、Al2O3、ZnO、GaN、InN、AlN、あるいはこれらの混晶基板等が挙げられるが、基板の上層側に形成する窒化物半導体との格子定数差が小さく、欠陥の発生の少ない窒化物半導体層を成長できるGaNおよびAlNおよびAlGaN等の窒化物半導体基板が望ましい。また、基板には不純物が混入していてもよい。基板の作製方法としては、昇華法やHVPE法等の気層成長法や液相成長法などの一般的な基板成長法が適用できる。
基板と窒化物半導体層との界面での反射を抑制する観点から、基板は窒化物半導体層との屈折率差が小さいAlNであることが好ましい。
本実施形態の窒化物半導体発光素子における窒化物半導体層は、基板と接する面とは反対の面において、絶縁層と接する第1の領域と、コンタクト電極と接する第2の領域と、反射層と接する第3の領域を有する。第3の領域は、第1の領域と第2の領域との間の領域である。また、窒化物半導体層は、基板と接する面とは反対の面において、上述の第1、第2及び第3の領域以外に、他の層と接する領域や、いずれの層とも接しない領域を有してもよい。
本実施形態の窒化物半導体層は、素子発光する発光層を有している必要がある。発光層は量子井戸構造でも単層構造でもよいが、高い発光効率を実現する観点から少なくとも1つの井戸構造を有していることが望ましい。
また、本実施形態の窒化物半導体発光素子における窒化物半導体層は、コンタクト電極、反射層及び絶縁層とそれぞれ接するp−AlXGa1―XN(0≦x<1)層と、p−AlXGa1―XN層の直下に配置されて該p−AlXGa1―XN層と接するp−AlyGa1―yN(0≦x<y<1)層と、を有し、p−AlXGa1―XN層の厚みが1nm以上20nm未満であってもよい。「p−」は、導電型がp型であることを意味する。本構造を窒化物半導体層が有することで、p−AlXGa1―XN層とp−AlyGa1―yN層との界面に圧縮応力による2次元ホールガスが発生する。この2次元ホールガスを電流拡散層として活用することで、発光層内部において反射層直下での発光強度を強めることができる。
本実施形態の窒化物半導体発光素子における絶縁層は、窒化物半導体層上の第1の領域と接し、かつ、コンタクト電極及び反射層よりも電気抵抗が高い。絶縁層は、その上層に導電性材料を被覆した場合に、窒化物半導体層内の欠陥に導電性材料が拡散し、窒化物半導体発光素子が電流のリークを引き起こすことを抑制する目的で配置される。また、絶縁層は、窒化物半導体層の表面を覆うことで静電気、水、物理的な衝撃などから窒化物半導体発光素子を保護する効果がある。絶縁層の材料としては、SiO2、SiN、SiON、Al2O3等の酸化物または窒化物などが挙げられるが、この限りではない。絶縁層は、形成プロセスが簡便であることから、特に、SiO2またはSiNであることが好ましい。
また本実施形態の窒化物半導体発光素子における絶縁層は、絶縁層及びコンタクト電極の少なくとも一方の少なくとも一部分が、反射層で覆われていてもよい。発光層からの素子発光の一部が絶縁層を透過する場合に、絶縁層を覆う反射層により素子発光が反射されるため、発光効率がさらに高くなる。
本実施形態の窒化物半導体発光素子におけるコンタクト電極は、窒化物半導体層上の第2の領域と接する。
コンタクト電極の定義としては、コンタクト電極を介して窒化物半導体素子に電流を流すことができる機能を有していることである。コンタクト電極の材料としては、窒化物半導体素子に電子を注入する目的であれば、一般的な窒化物半導体発光素子のN型電極に対応する材料を使用することが可能であり、例えばTi、Al、Ni、Au、Cr、V、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよびその合金、またはITO等が適用される。また窒化物半導体発光素子に正孔(ホール)を注入することが目的であれば、一般的な窒化物半導体発光素子のP型電極に対応する材料を使用することが可能であり、例えばNi、Au、 Pt、Ag、Rh、Pd、Pt、Cuおよびその合金、またはITO等が適用される。コンタクト電極は、窒化物半導体層とのコンタクト抵抗が小さいNi、Auもしくはこれらの合金、またはITOが好ましい。ここで、コンタクト電極が複数の材料による層構造や合金である場合には、それらを本発明における「コンタクト電極」として定義する。
本実施形態の窒化物半導体発光素子における反射層は、コンタクト電極及び絶縁層よりも発光層からの発光のピーク波長における反射率が高く、かつ、第1の領域と第2の領域との間に位置する第3の領域で窒化物半導体層と接する。
反射層としては発光を反射する観点から、特定の波長に高い反射率を有するAg、Rh、 Al等の金属や、誘電体多層膜を用いた反射膜、フッ素樹脂等が望ましい。反射層としては、深紫外から赤外まで高い反射率を有するAlまたはAgが好ましい。
本実施形態によれば、平面視で、コンタクト電極の周囲に反射層が配置されている。これにより、素子発光のうち、反射側に向けて放射された光を反射層で反射させて、光取り出し側から出射させることができる。したがって、発光効率が高い窒化物半導体発光素子を実現することができる。
また、反射層のさらに周囲(すなわち、コンタクト電極から見て、反射層よりもさらに外側)に絶縁層が配置されている。これにより、反射層の面積を制限することができ、窒化物半導体層内に欠陥がある場合でも、この欠陥に反射層を構成する材料が拡散して電流がリークすることを抑制することができる。この電流リークを抑制する効果は、反射層を構成する材料として、窒化物半導体層への拡散が大きい金属を用いた場合に特に顕著となる。電流リークを抑制することで、窒化物半導体発光素子の信頼性を高めることができる。
また本実施形態の窒化物半導体発光素子を用いて窒化物半導体発光装置を作製してもよい。本実施形態の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子から放射される紫外線を用いて、殺菌、計測、樹脂硬化、治療、半導体加工などを行う、種々の窒化物半導体発光装置に用いることが可能である。
窒化物半導体発光装置の一例としては、殺菌装置、計測装置、樹脂硬化装置等が挙げられる。
殺菌装置の一例としては、冷蔵庫、空気洗浄器、加湿器、除湿器、便器などの装置内に窒化物半導体発光素子を組み込むことで、雑菌が繁殖しやすい場所の殺菌を行うことができる。
また殺菌装置の別の例としては、掃除機、布団乾燥機、靴乾燥機、洗濯機、衣類乾燥機などの装置内に窒化物半導体発光素子を組み込むことで、床や布などの表面及び内部に含まれる雑菌を殺菌することができる。
また殺菌装置の別の例としては、室内殺菌灯に窒化物半導体発光素子を組み込むことで、空気中の細菌の殺菌を行うことができる。
AlN基板上にN型AlGaN、AlGaN多重量子井戸、AlGaN電子ブロック層、Al組成が多重量子井戸からp−GaN層に向かって85%から20%へ連続的に変化するAlGaN組成傾斜層を成膜した。その上にp型GaN層を10nm成膜した。発光層からp型GaNの最表面までの距離は60nmであった。この薄膜の一部をN型AlGaNが露出するように塩素系ガスでドライエッチングした。得られた素子上にSiO2を200nm成膜した。さらに、N型AlGaN上にTi、Al、Ni、Auの合金からなるN型電極を、p−GaN層上の一部にNi、Auの合金からなるコンタクト電極を、SiO2をエッチング除去した後にそれぞれ配置した。次に、p−GaN上のコンタクト電極の周囲を5μm露出させるようにSiO2をエッチング除去し、SiO2、露出したp−GaN、コンタクト電極を覆うようにAlを蒸着した。得られた窒化物半導体発光素子に電流を流したところ、100mAの電流において、ピーク波長275nmで出力3.2mWの発光が得られた。
AlN基板上にN型AlGaN、AlGaN多重量子井戸、AlGaN電子ブロック層、Al組成が多重量子井戸からp−GaN層に向かって85%から0%へ連続的に変化するAlGaN組成傾斜層を成膜した。その上にp型GaN層を10nm成膜した。この薄膜の一部をN型AlGaNが露出するように塩素系ガスでドライエッチングした。得られた素子上にSiO2を200nm成膜し、さらにN型AlGaN上にTi、Al、Ni、Auの合金からなるN型電極を、p−GaN層上の一部にNi、Auの合金からなるコンタクト電極を、SiO2をエッチング除去した後にそれぞれ配置した。次に、p−GaN上のコンタクト電極の周囲を5μm露出させるようにSiO2をエッチング除去し、SiO2、露出したp−GaN、コンタクト電極を覆うようにAlを蒸着した。得られた窒化物半導体発光素子に電流を流したところ、100mAの電流において、ピーク波長275nmで出力2.0mWの発光が得られた。
AlN基板上にN型AlGaN、AlGaN多重量子井戸、AlGaN電子ブロック層、Al組成が多重量子井戸からp−GaN層に向かって85%から20%へ連続的に変化するAlGaN組成傾斜層を成膜した。その上にp型GaN層を10nm成膜した。発光層からp型GaNの最表面までの距離は60nmであった。この薄膜の一部をN型AlGaNが露出するように塩素系ガスでドライエッチングした。得られた素子上にSiO2を200nm成膜し、さらにN型AlGaN上にTi、Al、Ni、Auの合金からなるN型電極を、p−GaN層上の一部にNi、Auの合金からなるコンタクト電極を、SiO2をエッチング除去した後にそれぞれ配置した。次に、SiO2、コンタクト電極を覆うようにAlを蒸着た。得られた窒化物半導体発光素子に電流を流したところ、100mAの電流において、ピーク波長275nmで出力1.9mWの発光が得られた。
AlN基板上にN型AlGaN、AlGaN多重量子井戸、AlGaN電子ブロック層、Al組成が多重量子井戸からp−GaN層に向かって85%から20%へ連続的に変化するAlGaN組成傾斜層を成膜した。その上にp型GaN層を50nm成膜した。この薄膜の一部をN型AlGaNが露出するように塩素系ガスでドライエッチングした。得られた素子上にSiO2を200nm成膜し、さらにN型AlGaN上にTi、Al、Ni、Auの合金からなるN型電極を、p−GaN層上の一部にNi、Auの合金からなるコンタクト電極を、SiO2をエッチング除去した後にそれぞれ配置した。次に、p−GaN上のコンタクト電極の周囲を5μm露出させるようにSiO2をエッチング除去し、SiO2、露出したp−GaN、コンタクト電極を覆うようにAlを蒸着した。得られた窒化物半導体発光素子に電流を流したところ、100mAの電流において、ピーク波長275nmで出力2.0mWの発光が得られた。
AlN基板上にN型AlGaN、AlGaN多重量子井戸、AlGaN電子ブロック層を成膜し、Al組成が多重量子井戸からp−GaN層に向かって85%から20%へ連続的に変化するAlGaN組成傾斜層を形成した。その上層にp型GaN層を10nm成膜した。この薄膜の一部をN型AlGaNが露出するように塩素系ガスでドライエッチングした。N型AlGaN上にTi、Al、Ni、Auの合金からなるN型電極を配置し、p−GaN層上の一部にNi、Auの合金からなるコンタクト電極を配置した。その後、p−GaNの一部、コンタクト電極を覆うようにAlを蒸着した。得られた窒化物半導体発光素子に電流を流したところ、100mAの電流において、ピーク波長275nmで出力0.5mWの発光が得られた。
以上から、実施例1〜5は、比較例よりも発光効率が高いことを確認した。
<本発明の技術的思想>
本発明の技術的思想は、以上に記載した実施形態や実施例に特定されるものではない。当業者の知識に基づいて実施形態や実施例に設計の変更等を加えてもよく、また、実施形態や実施例を任意に組み合わせてもよく、そのような変更が加えられた態様も本発明の技術的思想に含まれる。
2 窒化物半導体層
20 発光層
31 コンタクト電極
32 反射層
33 絶縁層
41 第2の領域
42 第3の領域
43 第1の領域
Claims (11)
- 紫外線を発光する窒化物半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板上に設けられた、発光層を有する窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた絶縁層と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられたコンタクト電極と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた反射層と、を備え、
前記窒化物半導体層の一方の面は、第1の領域と、第1の領域から離れた第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間に位置する第3の領域とを含み、
前記絶縁層は、前記コンタクト電極及び前記反射層よりも電気抵抗が高く、かつ、前記第1の領域と接し、
前記コンタクト電極は、前記第2の領域と接し、
前記反射層は、前記発光層からの発光のピーク波長における反射率が前記コンタクト電極及び前記絶縁層よりも高く、かつ、前記第3の領域で前記窒化物半導体層と接し、
前記発光層からの発光のピーク波長をλとし、
前記窒化物半導体層の前記コンタクト電極と接する部分の前記ピーク波長λにおける屈折率をn1とし、
前記絶縁層の前記ピーク波長λにおける屈折率をn2とし、
前記発光層から前記コンタクト電極までの最短距離をtとし、
前記反射層と前記窒化物半導体層との界面における前記コンタクト電極と前記絶縁層との間の距離をLとしたときに、
arcsin(n2/n1)<arctan(L/t)<90°
を満たす窒化物半導体発光素子。 - 紫外線を発光する窒化物半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板上に設けられた、発光層を有する窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた絶縁層と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられたコンタクト電極と、
前記窒化物半導体層の一方の面上に設けられた反射層と、を備え、
前記窒化物半導体層の一方の面は、第1の領域と、第1の領域から離れた第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間に位置する第3の領域とを含み、
前記絶縁層は、前記コンタクト電極及び前記反射層よりも電気抵抗が高く、かつ、前記第1の領域と接し、
前記コンタクト電極は、前記第2の領域と接し、
前記反射層は、前記発光層からの発光のピーク波長における反射率が前記コンタクト電極及び前記絶縁層よりも高く、かつ、前記第3の領域で前記窒化物半導体層と接し、
前記コンタクト電極の前記窒化物半導体層と接する部分の面積をaとし、
前記反射層の前記窒化物半導体層と接する部分の面積と、前記絶縁層の前記窒化物半導体層と接する部分の面積との和をbとしたときに、
0.6<b/(a+b)<0.95を満たす窒化物半導体発光素子。 - 前記発光層からの発光のピーク波長をλとし、
前記窒化物半導体層の前記コンタクト電極と接する部分の前記ピーク波長λにおける屈折率をn1とし、
前記絶縁層の前記ピーク波長λにおける屈折率をn2とし、
前記発光層から前記コンタクト電極までの最短距離をtとし、
前記反射層と前記窒化物半導体層との界面における前記コンタクト電極と前記絶縁層との間の距離をLとしたときに、
arcsin(n2/n1)<arctan(L/t)<90°
を満たす請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記絶縁層及び前記コンタクト電極の少なくとも一方の少なくとも一部分が、前記反射層で覆われている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記コンタクト電極は、前記絶縁層及び前記反射層よりも前記窒化物半導体層とのコンタクト抵抗が小さい請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体層は、
前記コンタクト電極、前記反射層及び前記絶縁層とそれぞれ接するp−AlXGa1-XN(0≦x<1)層と、
前記p−AlXGa1-XN層の直下に配置されて該p−AlXGa1-XN層と接するp−AlyGa1-yN(0≦x<y<1)層と、を有し、
前記p−AlXGa1-XN層の厚みが1nm以上20nm未満である請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。 - 前記コンタクト電極は、Ni、Auもしくはこれらの合金、またはITOを含む請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記反射層は、AlまたはAgを含む請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記絶縁層は、SiO2またはSiNである請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板がAlNである請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光素子を用いて得られる窒化物半導体発光装置。
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