FI121341B - Hopean suojapinnoitus - Google Patents
Hopean suojapinnoitus Download PDFInfo
- Publication number
- FI121341B FI121341B FI20065082A FI20065082A FI121341B FI 121341 B FI121341 B FI 121341B FI 20065082 A FI20065082 A FI 20065082A FI 20065082 A FI20065082 A FI 20065082A FI 121341 B FI121341 B FI 121341B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- coating
- silver
- ald
- atomic layer
- layer deposition
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
- A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
- A44C27/00—Making jewellery or other personal adornments
- A44C27/001—Materials for manufacturing jewellery
- A44C27/005—Coating layers for jewellery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Adornments (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Hopean suojapinnoitus Keksinnön ala
Esillä oleva keksintö liittyy menetelmään hopeatuotteiden pinnoittamiseksi ja erityisemmin patenttivaatimuksen 1 johdannon mukaiseen menetelmään hopean pinnoittamiseksi.
Keksinnön tausta
Hopea tummuu normaalisti ilmakehässä erityisesti rikin läsnä ollessa. Teollisuusympäristöt ja luonnolliset liuotusprosessit ovat tärkeitä lähteitä hopean tummumiseksi. Kun hopea tummuu muodostuu hopean pinnalle sulfi-deja, oksideja tai karbonaatteja. Hopean ja hopeatavaroiden tummuminen on ongelma esimerkiksi käyttötavaroille, koruille ja lahjatavarateollisuudelle sekä hopeatuotteiden loppukäyttäjille. Tummuminen heikentää tuotteen ulkonäköä kun muodostuu tumman harmaan värinen tai musta kerros tai pisteitä. Se voidaan poistaa, mutta tämä on yleensä työteliäs prosessi ja prosessi voi vaikuttaa tuotteen ulkonäköön negatiivisesti. Myös teknisissä sovelluksissa hopean tummuminen heikentää optisia ominaisuuksia, kuten hopean ja hopeatuotteiden ja osien heijastuskykyä.
Tunnetussa tekniikassa tunnetaan menetelmiä tummumisen estämiseksi etukäteen. Eräs olemassa oleva menetelmä tummumisen estämiseksi käsittää hopeaseosten käyttämisen, jotka on suunniteltu vastustamaan hapettumista ja käsittävät erityisten lisäaineiden, kuten piin tai germaniumin sekoittamisen hopean kanssa. Eräs toinen olemassa oleva menetelmä tummumisen estämiseksi käsittää puhtaan hopean pinnoittamisen käyttäen rodiumia. Eräs ongelma, joka liittyy edelliseen järjestelyyn, jossa käytetään hopeaseoksia on se, että menetelmä vaatii kaikkien tekijöiden huolellista ohjaamista valmistuksen aikana, kuten erittäin puhtaiden uusien metallien käyttöä ja lämpötilan ohjausta sulatuksessa ja lämpökäsittelyssä. Tämän seurauksena valmistusprosessin ja laitteiston aikaansaaminen prosessin suorittamiseksi on erittäin kallista. Kustannus on myös estävä menetelmässä hopean pinnoittamiseksi ro-diumilla. Lisäksi rodium-pinnoitteella on sinivalkoinen sävy ja täten rodiumilla pinnoitettu hopeatuote voi tulla visuaalisesti erilaiseksi kuin puhdas hopea.
Muut olemassa olevat menetelmät hopean tummumisen estämiseksi käsittävät valmiin hopeatuotteen, -tavaran tai -osan pinnoittamisen menetelmällä, joka aikaansaa materiaalikerroksen hopeatuotteelle, -kappaleelle tai 2 osalle, joka estää tai hidastaa valmiin hopeatuotteen, -kappaleen tai -osan tummumista. Tällaiset tunnetun tekniikan menetelmät käsittävät hopeatuotteen lakkaamisen. Ongelma näissä tunnetuissa pinnoitusmenetelmissä on se, että pinnoituskerros ei ole yhdenmukainen koko tuotteella tai tuotteen osalla, joka on pinnoitettu. Paksuusvaihtelut pinnoitekerroksessa hopeatuotteen päällä aiheuttavat värivaihteluita esimerkiksi interferenssin tai muiden optisten vaihteluiden takia, jotka eivät ole edullisia. Nämä tunnetut menetelmät tuottavat myös suhteellisen paksut kerrokset pinnoitusmateriaaleja hopeatuotteille. Tällä on lisäksi negatiivinen vaikutus hopeatuotteen ulkonäköön. Lakka on myös keltaista ja se irtoaa pois.
Keksinnön lyhyt selitys
Esillä olevan hakemuksen tavoite on aikaansaada menetelmä edellisten epäkohtien helpottamiseksi. Hakemuksen tavoitteet saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mukaisella menetelmällä. Täten esillä oleva keksintö on tunnettu ohuen kerroksen suojamateriaalia aikaansaamisesta ainakin osalle hopeatuotteen, -tavaran tai -osan pintaa käyttäen ALD-menetel-mää (Atomic Layer Deposition, atomikerroskasvatus).
Edulliset suoritusmuodot on selitetty epäitsenäisissä patenttivaatimuksissa.
Termi ohut kerros tarkoittaa tässä yhteydessä kerrosta, jonka paksuus on välillä 1 nm ja 1 pm.
Esillä olevan keksinnön ratkaisu perustuu hopean suojaamiseksi tummumiselta pinnoittamalla se käyttäen ALD-menetelmää (Atomic Layer Deposition). Menetelmässä ohutkalvopinnoite kerrostetaan hopeaesineen pinnalle. Esillä olevassa ratkaisussa hopea pinnoitetaan yhdellä tai useammalla mo-lekyylikerroksella alumiinioksidia AI2O3. Trimetyylialumiinia (CH3)3AI voidaan käyttää prekursorina ja vettä H20 hapen lähteenä. Synnytetyn ohutkalvon paksuus on noin 10 nm ja pinnoitus suoritetaan noin 200 °C lämpötilassa.
Esillä olevan ratkaisun etu on se, että on mahdollista tuottaa ohut pinnoite, joka tehokkaasti estää hopean tummumista vaikuttamatta hopeatuotteen ulkonäköön. Myös hopean optiset ominaisuudet pysyvät olennaisesti muuttumattomina. Täten pinnoitus passivoi hopean pinnan. Menetelmällä synnytetty pinnoite on ohut, tiivis, tasainen ja väritön ja se seuraa tarkasti hopea-kappaleen muotoja, myös kolmiulotteisia muotoja, ilman vaihteluita pinnoitteessa. Esillä olevan ratkaisun avulla saavutetaan stabiili, yhdenmukainen ja 3 puoleensavetävä pinnoite. Synnytetty pinnoite on yhteensopiva elintarvikkeiden kanssa. Pinnoitusmateriaalin kulutus on alhainen ja täten pinnoituskustan-nuksia voidaan alentaa. Pinnoitekerroksen paksuutta voidaan ohjata vaihtelemalla molekyylikerrosten lukumäärää pinnoituksessa. Pinnoitusprosessi ei ole herkkä pienille muutoksille prosessiparametreissa ja täten menetelmän toistettavuus on hyvä. Tämä ohut kerros on riittävä estämään hopean tummuminen, mutta ei vaikuta hopeatuotteen ulkonäköön kuten perinteiset pinnoitusmenetelmät. Pinnoite voi olla niin ohut, että ihmissilmä ei näe sitä. Tällaista yhdenmukaista kerrosta ei ole mahdollista aikaansaada kolmiulotteiselle kappaleelle esimerkiksi CVD-menetelmällä (Chemical Vapour Deposition), koska pinnoi-tusprosessia ei voida ohjata sellaisella tarkkuudella kuin ALD-menetelmää. CVD ja muut samanlaiset menetelmät vaativat myös, että pinnoitettavaa kappaletta pitää pyörittää pinnoitusmateriaalin saamiseksi kolmiulotteisen kappaleen koko pinnalle.
Piirustusten lyhyt selitys
Seuraavassa keksintö selitetään tarkemmin edullisten suoritusmuotojen avulla viittaamalla oheisiin piirustuksiin, joissa kuvio 1 on kaavamainen esitys hopean pinnoitusprosessista alumiinioksidilla esillä olevan hakemuksen ratkaisun mukaisesti; kuvio 2 on kaavamainen esitys esillä olevan hakemuksen ratkaisun mukaisen pinnoitteen rakenteesta.
Keksinnön yksityiskohtainen selitys
Atomic Layer Deposition on ohutkalvotekniikka, joka sallii ohutkal-vopinnoitteiden, joilla on nanomittakaavan paksuus, valmistamisen. ALD-tek-niikkaa voidaan kutsua myös ALC-tekniikaksi (Atomic Layer Coatings) tai ALE-tekniikaksi (Atomic Layer Epitaxy). ALD perustuu kaasufaasiprosessiin, jossa primaariset yhdisteet tyypillisesti höyrystetään ja pulssitetaan reaktiokammioon erikseen. Ohutkalvo syntyy, kun primaariyhdisteiden välisistä reaktioista saatu materiaali kerrostetaan pinnoitettavalle pinnalle. Materiaali kerrostetaan pinnalle siten, että peräkkäiset molekyylitason kerroksen kerrostetaan yksitellen. Tätä voidaan kutsua materiaalin "kasvatukseksi". ALD-tekniikan avulla saadut ohutkalvomateriaalit sisältävät esimerkiksi metallioksidit ja metallinitridit.
4
Atomic Layer Deposition -menetelmässä ohutkalvopinnoite muodostetaan hopean pinnalle kerrostamalla yhden tai useamman pinnoitusmateriaa-lin peräkkäisiä molekyylikerroksia.
Esillä olevan hakemuksen ratkaisun mukaisesti ALD-tekniikka on sovitettu pinnoittamaan kappale, joka käsittää hopeaa. Esillä olevassa ratkaisussa kappale, joka käsittää hopeaa pinnoitetaan pinnoitteella, joka käsittää alumiinioksidia AI2O3. Kuitenkin kaikkia värittömiä metallioksideja, kuten zir-koniumoksidia ZrC>2, titaanioksidia T1O2, kromioksidia Cr2C>3, indiumoksidia Ιη2θ3, niobioksidia Nb20s tai mitä tahansa muuta ALD-tekniikalla saatavaa materiaali voidaan käyttää.
Kuvio 1 kuvaa esillä olevan ratkaisun suoritusmuodon, joka esittää hopeapinnan S pinnoittamisen alumiinioksidilla AI2O3. Pinnoite rakennetaan alumiinioksidin molekyylikerroksista. Kuvio 1 esittää tilanteen, jossa trimetyy-lialumiinia (Chh^AI ja vettä H2O käytetään primaarisina materiaaleina. Jos hopea pinnoitetaan ZrC>2:lla, esimerkiksi ZrCU ja H20 voidaan käyttää primaarisina materiaaleina.
Vaiheessa 1-1 pinta S altistetaan kaasulle, joka käsittää trimetyy-lialumiinia, missä tapauksessa kerros trimetyylialumiinin molekyylejä (CH3)3AI muodostuu pinnalle S. Vaiheessa 1-2 jäljelle jäänyt kaasu on poistettu ja kerros, joka käsittää trimetyylialumiinin molekyylejä (CH3)3AI jää pinnalle S. Vaiheessa 1-3 pinta on edelleen altistettu vedelle H2O. Trimetyylialumiinin (CH3)3AI ja veden välisessä reaktiossa muodostuu alumiinioksidia AI2O3. Reaktio etenee vaiheittain ja myös muita yhdisteitä voi muodostua, kuten alumiinihydroksidia AIOH ja metaania CH4. Reaktion aikana alumiinioksidia AI2O3 kerrostetaan pinnalle S. Vaihe 1-4 esittää tilanteen, jossa reagoimaton trimetyy-lialumiini (CH3)3AI ja mahdolliset muut yhdisteet on poistettu ja pinnalle S on kerrostettu kerros alumiinioksidia AI2O3.
Esillä olevan ratkaisun ohutkalvo saadaan kasvattamalla materiaalia. Tämä suoritetaan toistamalla kuvion 1 vaiheet 1-1 -1-4 useita kertoja siten, että peräkkäisiä alumiinioksidin molekyylien kerroksia kerrostetaan pinnalle S. Pinnoitteenn paksuutta voidaan ohjata vaihtelemalla molekyylikerrosten lukumäärää.
Kuvio 2 kuvaa tilanteen, jossa pinnoite hopean pinnalla S käsittää neljä molekyylikerrosta alumiinioksidia Al203. Todellisuudessa peräkkäisten alumiinioksidin AI2O3 kerrosten lukumäärä voi olla muu kuin neljä.
5
Pinnoitusprosessissa on yleensä toivottavaa pinnoite, joka on mahdollisimman ohut siten, että se on riittävän paksu omaamaan halutut ominaisuudet. Esillä olevan ratkaisun mukaisesti pinnoitteen paksuus on edullisesti alueella 1 nanometri - 1 mikrometri, edullisemmin alueella 5 - 200 nanometriä ja edullisimmin noin 10 nanometriä. Pinnoitteen paksuutta voidaan säätää vaihtelemalla pinnoitusmateriaalin molekyylikerrosten lukumäärää.
Pinnoitusprosessissa käytetty lämpötila riippuu materiaalin ominaisuuksista. Monissa tapauksissa on edullista käyttää suhteellisen korkeaa lämpötilaa. Korkea lämpötila sallii molekyylien höyrystyä heti ja saadaan pinnoite, jolla on riittävän hyvä laatu. Esillä olevan ratkaisunmukaisesti pinnoituslämpöti-la on edullisesti alueella 80 - 400 °C, edullisemmin alueella 120 - 300 °C ja edullisimmin noin 200 °C.
Esillä olevan ratkaisun erään toisen suoritusmuodon mukaisesti vain osa kappaleen pinnasta pinnoitetaan.
Esillä olevan ratkaisun vielä erään toisen suoritusmuodon mukaisesti menetelmää sovelletaan yhdessä yhden tai useamman muun kuin tässä selitetyn suojausmenetelmän kanssa. Tässä tapauksessa voidaan soveltaa esimerkiksi hopeaseosten, jotka vastustavat tummumista, käyttämistä.
Esillä olevan ratkaisun vielä erään toisen suoritusmuodon mukaisesti menetelmää sovelletaan hopealla päällystettyjen kappaleiden pinnoittamiseen.
Esillä olevan ratkaisun vielä erään toisen suoritusmuodon mukaisesti menetelmää sovelletaan hopeaseosten pinnoittamiseen.
Esillä olevaa ratkaisua voidaan tietyissä tapauksissa soveltaa kappaleiden tai pintojen pinnoittamiseen, jotka käsittävät pronssia, kuparia, ja/tai messinkiä. Toisin sanoen menetelmää voidaan käyttää pinnoittamaan myös muita metalleja siten, että metallin ulkonäköön ei vaikuteta.
Menetelmä mahdollistaa monen muotoisten kappaleiden pinnoittamisen. Täten sitä voidaan soveltaa korujen, koristeiden, ruokailuvälineiden jne. sekä monien teollisuuskomponenttien pinnoittamiseen.
Pitää huomata, että alumiinioksidin käyttö ei ole välttämättä vaadittua esillä olevassa ratkaisussa; mitä tahansa muuta ALD-tekniikalla saatavaa materiaalia, kuten titaanioksidia (T1O2), tantaalioksidia (Ta20s) ja/tai zir-koniumoksidia (ZrC>2) voidaan myös käyttää. Eri pinnoitusmateriaaleja voidaan käyttää samanaikaisesti. Saadulla pinnoitteella pitää olla halutut ominaisuudet ja sen pitää olla yhteensopiva pinnoitettavan metallin, kuten hopean, kanssa.
6 (CH3)3AI:n sijaan myös muita aineita voidaan käyttää prekursoreina, kuten alumiinikloridia AICI3, ja/tai trietyylialumiinia (CH3CH2)3AI. Veden sijaan myös muita yhdisteitä, kuten vetyperoksidia H2O2, voidaan käyttää hapen lähteenä. Pinnoitusmateriaalin valinta voi riippua sovelluksesta. Esimerkiksi ruokailuvälineet tai korut voivat vaatia bioyhteensopivan pinnoitekerroksen. Esimerkki bio-yhteensopivasta pinnoitusmateriaalista on alumiinioksidi AI2O3. Kuviossa 1 kuvatut reaktiot voivat tapahtua eri järjestyksessä ja myös muita reaktiota ja/tai vaiheita voidaan suorittaa.
On myös mahdollista aikaansaada pinnoite, jolla on nanolaminaatti-rakenne käyttäen ALD:tä kahden tai useamman eri materiaalin kanssa. Sitten suojamateriaali aikaansaadaan hopeatuotteen pinnalle siten, että kerrostetaan yksi tai useampi peräkkäinen molekyylikerros ja sitten toinen suojamateriaali aikaansaadaan hopeatuotteen pinnalle siten, että kerrostetaan yksi tai useampi molekyylikerros. Tätä voidaan jatkaa kunnes ennalta määrätty pinnoituspak-suus saavutetaan. On myös mahdollista käyttää kolmea tai useampaa eri materiaalia mainitulla peräkkäisellä tavalla. Tämä aikaansaa pinnoitteen, joka käsittää kaksi tai useampia kerroksia kahta tai useampaa suojamateriaalia.
Aikaansaatu pinnoite on yleisesti niin ohut, että se on näkymätön ihmissilmälle.
Alan ammattilaiselle on itsestään selvää, että tekniikan kehittyessä keksinnöllinen kokonaisuus voidaan toteuttaa monella tavalla. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät rajoitu yllä selitettyihin esimerkkeihin, vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten suojapirin sisällä.
Claims (9)
1. Menetelmä hopeatuotteiden, -tavaroiden tai -osien suojaamiseksi tummumista vastaan, tunnettu ohuen pinnoitteen suojaavaa materiaalia aikaansaamisesta ainakin osalle hopeatuotteen, -tavaran tai -osan pintaa käyttäen ALD-menetelmää (Atomic Layer Deposition).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu ohuen pinnoitteen, jonka paksuus on alueella 1 nm - 1 pm, edullisemmin alueella 5 nm - 200 nm ja edullisimmin noin 10 nm aikaansaamisesta.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu ohuen pinnoitteen aikaansaamisesta aikaansaamalla ainakin yksi kerros me-tallioksidia käyttäen ALD-menetelmää (Atomic Layer Deposition).
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että metallioksidit käsittävät alumiinioksidin AI2O3 titaanioksidin "ΠΟ2, kromioksidin Cr2C>3 zirkoniumoksidin ZrC>2, indiumoksidin Ιη2θ3, niobioksidin Nb205.
5. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1 - 4 mukainen menetelmä, tunnettu ohuen pinnoitteen aikaansaamisesta aikaansaamalla eri suojaa-vien materiaalien peräkkäisiä kerroksia ainakin osalle hopeatuotteen, -tavaran tai -osan pintaa käyttäen ALD-menetelmää (Atomic Layer Deposition).
6. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu värittömän pinnoitteen aikaansaamisesta ainakin osalle hopeatuotteen, -tavaran tai -osan pintaa.
7. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1 - 6 mukainen menetelmä, tunnettu mainitun pinnoituksen suorittamisesta lämpötilassa, joka on edullisesti alueella 80 - 400 °C, edullisemmin alueella 120 - 300 °C ja edullisimmin noin 200 °C.
8. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1 - 8 mukainen menetelmä, tunnettu hopeasta tehdyn korun, koristeen, ruokailuvälineen ja/tai teollisen komponentin pinnoittamisesta.
9. ALD-menetelmän (Atomic Layer Deposition) käyttö ohuen suo-jaavan pinnoitteen, jonka paksuus on välillä 1 nm -1 pm aikaansaamiseksi ainakin osalle hopeatuotteen, -tavaran tai osan pintaa käyttäen ALD-menetelmää (Atomic Layer Deposition).
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20065082A FI121341B (fi) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Hopean suojapinnoitus |
AU2007211451A AU2007211451B2 (en) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Protective coating of silver |
KR1020087018930A KR101442850B1 (ko) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | 은의 보호 피복 |
CNA2007800040863A CN101379215A (zh) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | 银的保护性涂敷 |
PCT/FI2007/050056 WO2007088249A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Protective coating of silver |
JP2008552836A JP5297203B2 (ja) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | 銀の保護被覆 |
US12/162,051 US8883258B2 (en) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Protective coating of silver |
EP12158081A EP2468921A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Protective coating of metal |
EP07704826.2A EP1994202B2 (en) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Protective coating of silver |
EA200870142A EA012990B1 (ru) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Защитное покрытие для серебра |
ES07704826T ES2379892T5 (es) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Revestimiento protector de plata |
AT07704826T ATE548482T1 (de) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Schutzbeschichtung für silber |
DK07704826.2T DK1994202T4 (da) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | Beskyttelsescoating til sølv |
CN2013100854271A CN103215560A (zh) | 2006-02-02 | 2007-01-31 | 银的保护性涂敷 |
US14/445,651 US20140335272A1 (en) | 2006-02-02 | 2014-07-29 | Protective coating of silver |
FIU20154053U FI10853U1 (fi) | 2006-02-02 | 2015-03-17 | Hopeakoru, -kolikko, -mitali, -ruokailuväline tai -koriste-esine |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20065082A FI121341B (fi) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Hopean suojapinnoitus |
FI20065082 | 2006-02-02 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI20065082A0 FI20065082A0 (fi) | 2006-02-02 |
FI20065082A FI20065082A (fi) | 2007-08-03 |
FI121341B true FI121341B (fi) | 2010-10-15 |
Family
ID=35953681
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI20065082A FI121341B (fi) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Hopean suojapinnoitus |
FIU20154053U FI10853U1 (fi) | 2006-02-02 | 2015-03-17 | Hopeakoru, -kolikko, -mitali, -ruokailuväline tai -koriste-esine |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FIU20154053U FI10853U1 (fi) | 2006-02-02 | 2015-03-17 | Hopeakoru, -kolikko, -mitali, -ruokailuväline tai -koriste-esine |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8883258B2 (fi) |
EP (2) | EP1994202B2 (fi) |
JP (1) | JP5297203B2 (fi) |
KR (1) | KR101442850B1 (fi) |
CN (2) | CN103215560A (fi) |
AT (1) | ATE548482T1 (fi) |
AU (1) | AU2007211451B2 (fi) |
DK (1) | DK1994202T4 (fi) |
EA (1) | EA012990B1 (fi) |
ES (1) | ES2379892T5 (fi) |
FI (2) | FI121341B (fi) |
WO (1) | WO2007088249A1 (fi) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200840880A (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-16 | Hsin-Chih Lin | Method of forming protection layer on contour of workpiece |
FI20070991L (fi) * | 2007-12-19 | 2009-06-20 | Beneq Oy | Lasituote, tuotteen käyttö ja valmistusmenetelmä |
TR201910676T4 (tr) | 2008-07-18 | 2019-08-21 | Neogi Jayant | Değerli taşlar üzerinde nanokristal elmas kaplamaların üretilmesine yönelik yöntem. |
DE102009041264A1 (de) | 2009-09-11 | 2011-03-24 | IPHT Jena Institut für Photonische Technologien e.V. | Verfahren zur Herstellung von optisch aktiven Nanostrukturen |
DE102009053889B4 (de) | 2009-11-20 | 2014-03-27 | C. Hafner Gmbh + Co. Kg | Verfahren zur Beschichtung einer metallischen Substratoberfläche mit einer durch einen ALD-Prozess aufgebrachten Materialschicht |
US8802202B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-08-12 | Suneeta S. Neogi | Method for imparting tarnish protection or tarnish protection with color appearance to silver, silver alloys, silver films, silver products and other non precious metals |
US20110236654A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Wen-Kuang Hsu | Method of surface treatment and surface treated article provied by the same |
CN102206810A (zh) * | 2010-03-30 | 2011-10-05 | 徐文光 | 一种表面处理方法以及使用该方法的经表面处理的物品 |
JP5864089B2 (ja) | 2010-08-25 | 2016-02-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN101974734B (zh) * | 2010-11-30 | 2012-11-21 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 具有多层复合防护膜的基底材料的制备方法 |
ITVR20120007A1 (it) * | 2012-01-13 | 2013-07-14 | Patros S R L | Prodotto manufatto per la gioielleria e/o l'orificeria e/o la bigiotteria a base di ossido di zirconio e relativo metodo |
US9334573B2 (en) | 2012-01-16 | 2016-05-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Layered silicate silver surface treatment agent, sulfidation prevention film and light-emitting device with treated silver layer |
JP5857786B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-02-10 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
DE102013100818B4 (de) * | 2013-01-28 | 2023-07-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
CN103757604A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-30 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 用于银制品表面防护涂层的制备方法 |
CN105849597A (zh) * | 2013-12-31 | 2016-08-10 | 美国圣戈班性能塑料公司 | 具有优良的光学和太阳能性能的复合膜 |
CN104060239B (zh) * | 2014-06-06 | 2017-05-10 | 华中科技大学 | 一种金属物品表面保护方法 |
US20170212280A1 (en) * | 2014-07-07 | 2017-07-27 | Scint-X Ab | Production of a thin film reflector |
US11365481B2 (en) * | 2015-10-06 | 2022-06-21 | City University Of Hong Kong | Homogeneous and transparent protective coatings for precious metals and copper alloys |
EP3173507A1 (de) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen |
EP3455673A4 (en) | 2016-05-09 | 2019-12-18 | Sage Electrochromics, Inc. | ELECTROCHROME DEVICE WITH MEANS FOR PREVENTING ION MIGRATION AND METHOD FOR SHAPING THEM |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US10633740B2 (en) | 2018-03-19 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing coatings on aerospace components |
EP3784815A4 (en) | 2018-04-27 | 2021-11-03 | Applied Materials, Inc. | PROTECTION OF COMPONENTS AGAINST CORROSION |
US11009339B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries |
EP3626855A1 (fr) | 2018-09-21 | 2020-03-25 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procede pour ameliorer l'eclat d'une surface argentee finale d'un substrat protegee contre le ternissement de l'argent par une couche de protection |
EP3626854A1 (fr) | 2018-09-21 | 2020-03-25 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procede pour ameliorer l'adherence d'une couche de protection contre le ternissement de l'argent sur un substrat comprenant une surface argentee |
EP3626856A1 (fr) | 2018-09-21 | 2020-03-25 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Substrat comprenant une surface argentee protegee contre le ternissement de l'argent et procede de fabrication d'un tel substrat |
JP7312056B2 (ja) * | 2019-01-07 | 2023-07-20 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
CN109750273B (zh) * | 2019-01-25 | 2020-01-21 | 中国地质大学(北京) | 一种基于原子层沉积法进行镀膜改善银饰品稳定性的方法 |
US11732353B2 (en) | 2019-04-26 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation |
US11794382B2 (en) | 2019-05-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components |
US11697879B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-07-11 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components |
US11466364B2 (en) | 2019-09-06 | 2022-10-11 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide |
CN111172511A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-05-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 一种在有机材料表面制备金属膜层的方法 |
US11519066B2 (en) | 2020-05-21 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same |
CN115734826A (zh) | 2020-07-03 | 2023-03-03 | 应用材料公司 | 用于翻新航空部件的方法 |
KR102392451B1 (ko) * | 2020-09-08 | 2022-04-29 | 국민대학교산학협력단 | 시냅틱 트랜지스터 및 이의 제조 방법 |
US11185139B1 (en) * | 2021-03-04 | 2021-11-30 | Oujie Kevin Tong | Coating compositions and method for jewelries |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
CH591566A5 (en) | 1975-02-06 | 1977-09-30 | Selve Usines Metallurg Suisses | Transparent layer of amorphous alumina - applied to silver or silver plated objects for decorative or industrial applications |
FI57975C (fi) * | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
US4495254A (en) * | 1981-05-18 | 1985-01-22 | Westinghouse Electric Corp. | Protectively-coated gold-plated article of jewelry or wristwatch component |
JPS62180071A (ja) | 1986-01-31 | 1987-08-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面に透明硬質膜を有する貴金属製品 |
JPS63213655A (ja) | 1987-02-27 | 1988-09-06 | Nippon Dento Kogyo Kk | 装身具 |
DE4415122A1 (de) | 1994-04-29 | 1995-11-02 | Wmf Wuerttemberg Metallwaren | Verfahren zur Verhinderung des Anlaufens von Gegenständen |
JPH09176868A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-08 | Yoichi Murayama | 銀製品への変色防止用透明保護膜形成法 |
US6897119B1 (en) * | 1999-12-22 | 2005-05-24 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
US7513815B2 (en) * | 1999-12-23 | 2009-04-07 | General Electric Company | Optimal silicon dioxide protection layer thickness for silver lamp reflector |
US7122085B2 (en) | 2002-07-30 | 2006-10-17 | Asm America, Inc. | Sublimation bed employing carrier gas guidance structures |
US7132697B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-11-07 | Weimer Alan W | Nanomaterials for quantum tunneling varistors |
US6773757B1 (en) * | 2003-04-14 | 2004-08-10 | Ronald Redline | Coating for silver plated circuits |
US20100123993A1 (en) * | 2008-02-13 | 2010-05-20 | Herzel Laor | Atomic layer deposition process for manufacture of battery electrodes, capacitors, resistors, and catalyzers |
-
2006
- 2006-02-02 FI FI20065082A patent/FI121341B/fi active IP Right Grant
-
2007
- 2007-01-31 AT AT07704826T patent/ATE548482T1/de active
- 2007-01-31 EP EP07704826.2A patent/EP1994202B2/en active Active
- 2007-01-31 CN CN2013100854271A patent/CN103215560A/zh active Pending
- 2007-01-31 CN CNA2007800040863A patent/CN101379215A/zh active Pending
- 2007-01-31 WO PCT/FI2007/050056 patent/WO2007088249A1/en active Application Filing
- 2007-01-31 AU AU2007211451A patent/AU2007211451B2/en active Active
- 2007-01-31 EA EA200870142A patent/EA012990B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-31 ES ES07704826T patent/ES2379892T5/es active Active
- 2007-01-31 DK DK07704826.2T patent/DK1994202T4/da active
- 2007-01-31 US US12/162,051 patent/US8883258B2/en active Active
- 2007-01-31 KR KR1020087018930A patent/KR101442850B1/ko active IP Right Grant
- 2007-01-31 EP EP12158081A patent/EP2468921A1/en not_active Withdrawn
- 2007-01-31 JP JP2008552836A patent/JP5297203B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-29 US US14/445,651 patent/US20140335272A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-03-17 FI FIU20154053U patent/FI10853U1/fi not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080103517A (ko) | 2008-11-27 |
US8883258B2 (en) | 2014-11-11 |
CN103215560A (zh) | 2013-07-24 |
ATE548482T1 (de) | 2012-03-15 |
JP5297203B2 (ja) | 2013-09-25 |
FI20065082A (fi) | 2007-08-03 |
JP2009525406A (ja) | 2009-07-09 |
FI20065082A0 (fi) | 2006-02-02 |
EP1994202A4 (en) | 2010-04-14 |
DK1994202T3 (da) | 2012-04-02 |
US20090004386A1 (en) | 2009-01-01 |
EA200870142A1 (ru) | 2009-02-27 |
EP1994202B1 (en) | 2012-03-07 |
WO2007088249A1 (en) | 2007-08-09 |
EA012990B1 (ru) | 2010-02-26 |
AU2007211451B2 (en) | 2011-08-11 |
CN101379215A (zh) | 2009-03-04 |
ES2379892T3 (es) | 2012-05-04 |
KR101442850B1 (ko) | 2014-11-19 |
EP2468921A1 (en) | 2012-06-27 |
EP1994202A1 (en) | 2008-11-26 |
DK1994202T4 (da) | 2020-02-03 |
ES2379892T5 (es) | 2020-06-18 |
FI10853U1 (fi) | 2015-04-27 |
US20140335272A1 (en) | 2014-11-13 |
AU2007211451A1 (en) | 2007-08-09 |
EP1994202B2 (en) | 2019-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI121341B (fi) | Hopean suojapinnoitus | |
JP7239281B2 (ja) | 複雑腕時計コンポーネントのための保護コーティング | |
EP2371993A1 (en) | Method of surface treatment and surface treated article provided by the same | |
FI117728B (fi) | Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi | |
WO2008041562A1 (fr) | Pièce décorative et procédé de fabrication de celle-ci | |
TW200626743A (en) | Process of using microwave deposition of metal oxide onto an organic substrate | |
EP2507405A1 (en) | Method for forming a decorative coating on a gemstone, a decorative coating on a gemstone, and uses of the same | |
KR101868852B1 (ko) | 진공증착기법을 통해 고품격 멀티컬러 디자인을 갖는 패션 주얼리의 제조 방법 | |
US20120218638A1 (en) | Method for forming a decorative coating, a coating, and uses of the same | |
JP6857222B2 (ja) | 銀面を有する基材に対する曇りから銀を保護する層を接着させて材料を作る方法 | |
JPH11314966A (ja) | ジルコニアに基づく物品、腕時計の耐摩耗性外側部分としての使用方法及び製造方法 | |
JP2022501500A (ja) | 銀変色から保護された銀メッキ表面を含む基材およびそのような基材の製造方法 | |
EP2496730A1 (en) | A method for forming an electrically conductive oxide film, an electrically conductive oxide film, and uses for the same | |
CH714139A2 (fr) | Revêtement protecteur pour composant horloger complexe. | |
PL240327B1 (pl) | Sposób wytwarzania powłok antyalergicznych na powierzchni przedmiotów codziennego użytku | |
Aitchison et al. | Novel optical coating technology for freeform and conformal optics | |
JP3117502U (ja) | 装飾具におけるゲルマニウム層の保護皮膜積層構造 | |
Forte et al. | a Suitable Substrate for ALD?: A Re-view. Polymers 2021, 13, 1346 | |
Wells | Vapour Deposition: Thermal Characterization and Application of Metal Oxide Thin Films | |
JPH04141592A (ja) | 装飾品の金属調有色外装部の着色方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Patent granted |
Ref document number: 121341 Country of ref document: FI |