JP2000269278A - バーンイン装置及び半導体ウエハ - Google Patents
バーンイン装置及び半導体ウエハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハに形成された半導体装置を確実
にスクリーニングする。 【解決手段】 底板５１は、真空チャック５２を備え、
スクリーニング対象である半導体装置を形成された半導
体ウエハ１６を吸着して固定する。圧着リング５４は、
半導体ウエハ１６を固定している底板５１上に設置され
る。電極板５５は、半導体ウエハ１６の周縁部に形成さ
れたスクリーニング用の配線に対応するように、圧着リ
ング５４に設けられている。固定板５７は、圧着リング
５４上に設置され、固定金具５８によって締め付けられ
ることによって、圧着リング５４を底板５１側に押さえ
つけ、電極板５５と半導体ウエハ１６の配線とを圧着さ
せる。半導体装置のスクリーニング時には、電極板５５
を介して半導体装置に所定の信号が供給され、スクリー
ニングする。
にスクリーニングする。 【解決手段】 底板５１は、真空チャック５２を備え、
スクリーニング対象である半導体装置を形成された半導
体ウエハ１６を吸着して固定する。圧着リング５４は、
半導体ウエハ１６を固定している底板５１上に設置され
る。電極板５５は、半導体ウエハ１６の周縁部に形成さ
れたスクリーニング用の配線に対応するように、圧着リ
ング５４に設けられている。固定板５７は、圧着リング
５４上に設置され、固定金具５８によって締め付けられ
ることによって、圧着リング５４を底板５１側に押さえ
つけ、電極板５５と半導体ウエハ１６の配線とを圧着さ
せる。半導体装置のスクリーニング時には、電極板５５
を介して半導体装置に所定の信号が供給され、スクリー
ニングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スクリーニング対
象の半導体装置を形成された半導体ウエハに関する。ま
た、本発明は、半導体ウエハ上の半導体装置をスクリー
ニングするためのバーンイン装置に関する。特に、スク
リーニング用配線の接触不良を低減し、多くの半導体装
置を同時にスクリーニングすることを可能にするバーン
イン装置及び半導体ウエハに関する。
象の半導体装置を形成された半導体ウエハに関する。ま
た、本発明は、半導体ウエハ上の半導体装置をスクリー
ニングするためのバーンイン装置に関する。特に、スク
リーニング用配線の接触不良を低減し、多くの半導体装
置を同時にスクリーニングすることを可能にするバーン
イン装置及び半導体ウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】バーンインによるスクリーニングは、潜
在的な欠陥を含む半導体装置を取り除くために行われ
る。このスクリーニングでは、半導体装置を高温下に設
置し、一定時間の電気的ストレスを印加することによっ
て、潜在的な欠陥を含む半導体装置の初期動作不良を加
速的に引き起こさせる。
在的な欠陥を含む半導体装置を取り除くために行われ
る。このスクリーニングでは、半導体装置を高温下に設
置し、一定時間の電気的ストレスを印加することによっ
て、潜在的な欠陥を含む半導体装置の初期動作不良を加
速的に引き起こさせる。
【０００３】従来、バーンインによる半導体装置のスク
リーニングは、半導体製造工程を終了し、半導体ウエハ
から個々に切り離されて、パッケージに組み込まれた状
態の半導体装置に対して行われていた。パッケージ内の
半導体装置をスクリーニングする場合、ボード上に配列
されたＩＣソケットにパッケージを挿入し、このボード
をバーンイン装置内に設置して、スクリーニングしてい
た。
リーニングは、半導体製造工程を終了し、半導体ウエハ
から個々に切り離されて、パッケージに組み込まれた状
態の半導体装置に対して行われていた。パッケージ内の
半導体装置をスクリーニングする場合、ボード上に配列
されたＩＣソケットにパッケージを挿入し、このボード
をバーンイン装置内に設置して、スクリーニングしてい
た。
【０００４】近年では、半導体装置をパッケージに組み
込まずに使用する場合が多く、半導体装置をパッケージ
に組み込むことなくスクリーニングしなければならな
い。しかし、半導体ウエハから個々に切り離されだけの
状態の半導体装置をスクリーニングすることは困難であ
るため、半導体ウエハごとスクリーニングする必要性が
高まってきた。
込まずに使用する場合が多く、半導体装置をパッケージ
に組み込むことなくスクリーニングしなければならな
い。しかし、半導体ウエハから個々に切り離されだけの
状態の半導体装置をスクリーニングすることは困難であ
るため、半導体ウエハごとスクリーニングする必要性が
高まってきた。
【０００５】半導体装置を半導体ウエハから個々に切り
離さずに、スクリーニングする技術は、特開昭６３−１
２４４４３号公報、特開平５−１２１５０２号公報、特
開平６−５６７７号公報、及び、特開平１０−２８４５
５６号公報に開示されている。
離さずに、スクリーニングする技術は、特開昭６３−１
２４４４３号公報、特開平５−１２１５０２号公報、特
開平６−５６７７号公報、及び、特開平１０−２８４５
５６号公報に開示されている。
【０００６】特開昭６３−１２４４４３号公報、特開平
５−１２１５０２号公報、及び、特開平６−５６７７号
公報に開示されている技術では、半導体ウエハに形成さ
れた複数の半導体装置間に、スクリーニング用の共通配
線を縦横に形成し、半導体ウエハ端部に、共通配線に接
続された共通端子を形成している。具体的には、例えば
図６（ａ）に示すように、共通配線１１１が半導体装置
間に縦横に形成され、共通端子１１２が半導体ウエハ端
部に形成されている。このような半導体装置をスクリー
ニングする際には、例えば図６（ｂ）に示すように、半
導体ウエハをバーンイン装置内に設置されたステージ１
１３上に吸着し、共通端子１１２に探針（マイクロポジ
ショナー）１１４を接触させる。そして、電源装置１１
５やパルスジェネレータ１１６から、探針１１４、共通
端子１１２、及び、共通配線１１１を介して各半導体装
置にスクリーニングのための電源やテスト信号等を供給
し、半導体装置をスクリーニングしている。
５−１２１５０２号公報、及び、特開平６−５６７７号
公報に開示されている技術では、半導体ウエハに形成さ
れた複数の半導体装置間に、スクリーニング用の共通配
線を縦横に形成し、半導体ウエハ端部に、共通配線に接
続された共通端子を形成している。具体的には、例えば
図６（ａ）に示すように、共通配線１１１が半導体装置
間に縦横に形成され、共通端子１１２が半導体ウエハ端
部に形成されている。このような半導体装置をスクリー
ニングする際には、例えば図６（ｂ）に示すように、半
導体ウエハをバーンイン装置内に設置されたステージ１
１３上に吸着し、共通端子１１２に探針（マイクロポジ
ショナー）１１４を接触させる。そして、電源装置１１
５やパルスジェネレータ１１６から、探針１１４、共通
端子１１２、及び、共通配線１１１を介して各半導体装
置にスクリーニングのための電源やテスト信号等を供給
し、半導体装置をスクリーニングしている。
【０００７】特開平１０−２８４５５６号公報に開示さ
れている技術では、図７に示すように、バーンイン装置
内に設置されたステージ１２１上に、半導体装置を形成
された半導体ウエハ１２２を載置し、半導体ウエハ１２
２上に接触シート１２３とベースユニット１２４を順に
載置する。接触シート１２２は、一方の面に半導体装置
に形成されている端子と同一パターンの端子を備え、他
方の面にベースユニット１２４が有する端子と同一パタ
ーンの端子を備える。半導体装置のスクリーニング時に
は、バーンイン装置に外部から治具１２５を挿入して、
半導体ウエハ１２２上に接触シート１２３及びベースユ
ニット１２４を押圧する。これによって、ベースユニッ
ト１２４の端子は、接触シート１２３を介して半導体装
置の端子と電気的に接続される。このとき、ベースユニ
ット１２４は信号発生器１２６にも接続され、信号発生
器１２６からのテスト信号を、ベースユニット１２４及
び接触シート１２３を介して半導体装置に供給し、半導
体装置をスクリーニングしている。
れている技術では、図７に示すように、バーンイン装置
内に設置されたステージ１２１上に、半導体装置を形成
された半導体ウエハ１２２を載置し、半導体ウエハ１２
２上に接触シート１２３とベースユニット１２４を順に
載置する。接触シート１２２は、一方の面に半導体装置
に形成されている端子と同一パターンの端子を備え、他
方の面にベースユニット１２４が有する端子と同一パタ
ーンの端子を備える。半導体装置のスクリーニング時に
は、バーンイン装置に外部から治具１２５を挿入して、
半導体ウエハ１２２上に接触シート１２３及びベースユ
ニット１２４を押圧する。これによって、ベースユニッ
ト１２４の端子は、接触シート１２３を介して半導体装
置の端子と電気的に接続される。このとき、ベースユニ
ット１２４は信号発生器１２６にも接続され、信号発生
器１２６からのテスト信号を、ベースユニット１２４及
び接触シート１２３を介して半導体装置に供給し、半導
体装置をスクリーニングしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】特開昭６３−１２４４
４３号公報、特開平５−１２１５０２号公報、及び、特
開平６−５６７７号公報に開示されている技術では、半
導体ウエハにスクリーニング用の共通配線１１１を縦横
に形成している。このように共通配線１１１の配線パタ
ーンが複雑であると、共通配線形成工程が複雑になると
いう問題がある。また、これらの技術では、半導体装置
をスクリーニングするために、共通配線１１１以外にも
共通端子１１２等を半導体ウエハに形成しなければなら
ず、その半導体装置をスクリーニングするまでの製造工
程が多くなるという問題がある。
４３号公報、特開平５−１２１５０２号公報、及び、特
開平６−５６７７号公報に開示されている技術では、半
導体ウエハにスクリーニング用の共通配線１１１を縦横
に形成している。このように共通配線１１１の配線パタ
ーンが複雑であると、共通配線形成工程が複雑になると
いう問題がある。また、これらの技術では、半導体装置
をスクリーニングするために、共通配線１１１以外にも
共通端子１１２等を半導体ウエハに形成しなければなら
ず、その半導体装置をスクリーニングするまでの製造工
程が多くなるという問題がある。
【０００９】特開平５−１２１５０２号公報に開示され
ている技術では、半導体装置をスクリーニングする際、
探針（マイクロポジショナー）１１４を半導体ウエハの
共通端子１１２に接触させて、電源や信号等を半導体装
置に供給する。このため、バーンイン装置内での加熱に
よる熱膨張で、探針がずれて接触不良を生じやすい。さ
らに、この技術では、１枚の半導体ウエハを１つのステ
ージ１１３に載置してスクリーニングするため、半導体
ウエハを長時間恒温槽内に設置する場合は、効率が悪い
という問題がある。
ている技術では、半導体装置をスクリーニングする際、
探針（マイクロポジショナー）１１４を半導体ウエハの
共通端子１１２に接触させて、電源や信号等を半導体装
置に供給する。このため、バーンイン装置内での加熱に
よる熱膨張で、探針がずれて接触不良を生じやすい。さ
らに、この技術では、１枚の半導体ウエハを１つのステ
ージ１１３に載置してスクリーニングするため、半導体
ウエハを長時間恒温槽内に設置する場合は、効率が悪い
という問題がある。
【００１０】特開平１０−２８４５５６号公報に開示さ
れている技術では、スクリーニング時に、バーンイン装
置外部から治具１２５を挿入して、ベースユニット１２
４及び接触シート１２３を半導体ウエハ１２２上に押圧
する構成となっているため、バーンイン装置内に１枚の
半導体ウエハしか設置できない。このため、半導体ウエ
ハ１２２を長時間バーンイン装置内に設置する場合は、
効率が悪いという問題がある。
れている技術では、スクリーニング時に、バーンイン装
置外部から治具１２５を挿入して、ベースユニット１２
４及び接触シート１２３を半導体ウエハ１２２上に押圧
する構成となっているため、バーンイン装置内に１枚の
半導体ウエハしか設置できない。このため、半導体ウエ
ハ１２２を長時間バーンイン装置内に設置する場合は、
効率が悪いという問題がある。
【００１１】従って、本発明は、半導体装置を効率よく
スクリーニングすることが可能なバーンイン装置及び半
導体ウエハを提供することを目的とする。また、本発明
は、半導体装置の信頼性を向上可能なバーンイン装置及
び半導体ウエハを提供することを目的とする。さらに、
本発明は、半導体装置のスクリーニング用配線の接触不
良を低減し、多くの半導体装置を同時にスクリーニング
することを可能にするバーンイン装置及び半導体ウエハ
を提供することを目的とする。
スクリーニングすることが可能なバーンイン装置及び半
導体ウエハを提供することを目的とする。また、本発明
は、半導体装置の信頼性を向上可能なバーンイン装置及
び半導体ウエハを提供することを目的とする。さらに、
本発明は、半導体装置のスクリーニング用配線の接触不
良を低減し、多くの半導体装置を同時にスクリーニング
することを可能にするバーンイン装置及び半導体ウエハ
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の観点にかかるバーンイン装置は、複
数の半導体ウエハに形成された半導体装置をスクリーニ
ングするための信号を生成する信号生成手段と、前記信
号生成手段によって生成された信号を半導体装置に供給
するために、前記信号生成手段と半導体ウエハの半導体
装置とを電気的に接続する複数の接続手段と、複数の半
導体ウエハを同時に保持する保持手段と、前記保持手段
によって保持された複数の半導体ウエハを所定温度に加
熱してスクリーニングするスクリーニング手段と、から
構成されることを特徴とする。この発明によれば、複数
の半導体ウエハを保持して加熱することができる。従っ
て、従来よりもたくさんの半導体装置を効率よく同時に
スクリーニングすることができる。
に、本発明の第１の観点にかかるバーンイン装置は、複
数の半導体ウエハに形成された半導体装置をスクリーニ
ングするための信号を生成する信号生成手段と、前記信
号生成手段によって生成された信号を半導体装置に供給
するために、前記信号生成手段と半導体ウエハの半導体
装置とを電気的に接続する複数の接続手段と、複数の半
導体ウエハを同時に保持する保持手段と、前記保持手段
によって保持された複数の半導体ウエハを所定温度に加
熱してスクリーニングするスクリーニング手段と、から
構成されることを特徴とする。この発明によれば、複数
の半導体ウエハを保持して加熱することができる。従っ
て、従来よりもたくさんの半導体装置を効率よく同時に
スクリーニングすることができる。
【００１３】前記接続手段は、半導体ウエハの周縁部に
形成された配線に接触する複数の電極と、前記電極を半
導体ウエハに押圧して、該電極を半導体ウエハに形成さ
れた配線に圧着させる圧着手段と、を備えてもよい。前
記圧着手段は、半導体ウエハを吸着して固定する底板
と、前記底板と共に前記電極に圧力をかけ、該電極を半
導体ウエハの周縁部に形成された配線に圧着させる固定
板と、を備えてもよい。
形成された配線に接触する複数の電極と、前記電極を半
導体ウエハに押圧して、該電極を半導体ウエハに形成さ
れた配線に圧着させる圧着手段と、を備えてもよい。前
記圧着手段は、半導体ウエハを吸着して固定する底板
と、前記底板と共に前記電極に圧力をかけ、該電極を半
導体ウエハの周縁部に形成された配線に圧着させる固定
板と、を備えてもよい。
【００１４】複数の前記電極は、半導体ウエハに格子状
に並んで形成された半導体装置間に、互いに平行になる
ように形成された複数の配線の両端部に対応するよう
に、設けられていてもよい。このようにすると、半導体
ウエハをスクリーニングする際に、配線の接続を容易に
チェックすることができる。従って、半導体装置を確実
にスクリーニングすることができ、製品となる半導体装
置の動作信頼性を向上することができる。
に並んで形成された半導体装置間に、互いに平行になる
ように形成された複数の配線の両端部に対応するよう
に、設けられていてもよい。このようにすると、半導体
ウエハをスクリーニングする際に、配線の接続を容易に
チェックすることができる。従って、半導体装置を確実
にスクリーニングすることができ、製品となる半導体装
置の動作信頼性を向上することができる。
【００１５】複数の前記電極の内、半導体ウエハ上に、
互いに平行になるように形成された複数の配線の同じ側
に接触する電極は、互いに配線で接続され、その内の１
つの電極は、前記信号生成手段に接続されてもよい。
互いに平行になるように形成された複数の配線の同じ側
に接触する電極は、互いに配線で接続され、その内の１
つの電極は、前記信号生成手段に接続されてもよい。
【００１６】本発明の第２の観点にかかるバーンイン装
置は、周縁部にスクリーニング用の配線を形成された半
導体ウエハの半導体装置をスクリーニングするバーンイ
ン装置であって、半導体装置をスクリーニングするため
の信号を生成する信号生成手段と、半導体ウエハの周縁
部に形成された配線に対応するように設けられた複数の
電極を備え、半導体ウエハを保持し、該電極を半導体ウ
エハの周縁部に形成された配線に接続する保持手段と、
前記信号生成手段によって生成された信号を半導体装置
に供給してスクリーニングするスクリーニング手段と、
から構成されることを特徴とする。この発明によれば、
スクリーニング時の加熱によって生じる熱膨張等の影響
を受けにくく、バーンイン装置と半導体ウエハとの接触
不良が起こりにくい。従って、効率よく確実に半導体装
置をスクリーニングすることができる。
置は、周縁部にスクリーニング用の配線を形成された半
導体ウエハの半導体装置をスクリーニングするバーンイ
ン装置であって、半導体装置をスクリーニングするため
の信号を生成する信号生成手段と、半導体ウエハの周縁
部に形成された配線に対応するように設けられた複数の
電極を備え、半導体ウエハを保持し、該電極を半導体ウ
エハの周縁部に形成された配線に接続する保持手段と、
前記信号生成手段によって生成された信号を半導体装置
に供給してスクリーニングするスクリーニング手段と、
から構成されることを特徴とする。この発明によれば、
スクリーニング時の加熱によって生じる熱膨張等の影響
を受けにくく、バーンイン装置と半導体ウエハとの接触
不良が起こりにくい。従って、効率よく確実に半導体装
置をスクリーニングすることができる。
【００１７】前記保持手段は、半導体ウエハを吸着して
固定する底板と、前記底板と共に前記電極に圧力をか
け、該電極を半導体ウエハの周縁部に形成された配線に
圧着させる固定板と、を備えてもよい。複数の前記電極
は、半導体ウエハに格子状に並んで形成された半導体装
置間に、互いに平行になるように形成された複数の配線
の両端部に対応するように、設けられていてもよい。
固定する底板と、前記底板と共に前記電極に圧力をか
け、該電極を半導体ウエハの周縁部に形成された配線に
圧着させる固定板と、を備えてもよい。複数の前記電極
は、半導体ウエハに格子状に並んで形成された半導体装
置間に、互いに平行になるように形成された複数の配線
の両端部に対応するように、設けられていてもよい。
【００１８】このようにすると、半導体ウエハをスクリ
ーニングする際に、配線の接続を容易にチェックするこ
とができる。従って、半導体装置を確実にスクリーニン
グすることができ、製品となる半導体装置の動作信頼性
を向上することができる。複数の前記電極の内、半導体
ウエハ上に、互いに平行になるように形成された複数の
配線の同じ側に接触する電極は、互いに配線で接続さ
れ、その内の１つの電極は、前記信号生成手段に接続さ
れてもよい。
ーニングする際に、配線の接続を容易にチェックするこ
とができる。従って、半導体装置を確実にスクリーニン
グすることができ、製品となる半導体装置の動作信頼性
を向上することができる。複数の前記電極の内、半導体
ウエハ上に、互いに平行になるように形成された複数の
配線の同じ側に接触する電極は、互いに配線で接続さ
れ、その内の１つの電極は、前記信号生成手段に接続さ
れてもよい。
【００１９】本発明の第３の観点にかかる半導体ウエハ
は、装置形成領域に、格子状に並んで形成された複数の
半導体装置と、外部装置から前記半導体装置に所定の信
号を供給するために、装置形成領域と、装置形成領域の
周辺領域とに形成され、装置形成領域では前記半導体装
置間に、互いに平行となるように一直線に形成された複
数の配線と、から構成されていることを特徴とする。
は、装置形成領域に、格子状に並んで形成された複数の
半導体装置と、外部装置から前記半導体装置に所定の信
号を供給するために、装置形成領域と、装置形成領域の
周辺領域とに形成され、装置形成領域では前記半導体装
置間に、互いに平行となるように一直線に形成された複
数の配線と、から構成されていることを特徴とする。
【００２０】この発明によれば、装置形成領域での配線
パターンが簡単になり、配線の形成工程を簡単にするこ
とができる。前記配線は、装置形成領域から周縁領域ま
で一直線となるように形成されていてもよい。前記配線
は、互いの間隔が、装置形成領域よりも周辺領域の方が
広がるように形成されていてもよい。
パターンが簡単になり、配線の形成工程を簡単にするこ
とができる。前記配線は、装置形成領域から周縁領域ま
で一直線となるように形成されていてもよい。前記配線
は、互いの間隔が、装置形成領域よりも周辺領域の方が
広がるように形成されていてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
にかかる半導体ウエハについて図面を参照して説明す
る。図１は、第１の実施の形態にかかる半導体ウエハに
形成された半導体装置を、バーンイン装置でスクリーニ
ングしている状態を示す図である。バーンイン装置は、
図１に示すように、恒温槽１１と、ウエハホルダ１２
と、スロット１３と、バーンインコントローラ１４と、
外部引出配線１５と、から構成されている。
にかかる半導体ウエハについて図面を参照して説明す
る。図１は、第１の実施の形態にかかる半導体ウエハに
形成された半導体装置を、バーンイン装置でスクリーニ
ングしている状態を示す図である。バーンイン装置は、
図１に示すように、恒温槽１１と、ウエハホルダ１２
と、スロット１３と、バーンインコントローラ１４と、
外部引出配線１５と、から構成されている。
【００２２】恒温槽１１は、スクリーニング対象である
半導体装置を形成された半導体ウエハ１６を搬送するた
めの搬送口１７を備える。また、恒温槽１１は、図示せ
ぬヒータ等を備え、内部に設置された半導体ウエハ１６
を所定温度に保持する。ウエハホルダ１２は、後述する
ような構成となっており、半導体ウエハ１６を固定し、
半導体ウエハ１６と外部引出配線１５とを接続する。ス
ロット１３は、恒温槽１１の内部に設けられ、半導体ウ
エハ１６を固定している複数のウエハホルダ１２を保持
する。
半導体装置を形成された半導体ウエハ１６を搬送するた
めの搬送口１７を備える。また、恒温槽１１は、図示せ
ぬヒータ等を備え、内部に設置された半導体ウエハ１６
を所定温度に保持する。ウエハホルダ１２は、後述する
ような構成となっており、半導体ウエハ１６を固定し、
半導体ウエハ１６と外部引出配線１５とを接続する。ス
ロット１３は、恒温槽１１の内部に設けられ、半導体ウ
エハ１６を固定している複数のウエハホルダ１２を保持
する。
【００２３】バーンインコントローラ１４は、スクリー
ニングするための電源電圧や制御信号等を生成し、外部
引出配線１５を介して半導体ウエハ１６に供給する。ま
た、バーンインコントローラ１４は、予め提供されたプ
ログラム等に従って、図示せぬ制御線等を介して、恒温
槽１１内の温度設定やその他のバーンイン装置全体の動
作を制御する。外部引出線１５は、バーンインコントロ
ーラ１４と、恒温槽１１内部の半導体ウエハ１６とを接
続する。
ニングするための電源電圧や制御信号等を生成し、外部
引出配線１５を介して半導体ウエハ１６に供給する。ま
た、バーンインコントローラ１４は、予め提供されたプ
ログラム等に従って、図示せぬ制御線等を介して、恒温
槽１１内の温度設定やその他のバーンイン装置全体の動
作を制御する。外部引出線１５は、バーンインコントロ
ーラ１４と、恒温槽１１内部の半導体ウエハ１６とを接
続する。
【００２４】次に、上記ウエハホルダ１２と半導体ウエ
ハ１６の構成について説明する。初めに、半導体ウエハ
１６について説明する。図２は、ウエハホルダ１２に半
導体ウエハ１６が固定されている状態を示す図である。
半導体ウエハ１６には、図３（ａ）に示すように、半導
体装置２１、内部引出配線２２、及び、バーンイン制御
装置２３が形成されている。半導体装置２１は、半導体
ウエハ１６上の装置形成領域に格子状に並んで複数形成
されており、上記バーンイン装置によってスクリーニン
グされる。
ハ１６の構成について説明する。初めに、半導体ウエハ
１６について説明する。図２は、ウエハホルダ１２に半
導体ウエハ１６が固定されている状態を示す図である。
半導体ウエハ１６には、図３（ａ）に示すように、半導
体装置２１、内部引出配線２２、及び、バーンイン制御
装置２３が形成されている。半導体装置２１は、半導体
ウエハ１６上の装置形成領域に格子状に並んで複数形成
されており、上記バーンイン装置によってスクリーニン
グされる。
【００２５】内部引出配線２２は、数本（例えば、４
本）で一組であり、一組ずつ半導体装置２１の間を通る
ように一直線に形成され、図３（ａ）に示すように、互
いに平行となるように形成されている。このように配線
パターンが簡単であると、ステップアンドリピート方式
の縮小投影露光法等によって簡単に内部引出配線２２を
形成することができる。また、内部引出配線２２は、後
述するようにして、ウエハホルダ１２によって外部引出
配線１５と接続されるため、半導体ウエハ１６の周縁部
まで形成されている。なお、内部引出配線２２自身の断
線やショートを避けるために、内部引出配線２２の太さ
や間隔は可能な限り充分確保され、半導体ウエハ１６周
縁部以外の内部引出配線２２は保護膜で被覆されてい
る。
本）で一組であり、一組ずつ半導体装置２１の間を通る
ように一直線に形成され、図３（ａ）に示すように、互
いに平行となるように形成されている。このように配線
パターンが簡単であると、ステップアンドリピート方式
の縮小投影露光法等によって簡単に内部引出配線２２を
形成することができる。また、内部引出配線２２は、後
述するようにして、ウエハホルダ１２によって外部引出
配線１５と接続されるため、半導体ウエハ１６の周縁部
まで形成されている。なお、内部引出配線２２自身の断
線やショートを避けるために、内部引出配線２２の太さ
や間隔は可能な限り充分確保され、半導体ウエハ１６周
縁部以外の内部引出配線２２は保護膜で被覆されてい
る。
【００２６】バーンイン制御装置２３は、各半導体装置
２１に対応するように、半導体装置２１と同数形成さ
れ、内部引出配線２２を介してバーンインコントローラ
１４から供給される電源や制御信号等を各半導体装置２
１に供給する。図３（ｂ）は、半導体装置２１とバーン
イン制御装置２３との接続部分の構成を示す図である。
２１に対応するように、半導体装置２１と同数形成さ
れ、内部引出配線２２を介してバーンインコントローラ
１４から供給される電源や制御信号等を各半導体装置２
１に供給する。図３（ｂ）は、半導体装置２１とバーン
イン制御装置２３との接続部分の構成を示す図である。
【００２７】一組の内部引出配線２２は、各バーンイン
制御装置３２を通るように形成されている。なお、一組
の内部引出配線２２は、例えば、電源線３１、ＧＮＤ
（グランド）線３２、信号線３３、及び、ゲート線３４
である。また、半導体装置２１には、パッド３８，４
０，４２が、それぞれ電源線３１、ＧＮＤ線３２、及
び、信号線３３に対応するように形成されている。な
お、パッド３８，４０，４２は、半導体装置２１に形成
されている図示せぬ回路の端子であり、半導体装置２１
のの実装時とスクリーニング時の両方で使用される。
制御装置３２を通るように形成されている。なお、一組
の内部引出配線２２は、例えば、電源線３１、ＧＮＤ
（グランド）線３２、信号線３３、及び、ゲート線３４
である。また、半導体装置２１には、パッド３８，４
０，４２が、それぞれ電源線３１、ＧＮＤ線３２、及
び、信号線３３に対応するように形成されている。な
お、パッド３８，４０，４２は、半導体装置２１に形成
されている図示せぬ回路の端子であり、半導体装置２１
のの実装時とスクリーニング時の両方で使用される。
【００２８】電源線３１は、保護ダイオード３５及び保
護抵抗３６を介して、スイッチングＴｒ３７のソース・
ドレインの一方に接続されている。また、スイッチング
Ｔｒ３７のソース・ドレインの他方は、パッド３８に接
続されている。なお、保護ダイオード３５及び保護抵抗
３６は、半導体装置２１のスクリーニング中に、半導体
装置２１の破壊によって過電流が発生し、その過電流が
他の正常な半導体装置２１に流れ込むのを防止するため
に設けられている。
護抵抗３６を介して、スイッチングＴｒ３７のソース・
ドレインの一方に接続されている。また、スイッチング
Ｔｒ３７のソース・ドレインの他方は、パッド３８に接
続されている。なお、保護ダイオード３５及び保護抵抗
３６は、半導体装置２１のスクリーニング中に、半導体
装置２１の破壊によって過電流が発生し、その過電流が
他の正常な半導体装置２１に流れ込むのを防止するため
に設けられている。
【００２９】ＧＮＤ線３２は、スイッチングＴｒ３９の
ソース・ドレインの一方に接続されている。また、スイ
ッチングＴｒ３９のソース・ドレインの他方は、パッド
４０に接続されている。信号線３３は、スイッチングＴ
ｒ４１のソース・ドレインの一方に接続されている。ま
た、スイッチングＴｒ４１のソース・ドレインの他方
は、パッド４２に接続されている。
ソース・ドレインの一方に接続されている。また、スイ
ッチングＴｒ３９のソース・ドレインの他方は、パッド
４０に接続されている。信号線３３は、スイッチングＴ
ｒ４１のソース・ドレインの一方に接続されている。ま
た、スイッチングＴｒ４１のソース・ドレインの他方
は、パッド４２に接続されている。
【００３０】また、スイッチングＴｒ３７，３９，４１
のゲートは、ヒューズ４３を介してゲート線３４に接続
され、同時にダイオード４４，４５，４６を介して、半
導体装置２１の基板に接続されている。なお、ダイオー
ド４４，４５，４６は、半導体装置２１の実装時に、ゲ
ート電位をある一定の範囲内に固定するために設けられ
ており、基板の電位は、例えばスイッチングＴｒ３７，
３９，４１のしきい値電圧以下に固定されている。
のゲートは、ヒューズ４３を介してゲート線３４に接続
され、同時にダイオード４４，４５，４６を介して、半
導体装置２１の基板に接続されている。なお、ダイオー
ド４４，４５，４６は、半導体装置２１の実装時に、ゲ
ート電位をある一定の範囲内に固定するために設けられ
ており、基板の電位は、例えばスイッチングＴｒ３７，
３９，４１のしきい値電圧以下に固定されている。
【００３１】次に、ウエハホルダ１２の構成について説
明する。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、ウエハホルダ
１２の構成を示す模式図である。図４（ａ）は、ウエハ
ホルダ１２の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）
のＢ−Ｂ’断面図である。また、図４（ｃ）は、ウエハ
ホルダ１２と半導体ウエハ１６の内部引出配線２２との
接続部分の構成を示す図である。
明する。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、ウエハホルダ
１２の構成を示す模式図である。図４（ａ）は、ウエハ
ホルダ１２の平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）
のＢ−Ｂ’断面図である。また、図４（ｃ）は、ウエハ
ホルダ１２と半導体ウエハ１６の内部引出配線２２との
接続部分の構成を示す図である。
【００３２】ウエハホルダ１２は、底板５１と、真空チ
ャック５２と、排気口５３と、圧着リング５４と、電極
板５５と、共通配線５６と、固定板５７と、固定金具５
８と、から構成されている。底板５１は、真空チャック
５２と排気口５３を備えている。底板５１は、半導体ウ
エハ１６を載置し、図示せぬ真空ポンプ等によって排気
口５３から真空チャック５２内の空気を排出し、半導体
ウエハ１６を吸着する。
ャック５２と、排気口５３と、圧着リング５４と、電極
板５５と、共通配線５６と、固定板５７と、固定金具５
８と、から構成されている。底板５１は、真空チャック
５２と排気口５３を備えている。底板５１は、半導体ウ
エハ１６を載置し、図示せぬ真空ポンプ等によって排気
口５３から真空チャック５２内の空気を排出し、半導体
ウエハ１６を吸着する。
【００３３】圧着リング５４は、電極板５５と共通配線
５６を備えており、半導体ウエハ１６を吸着した底板５
１上に配置される。電極板５５は、半導体ウエハ１６に
形成された内部引出配線２２の両端部に対応するよう
に、圧着リング５４の内側に設けられている。また、内
部引出配線２２の同じ側に設けられた電極板５５同士
は、共通配線５６によって接続され、その内の１つの電
極板５５に外部引出配線１５が接続されている。そし
て、電極板５５は、圧着リング５４が底板５１側に押圧
されることによって、内部引出配線２２に圧着される。
具体的には、図４（ｃ）に示すように、電極板５５には
一組の内部引出配線２２を構成する各配線に対応する圧
着電極５９が形成されている。また、各圧着電極５９
は、外部引出配線１５や共通配線５６に接続されてお
り、圧着リング５４が底板５１側に押圧されることによ
って、内部引出配線２２と外部引出配線１５とを接続す
る。また、内部引出配線２２の両端に電極板５５を圧着
させることによって、内部引出配線２２と電極板５５と
の接続を簡単にチェックすることができ、半導体装置２
１を確実にスクリーニングできる。
５６を備えており、半導体ウエハ１６を吸着した底板５
１上に配置される。電極板５５は、半導体ウエハ１６に
形成された内部引出配線２２の両端部に対応するよう
に、圧着リング５４の内側に設けられている。また、内
部引出配線２２の同じ側に設けられた電極板５５同士
は、共通配線５６によって接続され、その内の１つの電
極板５５に外部引出配線１５が接続されている。そし
て、電極板５５は、圧着リング５４が底板５１側に押圧
されることによって、内部引出配線２２に圧着される。
具体的には、図４（ｃ）に示すように、電極板５５には
一組の内部引出配線２２を構成する各配線に対応する圧
着電極５９が形成されている。また、各圧着電極５９
は、外部引出配線１５や共通配線５６に接続されてお
り、圧着リング５４が底板５１側に押圧されることによ
って、内部引出配線２２と外部引出配線１５とを接続す
る。また、内部引出配線２２の両端に電極板５５を圧着
させることによって、内部引出配線２２と電極板５５と
の接続を簡単にチェックすることができ、半導体装置２
１を確実にスクリーニングできる。
【００３４】固定板５７は、圧着リング５４上に配置さ
れ、固定金具５８によって底板５１と共に圧着リング５
４に圧力をかけ、上記圧着電極５９を内部引出配線２２
に確実に接触させる。
れ、固定金具５８によって底板５１と共に圧着リング５
４に圧力をかけ、上記圧着電極５９を内部引出配線２２
に確実に接触させる。
【００３５】以上のように、ウエハホルダ１２及び半導
体ウエハ１６が構成されているので、従来のような共通
端子（パッド）を設けることなく、外部引出配線１５と
内部引出配線２２とを確実に接続することができる。従
って、スクリーニング時に、従来のような熱膨張による
接触不良がなく、確実に半導体装置２１をスクリーニン
グすることができる。また、上記ウエハホルダ１２及び
半導体ウエハ１６の構成によって、半導体ウエハ１６
を、図１に示したように、恒温槽１１内に複数重ねて設
置することができ、より少ないスペースで多くの半導体
装置２１を同時にスクリーニングすることができる。
体ウエハ１６が構成されているので、従来のような共通
端子（パッド）を設けることなく、外部引出配線１５と
内部引出配線２２とを確実に接続することができる。従
って、スクリーニング時に、従来のような熱膨張による
接触不良がなく、確実に半導体装置２１をスクリーニン
グすることができる。また、上記ウエハホルダ１２及び
半導体ウエハ１６の構成によって、半導体ウエハ１６
を、図１に示したように、恒温槽１１内に複数重ねて設
置することができ、より少ないスペースで多くの半導体
装置２１を同時にスクリーニングすることができる。
【００３６】次に、以上のような構成のバーンイン装置
を使用して、上記したような構成の半導体ウエハ１６に
形成された半導体装置２１をスクリーニングする方法に
ついて説明する。初めに、半導体ウエハ１６に形成され
たスクリーニング対象である各半導体装置２１に対し
て、ショートチェック等を行い、スクリーニングの障害
となる不良品を検出する。このチェックで検出した半導
体装置２１は、ヒューズ３４をレーザ等で切断すること
によって、スクリーニング対象から外すことができる。
を使用して、上記したような構成の半導体ウエハ１６に
形成された半導体装置２１をスクリーニングする方法に
ついて説明する。初めに、半導体ウエハ１６に形成され
たスクリーニング対象である各半導体装置２１に対し
て、ショートチェック等を行い、スクリーニングの障害
となる不良品を検出する。このチェックで検出した半導
体装置２１は、ヒューズ３４をレーザ等で切断すること
によって、スクリーニング対象から外すことができる。
【００３７】次に、上記チェックを終了した半導体ウエ
ハ１６をウエハホルダ１２に装着し、上記したように、
ウエハホルダ１２の底板５１と固定板５７とを固定金具
５８で締め、電極板５５と内部引出配線２２とを圧着す
る。これによって、外部引出配線１５と半導体ウエハ１
６上の各半導体装置２１とが電気的に接続される。この
ように半導体ウエハ１６を固定したウエハホルダ１２を
複数スロット１３にセットし、搬送口１７から恒温槽１
１内へ搬送する。半導体ウエハ１６の恒温槽１１内への
搬送後、バーンインコントローラ１４は、バーンイン装
置の使用者等からの動作開始指示に応答して、予め提供
されたプログラム等に従って、恒温槽１１内を所定の温
度に設定する。
ハ１６をウエハホルダ１２に装着し、上記したように、
ウエハホルダ１２の底板５１と固定板５７とを固定金具
５８で締め、電極板５５と内部引出配線２２とを圧着す
る。これによって、外部引出配線１５と半導体ウエハ１
６上の各半導体装置２１とが電気的に接続される。この
ように半導体ウエハ１６を固定したウエハホルダ１２を
複数スロット１３にセットし、搬送口１７から恒温槽１
１内へ搬送する。半導体ウエハ１６の恒温槽１１内への
搬送後、バーンインコントローラ１４は、バーンイン装
置の使用者等からの動作開始指示に応答して、予め提供
されたプログラム等に従って、恒温槽１１内を所定の温
度に設定する。
【００３８】恒温槽１１内が所定温度になった後、バー
ンインコントローラ１４は、ゲート線４０を介して、各
半導体装置２１に形成されているスイッチングＴｒ３
７，１９，４１をオンする。そして、バーンインコント
ローラ１４は、電源線３１を介して、半導体装置２１の
回路を動作させるための電源を各半導体装置２１に供給
する。その後、バーンインコントローラ１４は、信号線
３３を介して、半導体装置２１の動作を試験するための
制御信号を各半導体装置２１に供給してスクリーニング
する。
ンインコントローラ１４は、ゲート線４０を介して、各
半導体装置２１に形成されているスイッチングＴｒ３
７，１９，４１をオンする。そして、バーンインコント
ローラ１４は、電源線３１を介して、半導体装置２１の
回路を動作させるための電源を各半導体装置２１に供給
する。その後、バーンインコントローラ１４は、信号線
３３を介して、半導体装置２１の動作を試験するための
制御信号を各半導体装置２１に供給してスクリーニング
する。
【００３９】複数のウエハホルダ１２にそれぞれ固定さ
れた半導体ウエハ１６の各半導体装置２１に所定の信号
が供給されてスクリーニングが終了すると、複数のウエ
ハホルダ１２は、恒温槽１１の搬送口１７から搬出され
る。そして、次のスクリーニング対象である半導体装置
２１が、上記と同様にしてスクリーニングされる。スク
リーニングによって正常であると判別された半導体装置
は、半導体ウエハのダイシング後、製品となる。
れた半導体ウエハ１６の各半導体装置２１に所定の信号
が供給されてスクリーニングが終了すると、複数のウエ
ハホルダ１２は、恒温槽１１の搬送口１７から搬出され
る。そして、次のスクリーニング対象である半導体装置
２１が、上記と同様にしてスクリーニングされる。スク
リーニングによって正常であると判別された半導体装置
は、半導体ウエハのダイシング後、製品となる。
【００４０】以上のように、半導体ウエハ１６の内部引
出配線２２と外部引出配線１５とを、ウエハホルダ１２
の電極板５５を半導体ウエハ１６に押圧することによっ
て、圧着させるので、従来のような熱膨張による接触不
良が起こりにくい。従って、半導体装置２１のスクリー
ニングを確実に行うことができる。また、半導体装置２
１を確実にスクリーニングできるので、半導体装置２１
の動作信頼性を向上することができる。さらに、電極板
５５を内部引出配線２２に圧着させるので、従来のよう
に、半導体ウエハ１６に共通端子（パッド）を形成する
必要がなく、製造工程を簡略化することができる。
出配線２２と外部引出配線１５とを、ウエハホルダ１２
の電極板５５を半導体ウエハ１６に押圧することによっ
て、圧着させるので、従来のような熱膨張による接触不
良が起こりにくい。従って、半導体装置２１のスクリー
ニングを確実に行うことができる。また、半導体装置２
１を確実にスクリーニングできるので、半導体装置２１
の動作信頼性を向上することができる。さらに、電極板
５５を内部引出配線２２に圧着させるので、従来のよう
に、半導体ウエハ１６に共通端子（パッド）を形成する
必要がなく、製造工程を簡略化することができる。
【００４１】また、内部引出配線２２は、圧着リング５
４に設置された電極板５５を介して、外部引出配線と接
続されるようになっているので、半導体ウエハ１６を重
ねた状態でスクリーニングすることができる。従って、
従来よりも少ないスペースでより多くの半導体装置２１
を同時にスクリーニングすることができる。
４に設置された電極板５５を介して、外部引出配線と接
続されるようになっているので、半導体ウエハ１６を重
ねた状態でスクリーニングすることができる。従って、
従来よりも少ないスペースでより多くの半導体装置２１
を同時にスクリーニングすることができる。
【００４２】次に、本発明の第２の実施の形態にかかる
半導体ウエハについて図面を参照して説明する。第２の
実施の形態にかかる半導体ウエハは、第１の実施の形態
で示した半導体ウエハ１６とほぼ同一の構成であるが、
内部引出配線２２の半導体ウエハ１６周縁部での構成が
異なる。具体的には、図５に示すように、半導体ウエハ
１６の周縁部では、各配線の間隔が中央部よりも広がる
ように形成されている。
半導体ウエハについて図面を参照して説明する。第２の
実施の形態にかかる半導体ウエハは、第１の実施の形態
で示した半導体ウエハ１６とほぼ同一の構成であるが、
内部引出配線２２の半導体ウエハ１６周縁部での構成が
異なる。具体的には、図５に示すように、半導体ウエハ
１６の周縁部では、各配線の間隔が中央部よりも広がる
ように形成されている。
【００４３】以上のような半導体ウエハ１６の構成変化
に伴い、ウエハホルダ１２の電極板５５は、上記内部引
出配線２２の各配線に対応するように、圧着リング５４
に設置されている。電極板５５は、内部引出配線２２の
間隔が広い場合、例えば図５に示すように、１組の内部
引出配線２２にではなく、１本の配線に対応するように
形成される。なお、電極板５５が１本の配線に対応して
いる場合は、内部引出配線２２の同じ側に設けられ、同
種の内部引出配線２２に接触する電極板５５同士が共通
配線５６によって互いに接続される。例えば、内部引出
配線２２の電源線３７に接触する電極板５５同士が共通
配線５６によって互いに接続され、信号線３９に接触す
る電極板５５同士が他の共通配線５６によって互いに接
続される。
に伴い、ウエハホルダ１２の電極板５５は、上記内部引
出配線２２の各配線に対応するように、圧着リング５４
に設置されている。電極板５５は、内部引出配線２２の
間隔が広い場合、例えば図５に示すように、１組の内部
引出配線２２にではなく、１本の配線に対応するように
形成される。なお、電極板５５が１本の配線に対応して
いる場合は、内部引出配線２２の同じ側に設けられ、同
種の内部引出配線２２に接触する電極板５５同士が共通
配線５６によって互いに接続される。例えば、内部引出
配線２２の電源線３７に接触する電極板５５同士が共通
配線５６によって互いに接続され、信号線３９に接触す
る電極板５５同士が他の共通配線５６によって互いに接
続される。
【００４４】上記以外の半導体ウエハ１６及びバーンイ
ン装置の構成は、第１の実施の形態と同様である。ま
た、半導体装置２１のスクリーニング方法も、第１の実
施の形態と実質的に同一である。以上のように、内部引
出配線２２の間隔を、半導体ウエハ１６の周縁部で中央
部よりも広げることによって、内部引出配線２２と電極
板５５の位置合わせに対するマージンが大きくなり、半
導体ウエハ１６のウエハホルダ１２への装着が容易にな
る。
ン装置の構成は、第１の実施の形態と同様である。ま
た、半導体装置２１のスクリーニング方法も、第１の実
施の形態と実質的に同一である。以上のように、内部引
出配線２２の間隔を、半導体ウエハ１６の周縁部で中央
部よりも広げることによって、内部引出配線２２と電極
板５５の位置合わせに対するマージンが大きくなり、半
導体ウエハ１６のウエハホルダ１２への装着が容易にな
る。
【００４５】なお、第１及び第２の実施の形態で示した
ウエハホルダ１２では、電極板５５を内部引出配線２２
に圧着することができれば、上記実施の形態で示した以
外の構成でもよい。例えば、固定金具５８のようなもの
で底板５１及び圧着リング５４を挟むだけでもよい。ま
た、内部引出配線２２に対応するように、半導体ウエハ
１６を挟んで保持する洗濯バサミのようなクリップをリ
ング状のものに設け、さらに、このクリップの片側に電
極板５５を設けてもよい。このようにすれば、クリップ
で半導体ウエハ１６を保持すると共に、電極板５５を内
部引出配線２２に圧着させることができる。
ウエハホルダ１２では、電極板５５を内部引出配線２２
に圧着することができれば、上記実施の形態で示した以
外の構成でもよい。例えば、固定金具５８のようなもの
で底板５１及び圧着リング５４を挟むだけでもよい。ま
た、内部引出配線２２に対応するように、半導体ウエハ
１６を挟んで保持する洗濯バサミのようなクリップをリ
ング状のものに設け、さらに、このクリップの片側に電
極板５５を設けてもよい。このようにすれば、クリップ
で半導体ウエハ１６を保持すると共に、電極板５５を内
部引出配線２２に圧着させることができる。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によって、半導体ウエハに形成される配線のパターンが
簡単になり、配線の形成工程を簡単にすることができ
る。また、半導体ウエハの配線に電極を圧着しているの
で、スクリーニング時の加熱によって生じる熱膨張等の
影響を受けにくく、バーンイン装置と半導体ウエハとの
接触不良が起こりにくい。また、電極を半導体ウエハに
形成された配線の両端部に対応するように設けているの
で、半導体ウエハをスクリーニングする際に、配線の接
続を容易にチェックすることができる。従って、半導体
装置を確実にスクリーニングすることができ、製品とな
る半導体装置の動作信頼性を向上することができる。
によって、半導体ウエハに形成される配線のパターンが
簡単になり、配線の形成工程を簡単にすることができ
る。また、半導体ウエハの配線に電極を圧着しているの
で、スクリーニング時の加熱によって生じる熱膨張等の
影響を受けにくく、バーンイン装置と半導体ウエハとの
接触不良が起こりにくい。また、電極を半導体ウエハに
形成された配線の両端部に対応するように設けているの
で、半導体ウエハをスクリーニングする際に、配線の接
続を容易にチェックすることができる。従って、半導体
装置を確実にスクリーニングすることができ、製品とな
る半導体装置の動作信頼性を向上することができる。
【００４７】さらに、本発明によれば、複数の半導体ウ
エハを保持して加熱することができる。従って、従来よ
りもたくさんの半導体装置を効率よく同時にスクリーニ
ングすることができる。
エハを保持して加熱することができる。従って、従来よ
りもたくさんの半導体装置を効率よく同時にスクリーニ
ングすることができる。
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体ウエハを、バ
ーンイン装置を使用してスクリーニングしている状態を
示す図である。
ーンイン装置を使用してスクリーニングしている状態を
示す図である。
【図２】半導体ウエハをウエハホルダに装着した状態を
示す図である。
示す図である。
【図３】（ａ）は、第１の実施の形態にかかる半導体ウ
エハの全体構成を示す図である。（ｂ）は、半導体ウエ
ハに形成された半導体装置とバーンイン制御装置との接
続部分の構成を示す図である。
エハの全体構成を示す図である。（ｂ）は、半導体ウエ
ハに形成された半導体装置とバーンイン制御装置との接
続部分の構成を示す図である。
【図４】（ａ）は、第１の実施の形態にかかるウエハホ
ルダの構成を示す平面図である。（ｂ）は、（ａ）のＢ
−Ｂ’断面図である。（ｃ）は、半導体ウエハとウエハ
ホルダの電極板との接続部分の構成を示す図である。
ルダの構成を示す平面図である。（ｂ）は、（ａ）のＢ
−Ｂ’断面図である。（ｃ）は、半導体ウエハとウエハ
ホルダの電極板との接続部分の構成を示す図である。
【図５】第２の実施の形態にかかる半導体ウエハとウエ
ハホルダの構成を示す図である。
ハホルダの構成を示す図である。
【図６】（ａ）は、従来の半導体ウエハの構成例を示す
図である。（ｂ）は、従来の半導体ウエハに形成された
半導体装置をスクリーニングしている例を示す図であ
る。
図である。（ｂ）は、従来の半導体ウエハに形成された
半導体装置をスクリーニングしている例を示す図であ
る。
【図７】従来のバーンイン装置内に半導体ウエハを設置
した例を示す図である。
した例を示す図である。
１１ 恒温槽 １２ ウエハホルダ １３ スロット １４ バーンインコントローラ １５ 外部引出配線 １６ 半導体ウエハ １７ 搬送口 ２１ 半導体装置 ２２ 内部引出配線 ２３ バーンイン制御装置 ３１ 電源線 ３２ ＧＮＤ（グランド）線 ３３ 信号線 ３４ ゲート線 ３５ 保護ダイオード ３６ 保護抵抗 ３７ スイッチングＴｒ（トランジスタ） ３８ パッド ３９ スイッチングＴｒ（トランジスタ） ４０ パッド ４１ スイッチングＴｒ（トランジスタ） ４２ パッド ４３ ヒューズ ４４ ダイオード ４５ ダイオード ４６ ダイオード ５１ 底板 ５２ 真空チャック ５３ 排気口 ５４ 圧着リング ５５ 電極板 ５６ 共通配線 ５７ 固定板 ５８ 固定金具 ５９ 圧着電極
Claims (10)
- 【請求項１】複数の半導体ウエハに形成された半導体装
置をスクリーニングするための信号を生成する信号生成
手段と、 前記信号生成手段によって生成された信号を半導体装置
に供給するために、前記信号生成手段と半導体ウエハの
半導体装置とを電気的に接続する複数の接続手段と、 複数の半導体ウエハを同時に保持する保持手段と、 前記保持手段によって保持された複数の半導体ウエハを
所定温度に加熱してスクリーニングするスクリーニング
手段と、 から構成されることを特徴とするバーンイン装置。 - 【請求項２】前記接続手段は、 半導体ウエハの周縁部に形成された配線に接触する複数
の電極と、 前記電極を半導体ウエハに押圧して、該電極を半導体ウ
エハに形成された配線に圧着させる圧着手段と、 を備えることを特徴とする請求項１に記載のバーンイン
装置。 - 【請求項３】前記圧着手段は、 半導体ウエハを吸着して固定する底板と、 前記底板と共に前記電極に圧力をかけ、該電極を半導体
ウエハの周縁部に形成された配線に圧着させる固定板
と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載のバーンイン
装置。 - 【請求項４】周縁部にスクリーニング用の配線を形成さ
れた半導体ウエハの半導体装置をスクリーニングするバ
ーンイン装置であって、 半導体装置をスクリーニングするための信号を生成する
信号生成手段と、 半導体ウエハの周縁部に形成された配線に対応するよう
に設けられた複数の電極を備え、半導体ウエハを保持
し、該電極を半導体ウエハの周縁部に形成された配線に
接続する保持手段と、 前記信号生成手段によって生成された信号を半導体装置
に供給してスクリーニングするスクリーニング手段と、 から構成されることを特徴とするバーンイン装置。 - 【請求項５】前記保持手段は、 半導体ウエハを吸着して固定する底板と、 前記底板と共に前記電極に圧力をかけ、該電極を半導体
ウエハの周縁部に形成された配線に圧着させる固定板
と、 を備えることを特徴とする請求項４に記載のバーンイン
装置。 - 【請求項６】複数の前記電極は、半導体ウエハに格子状
に並んで形成された半導体装置間に、互いに平行になる
ように形成された複数の配線の両端部に対応するよう
に、設けられている、ことを特徴とする請求項２乃至５
の何れか１項に記載のバーンイン装置。 - 【請求項７】複数の前記電極の内、半導体ウエハ上に、
互いに平行になるように形成された複数の配線の同じ側
に接触する電極は、互いに配線で接続され、その内の１
つの電極は、前記信号生成手段に接続される、ことを特
徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載のバーンイ
ン装置。 - 【請求項８】装置形成領域に、格子状に並んで形成され
た複数の半導体装置と、 外部装置から前記半導体装置に所定の信号を供給するた
めに、装置形成領域と、装置形成領域の周辺領域とに形
成され、装置形成領域では前記半導体装置間に、互いに
平行となるように一直線に形成された複数の配線と、 から構成されていることを特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項９】前記配線は、装置形成領域から周縁領域ま
で一直線となるように形成されている、ことを特徴とす
る請求項８に記載の半導体ウエハ。 - 【請求項１０】前記配線は、互いの間隔が、装置形成領
域よりも周辺領域の方が広がるように形成されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエハ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068250A JP2000269278A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | バーンイン装置及び半導体ウエハ |
| US09/525,766 US6459285B1 (en) | 1999-03-15 | 2000-03-14 | Burn-in apparatus for screening plurality of semiconductor devices |
| US10/212,786 US20020186032A1 (en) | 1999-03-15 | 2002-08-07 | Burn-in apparatus and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11068250A JP2000269278A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | バーンイン装置及び半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269278A true JP2000269278A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13368337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11068250A Pending JP2000269278A (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | バーンイン装置及び半導体ウエハ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6459285B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000269278A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007065606A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置，その検査方法および有機電界発光表示装置の母基板 |
| US8570056B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-10-29 | Nec Corporation | Semiconductor inspection apparatus, semiconductor wafer positioning method, and semiconductor wafer inspection method |
| WO2022190182A1 (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | キオクシア株式会社 | ウェハ及びプローバ |
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| JP4001555B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2007-10-31 | 沖電気工業株式会社 | ウエハハンドリングチェッカー |
| EP1724598A1 (en) * | 2004-03-12 | 2006-11-22 | Advantest Corporation | Semiconductor device test equipment and device interface board |
| JP5618662B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2014-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の特性測定方法および半導体装置の製造方法 |
| US10101382B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for dynamic Rdson measurement |
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| JPS63124443A (ja) | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US4968931A (en) * | 1989-11-03 | 1990-11-06 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for burning in integrated circuit wafers |
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| JPH05121502A (ja) | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Matsushita Electron Corp | 半導体基板装置および半導体装置の検査方法 |
| JPH065677A (ja) | 1992-06-18 | 1994-01-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
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| US5898186A (en) * | 1996-09-13 | 1999-04-27 | Micron Technology, Inc. | Reduced terminal testing system |
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-
1999
- 1999-03-15 JP JP11068250A patent/JP2000269278A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-14 US US09/525,766 patent/US6459285B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-08-07 US US10/212,786 patent/US20020186032A1/en not_active Abandoned
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| JP2007065606A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置，その検査方法および有機電界発光表示装置の母基板 |
| US8570056B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-10-29 | Nec Corporation | Semiconductor inspection apparatus, semiconductor wafer positioning method, and semiconductor wafer inspection method |
| WO2022190182A1 (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | キオクシア株式会社 | ウェハ及びプローバ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020186032A1 (en) | 2002-12-12 |
| US6459285B1 (en) | 2002-10-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040514 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040818 |