JP2000232141A

JP2000232141A - 半導体パッケージ用基板の導通検査方法

Info

Publication number: JP2000232141A
Application number: JP11034141A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Haraguchi; 昭彦原口; Tatsuo Shinoda; 龍男篠田
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1999-02-12
Filing date: 1999-02-12
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】静電容量センサを用いてめっき用引出し線を
迅速に、かつ高精度に安価な装置で断線検出が可能な半
導体パッケージ用基板の導通検査方法を提供する。【解決手段】それぞれの導体リード１２にめっき用引
出し線１３を有する導体回路パターン１５のめっき用引
出し線１３の導通を検査する半導体パッケージ用基板１
０の導通検査方法であって、めっき用引出し線１３に絶
縁物を介して静電容量センサ３０を接近させ、導体リー
ド１２のそれぞれに接触型プローブ４０を接触させ、静
電容量センサ３０と接触型プローブ４０との間に電圧を
印可して、静電容量センサ側に生じる電流又は電圧の変
化から、めっき用引出し線１３の断線を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
する半導体パッケージ用基板に設けられた導体回路パタ
ーンの導通検査方法に関し、特に導体回路パターンに設
けためっき用引出し線の導通状態を検査する半導体パッ
ケージ用基板の導通検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体パッケージ用基板は半導体
素子を搭載する素子搭載部の周囲に複数の導体リードを
設けて、半導体素子の端子と導体リードとをボンディン
グワイヤにより接続している。例えば図２、図４に示す
ように、半導体素子を搭載する半導体パッケージ用基板
１０は、絶縁基板１１の表側に素子搭載部１１Ａと、そ
の周囲に設けた複数の導体リード１２と、導体リード１
２にそれぞれ連結されためっき用引出し線１３と、各め
っき用引出し線１３に接続する枠型の共通リード１４と
を有する導体回路パターン１５を設けている。導体リー
ド１２の内側端部にはそれぞれワイヤボンディングパッ
ド１６を設け、外側端部にはスルーホール１７を介して
絶縁基板１１の裏側に外部基板との接続を行うための接
続パッド１８を形成している。ワイヤボンディングパッ
ド１６及び接続パッド１８は露出させ、それ以外の表裏
面には絶縁物からなるソルダーレジスト１９を被覆して
いる。なお、共通リード１４の一部はソルダーレジスト
１９を除去して、電解めっきするときの導通部１４Ａと
してあり、導通部１４Ａから電流を流すことにより、ワ
イヤボンディングパッド１６、接続パッド１８に金等の
耐蝕性金属をめっきすることを可能にしている。

【０００３】図４に示すように、導体回路パターン１５
の導通を検査する場合、導体リード１２については、例
えばワイヤボンディングパッド１６と接続パッド１８に
それぞれ接触型のプローブ２１０、２２０を接触させ
て、両方のプローブ２１０、２２０に直流電源２３０に
より直流電圧を印可し、ワイヤボンディングパッド１６
と接続パッド１８の間の導体リード１２の抵抗値を検査
器２４０によって検出し、正常な導体リードの抵抗値と
比較して正常か否かの判定をしている。めっき用引出し
線１３については、めっき用引出し線１３がソルダーレ
ジスト１９によって被覆されているために、プローブ２
１０をめっき用引出し線１３に接触させても導通検査は
できない。目視による検査も可能であるが、人の目には
限界があり、人手が多くかかると共に断線を見逃すこと
があるので大量生産には適していない。

【０００４】それで、図２のＸ部を拡大して示すよう
に、例えば検査するめっき用引出し線１３の対象の一つ
をめっき用引出し線１３Ａとすると、プローブ２２０を
めっき用引出し線１３Ａに接続している導体リード１２
Ａの接続パッド１８Ａに接触させ、プローブ２１０をめ
っき用引出し線１３Ａの隣のめっき用引出し線１３Ｂに
接続している導体リード１２Ｂの接続パッド１８Ｂに接
触させ、接続パッド１８Ａからめっき用引出し線１３
Ａ、共通リード１４、めっき用引出し線１３Ｂを通り、
接続パッド１８Ｂに至る導電路Ｐ１に通電してその間の
導通を検査する。ここで、導通が得られれば導電路Ｐ１
に断線がないと判断されるが、導通が得られなければ、
導電路Ｐ１のどの部分に断線があるのか判定できない。
それで、プローブ２１０をめっき用引出し線１３Ｂの隣
のめっき用引出し線１３Ｃに接続している導体リード１
２Ｃの接続パッド１８Ｃに接触させ、接続パッド１８Ａ
からめっき用引出し線１３Ａ、共通リード１４、めっき
用引出し線１３Ｃを通り、接続パッド１８Ｃに至る導電
路Ｐ２に通電してその間の導通を検査する。ここで、導
通が得られればめっき用引出し線１３Ｂに断線があると
判定できる。しかし、ここでも導通が得られなければ、
導電路Ｐ２のどの部分に断線があるのか判定できない。
それでプローブ２２０をめっき用引出し線１３Ｂに接触
させて、接続パッド１８Ｂからめっき用引出し線１３
Ｂ、共通リード１４、めっき用引出し線１３Ｃを通り、
接続パッド１８Ｃに至る導電路Ｐ３に通電してその間の
導通を検査する。ここで、導通が得られればめっき用引
出し線１３Ａに断線があると判定できる。このようにし
て、検査の対象となるめっき用引出し線１３に接続され
た接続パッドと、他の少なくとも２個の接続パッドとの
導通を順次検査することにより、めっき用引出し線１３
の断線の位置を検査している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、めっき用引出し線１３を数１０本配列し
た導体回路パターン１５を検査するとき、１本のめっき
用引出し線１３について数回の導通検査が必要であり、
その都度、断線の判定をするので、多くの時間がかか
る。また、接続パッド１８に接続させる二つのプローブ
２１０、２２０の位置情報も断線の判定に必要であり、
断線の判定はコンピュータによって行うにしても、プロ
グラムが複雑となり、断線検査装置が高価となるという
問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、静電容量センサを用いてめっき用引出し線を
迅速に、かつ高精度に安価な装置で断線検出が可能な半
導体パッケージ用基板の導通検査方法を提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記目的に沿う本発明に
係る半導体パッケージ用基板の導通測定方法は、それぞ
れの導体リードにめっき用引出し線を有する導体回路パ
ターンのめっき用引出し線の導通を検査する半導体パッ
ケージ用基板の導通検査方法であって、めっき用引出し
線に絶縁物を介して静電容量センサを接近させ、導体リ
ードのそれぞれに接触型プローブを接触させ、静電容量
センサと接触型プローブとの間に電圧を印可して、静電
容量センサ側に生じる電流又は電圧の変化から、めっき
用引出し線の断線を検出する。このような方法により、
めっき用引出し線を覆う絶縁物の上に接近させた静電容
量センサと導体リードのワイヤボンディングパッド又は
接続パッドに接触させた接触型プローブとの間に電圧を
印可することにより、静電容量センサと接触型プローブ
との間に生じる結合静電容量に応じた充電電流が瞬時に
静電容量センサに流れる。

【０００７】したがって、めっき用引出し線が断線して
いないとき、すなわち正常のときは静電容量センサにめ
っき用引出し線が絶縁物を介して対面するときに生じる
結合静電容量の大きさに応じた充電電流が流れる。一
方、めっき用引出し線が断線しているときは、正常のと
きの結合静電容量と断線により生じる空隙による静電容
量が直列に接続されたときの結合静電容量はめっき用引
出し線が正常のときの結合静電容量より小さく、正常の
ときに流れる充電電流よりも小さい充電電流が瞬時に静
電容量センサに流れる。このように、正常のときと断線
したときの充電電流の大きさが違うので、めっき用引出
し線にソルダーレジストなどの絶縁物が皮膜として覆っ
ていても、充電電流の大きさから、めっき用引出し線が
断線しているか否かを判別することが可能である。しか
も、充電電流は満充電になるまで瞬時に流れるので、検
査箇所１点当たりの検査時間を極めて短くすることがで
きる。

【０００８】ここで、電流又は電圧の変化は、正常の状
態の導体回路パターンの測定値と比較することによって
検知してもよい。この場合、めっき用引出し線が断線し
ていないときに測定した充電電流の電圧値を基準電圧と
して設定し、各めっき用引出し線について静電容量セン
サによって充電電流の電圧を基準電圧と比較検査するこ
とにより、高い精度で断線を検出することが可能であ
る。また、静電容量センサと接触型プローブとの間に加
える電圧は直流電圧でもよい。この場合、静電容量セン
サの充電電流を検査する検査装置の電源回路を簡単でコ
ストを安く構成することができる。また、静電容量セン
サと接触型プローブとの間に加える電圧は交流電圧でも
よい。この場合、交流電圧で、充電電流の電圧波形が連
続して検出できるので、正常状態の振幅より小さい振幅
の断線状態を示す電圧波形をオッシログラフ等によって
明確に観察することが可能である。

【０００９】

【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図１は、本発明の一実施の
形態に係る半導体パッケージ用基板の導通検査方法で使
用する検査装置を示す構成図、図２は同半導体パッケー
ジ用基板の導通検査方法で使用する半導体パッケージ用
基板を示す平面図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半
導体パッケージ用基板の導通検査方法で直流電圧を印加
したときに得られた入力電圧波形、及び交流電圧を印可
したときに得られた入力電圧波形を示すグラフである。

【００１０】本発明の一実施の形態に係る半導体パッケ
ージ用基板の導通検査方法の対象とする半導体パッケー
ジ用基板は、従来例の説明で図２、図４に基づいて説明
した構成と同一の半導体パッケージ用基板１０を用い、
従来例と同一構成要素については同一符号を付して簡単
に説明する。すなわち、半導体パッケージ用基板１０は
絶縁基板１１に複数の導体リード１２と、導体リード１
２にそれぞれ連結されためっき用引出し線１３と、めっ
き用引出し線１３に接続する共通リード１４と、共通リ
ード１４の一部を露出させた導通部１４Ａとを有する導
体回路パターン１５を設けている。導体リード１２の内
側端部にはそれぞれ露出したワイヤボンディングパッド
１６を設け、外側端部にはスルーホール１７を介してＢ
ＧＡによって形成した接続パッド１８を形成し、ワイヤ
ボンディングパッド１６及び接続パッド１８以外の表面
には絶縁物からなるソルダーレジスト１９を被覆してい
る。

【００１１】図１に示すように、半導体パッケージ用基
板１０の導通検査方法に用いる検査装置２０は、非接触
型の静電容量センサ３０と導体に接触させる接触型プロ
ーブ４０とを設けている。静電容量センサ３０は被測定
導体に接近させることにより、絶縁物からなるケース３
１の内部に設けているセンサ導体３２との結合静電容量
を生じるようにしている。なお、静電容量センサ３０は
センサ導体３２をケース３１の先端から内側に間隔を有
して設け、被測定導体にケース３１の先端を接触させて
も、直接センサ導体３２と被測定導体とは接触せず、セ
ンサ導体３２と被測定導体との距離が一定になるように
している。静電容量センサ３０にはアンプ５０を接続し
て、静電容量センサ３０に流れる充電電流を増幅し、ア
ンプ５０に接続する検査器６０によって静電容量センサ
３０に流れた充電電流の電圧のピークをホールド（記
憶）し、設定した電圧レベルと比較するようにしてい
る。接触型プローブ４０には直流電圧を印可する直流電
源７０をスイッチ７１を介して接続している。

【００１２】ここで、図１及び図２を参照して、半導体
パッケージ用基板１０に設けた導体回路パターン１５の
内、接続パッド１８と共通リード１４との間に設けため
っき用引出し線１３の導通検査方法について説明する。
先ず、半導体パッケージ用基板１０に複数設けた導体リ
ード１２の内の１個の導体リード１２Ａの接続パッド１
８Ａに接触型プローブ４０を接触させる。次に、その接
続パッド１８Ａに接続されるめっき用引出し線１３Ａの
共通リード１４との接合部分にソルダーレジスト１９の
上から静電容量センサ３０を接近させる。このとき、ケ
ース３１の先端を厚さＬ１のソルダーレジスト１９の表
面に接触させることにより、ソルダーレジスト１９の表
面とセンサ導体３２との距離Ｌ０が一定となり、静電容
量センサ３０の結合静電容量Ｃ（Ｃ＝εＳ／Ｌ、但しε
は誘電率、Ｓはセンサ導体３２の面積、Ｌは導体間の距
離）の大きさを決める要素となる導体間の距離Ｌ（セン
サ導体３２とめっき用引出し線１３Ａとの間の距離）は
Ｌ０＋Ｌ１となる。そして、スイッチ７１を閉じると、
静電容量センサ３０と接触型プローブ４０との間に直流
電源７０によって直流の印加電圧Ｅが印可され、静電容
量センサ３０の結合静電容量Ｃが満充電の状態になるま
で充電電流ｉが流れる。

【００１３】このときの電荷ｑと充電電流ｉとアンプ５
０の入力電圧Ｖの時間的変化は、ステップ応答によっ
て、ｑ（ｔ）＝ＣＥ（１−ｅ^-(t/CR) ）ｉ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）・ｅ^-(t/CR) Ｖ（ｔ）＝（Ｒ０／Ｒ）Ｅ・ｅ^-(t/CR) で表される。但し、ｔは時間、Ｒ０は検査器６０の内部
抵抗、ＲはＲ０を含み充電電流ｉが流れる部分の全抵抗
である。電荷ｑは指数関数的に一定値（ＣＥ）まで増加
し、電流ｉはピーク電流（Ｅ／Ｒ）から、入力電圧Ｖは
ピーク電圧（Ｒ０／Ｒ）Ｅからそれぞれ指数関数的に減
少する。それで、充電電流ｉをアンプ５０で増幅し、検
査器６０で充電電流ｉに対応する入力電圧Ｖを検出し、
図３（Ａ）に示すように、予め正常のめっき用引出し線
を検査して得たときの設定電圧レベルＶ０と比較する。
なお、検査している充電電流ｉを直接測定して正常時の
充電電流の測定値と比較するようにしてめっき用引出し
線１３Ａの断線を検査してもよい。

【００１４】めっき用引出し線１３Ａの中間部で断線部
Ｋがあると、断線部Ｋに隙間Ｌ２ができ、導体間距離Ｌ
＝Ｌ０＋Ｌ１＋Ｌ２となり、このときの結合静電容量Ｃ
１は正常のときの結合静電容量Ｃより小さくなるので、
充電される電荷ｑ、充電電流ｉと共に入力電圧Ｖも低く
なり、設定電圧レベルＶ０と比較するとその差が大きく
なり、断線状態であると判定できる。このようにして、
１個のめっき用引出し線１３Ａの検査が終わったら次の
めっき用引出し線１３Ｂの検査に移る。このとき、接触
型プローブ４０及び静電容量センサ３０を自動機械装置
により導体リード１２Ｂの接続パッド１８Ｂに接触型プ
ローブ４０を接触させ、めっき用引出し線１３Ｂの共通
リード１４との接合部分にソルダーレジスト１９の上か
ら静電容量センサ３０を接近させて断線を検査し、順次
全てのめっき用引出し線１３の断線検査の結果をコンピ
ュータに記憶し、集計などの処理する。このような方法
によって検査時間が短縮され、大量の半導体パッケージ
用基板１０のめっき用引出し線１３の検査が可能とな
る。

【００１５】ワイヤボンディングパッド１６と接続パッ
ド１８との間の導体リード１２及びスルーホール１７の
導通検査をするときは、めっき用引出し線１３の検査方
法と同様に、接続パッド１８に接触型プローブ４０を接
触させる。次に、図１に二点鎖線で示すように、ケース
３１の先端をワイヤボンディングパッド１６に接触させ
ることにより静電容量センサ３０のセンサ導体３２を接
近させる。この状態でスイッチ７１を閉じて直流電圧を
印可し、静電容量センサ３０に流れる充電電流を検出
し、その充電電流に対応する入力電圧と予め設定した設
定電圧レベルとを比較する。導体リード１２及びスルー
ホール１７のいずれかが断線していると、静電容量セン
サ３０の静電容量が低下するので、充電される電荷、充
電電流と共に入力電圧も低くなり、設定電圧レベルと比
較するとその差が大きくなり、断線状態であると判定で
きる。なお、導体リード１２及びスルーホール１７の検
査をするときは、ソルダーレジスト１９がワイヤボンデ
ィングパッド１６を覆っていないので、めっき用引出し
線１３の検査をするときより、ソルダーレジスト１９の
厚さだけ導体リード１２とセンサ導体３２との間の導体
間距離が短くなり、導体リード１２及びスルーホール１
７の検査をするときの設定電圧レベルはめっき用引出し
線１３の検査をするときより高くなる。

【００１６】

【実施例】このような半導体パッケージ用基板の導通検
査方法により、めっき用引出し線１３の導通検査を図２
に示した半導体パッケージ用基板１０について行った。
使用した検査装置２０は、直流電源７０による印加電圧
を５０〜２００Ｖの範囲に設定できるもので、アンプ５
０への入力電圧の基準電圧が０．００５〜１Ｖで、測定
範囲は印加電圧を５０Ｖにしたとき、３４〜８０ｄＢ、
１００Ｖにしたとき４０〜８６ｄＢ、２００Ｖにしたと
き４６〜９２ｄＢとなる。判定基準範囲は上限値が基準
値＋１．０〜＋６．０ｄＢ、下限値が基準値−１．０〜
−２０ｄＢ、検査時間は１点当たり２００μＳである。
ただし、この場合、判定基準値を厳しくして−５．０〜
＋６．０ｄＢの範囲を良品とした。良品の半導体パッケ
ージ用基板１０を３０枚サンプルとして使い、６個の導
体回路パターン１５のそれぞれのめっき用引出し線１３
の３０７本について導通検査を行った。その結果、めっ
き用引出し線１３の測定値のばらつきは、基準値からの
標準偏差の最大値が０．６２〜１．２９ｄＢの範囲に入
り、判定基準値の−５．０〜＋６．０ｄＢの範囲に十分
入った。これに対し、めっき用引出し線１３が断線して
いる不良品３０枚をサンプルとして同様の測定を行った
ところ、めっき用引出し線１３の測定値のばらつきは、
基準値からの標準偏差の最大値が−２４ｄＢ未満の電圧
しか検出できず、下限の判定基準値である−５．０ｄＢ
を大きく下回り、断線不良箇所を正確に検出することが
できた。

【００１７】なお、導体リード１２及びスルーホール１
７の導通検査も行ったが、良品については測定値のばら
つきは、基準値からの標準偏差の最大値が０．１２〜
０．９０ｄＢの範囲に入り、判定基準値の−５．０〜＋
６．０ｄＢの範囲に十分入った。不良品についてはめっ
き用引出し線１３の場合と同様の結果となった。なお、
めっき用引出し線１３の測定値のばらつきが導体リード
１２及びスルーホール１７の測定値より大きいのは、め
っき用引出し線１３とセンサ導体３２との間の距離が大
きいためと考えられる。

【００１８】前記実施の形態に係る半導体パッケージ用
基板の導通検査方法では、静電容量センサ３０と接触型
プローブ４０との間に直流電圧を印可した例について説
明したが、静電容量センサ３０と接触型プローブ４０と
の間に加える電圧は直流電圧の代わりに、交流電圧を使
用し、特に高周波電圧を印加するようにしてもよい。こ
の場合、最適な高周波電圧の周波数は、導体回路パター
ン１５のインダクタンスや静電容量センサ３０の結合静
電容量などから求められる周波数応答の特性によって決
められるが、導体回路パターン１５の形状が単純でイン
ダクタンスも小さく、静電容量センサ３０の導体センサ
３２の面積も小さく０．１〜４ｍｍ² 程度であるので、
例えば５〜１０メガヘルツ程度にすることが望ましい。
図３（Ｂ）に示すように、静電容量センサ３０に発生す
る電圧Ｖ_H の波形は、静電容量センサ３０によって形成
される結合静電容量の大きさに応じた振幅の連続した高
周波波形となり、断線したときの振幅は正常の場合の振
幅より小さくなり、断線検出が容易となる。また、断線
状態を示す電圧波形がスイッチ７１がＯＮの間、連続し
て検出できるので、オッシログラフ等によって波形観察
をするときに便利である。

【００１９】前記実施の形態に係る半導体パッケージ用
基板の導通検査方法では、めっき用引出し線１３の導通
検査をするときに、接触型プローブ４０を接続パッド１
８に接触させ、静電容量センサ３０をめっき用引出し線
１３に接近させた例について説明したが、接触型プロー
ブ４０をワイヤボンディングパッド１６に接触させ、静
電容量センサ３０はそのままめっき用引出し線１３に接
近させ、ワイヤボンディングパッド１６を介して静電容
量センサ３０と接触型プローブ４０との間に電圧を印可
してめっき用引出し線１３の導通検査をしてもよい。

【００２０】

【発明の効果】請求項１〜４項記載の半導体パッケージ
用基板の導通検査方法においては、めっき用引出し線に
絶縁物を介して静電容量センサを接近させ、導体リード
のそれぞれに接触型プローブを接触させ、静電容量セン
サと接触型プローブとの間に電圧を印可して、静電容量
センサ側に生じる電流又は電圧の変化から、めっき用引
出し線の断線を検出する。したがって、直接、静電容量
センサをソルダーレジストなどの絶縁物の皮膜の上から
検査対象とするめっき用引出し線に接近させて、静電容
量センサと接触型プローブとの間に生じる結合静電容量
に応じた充電電流を測定し、他のめっき用引出し線の測
定結果と関係なく断線を検査することができ、複雑なコ
ンピュータによる導通の判断をする必要がなく、極めて
安価で迅速な高精度の断線検査が可能である。

【００２１】特に、請求項２記載の半導体パッケージ用
基板の導通検査方法においては、電流又は電圧の変化
は、正常の状態の導体回路パターンの測定値と比較す
る。めっき用引出し線が断線しているときは、めっき用
引出し線が正常のときの静電容量センサの結合静電容量
より小さい結合静電容量に応じた充電電流が瞬時に流れ
るので、充電電流又は充電電流に応じた電圧を正常のと
きの測定値と比較することにより、正確に断線を検出す
ることが可能である。請求項３記載の半導体パッケージ
用基板の導通検査方法においては、静電容量センサと接
触型プローブとの間に加える電圧は直流電圧にしている
ので、検査装置の電源回路を簡単でコストを安く構成す
ることができる。請求項４記載の半導体パッケージ用基
板の導通検査方法においては、静電容量センサと接触型
プローブとの間に加える電圧は交流電圧にしているの
で、断線状態を示す電圧波形を連続して検出することが
でき、オッシログラフによって波形観察をするとき等に
便利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ
用基板の導通検査方法で使用する検査装置を示す構成図
である。

【図２】同半導体パッケージ用基板の導通検査方法で使
用する半導体パッケージ用基板を示す平面図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体パッケージ
用基板の導通検査方法で直流電圧を印加したときに得ら
れた入力電圧波形、及び交流電圧を印可したときに得ら
れた入力電圧波形を示すグラフである。

【図４】従来例の半導体パッケージ用基板の導通検査方
法で使用する検査装置を示す構成図である。

【符号の説明】

１０：半導体パッケージ用基板、１１：絶縁基板、１１
Ａ：素子搭載部、１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ：導体
リード、１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ：めっき用引出
し線、１４：共通リード、１４Ａ：導通部、１５：導体
回路パターン、１６：ワイヤボンディングパッド、１
７：スルーホール、１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ：接
続パッド、１９：ソルダーレジスト、２０：検査装置、
３０：静電容量センサ、３１：ケース、３２：センサ導
体、４０：接触型プローブ、５０：アンプ、６０：検査
器、７０：直流電源、７１：スイッチ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれの導体リードにめっき用引出し
線を有する導体回路パターンの前記めっき用引出し線の
導通を検査する半導体パッケージ用基板の導通検査方法
であって、前記めっき用引出し線に絶縁物を介して静電
容量センサを接近させ、前記導体リードのそれぞれに接
触型プローブを接触させ、前記静電容量センサと前記接
触型プローブとの間に電圧を印可して、前記静電容量セ
ンサ側に生じる電流又は電圧の変化から、前記めっき用
引出し線の断線を検出することを特徴とする半導体パッ
ケージ用基板の導通検査方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体パッケージ用基板
の導通検査方法において、前記電流又は電圧の変化は、
正常の状態の導体回路パターンの測定値と比較すること
によって検知することを特徴とする半導体パッケージ用
基板の導通検査方法。
【請求項３】請求項１又は２記載の半導体パッケージ
用基板の導通検査方法において、前記静電容量センサと
前記接触型プローブとの間に加える電圧は直流電圧であ
ることを特徴とする半導体パッケージ用基板の導通検査
方法。
【請求項４】請求項１又は２記載の半導体パッケージ
用基板の導通検査方法において、前記静電容量センサと
前記接触型プローブとの間に加える電圧は交流電圧であ
ることを特徴とする半導体パッケージ用基板の導通検査
方法。