JPS58158939A - 半導体ウエハ−、チツプの測定方法 - Google Patents

半導体ウエハ−、チツプの測定方法

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Publication number
JPS58158939A
JPS58158939A JP4106282A JP4106282A JPS58158939A JP S58158939 A JPS58158939 A JP S58158939A JP 4106282 A JP4106282 A JP 4106282A JP 4106282 A JP4106282 A JP 4106282A JP S58158939 A JPS58158939 A JP S58158939A
Authority
JP
Japan
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measurement
probe
probes
electrode
contact
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Pending
Application number
JP4106282A
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English (en)
Inventor
Yoshito Ogawa
義人 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS58158939A publication Critical patent/JPS58158939A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子を含むウェハーもしくはチップの電
気的特性を比較的大電流を流して測定する場合に供する
測定治具を提供するものである。
従来よシ半導体素子をウェハーもしくはチップの状態で
探針を電極に接触させその電気的特性を測定し良、不良
の判定を行ってきている。しかるに大電流を流して電気
的特性を判定しなければならない場合がしばしばあシこ
の場合、探針を接触させ九部分においてその接触抵抗の
為に電圧降下を生じ正確表特性値の測定をさまたげてい
た。
本発明はこの様な場合に用いる測定治具で位ν。
決めされた２つの円筒状様のガイドスリーブを具備し、
該２つのスリーブに２本の測定用探針を貫通させること
により同一電極上に２本の探針を位置決め接触せしめる
ことを特徴とする半導体装置の測定治具を提供するもの
である。
次に図面を用いて本発明の一実施例をもとに詳細に説明
する。第１図は従来の測定方法を示すもので半導体基板
１上に設けられたベース電極２とエミッタ電極３を有す
る半導体チップの断面図で測定探針４及び５をベース電
極、エミッタ電極へそれぞれ接点６及び７において接触
せしめている。
この場合測定探針はマニピュレータ等の可動部分によシ
正確に各電極上の所定位置決めされていることは言うま
でもない。とζろでニオツタベース間の順方向バイアス
時における電圧ＶＦを測定する場合このバイアス電流さ
が大きいと接点６及び７における接触抵抗凡の為に、Ｖ
＝ＩｘＲ分だけ各接点で電圧降下をきたすことになシ正
確な測定が困難であった。
第２図は本発明による一実施例を示すものでエミッタ電
極２の上に給電探針１４が、ベース電極３の上に給電探
針１５がそれぞれ接触し、又エミッタ電極２の上に＠定
探針１８が、ベース電極３の上ＫＩＩＩＪ定探針１９が
それぞれ接触し、かつ各電極の給電探針と測定探針の一
対が正確に位置決めできる様円筒状様のガイドスリーブ
２１及び２２によシ位置決め保持されている。
ガイドスリーブ２１は２つの円筒状様のガイドスリーブ
を一体化した治具でそれぞれ給電探針１４と測定探針１
８が買通している。ガイドスリーブ２２についても同様
である。これにょル公知のケルビン法によ多接触抵抗に
よる電圧降下を測定回路系に含めることなく正確な特性
値が測定できるとともに探針を当てる電極面積が微小で
あっても正確に２本の探針を位置決めして接触させるこ
とができる。
いうまでもなく、電極上の探針接触位置決めは一体化さ
れたガイドスリーブ２１をささえるマニビエレータ勢に
より可動させる。又は、給電探針１４と測定探針１８の
電極上の接触位置はあらがじめガイドスリーブ２１を一
体化せしめる時に決定できる。
従って同一電極に２本の探針を当てても位置決めはガイ
ドスリーブ２１をささえるマニピユレータによシあたか
も一本の探針を位置決めするととくに容易に行える。ガ
イドスリーブ２２についても同様である。又、ガイドス
リーブの少くとも一部は絶綴材刺にて構成されることは
いうまでもない。
本発明によれば公知のケルビン法を用い接触抵抗を測定
系に含ませることなく正確な特性が測定できまた探針の
位置決めも容易に行なえる為、半導体素子の生産工程に
おいて有益である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の測定方法を示し、１は半導体°基板、２
及び３は電極、４及び５は探針を示す。 第２図は本発明による治具を用いた測定方法を示すもの
で、１４，１５は給電探針、１８，１９は測定探針、２
１，２２は本発明によるガイドスリーブを含む測定治具
である。 第１　閉 第　２　閉

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子を含むウェハーもしくはチップの電気的特性
    を測定する方法において位置法めされた２つの円筒状様
    のガイドスリーブを一体化し九治具を用い、該２つの円
    筒状様のガイドスリーブの一方に給電用探針、他方に測
    定用探針をそれぞれ貫通せしめ、同一電極上に２本の探
    針を接触せしめることによシ行う半導体ウェハー、チッ
    プの清定方法。
JP4106282A 1982-03-16 1982-03-16 半導体ウエハ−、チツプの測定方法 Pending JPS58158939A (ja)

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JPS58158939A true JPS58158939A (ja) 1983-09-21

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JP (1) JPS58158939A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60117638A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体ウェ−ハ上の集積回路の試験方法
KR100508376B1 (ko) * 2001-09-20 2005-08-17 가부시키가이샤 테섹 전자부품 측정장치 및 측정방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60117638A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体ウェ−ハ上の集積回路の試験方法
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