JPH02142185A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02142185A JPH02142185A JP29665388A JP29665388A JPH02142185A JP H02142185 A JPH02142185 A JP H02142185A JP 29665388 A JP29665388 A JP 29665388A JP 29665388 A JP29665388 A JP 29665388A JP H02142185 A JPH02142185 A JP H02142185A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- collector
- pads
- probe pad
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程における素子の良否判定
の技術に関し、特に素子に探針するときの探針用パッド
に関する。
の技術に関し、特に素子に探針するときの探針用パッド
に関する。
従来の技術としては、半導体装置の製造工程の途中で素
子の動作や特性を判定する場合、トランジスタ素子を例
にあげて説明すると、内部回路で使用しているトランジ
スタ素子と同じ形状、同じ製造方法によるトランジスタ
素子を判定用としてチップ内または付近に設置し、この
判定用素子の特性を測定し、この特性から内部回路素子
の特性を推定している。第6図に示すとおり、この種の
動作特性判定用のトランジスタ素子41は、テスト棒に
よって探針するためのパッドとして、ベース探針パッド
38、エミッタ探針パッド39およびコレクタ探針パッ
ド40を有しており、それぞレヘース配線35.エミッ
タ配線36、コレクタ配線37によりトランジスタ素子
のベース電極32、エミッタ電極33、コレクタ電極3
4に接続されている。ここで、これらの探針バッドは一
般には、−辺が50μm程度の方形に形成されている。
子の動作や特性を判定する場合、トランジスタ素子を例
にあげて説明すると、内部回路で使用しているトランジ
スタ素子と同じ形状、同じ製造方法によるトランジスタ
素子を判定用としてチップ内または付近に設置し、この
判定用素子の特性を測定し、この特性から内部回路素子
の特性を推定している。第6図に示すとおり、この種の
動作特性判定用のトランジスタ素子41は、テスト棒に
よって探針するためのパッドとして、ベース探針パッド
38、エミッタ探針パッド39およびコレクタ探針パッ
ド40を有しており、それぞレヘース配線35.エミッ
タ配線36、コレクタ配線37によりトランジスタ素子
のベース電極32、エミッタ電極33、コレクタ電極3
4に接続されている。ここで、これらの探針バッドは一
般には、−辺が50μm程度の方形に形成されている。
このような構成により、それぞれの探針バッドにテスト
棒を接触させ、種々の特性の測定が行われていた。
棒を接触させ、種々の特性の測定が行われていた。
上述した従来の動作特性判定用のトランジスタ素子41
の各探針バッド38,39および40は、第6図に示す
ように方形をしていて、トランジスタの各電極に対応し
て並列に設置されている。二探針用テスターを使用して
NPN型のトランジスタの電流電圧特性を測定する場合
を例にとって説明する。第7図、第8図および第9図は
、トランジスタ素子41のそれぞれベース−コレクタ間
。
の各探針バッド38,39および40は、第6図に示す
ように方形をしていて、トランジスタの各電極に対応し
て並列に設置されている。二探針用テスターを使用して
NPN型のトランジスタの電流電圧特性を測定する場合
を例にとって説明する。第7図、第8図および第9図は
、トランジスタ素子41のそれぞれベース−コレクタ間
。
ベース−エミッタ間、エミッターコレクタ間の電流電圧
特性を測定するときの図である。
特性を測定するときの図である。
ベース−コレクタ間の順方向特性を測定するとき、テス
ト棒42.43は、第7図に示すようにエミ、り探針バ
ッド39を挟んでベース探針パッド38とコレクタ探針
バッド40にそれぞれ第2のテスト棒43.第1のテス
ト棒42が接触され、11のテスト棒42に正電位をか
け、第2のテスト棒43をグランドへ接続し、電流値を
測定する。
ト棒42.43は、第7図に示すようにエミ、り探針バ
ッド39を挟んでベース探針パッド38とコレクタ探針
バッド40にそれぞれ第2のテスト棒43.第1のテス
ト棒42が接触され、11のテスト棒42に正電位をか
け、第2のテスト棒43をグランドへ接続し、電流値を
測定する。
そのため、ベース−コレクタ間の特性を測定する場合の
テスト棒42および43の間隔は、第8図に示すベース
−エミッタ間あるいは第9図に示すエミッターコレクタ
間の特性を測定する場合に比べて広くとらなければなら
ない。
テスト棒42および43の間隔は、第8図に示すベース
−エミッタ間あるいは第9図に示すエミッターコレクタ
間の特性を測定する場合に比べて広くとらなければなら
ない。
以上のとおり、トランジスタ素子4103種類の順方向
特性を測定するに当たっては、テスト棒42および43
の間隔を特性の測定の項目に応じて変更する必要がある
。テスト棒の間隔を変更するには、探針用パッドへ探針
できるようテスト棒位置を調整しなければならず、その
位置調整には、10ミクロン程度の精度が必要であり多
くの時間を要する。したがって多数のトランジスタ素子
の電流電圧特性を測定するに当たり作業効率が非常に低
くなるという欠点がある。
特性を測定するに当たっては、テスト棒42および43
の間隔を特性の測定の項目に応じて変更する必要がある
。テスト棒の間隔を変更するには、探針用パッドへ探針
できるようテスト棒位置を調整しなければならず、その
位置調整には、10ミクロン程度の精度が必要であり多
くの時間を要する。したがって多数のトランジスタ素子
の電流電圧特性を測定するに当たり作業効率が非常に低
くなるという欠点がある。
本発明の目的は、上述したような欠点を取り除き、テス
ト棒間の間隔を変更することなく、一定のテスト棒間隔
で、すべての電極間の特性測定が行える半導体装置を提
供することにある。
ト棒間の間隔を変更することなく、一定のテスト棒間隔
で、すべての電極間の特性測定が行える半導体装置を提
供することにある。
本発明の半導体装置は、複数の電極を有し、これらの各
電極から個別に導かれた探針用パッドを有する半導体装
置において、この複数の探針用パッドがどの2つのバッ
ドの間隔も等しくなるような形状に形成されていること
を特徴とする。そのため、任意の電極間の特性測定を行
う場合に、テスト棒の間隔を変更することなく容易に測
定が行われるものである。
電極から個別に導かれた探針用パッドを有する半導体装
置において、この複数の探針用パッドがどの2つのバッ
ドの間隔も等しくなるような形状に形成されていること
を特徴とする。そのため、任意の電極間の特性測定を行
う場合に、テスト棒の間隔を変更することなく容易に測
定が行われるものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の平面図である。
第1図において本実施例の素子はNPN型トランジスタ
を示し、そのトランジスタ端子はベース、エミッタ、コ
レクタの順に並んでいる。これらの電極4,5および6
は、それぞれベース配線7、エミッタ配線8.コレクタ
配線9を介して、ベース探針パッド10.エミ、ツタ探
針バッド11、コレクタ探針パッド12に接続されてい
る。
を示し、そのトランジスタ端子はベース、エミッタ、コ
レクタの順に並んでいる。これらの電極4,5および6
は、それぞれベース配線7、エミッタ配線8.コレクタ
配線9を介して、ベース探針パッド10.エミ、ツタ探
針バッド11、コレクタ探針パッド12に接続されてい
る。
それぞれの探針バッド10,11.12は、どの2組の
バッドも等しい間隔となるように、たとえば長方形のベ
ース探針パッド10に対して、エミッタ探針パッド11
とコレクタ探針バッド12とがそれぞれ等間隔を有する
ように並列に設けられ、かつ、エミッタ探針パッド11
とコレクタ探針パラ1120間隔も、ベース探針パッド
10との間隔と等しくなるようにコレクタ探針バッド1
2はL字状に形成される。ベース−コレクタ間の順方向
特性を測定する場合、第2図に示すようにベース探針パ
ッドIOに第2のテスト棒15を、コレクタ探針パッド
12に第1のテスト棒14をそれぞれ接触させ、第1の
テスト棒14に正電位をかけ、第2のテスト棒15をグ
ランドに接続し電流値を測定する。同様にベース−エミ
ッタ間およびエミッターコレクタ間の測定は、それぞれ
第3図、第4図に示すように探針し、電流値を測定する
。この際それぞれの探針パッドはどの2組のバッドも等
しい間隔となるような形状に設けられているのでベース
探針バッド10.エミッタ探針バッド11.コレクタ探
針バッド12の3つの探針バッド間を一定のテスト棒間
隔で探針することができる。3種の順方向特性を測定す
るときは第1のテスト棒14と第2のテスト棒15の極
性を切り替える必要はない。また逆方向特性を測定する
ときにも極性を一度設定し直せば極性切り替えなしに測
定することができる。
バッドも等しい間隔となるように、たとえば長方形のベ
ース探針パッド10に対して、エミッタ探針パッド11
とコレクタ探針バッド12とがそれぞれ等間隔を有する
ように並列に設けられ、かつ、エミッタ探針パッド11
とコレクタ探針パラ1120間隔も、ベース探針パッド
10との間隔と等しくなるようにコレクタ探針バッド1
2はL字状に形成される。ベース−コレクタ間の順方向
特性を測定する場合、第2図に示すようにベース探針パ
ッドIOに第2のテスト棒15を、コレクタ探針パッド
12に第1のテスト棒14をそれぞれ接触させ、第1の
テスト棒14に正電位をかけ、第2のテスト棒15をグ
ランドに接続し電流値を測定する。同様にベース−エミ
ッタ間およびエミッターコレクタ間の測定は、それぞれ
第3図、第4図に示すように探針し、電流値を測定する
。この際それぞれの探針パッドはどの2組のバッドも等
しい間隔となるような形状に設けられているのでベース
探針バッド10.エミッタ探針バッド11.コレクタ探
針バッド12の3つの探針バッド間を一定のテスト棒間
隔で探針することができる。3種の順方向特性を測定す
るときは第1のテスト棒14と第2のテスト棒15の極
性を切り替える必要はない。また逆方向特性を測定する
ときにも極性を一度設定し直せば極性切り替えなしに測
定することができる。
第5図は本発明の第2の実施例の平面図である。
本実施例の素子はNPN型トランジスタであり、トラン
ジスタ端子は、エミッタ、ベース、コレクタの順に並ん
でいる。本実施例のトランジスタ素子ては電極の順番が
第1の実施例と異なるため、第1の実施例をそのまま適
用すると3種の順方向特性を測定する際に、第1のテス
ト棒と第2のテスト棒の極性を切り替えることが必要と
なる。本実施例は、第5図に示すように、トランジスタ
素子の向きを90°変えて配置した上で探針風パッドを
引き出してこの欠点を解消している。本実施例も第1の
実施例と同様にベース探針バッド25゜エミッタ探針バ
ッド26.コレクタ探針バッド27のどの2組の探針バ
ッドも等しい間隔となるような形状に設けられているた
め、3つの探針バッド間を一定のテスト棒間隔で探針す
ることができる。また、順方向特性測定と逆方向特性測
定ともに一度極性を設定すれば、切り替えずに測定可能
である。
ジスタ端子は、エミッタ、ベース、コレクタの順に並ん
でいる。本実施例のトランジスタ素子ては電極の順番が
第1の実施例と異なるため、第1の実施例をそのまま適
用すると3種の順方向特性を測定する際に、第1のテス
ト棒と第2のテスト棒の極性を切り替えることが必要と
なる。本実施例は、第5図に示すように、トランジスタ
素子の向きを90°変えて配置した上で探針風パッドを
引き出してこの欠点を解消している。本実施例も第1の
実施例と同様にベース探針バッド25゜エミッタ探針バ
ッド26.コレクタ探針バッド27のどの2組の探針バ
ッドも等しい間隔となるような形状に設けられているた
め、3つの探針バッド間を一定のテスト棒間隔で探針す
ることができる。また、順方向特性測定と逆方向特性測
定ともに一度極性を設定すれば、切り替えずに測定可能
である。
以上説明したように本発明は、探針パッドの形状を変え
ることにより、二探針用テスターの二本のテスト棒間隔
の変更をすることなく、トランジスタのベース−コレク
タ間、ベース−エミッタ間、エミッターコレクタ間の電
流電圧特性を測定することができる。これにより、多数
のトランジスタ 4o・・・・・・コレクタ探針バ
ッド、13,28゜の特性を測定するにあたり容易に、
高効率で測定 41・・・1う〕・ンスタ素子、14
.42・・・・・・第1することができる効果がある。
ることにより、二探針用テスターの二本のテスト棒間隔
の変更をすることなく、トランジスタのベース−コレク
タ間、ベース−エミッタ間、エミッターコレクタ間の電
流電圧特性を測定することができる。これにより、多数
のトランジスタ 4o・・・・・・コレクタ探針バ
ッド、13,28゜の特性を測定するにあたり容易に、
高効率で測定 41・・・1う〕・ンスタ素子、14
.42・・・・・・第1することができる効果がある。
のテスト棒、15.43・・・
・・・第2のテスト棒。
・・・第2のテスト棒。
第1図は、本発明の探針用バッドの第1の実施例を示す
平面図、第2図、第3図および第4図は、第1の実施例
を用いた場合の探針状態を示す平面図、第5図は、本発
明の第2の実施例を示す平面図、第6図は、従来例を示
す平面図、第7図、第8図および第9図は、従来例を用
いた場合の探針状態を示す平面図である。
平面図、第2図、第3図および第4図は、第1の実施例
を用いた場合の探針状態を示す平面図、第5図は、本発
明の第2の実施例を示す平面図、第6図は、従来例を示
す平面図、第7図、第8図および第9図は、従来例を用
いた場合の探針状態を示す平面図である。
Claims (2)
- (1)3つ以上の電極から個別に導かれた探針用パッド
を有する半導体装置において、前記複数の探針用パッド
が、複数の探針用パッドのうちのどの2つの探針用パッ
ド間の距離も等しくなるように形成されていることを特
徴とする半導体装置。 - (2)上記複数の電極として、第1、第2および第3の
電極を有し、夫々の電極に対応する第1、第2および第
3の探針用パッドを具備する半導体装置において、前記
第1の探針用パッドが長方形に形成され、前記第2およ
び第3の探針用パッドが前記第1の探針用パッドの長さ
方向に対して直角方向に該第1の探針用パッドに隣接し
て互いに並列に形成され、かつ前記第3の探針用パッド
が前記第1の探針用パッドの前記長さ方向に延在して形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296653A JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63296653A JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02142185A true JPH02142185A (ja) | 1990-05-31 |
JPH07109851B2 JPH07109851B2 (ja) | 1995-11-22 |
Family
ID=17836330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63296653A Expired - Lifetime JPH07109851B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07109851B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7013123B2 (en) | 2000-02-21 | 2006-03-14 | Hitachi, Ltd. | Wireless communication system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62213137A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Nec Corp | 評価用fetのマスクパタン |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63296653A patent/JPH07109851B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62213137A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Nec Corp | 評価用fetのマスクパタン |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7013123B2 (en) | 2000-02-21 | 2006-03-14 | Hitachi, Ltd. | Wireless communication system |
KR100721471B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-05-23 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 무선 통신 장치 |
US7274923B2 (en) | 2000-02-21 | 2007-09-25 | Hitachi, Ltd. | Wireless communication system |
US7379728B2 (en) | 2000-02-21 | 2008-05-27 | Hitachi, Ltd. | Wireless communication system |
US7783276B2 (en) | 2000-02-21 | 2010-08-24 | Renesas Technology Corp. | Wireless communication system |
US8036628B2 (en) | 2000-02-21 | 2011-10-11 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
US8204471B2 (en) | 2000-02-21 | 2012-06-19 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
US8472911B2 (en) | 2000-02-21 | 2013-06-25 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
US8824994B2 (en) | 2000-02-21 | 2014-09-02 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
US9014655B2 (en) | 2000-02-21 | 2015-04-21 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
US9331031B2 (en) | 2000-02-21 | 2016-05-03 | Renesas Electronics Corporation | Wireless communication system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07109851B2 (ja) | 1995-11-22 |
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