JPH084102B2 - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
- Publication number
- JPH084102B2 JPH084102B2 JP62190810A JP19081087A JPH084102B2 JP H084102 B2 JPH084102 B2 JP H084102B2 JP 62190810 A JP62190810 A JP 62190810A JP 19081087 A JP19081087 A JP 19081087A JP H084102 B2 JPH084102 B2 JP H084102B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- wafer
- characteristic curve
- measured
- Prior art date
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体デバイスの製造工程等で利用される
半導体検査装置に関する。
半導体検査装置に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体検査装置は、半導体製造工程等におい
て、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの検査
に利用される。
て、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの検査
に利用される。
このような半導体検査装置は、プローバにより半導体
ウエハ上に形成された多数の半導体デバイスに順次探針
を接触させ、この探針を介して半導体デバイスに所定の
検査信号を供給し、半導体デバイスからの信号を測定す
ることにより、例えば入力特性、電流伝達特性、出力特
性等の半導体デバイスの特性の測定を行う。
ウエハ上に形成された多数の半導体デバイスに順次探針
を接触させ、この探針を介して半導体デバイスに所定の
検査信号を供給し、半導体デバイスからの信号を測定す
ることにより、例えば入力特性、電流伝達特性、出力特
性等の半導体デバイスの特性の測定を行う。
従来の半導体検査装置では、この測定結果は測定され
た半導体デバイスの半導体ウエハ上での位置に対応させ
て、ウエハマップ上に例えば飽和電圧値等の測定結果を
数字またはあらかじめコード化された信号等でCRT等に
表示する。
た半導体デバイスの半導体ウエハ上での位置に対応させ
て、ウエハマップ上に例えば飽和電圧値等の測定結果を
数字またはあらかじめコード化された信号等でCRT等に
表示する。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来の半導体検査装置で
は、例えば入力特性、電流伝達特性、出力特性等の特性
を測定しても、表示されるのは例えば飽和電圧の値等、
特性曲線上のある点の電圧値、電流値だけである。
は、例えば入力特性、電流伝達特性、出力特性等の特性
を測定しても、表示されるのは例えば飽和電圧の値等、
特性曲線上のある点の電圧値、電流値だけである。
したがって、例えば測定された特性曲線の形状が異っ
ても、同様な測定結果が表示される場合がある等、半導
体デバイスについての正確な情報を得ることができない
という問題がある。
ても、同様な測定結果が表示される場合がある等、半導
体デバイスについての正確な情報を得ることができない
という問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に較べてより正確な情報を得ることのできる半
導体検査装置を提供しようとするものである。
で、従来に較べてより正確な情報を得ることのできる半
導体検査装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、半導体ウエハの所定のチップ位置
にそれぞれ形成された各半導体デバイスの検査を行う半
導体検査装置において、 前記半導体デバイスに所定の検査信号を供給するとと
もに半導体デバイスからの信号を測定する測定手段と、 この測定手段によって測定された測定データを記憶す
る記憶手段と、 この記憶手段に記憶された各半導体デバイスの測定デ
ータを、それぞれの半導体デバイスの半導体ウエハ上の
チップ位置を示すウエハマップの該当するチップ位置に
特性曲線として表示するとともに、前記特性曲線上の所
定の点における測定値を前記ウエハマップの該当するチ
ップ位置に表示する表示手段と を備えたことを特徴とする。
にそれぞれ形成された各半導体デバイスの検査を行う半
導体検査装置において、 前記半導体デバイスに所定の検査信号を供給するとと
もに半導体デバイスからの信号を測定する測定手段と、 この測定手段によって測定された測定データを記憶す
る記憶手段と、 この記憶手段に記憶された各半導体デバイスの測定デ
ータを、それぞれの半導体デバイスの半導体ウエハ上の
チップ位置を示すウエハマップの該当するチップ位置に
特性曲線として表示するとともに、前記特性曲線上の所
定の点における測定値を前記ウエハマップの該当するチ
ップ位置に表示する表示手段と を備えたことを特徴とする。
（作 用） 本発明の半導体検査装置は、半導体デバイスに所定の
検査信号を供給するとともに半導体デバイスからの信号
を測定する測定手段と、この測定手段によって測定され
た測定データを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記
憶された各半導体デバイスの測定データを、それぞれの
半導体デバイスの半導体ウエハ上のチップ位置を示すウ
エハマップの該当するチップ位置に特性曲線として表示
するとともに、前記特性曲線上の所定の点における測定
値を前記ウエハマップの該当するチップ位置に表示する
表示手段とを備えている。
検査信号を供給するとともに半導体デバイスからの信号
を測定する測定手段と、この測定手段によって測定され
た測定データを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記
憶された各半導体デバイスの測定データを、それぞれの
半導体デバイスの半導体ウエハ上のチップ位置を示すウ
エハマップの該当するチップ位置に特性曲線として表示
するとともに、前記特性曲線上の所定の点における測定
値を前記ウエハマップの該当するチップ位置に表示する
表示手段とを備えている。
したがって、各半導体デバイスの測定データは、その
半導体デバイスの半導体ウエハ上のチップ位置に対応し
たウエハマップに特性曲線として表示され、特性曲線の
形状の相違等を比較することにより、半導体デバイスに
ついてのより正確な情報を得ることができる。
半導体デバイスの半導体ウエハ上のチップ位置に対応し
たウエハマップに特性曲線として表示され、特性曲線の
形状の相違等を比較することにより、半導体デバイスに
ついてのより正確な情報を得ることができる。
（実施例） 以下本発明の半導体検査装置を図面を参照して実施例
について説明する。
について説明する。
半導体検査装置１は、測定部２と、記憶部３と、表示
部４とから構成されている。
部４とから構成されている。
上記測定部２は、プローバ５に配置されたプローブカ
ード６の探針6aに電気的に接続されている。そして、プ
ローバ５は、載置台７を移動することによって探針6aを
順次半導体ウエハ８に形成された多数の半導体デバイス
の電極パッドに接触させ、測定部２は、探針6aを介して
これらの半導体デバイスに所定の検査信号を供給し、半
導体デバイスからの信号を測定することにより、例えば
入力特性、電流伝達特性、出力特性等の半導体デバイス
の特性の測定を行う。
ード６の探針6aに電気的に接続されている。そして、プ
ローバ５は、載置台７を移動することによって探針6aを
順次半導体ウエハ８に形成された多数の半導体デバイス
の電極パッドに接触させ、測定部２は、探針6aを介して
これらの半導体デバイスに所定の検査信号を供給し、半
導体デバイスからの信号を測定することにより、例えば
入力特性、電流伝達特性、出力特性等の半導体デバイス
の特性の測定を行う。
また、記憶部３は、測定部２によって測定された測定
データを記憶する。そして、記憶部３に記憶された測定
データは、表示部４によって表示される。
データを記憶する。そして、記憶部３に記憶された測定
データは、表示部４によって表示される。
表示部４による表示は、例えば第２図に示すような形
で行われる。すなわち、例えばCRTの画面９上に、半導
体ウエハ８と同様な形状のウエハマップ10を表示し、半
導体デバイスの半導体ウエハ８上のチップ位置に対応さ
せて、ウエハマップ10にそれぞれの半導体デバイスの測
定データを特性曲線11として表示する。なお、特性曲線
11の下部等には、例えば飽和電圧特性曲線、容量／電圧
特性曲線、電圧電流特性曲線等、特性曲線11上の所定の
点における電圧値および電流値等の測定値12が同時に表
示される。
で行われる。すなわち、例えばCRTの画面９上に、半導
体ウエハ８と同様な形状のウエハマップ10を表示し、半
導体デバイスの半導体ウエハ８上のチップ位置に対応さ
せて、ウエハマップ10にそれぞれの半導体デバイスの測
定データを特性曲線11として表示する。なお、特性曲線
11の下部等には、例えば飽和電圧特性曲線、容量／電圧
特性曲線、電圧電流特性曲線等、特性曲線11上の所定の
点における電圧値および電流値等の測定値12が同時に表
示される。
すなわち、上記構成のこの実施例の半導体検査装置１
では、測定部２によって測定され、記憶部３に記憶され
た多数の半導体デバイスの測定データが、表示部４によ
って、それぞれの半導体デバイスの半導体ウエハ８上の
チップ位置に対応したウエハマップ10に特性曲線11とし
て表示される。
では、測定部２によって測定され、記憶部３に記憶され
た多数の半導体デバイスの測定データが、表示部４によ
って、それぞれの半導体デバイスの半導体ウエハ８上の
チップ位置に対応したウエハマップ10に特性曲線11とし
て表示される。
したがって、それぞれの半導体デバイスの特性曲線11
の形状を容易に比較することができ、従来に較べてより
正確に半導体デバイスの機能に関する情報を得ることが
できる。
の形状を容易に比較することができ、従来に較べてより
正確に半導体デバイスの機能に関する情報を得ることが
できる。
なお、上記実施例では、半導体ウエハ８に形成された
全ての半導体デバイスの測定データを同時に表示する半
導体検査装置１について説明したが、例えば半導体ウエ
ハ８に形成された半導体デバイスの数が多い場合は、CR
T等に表示される特性曲線11が小さくなり、見にくくな
るので、ウエハマップ10をいくつかに分割して表示すよ
う構成することが好ましい。
全ての半導体デバイスの測定データを同時に表示する半
導体検査装置１について説明したが、例えば半導体ウエ
ハ８に形成された半導体デバイスの数が多い場合は、CR
T等に表示される特性曲線11が小さくなり、見にくくな
るので、ウエハマップ10をいくつかに分割して表示すよ
う構成することが好ましい。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の半導体検査装置では、各半導
体デバイスの測定データをその半導体デバイスの半導体
ウエハ上のチップ位置に対応したウエハマップに特性曲
線として表示するので、それぞれの半導体デバイスの特
性曲線の形状の相違等を容易に比較することができ、従
来の半導体検査装置に較べてより正確な情報を得ること
ができる。
体デバイスの測定データをその半導体デバイスの半導体
ウエハ上のチップ位置に対応したウエハマップに特性曲
線として表示するので、それぞれの半導体デバイスの特
性曲線の形状の相違等を容易に比較することができ、従
来の半導体検査装置に較べてより正確な情報を得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体検査装置を示す構成
図、第２図は第１図に示す半導体検査装置の表示画面の
例を示す図である。 １……半導体検査装置、２……測定部、３……記憶部、
４……表示部、８……半導体ウエハ。
図、第２図は第１図に示す半導体検査装置の表示画面の
例を示す図である。 １……半導体検査装置、２……測定部、３……記憶部、
４……表示部、８……半導体ウエハ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−83045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−17631（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−2648（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−127844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−106317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142427（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−134036（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウエハの所定のチップ位置にそれぞ
れ形成された各半導体デバイスの検査を行う半導体検査
装置において、 前記半導体デバイスに所定の検査信号を供給するととも
に半導体デバイスからの信号を測定する測定手段と、 この測定手段によって測定された測定データを記憶する
記憶手段と、 この記憶手段に記憶された各半導体デバイスの測定デー
タを、それぞれの半導体デバイスの半導体ウエハ上のチ
ップ位置を示すウエハマップの該当するチップ位置に特
性曲線として表示するとともに、前記特性曲線上の所定
の点における測定値を前記ウエハマップの該当するチッ
プ位置に表示する表示手段と を備えたことを特徴とする半導体検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62190810A JPH084102B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62190810A JPH084102B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435928A JPS6435928A (en) | 1989-02-07 |
| JPH084102B2 true JPH084102B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=16264125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62190810A Expired - Lifetime JPH084102B2 (ja) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084102B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04159747A (ja) * | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Nec Corp | データ管理解析システム |
| US6993404B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-01-31 | Mks Instruments, Inc. | Graphical user interface with process quality indicator |
| JP2006267029A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aitesu:Kk | 複数の関連する検査結果等を同一の画面で同時に表示する検査装置 |
| CN106597261A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 | 晶圆测试系统 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562648A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method for describing position distribution figure of measured data |
| JPS5683045A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-07 | Nippon Maikuronikusu:Kk | Wafer probe |
| JPS5817631A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 半導体検査装置 |
| JPS59127844A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの試験方法 |
| JPH0225235Y2 (ja) * | 1985-02-08 | 1990-07-11 |
-
1987
- 1987-07-30 JP JP62190810A patent/JPH084102B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435928A (en) | 1989-02-07 |
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