JPS5817631A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
- Publication number
- JPS5817631A JPS5817631A JP11507881A JP11507881A JPS5817631A JP S5817631 A JPS5817631 A JP S5817631A JP 11507881 A JP11507881 A JP 11507881A JP 11507881 A JP11507881 A JP 11507881A JP S5817631 A JPS5817631 A JP S5817631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- circuit elements
- map
- scope
- circuit element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体検査装置、特に手導体薄板（ウェハ）の
表層部に縦横に整列形成した多数の回路素子の電気特性
を検査するウェハプローバに関する。
表層部に縦横に整列形成した多数の回路素子の電気特性
を検査するウェハプローバに関する。
ウェハの表層部に形成した各回路素子の電気特性を検査
するために、一般にウェハプローバカ用−いられている
。このＱエハプローバはＸＹステージ上に被検査物であ
るウェハを載置固定した後、プローブヘッドを取り付け
たリング機構を降下させ、プローブヘッドのプローブ針
ｔリエハの所望部に接触させて各回路パ素子の特性を測
定する。また、前記リング機構にはイン力（インキング
機構）。
するために、一般にウェハプローバカ用−いられている
。このＱエハプローバはＸＹステージ上に被検査物であ
るウェハを載置固定した後、プローブヘッドを取り付け
たリング機構を降下させ、プローブヘッドのプローブ針
ｔリエハの所望部に接触させて各回路パ素子の特性を測
定する。また、前記リング機構にはイン力（インキング
機構）。
センサ等が取り付けられている。イン力は測定結果によ
るりジェクト信号によって不良回路素子面にインクを吹
き付ける。
るりジェクト信号によって不良回路素子面にインクを吹
き付ける。
ところで、このようなプローパでは、光が当たると特性
が変動するため、特性検査はカバー等による遮蔽（砿光
）下で行なう。この結果、各回路素子の良否の状況を知
るためＫはカバー等を外すため、その都度、ブローバの
稼動を停止しなければならず、作業性が低下する。
が変動するため、特性検査はカバー等による遮蔽（砿光
）下で行なう。この結果、各回路素子の良否の状況を知
るためＫはカバー等を外すため、その都度、ブローバの
稼動を停止しなければならず、作業性が低下する。
したがって、本発明の目的は特性状１１ｔインラインモ
ニタすることによって常時監視できるようＫするとと４
に、検査作業効率の向上ン図ることにある。
ニタすることによって常時監視できるようＫするとと４
に、検査作業効率の向上ン図ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、透光下でウ
ェハの各回路素子の所望部にプローブ針を接触させて電
気特性を検査するととも忙、不良回路素子にはその表面
に不良マークを印す半導体検査装置において、表示機構
を設けるとともに、この表示機構のスコープ上に前記ウ
ェハの各回路素子を地図化して表示し、かつ各回路素子
の良否等ｔこの地図で表示するようにしてなるものであ
って、以下実施例により本発明を説明する。
ェハの各回路素子の所望部にプローブ針を接触させて電
気特性を検査するととも忙、不良回路素子にはその表面
に不良マークを印す半導体検査装置において、表示機構
を設けるとともに、この表示機構のスコープ上に前記ウ
ェハの各回路素子を地図化して表示し、かつ各回路素子
の良否等ｔこの地図で表示するようにしてなるものであ
って、以下実施例により本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例によるウエハプローバの概要
を示すブロック図、第２図は同じくスコープ上のマツプ
を示す説明図である。
を示すブロック図、第２図は同じくスコープ上のマツプ
を示す説明図である。
第１図に示すように、この実施例のウエノ・プローバは
、被検査物であるウェハを載置しかつ水平ＸＹ方向−上
下２方向に移動する駆動機構１、先端にプローブ針な取
り付けたプローブヘッドを固定したリング機構等からな
る測定機構（含テスタ）２、測定結果によるリジェクト
信号和よって不良な回路素子面にインクを吹き付けて不
良マーク！印すインキング機構３、これら各機構を制御
する制御部４とからなっている。これら各機構は公知の
構造でよい。また、この実施例ではさらに、表示機構５
が並設され、制御部４で制御されている。
、被検査物であるウェハを載置しかつ水平ＸＹ方向−上
下２方向に移動する駆動機構１、先端にプローブ針な取
り付けたプローブヘッドを固定したリング機構等からな
る測定機構（含テスタ）２、測定結果によるリジェクト
信号和よって不良な回路素子面にインクを吹き付けて不
良マーク！印すインキング機構３、これら各機構を制御
する制御部４とからなっている。これら各機構は公知の
構造でよい。また、この実施例ではさらに、表示機構５
が並設され、制御部４で制御されている。
表示機構５のスコープ６には第２図で示すようＫ、ウェ
ハ７の各回路素子が１ブロツク８となる地図が描かれる
。これは、たとえば、駆動機構１のＸＹアドレス信号と
、テスタ（測定機構）２の測定信号を組み合せて各回路
素子に対応させて表示し、不良回路素子９は同図中ハツ
チング！施こした暗部として表示される。この地図（マ
ツプ）汀、測定が完了した回路素子毎ＶＣＩＩｉ１次ス
コープ６上に表示す食ようにしてもよ（、また、あらか
じめ、スコープ６上に各回路素子に対応した領域をブロ
ック８化して射き、測定が完了したブロック８と未測定
のブロック８とを色分けしておくようにしてもよい。
ハ７の各回路素子が１ブロツク８となる地図が描かれる
。これは、たとえば、駆動機構１のＸＹアドレス信号と
、テスタ（測定機構）２の測定信号を組み合せて各回路
素子に対応させて表示し、不良回路素子９は同図中ハツ
チング！施こした暗部として表示される。この地図（マ
ツプ）汀、測定が完了した回路素子毎ＶＣＩＩｉ１次ス
コープ６上に表示す食ようにしてもよ（、また、あらか
じめ、スコープ６上に各回路素子に対応した領域をブロ
ック８化して射き、測定が完了したブロック８と未測定
のブロック８とを色分けしておくようにしてもよい。
このようなウエハプローバ忙よれば、スコープ６上のマ
ツプを目視することＫよって、瞬時忙測定進行状況およ
び良否の分布、数量を知ることができる。この結果、ブ
ロービングが確実に行なわれているか否かも知ることが
できる。すなわち、不良が多数連続して現われる場合Ｖ
Ｃ，は、回路・素子自体が悪いのではな（、プローブ針
の変形、摩耗郷による接触不良！４によって不良となる
場合もあることから、機構部の点検も必要となる。
ツプを目視することＫよって、瞬時忙測定進行状況およ
び良否の分布、数量を知ることができる。この結果、ブ
ロービングが確実に行なわれているか否かも知ることが
できる。すなわち、不良が多数連続して現われる場合Ｖ
Ｃ，は、回路・素子自体が悪いのではな（、プローブ針
の変形、摩耗郷による接触不良！４によって不良となる
場合もあることから、機構部の点検も必要となる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。すなわち１
、回路素子の良、不良以外の等級等ｔマツプ化して表示
してもよい。
、回路素子の良、不良以外の等級等ｔマツプ化して表示
してもよい。
以上のように、本発明の半導体検査装置によれば、被検
査物の検査状態、検査結果をインラインでモニタするこ
とができるため、装置を停止させる必要もなく、作業効
率が向上する。
査物の検査状態、検査結果をインラインでモニタするこ
とができるため、装置を停止させる必要もなく、作業効
率が向上する。
第１図は本発明の一実施例によるウエノープローパの概
要を示すブロック図、第２図は同じ（スコープ上のマツ
プを示す説明図である。 ｌ・・・駆動機構、２・・・−１定機構、３・・・イン
キング機構、４・・・制御部、５・・・表示機構、６・
・・スコープ、７・・・ウェハ、８・・・ブロック、９
・・・不良回路素子。 第 ｌ 図 第 ２ 図
要を示すブロック図、第２図は同じ（スコープ上のマツ
プを示す説明図である。 ｌ・・・駆動機構、２・・・−１定機構、３・・・イン
キング機構、４・・・制御部、５・・・表示機構、６・
・・スコープ、７・・・ウェハ、８・・・ブロック、９
・・・不良回路素子。 第 ｌ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- １４光下でウェハの各回路素子の所望部にプローブ針′
％：接触させて電気特性を検査するとともに、不良回路
素子にはその表面に不良マークを印す半導体検査装置に
おいて、表示機構ケ設けるとともに、この表示機構のス
コープ上に前記ウェハの各回路素子を地図化して表示し
、かつ各回路素子の良否等をごの地図で表示することを
特徴とする半導体検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11507881A JPS5817631A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11507881A JPS5817631A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817631A true JPS5817631A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14653628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11507881A Pending JPS5817631A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817631A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098636A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Hitachi Ltd | 自動ウェハ処理装置 |
| JPS63271946A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | ウエハマ−キング装置 |
| JPS6435928A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Tokyo Electron Ltd | Semiconductor inspection device |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11507881A patent/JPS5817631A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098636A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-01 | Hitachi Ltd | 自動ウェハ処理装置 |
| JPH0516179B2 (ja) * | 1983-11-04 | 1993-03-03 | Hitachi Ltd | |
| JPS63271946A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | ウエハマ−キング装置 |
| JPS6435928A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Tokyo Electron Ltd | Semiconductor inspection device |
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