JPS6049643A - ウエハ検査装置 - Google Patents
ウエハ検査装置Info
- Publication number
- JPS6049643A JPS6049643A JP15852383A JP15852383A JPS6049643A JP S6049643 A JPS6049643 A JP S6049643A JP 15852383 A JP15852383 A JP 15852383A JP 15852383 A JP15852383 A JP 15852383A JP S6049643 A JPS6049643 A JP S6049643A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- laser processing
- measurement
- optical system
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ウエノ〜」二に形成された半導体素子
の各電極に触合１を接触させて、その素子の回路試験を
行１．（ラウェ・ｈ検査装置において、レーザ加工光学
系を並設して、部分的に不良な素子の不良回路部を回路
上において結線を切断して予備の回路に置き代えること
によって良品としようとする装置に係るものである。
の各電極に触合１を接触させて、その素子の回路試験を
行１．（ラウェ・ｈ検査装置において、レーザ加工光学
系を並設して、部分的に不良な素子の不良回路部を回路
上において結線を切断して予備の回路に置き代えること
によって良品としようとする装置に係るものである。
高密度に集積された回路によって構成されろこれら素子
において、ごくわずかな欠陥のために、その素子を不良
品とすることは甚だ不経済であるそこで予め素子の回路
上に予備回路を設けておき、検査の結果、不良回路部が
検出された場合には、その不良回路部を予備回路と置き
代えて良品とすることが考えられている。
において、ごくわずかな欠陥のために、その素子を不良
品とすることは甚だ不経済であるそこで予め素子の回路
上に予備回路を設けておき、検査の結果、不良回路部が
検出された場合には、その不良回路部を予備回路と置き
代えて良品とすることが考えられている。
従来このために測定位置にレーザ加工光学系を取付けて
、必要なときこれを動作させる方法が増られてきた。と
ころがこの測定位置には、素子の電極数に対応した多数
本の触針が設けられており、またその接触点を観察する
ための顕微鏡がその上部に増刊けられ、更に全回路が不
良な素子に印を打つマーカが設けられている等のため、
ト会士胚ッ、ユ＃加日−−−この上にレーザ 加°工光学系を設けるため岐はレーザ加工光学系とウェ
ハ表面との距離を大きくとらざるを得す、それだけレー
ザ光の作動距離が犬となり、ウェハーと素子電極の位置
合せに兼用することも考えらねるが、この顕微鏡は高倍
率である必要があり、それだげ視野が狭く、従って触Φ
１と電極との接触位置の確認が困難て′あるという欠点
へ・も有していた。
、必要なときこれを動作させる方法が増られてきた。と
ころがこの測定位置には、素子の電極数に対応した多数
本の触針が設けられており、またその接触点を観察する
ための顕微鏡がその上部に増刊けられ、更に全回路が不
良な素子に印を打つマーカが設けられている等のため、
ト会士胚ッ、ユ＃加日−−−この上にレーザ 加°工光学系を設けるため岐はレーザ加工光学系とウェ
ハ表面との距離を大きくとらざるを得す、それだけレー
ザ光の作動距離が犬となり、ウェハーと素子電極の位置
合せに兼用することも考えらねるが、この顕微鏡は高倍
率である必要があり、それだげ視野が狭く、従って触Φ
１と電極との接触位置の確認が困難て′あるという欠点
へ・も有していた。
本発明はこれらの欠点を改善するため、レー→ノー加工
光学系を測定領域から離して同一ウェハ検査装置の別の
領域に設けたことを時機とすて）ものである。
光学系を測定領域から離して同一ウェハ検査装置の別の
領域に設けたことを時機とすて）ものである。
以下図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第１図において１は本発明のウェハ検査装置ににって測
定されるべきウェハで、このウェハ１土には半導体素子
２がオリエンテーションフラット６を基準に多数形成さ
れており、各素子２の電気的特性が例えば点線の矢印に
示すような順序に従って測定される。
定されるべきウェハで、このウェハ１土には半導体素子
２がオリエンテーションフラット６を基準に多数形成さ
れており、各素子２の電気的特性が例えば点線の矢印に
示すような順序に従って測定される。
第２図は本発明の平面図で、ｈ七ッｔ−４Ｖ−多数ルト
５に導′力・れ図の矢印に沿って搬送されて、プリア・
ライメント装箇６に供給されろ。プリアライメント装置
乙においてはカセット４から任意の方向をもって供給さ
れてきたウエノ・１が図の一点鎖線で示すように揃えら
れ、つまりオリエンテーションフラット３を基準板７に
接触させた状態で位置決めされる。このプリアライメン
ト装置乙において位置決めきれたウニ・・１ばＸ方向に
移動可能なウェハ吸着装置８によってＡ位置において吸
着され、Ｂ位置へ移動される。Ｂ位置にはウェハ吸着装
置８の真下の位置にχ−Ｙテーブル９上に、上下動可能
に設けられた吸着テーブル１０が待機しており、ウェハ
吸着装置８から解放されたウェハな吸着チーフル１Ｄ上
に真空吸着するようになっている。なお図においては関
係位置を明確にするために吸着チーフル１０はウェー・
吸着装置８の真下にはなく、Ｙ方向に移動した状態で示
されている。吸着テーブル１０上に固定されたウェハ１
はＣ位置において図示しない精密位置決め装置によって
さらに正確に位置決めされた後Ｘ−Ｙテーブル９によっ
て測定領域であるＤ位置にまで移動される。
５に導′力・れ図の矢印に沿って搬送されて、プリア・
ライメント装箇６に供給されろ。プリアライメント装置
乙においてはカセット４から任意の方向をもって供給さ
れてきたウエノ・１が図の一点鎖線で示すように揃えら
れ、つまりオリエンテーションフラット３を基準板７に
接触させた状態で位置決めされる。このプリアライメン
ト装置乙において位置決めきれたウニ・・１ばＸ方向に
移動可能なウェハ吸着装置８によってＡ位置において吸
着され、Ｂ位置へ移動される。Ｂ位置にはウェハ吸着装
置８の真下の位置にχ−Ｙテーブル９上に、上下動可能
に設けられた吸着テーブル１０が待機しており、ウェハ
吸着装置８から解放されたウェハな吸着チーフル１Ｄ上
に真空吸着するようになっている。なお図においては関
係位置を明確にするために吸着チーフル１０はウェー・
吸着装置８の真下にはなく、Ｙ方向に移動した状態で示
されている。吸着テーブル１０上に固定されたウェハ１
はＣ位置において図示しない精密位置決め装置によって
さらに正確に位置決めされた後Ｘ−Ｙテーブル９によっ
て測定領域であるＤ位置にまで移動される。
第３図に示すようにｒ）位置には吸着テーブル１０上の
ウェハ１の素子の各電極に接触する多数本の触針１１を
有するプローブカー１・１２ヒ、この触針１１と素子の
各電極どの接触位置関係を観察する視野の広い専用の顕
微鏡１３および測定の結果全くの不良素子には不良であ
る旨のマークな伺するマーカ１４が設けられている。Ｄ
位置において測定が完了したウニ・〜１は吸着テーブル
１０に吸着固定されたま＼の状態がレーザ加工領域であ
るＥ位置に移動される。Ｅ位置にはレーザ加工装置と加
工位置を観察するための高倍率の顕微鏡とを含むそれ自
体Ｘ−Ｙ方向に移動可能なレーザ加工光学系１５がウェ
ハ１に近接して設けられており、後述するように素子の
不良箇所をレー→ノー光によって加工するようになって
いる。こうして全素子に５一 ついて測定マーキングンーザ加工の施されたウェハ１は
吸着テーブル１０に載置された状態でＦ位置まで移動さ
れ、ここの真上に待機しているＸ方向に移動可能なウェ
ア１ｇ＆着装置１６により吸着されてＧ位置にまで移動
された後解放される。解放されたウェー・１は搬送ベル
ト１７によって図の矢印に沿って搬送され、ウェハ収納
カセット１８に収容されて１枚のウニへの測定を完了す
る。
ウェハ１の素子の各電極に接触する多数本の触針１１を
有するプローブカー１・１２ヒ、この触針１１と素子の
各電極どの接触位置関係を観察する視野の広い専用の顕
微鏡１３および測定の結果全くの不良素子には不良であ
る旨のマークな伺するマーカ１４が設けられている。Ｄ
位置において測定が完了したウニ・〜１は吸着テーブル
１０に吸着固定されたま＼の状態がレーザ加工領域であ
るＥ位置に移動される。Ｅ位置にはレーザ加工装置と加
工位置を観察するための高倍率の顕微鏡とを含むそれ自
体Ｘ−Ｙ方向に移動可能なレーザ加工光学系１５がウェ
ハ１に近接して設けられており、後述するように素子の
不良箇所をレー→ノー光によって加工するようになって
いる。こうして全素子に５一 ついて測定マーキングンーザ加工の施されたウェハ１は
吸着テーブル１０に載置された状態でＦ位置まで移動さ
れ、ここの真上に待機しているＸ方向に移動可能なウェ
ア１ｇ＆着装置１６により吸着されてＧ位置にまで移動
された後解放される。解放されたウェー・１は搬送ベル
ト１７によって図の矢印に沿って搬送され、ウェハ収納
カセット１８に収容されて１枚のウニへの測定を完了す
る。
このような構造による本発明のウニ・へ検査装置によっ
てレーザ加工を施す作用について説明する。
てレーザ加工を施す作用について説明する。
まずＣ位置において正確に位置決めされた１枚目のウェ
ハはＸ−Ｙテーブル９によって測定領域であるＹ）位置
に送られ、ここで顕微鏡１６によって観察しなから触針
１１と素子の電極との位置合せを行う。次いでウェハ１
をレーザ加工領域であるＥ位置まで一定量（Ｌ）移動さ
せ、高倍率の顕微鏡を用いて素子上の回路を観察しなが
ら加工する可能性のある複数の部位にレーザ加工光学系
１５を合せると共に、その各部位の位置を全て記憶す６
− る。このような作業を終えた後に、そのウニノｈ１を再
び測定領域であろＤ位置に戻し、ウニ・へ１上に形成さ
れたヨ素子２について例えば第１図に示すような順序に
従って、その電気的特性を測定する。測定の結果各素子
について（１）レー→ノー加工を施さなくても良好な素
子、（２）レー→ノー加工を施すことにより良好となる
素子、（３）レーザ加工を施しても良好とはならない素
子の３区分に分類されると共に、上記（３）の素子につ
いてはその位置で直ちに不良素子であるマークがマーカ
１４によって付され、また上記（２）の素子については
ウニノ＼１上におけろその素子の位置と、その素子内の
回路の加工すべき部位が記憶されろ。こうして全素子の
測定が終了するとウニ・〜１はレー→ノー加工領域であ
るＥ位置まで一定量（’Ｌ）移動され、測定したときと
同様順序に従って素子１個づつ送られ測定に際し記憶さ
れた」二記（２）の素子に対してはその加工部位にレー
ザ光が照射されて良好な素子に加工される。こうしてウ
ニノル１上の加工されるべき素子の全てについて加工が
施されると、そのウェハ１の測定・加工は完了し収容さ
れる。２枚目以後のウニ・・についてはＣ位置において
精密位置決めされた後、直ちにＤ位置において測定が、
Ｅ位置においてレーザ加工が行われ、以下同一ウェハが
なくなるまで同様に測定・加工が行われる。
ハはＸ−Ｙテーブル９によって測定領域であるＹ）位置
に送られ、ここで顕微鏡１６によって観察しなから触針
１１と素子の電極との位置合せを行う。次いでウェハ１
をレーザ加工領域であるＥ位置まで一定量（Ｌ）移動さ
せ、高倍率の顕微鏡を用いて素子上の回路を観察しなが
ら加工する可能性のある複数の部位にレーザ加工光学系
１５を合せると共に、その各部位の位置を全て記憶す６
− る。このような作業を終えた後に、そのウニノｈ１を再
び測定領域であろＤ位置に戻し、ウニ・へ１上に形成さ
れたヨ素子２について例えば第１図に示すような順序に
従って、その電気的特性を測定する。測定の結果各素子
について（１）レー→ノー加工を施さなくても良好な素
子、（２）レー→ノー加工を施すことにより良好となる
素子、（３）レーザ加工を施しても良好とはならない素
子の３区分に分類されると共に、上記（３）の素子につ
いてはその位置で直ちに不良素子であるマークがマーカ
１４によって付され、また上記（２）の素子については
ウニノ＼１上におけろその素子の位置と、その素子内の
回路の加工すべき部位が記憶されろ。こうして全素子の
測定が終了するとウニ・〜１はレー→ノー加工領域であ
るＥ位置まで一定量（’Ｌ）移動され、測定したときと
同様順序に従って素子１個づつ送られ測定に際し記憶さ
れた」二記（２）の素子に対してはその加工部位にレー
ザ光が照射されて良好な素子に加工される。こうしてウ
ニノル１上の加工されるべき素子の全てについて加工が
施されると、そのウェハ１の測定・加工は完了し収容さ
れる。２枚目以後のウニ・・についてはＣ位置において
精密位置決めされた後、直ちにＤ位置において測定が、
Ｅ位置においてレーザ加工が行われ、以下同一ウェハが
なくなるまで同様に測定・加工が行われる。
以上詳述したように本発明によれば半導体ウェハ上に形
成された半導体素子の電気的特性を測定するウェハ検査
装置において、半導体素子の電極に触針を当接させて、
測定を行う測定領域とその測定結果によって素子の不良
部位に加工を施すレーザ加工領域とを同一ウニ・・検査
装置の別の位置に設けることによって、レーザ加工領域
においてはレー→ノー加工光学系をウェハに対し任意な
位置に近接して設けることができるため、照射するレー
ザ光の径を充分に小さくすることができ、精度のよい加
工が可能となり、また測定領域においては触針と電極と
の接触位置関係を観察するための専用の顕微鏡を設ける
ことができるため、作業性を大幅に改善することができ
た０
成された半導体素子の電気的特性を測定するウェハ検査
装置において、半導体素子の電極に触針を当接させて、
測定を行う測定領域とその測定結果によって素子の不良
部位に加工を施すレーザ加工領域とを同一ウニ・・検査
装置の別の位置に設けることによって、レーザ加工領域
においてはレー→ノー加工光学系をウェハに対し任意な
位置に近接して設けることができるため、照射するレー
ザ光の径を充分に小さくすることができ、精度のよい加
工が可能となり、また測定領域においては触針と電極と
の接触位置関係を観察するための専用の顕微鏡を設ける
ことができるため、作業性を大幅に改善することができ
た０
第１図はウェ一平面図、第２図は本発明の平面図、第３
図は第２図の■−■断面図。 １ ウニノ・ ２ 半導体素子 ９、Ｘ−Ｙテーブル １０ 吸着チーフル１１ 触針
１２ プローブカード １ろ顕微鏡 １４ マーカ １５ レーザ加工光学系 特許出願人 株式会社 東京精密 ９− 第３図 ’ＩＩ） Ｅ ２１８−
図は第２図の■−■断面図。 １ ウニノ・ ２ 半導体素子 ９、Ｘ−Ｙテーブル １０ 吸着チーフル１１ 触針
１２ プローブカード １ろ顕微鏡 １４ マーカ １５ レーザ加工光学系 特許出願人 株式会社 東京精密 ９− 第３図 ’ＩＩ） Ｅ ２１８−
Claims (1)
- 半導体ウェハ上に形成された半導体素子の電気的特性を
測定して、その結果合格・部分不良・不合格に分類し、
部分不良の半導体素子に対してそのウエノｈ中における
位置および素子内の加工部位を記憶しておき、ウニ・・
を次に移動させた位置にレーザ加工光学系を設けて前記
記憶に従って部分不良の半導体素子の加工部位に対して
レーザ加工を行なうことを特徴としたウエノ１検査装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15852383A JPS6049643A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ウエハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15852383A JPS6049643A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ウエハ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049643A true JPS6049643A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15673595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15852383A Pending JPS6049643A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | ウエハ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049643A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237431A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Yamagata Ltd | 多チツプ同時測定用マ−キング装置 |
| JPH023253A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | プローブ装置 |
| JPH022947A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | 検査・リペア装置 |
| JPH026278U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967645A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置の欠陥救済装置 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15852383A patent/JPS6049643A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967645A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置の欠陥救済装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237431A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Nec Yamagata Ltd | 多チツプ同時測定用マ−キング装置 |
| JPH0715921B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1995-02-22 | 山形日本電気株式会社 | 多チツプ同時測定用マ−キング装置 |
| JPH023253A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | プローブ装置 |
| JPH022947A (ja) * | 1988-06-18 | 1990-01-08 | Teru Kyushu Kk | 検査・リペア装置 |
| JPH026278U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 | ||
| JPH0741156Y2 (ja) * | 1988-06-27 | 1995-09-20 | 日本電気株式会社 | Ｉｃ測定装置 |
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