JPS5967645A - 半導体装置の欠陥救済装置 - Google Patents
半導体装置の欠陥救済装置Info
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- JPS5967645A JPS5967645A JP17765582A JP17765582A JPS5967645A JP S5967645 A JPS5967645 A JP S5967645A JP 17765582 A JP17765582 A JP 17765582A JP 17765582 A JP17765582 A JP 17765582A JP S5967645 A JPS5967645 A JP S5967645A
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- Japan
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- test
- circuit
- bit circuit
- semiconductor device
- spare
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の欠陥救済装置に関する。
最近、コンピュータのメモリー素子等に使用される半導
体装置においては、装置全体中に卦ける1ピツト相当の
回路(以下、ビット回路という。)のみの欠陥によシ)
全体廃棄処分を救済するため、予備の冗長ピット回路を
設けておき、あるビット回路に欠陥があった場合、予備
の冗長ビット回路に切換え、半導体装置全体としては欠
陥を救済された状態にすることが行なわれている。
体装置においては、装置全体中に卦ける1ピツト相当の
回路(以下、ビット回路という。)のみの欠陥によシ)
全体廃棄処分を救済するため、予備の冗長ピット回路を
設けておき、あるビット回路に欠陥があった場合、予備
の冗長ビット回路に切換え、半導体装置全体としては欠
陥を救済された状態にすることが行なわれている。
従来、このような場合、ウエハプローバを用いてウェハ
のペレット(半導体基板)のそれぞれについてプローブ
テストを実施した後、あるビット回路に欠陥が発見され
たときに冗長ピット回路への切換えを実施し、切換実施
後、角度プローブテストを実施することが行なわれてい
た。
のペレット(半導体基板)のそれぞれについてプローブ
テストを実施した後、あるビット回路に欠陥が発見され
たときに冗長ピット回路への切換えを実施し、切換実施
後、角度プローブテストを実施することが行なわれてい
た。
しかしながら、このような従来の欠陥救済方法にあって
は、2回のプローブテストに多大の時間が浪費されろた
め、生産性を低下させるという欠点があった。
は、2回のプローブテストに多大の時間が浪費されろた
め、生産性を低下させるという欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、生産性
の低下を抑制しつつ半導体I’4ff全体としての欠陥
を救済することができる半導体装置の欠陥救済装置を提
供するにある。
の低下を抑制しつつ半導体I’4ff全体としての欠陥
を救済することができる半導体装置の欠陥救済装置を提
供するにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
この半導体装置の欠陥救済装置はXY方向に移動するX
Yテーブル2土に設けられウェハJを保持するチャック
3を備えている。ウェハ1は多数のペレットの集合体で
あり、各ベレット全体には複数のビット回路が形成され
ている。テーブル2の上方にはプローブカード4が装置
され、このカード4にはペレット」二の電4fバッド群
にフ”ロービングする多数本のプローブ針5が装着され
ている。
Yテーブル2土に設けられウェハJを保持するチャック
3を備えている。ウェハ1は多数のペレットの集合体で
あり、各ベレット全体には複数のビット回路が形成され
ている。テーブル2の上方にはプローブカード4が装置
され、このカード4にはペレット」二の電4fバッド群
にフ”ロービングする多数本のプローブ針5が装着され
ている。
プローブ釧5群は測定器6に市、気菌に接続されており
、測定器6はプローブ釧および電極パッドを介してペレ
ットのビット回路に電気信号を印加し、ビット回路から
の返信によりプローブテストを実行するようになってい
る。本実施例において、グローブノJ−ド4、グローブ
針5および測定器6を備えたウェハフローバフはプロー
ブ釧が所定の電極パッドに接触しているかを確認するテ
ストと、リーク電流の有無、消費電流の適否、出力レベ
ルの適否についてのテストと、ビット回路rffのそれ
ぞれが所定の機能を発揮するかを検査するテストとを実
施するように構成されている。
、測定器6はプローブ釧および電極パッドを介してペレ
ットのビット回路に電気信号を印加し、ビット回路から
の返信によりプローブテストを実行するようになってい
る。本実施例において、グローブノJ−ド4、グローブ
針5および測定器6を備えたウェハフローバフはプロー
ブ釧が所定の電極パッドに接触しているかを確認するテ
ストと、リーク電流の有無、消費電流の適否、出力レベ
ルの適否についてのテストと、ビット回路rffのそれ
ぞれが所定の機能を発揮するかを検査するテストとを実
施するように構成されている。
この半導体装置の欠陥救済装置は配線経路切換手段とし
てのレーザ加工機8を備えており、この加工機8は、レ
ーザを発射するレーザ光源9と、反射ミラー10と、収
束レンズ11と、これらを制御する制fill器12と
を備えている。このレーザ加工機はレーザをプローブカ
ード4の窓孔を通じてウェハl上に照射し、これにより
、ペレットにおける配線の所定箇所を溶断したり、また
は所定箇所の電気的抵抗値を変更さぜたりして、配線経
路の切換えを実行することができるように構成されてい
る。
てのレーザ加工機8を備えており、この加工機8は、レ
ーザを発射するレーザ光源9と、反射ミラー10と、収
束レンズ11と、これらを制御する制fill器12と
を備えている。このレーザ加工機はレーザをプローブカ
ード4の窓孔を通じてウェハl上に照射し、これにより
、ペレットにおける配線の所定箇所を溶断したり、また
は所定箇所の電気的抵抗値を変更さぜたりして、配線経
路の切換えを実行することができるように構成されてい
る。
前記ウェハブローバフの測定器6とレーザ加工機8の制
御器12とには切換実行指令信号発生器13が接続され
ており、この発生器13は測定器6かもの測定信号に基
き配線経路切換指令信号をレーザ加工機の制御器12に
印加1−るように構成されている。
御器12とには切換実行指令信号発生器13が接続され
ており、この発生器13は測定器6かもの測定信号に基
き配線経路切換指令信号をレーザ加工機の制御器12に
印加1−るように構成されている。
次に作用を説明する。
ウェハ1がテーブル1上のチャック3に保持されると、
チャック3が上昇しウェハ1の所定のペレットの電極パ
ッド群にプローブ針5群がそれぞれ接触する。同時に、
測定器(jから2g1のテスト信号が印加され、グロー
ブ針5が所定の電極パッドに適切に接触しているか否か
を確認する。不適切であった場合には、チャック3およ
びXYテーブル2の制御により接触状態が修正される。
チャック3が上昇しウェハ1の所定のペレットの電極パ
ッド群にプローブ針5群がそれぞれ接触する。同時に、
測定器(jから2g1のテスト信号が印加され、グロー
ブ針5が所定の電極パッドに適切に接触しているか否か
を確認する。不適切であった場合には、チャック3およ
びXYテーブル2の制御により接触状態が修正される。
適切な接触状態が確認されたら、測定器6かも第2のテ
スト信号が印加され、ペレットの各ビット回路から返っ
て(る信号により、各ビット回路におけるリーク電流の
有無、消費電流の適否および出力レベルの適否について
の検査を実行する。
スト信号が印加され、ペレットの各ビット回路から返っ
て(る信号により、各ビット回路におけるリーク電流の
有無、消費電流の適否および出力レベルの適否について
の検査を実行する。
次に、測定器6かも第3のテスト信号が印加され、ペレ
ットの各ビット回路から返ってくる信号により、各ビッ
ト回路が所定の機能を発揮するか否かについての検査を
実行するっ 前記テスト事項のうち一つでも否定結果が測定されたと
き、測定器6は所定の信号を切換実行信号発生器13に
印加する1、この発生器13はこの印加信号に基き、ペ
レットのビット回路群のうち不良のビット回路を予備の
冗長ビット回路に切換えさせる信号を作り出し、この信
号をレーザ゛加工機80制御器12に印加する。
ットの各ビット回路から返ってくる信号により、各ビッ
ト回路が所定の機能を発揮するか否かについての検査を
実行するっ 前記テスト事項のうち一つでも否定結果が測定されたと
き、測定器6は所定の信号を切換実行信号発生器13に
印加する1、この発生器13はこの印加信号に基き、ペ
レットのビット回路群のうち不良のビット回路を予備の
冗長ビット回路に切換えさせる信号を作り出し、この信
号をレーザ゛加工機80制御器12に印加する。
この指令信号を受けた制御器12は、当該信号に基づき
、測定中のペレットにおける不良ビット回路と予備の冗
長ビット回路とを切換えるための所定箇所に光於9から
のレーザを照射さぜるべ(ミラー 10およびレンズ1
1等を制御し、かつ実行させる。このレーザの照射によ
り、不良ビット回路は予備ビット回路に切換えられ、ペ
レット全体としては良品に改造され、欠陥を救済された
ことになる。救済後、切換えられた予備回路について前
記テストを実行し救済を確認することが望ましい。
、測定中のペレットにおける不良ビット回路と予備の冗
長ビット回路とを切換えるための所定箇所に光於9から
のレーザを照射さぜるべ(ミラー 10およびレンズ1
1等を制御し、かつ実行させる。このレーザの照射によ
り、不良ビット回路は予備ビット回路に切換えられ、ペ
レット全体としては良品に改造され、欠陥を救済された
ことになる。救済後、切換えられた予備回路について前
記テストを実行し救済を確認することが望ましい。
以後、前記作条を杵り返えして、ウニノ・−ヒの全ベレ
ットについてフローブチストが実行され、かつ欠陥が測
定されたビット回路について予備冗長ビット回路への切
換えが適宜実行される。
ットについてフローブチストが実行され、かつ欠陥が測
定されたビット回路について予備冗長ビット回路への切
換えが適宜実行される。
全ペレットについて前記作業が実施されると、ウェハは
チャックから脱装され、正規のウェハプローバチスト工
程に送られる。この場合、ウェハは前記救済装置により
フローブチストのいくつかの事項を実行され、かつ不良
ビット回路を切換えられているので、ウェハ中のベレッ
ト群のうちに欠陥ペレットが発生する率ヲ゛」、極めて
少ない。
チャックから脱装され、正規のウェハプローバチスト工
程に送られる。この場合、ウェハは前記救済装置により
フローブチストのいくつかの事項を実行され、かつ不良
ビット回路を切換えられているので、ウェハ中のベレッ
ト群のうちに欠陥ペレットが発生する率ヲ゛」、極めて
少ない。
本実施例によれば、正規のウニ・・プローブテストを実
施一種る前に、簡略化されたプローブテストを実施しつ
つ、予め、不良ビット回路を適正な冗長ビット回路に切
換える救済作業を実行することができるので、正規のウ
ェハプローブテスト全2回繰り返して救済およびその確
認を実行する場合に比べ生産性を向上させることができ
る。
施一種る前に、簡略化されたプローブテストを実施しつ
つ、予め、不良ビット回路を適正な冗長ビット回路に切
換える救済作業を実行することができるので、正規のウ
ェハプローブテスト全2回繰り返して救済およびその確
認を実行する場合に比べ生産性を向上させることができ
る。
前記救済装置において実施されるプローブテストは、実
質的には、リーク電流の有無、消費電流の適否、出力レ
ベルの適否についての電流値テストと、機能の有無につ
いての機能テストのみであるから、テストの消費時間は
正規のグローブテストに比べ極めて大幅に短縮化される
。すなわち、正規のプローブテストでは、例えば回路の
応答性や高速性等の特性、性能についてのファンクショ
ンテストが実施され、このテストに全時間の殆どを浪費
されるが、前記救済装置ではこのファンクションテスト
を省略するので、テスト消費時間が大幅に短縮化される
のひある。また、前記救済装置におけるウェハプローバ
はこのように簡易な能力を持つものであるため、小型か
つ安価になる。
質的には、リーク電流の有無、消費電流の適否、出力レ
ベルの適否についての電流値テストと、機能の有無につ
いての機能テストのみであるから、テストの消費時間は
正規のグローブテストに比べ極めて大幅に短縮化される
。すなわち、正規のプローブテストでは、例えば回路の
応答性や高速性等の特性、性能についてのファンクショ
ンテストが実施され、このテストに全時間の殆どを浪費
されるが、前記救済装置ではこのファンクションテスト
を省略するので、テスト消費時間が大幅に短縮化される
のひある。また、前記救済装置におけるウェハプローバ
はこのように簡易な能力を持つものであるため、小型か
つ安価になる。
ブよお、前記実施例では、配線経路切換手段と1゜てレ
ーザ加工機を用いた場合につき説明したが、これに限ら
ず、例えば、回路の所定箇所にあらかじめ介設されたヒ
ユーズに太屯流を通してこれ全溶断、溶着させるように
してもよい。
ーザ加工機を用いた場合につき説明したが、これに限ら
ず、例えば、回路の所定箇所にあらかじめ介設されたヒ
ユーズに太屯流を通してこれ全溶断、溶着させるように
してもよい。
また、本発明にかかる半導体装置の欠陥救済装置は、メ
モリーに使用される半導体装備以外にも適用することが
できる。
モリーに使用される半導体装備以外にも適用することが
できる。
以上説明したように、本発明によれば、半導体装置にお
ける回路の一部を予備回路に切換えることにより、半導
体装置全体を欠陥から救済することができる。
ける回路の一部を予備回路に切換えることにより、半導
体装置全体を欠陥から救済することができる。
図は本発明の一実施例を示すブロック図であるっl・・
ウェハ、2・・・XYテープノベ 3・・・チャック、
4・・・プローブカード、5・・・プローブ針、6・・
・測定器、7・・・ウェハプローバ、8・・・レーザ加
工機、9・・・レーザ光源、10・・・ミラー、11・
・・レンズ、12・・・制御器、13・・・配線経路切
換信号発生器。
ウェハ、2・・・XYテープノベ 3・・・チャック、
4・・・プローブカード、5・・・プローブ針、6・・
・測定器、7・・・ウェハプローバ、8・・・レーザ加
工機、9・・・レーザ光源、10・・・ミラー、11・
・・レンズ、12・・・制御器、13・・・配線経路切
換信号発生器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体装置となる回路群にプロービングして電流値
テストと機能テストとを実施するウェハプローバに配線
経路切換手段を接続し、電流値および機能テストの結果
が不良の回路を予備回路に切換えるようにしてなる半導
体装置の欠陥救済装置。 2 配線経路切換手段が、レーザ加工機であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体装置の欠陥
救済装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17765582A JPS5967645A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の欠陥救済装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17765582A JPS5967645A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の欠陥救済装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5967645A true JPS5967645A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16034781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17765582A Pending JPS5967645A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置の欠陥救済装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5967645A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6049643A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハ検査装置 |
JPS6246542A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | ウエ−ハテストシステム |
US4676761A (en) * | 1983-11-03 | 1987-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a matrix of electronic components |
JPH01312845A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の検査方法 |
JPH026278U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP17765582A patent/JPS5967645A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6049643A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハ検査装置 |
US4676761A (en) * | 1983-11-03 | 1987-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a matrix of electronic components |
JPS6246542A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | ウエ−ハテストシステム |
JPH01312845A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の検査方法 |
JPH026278U (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-16 | ||
JPH0741156Y2 (ja) * | 1988-06-27 | 1995-09-20 | 日本電気株式会社 | Ic測定装置 |
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