JPH0346246A - 検査装置 - Google Patents

検査装置

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JPH0346246A
JPH0346246A JP18187089A JP18187089A JPH0346246A JP H0346246 A JPH0346246 A JP H0346246A JP 18187089 A JP18187089 A JP 18187089A JP 18187089 A JP18187089 A JP 18187089A JP H0346246 A JPH0346246 A JP H0346246A
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probe
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semiconductor device
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electrode
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Satoru Yamashita
山下 知
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、検査装置に関する。
(従来の技術) 一般に、被検査体例えば半導体デバイスは精密写真転写
技術等を用いて半導体ウェハ上に多数形成され、この後
、個々の半導体デバイスに切断されるが、このような切
断前(半導体ウェハの状!!りの半導体デバイスの電気
的な特性の検査を行う半導体検査装置は、いわゆるプロ
ーバとテスタとから構成されている。
すなわち、プローバは、例えばx−y−z方向に移動可
能とされた測定ステージ上に半導体ウェハを吸着保持し
て、所定位置に固定されたプローブカードの探針に該半
導体ウェハ上に形成された半導体デバイスの電極パッド
群を次々と接触させるよう構成されており、テスタは、
プローブカードの探針を介し“て半導体デバイスに所定
の検査信号を供給し、半導体デバイスの電気的な特性を
検査するよう構成されている。
ところで、第5図に示すように、一般にプローブカード
lは、基板2に対して探針3が斜めに固定されている。
そして、この探針3を半導体ウェハ4表面に形成された
アルミニウム等からなる7d極パツド5に接触させる際
には、探針3が電極パッド5表面に接触した位置からさ
らに図示矢印の如く半導体ウェハ4を上昇させ、探針3
の先端部を電極パッド5表面に沿って摺動させて、電極
パッド5表面に第6図に示すような傷6を付けることに
より確実に電気的なコンタクトを得るよう構成されてい
る。
また、近年半導体デバイスは急速に高集積化される傾向
にあり、このため、半導体デバイスの回路パターンも微
細化し、電極パッドの配置密度も高くなる傾向にある。
このため、上述のよう・に基板に対して斜めに探針を固
定した従来のプローブカードでは対処することが困難と
なり、基板に対してほぼ垂直に探針を固定したプローブ
カードも開発されている。
(発明が解決しようとする詫題) 上述したように、半導体検査装置による半導体ウェハの
状態での半導体デバイスの検査では、探針の接触により
アルミニウム等からなる電極パッドに大きな傷が付く。
一方、このような半導体デバイスの検査においては、1
つの半導体デバイスに複数回探針を接触させて例えばカ
テゴリーの5′4なる複数回の検査を行う場合があるが
、このような場合電極の面積に比較して、探針による傷
の面積が大きいために、2回めの探針の接触時に、1回
めの接触で形成された電極パッドの傷の上に探針を接触
させざるを得ない場合が多く、充分なコンタクトが得ら
れなかったり、接触抵抗が前回と穴なったりして、安定
した検査を行うことができない場合が生じるという問題
があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、被検査体の電極に複数回探針を接触させて複数回の検
査を行う場合でも、充分な電気的コンタクトを得ること
ができ、安定した検査を行うことのできる検査装置を堤
供しようとするものである。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、被検査体の電極群に探針を接触させ
、該被検査体の電気的な検査を行う検査装置において、
前記探針を同一の前記被検査体の電極群に複数回接触さ
せる際に、該電極上の探針接触位置を変更するよう構成
したことを特徴とする。
(作 用) 上記構成の本発明の検査装置では、探針を同一の被検査
体の電極群に複数回接触させる際に、該電極上の探針接
触位置を変更するよう構成されている。
したがって、半導体デバイスに複数回探針を接触させて
複数回の検査を行う場合でも、例えば探針先端部が前回
の接触時に形成された電極上の傷に影響されることなく
、充分な電気的コンタクトをi4る;とができ、接触抵
抗の再現性が良く安定した検査を行うことができる。
(実施例) 以下本発明の検査装置を図面を参照して一実施例につい
て説明する。
この実施例の検査装置は、ブローμ10とテスタ20と
から構成されており、ブローμ10には、上面に載置さ
れた被検査体例えば半導体デバイスが複数形成された半
導体ウェハ11を例えば真空チャック等により吸着保持
し、x−y−z方向に移動させるallllデステージ
12けられている。
この測定ステージ12は、制御部13からの制御信号に
よって制御される。
また、上記測定ステージ12の上部には、所定のプロー
ブカード、例えば半導体ウェハ11に形成された半導体
デバイスの電極パッドllaに対応して、基板14に多
数の探針15をほぼ垂直に固定したプローブカード16
が着脱自在に保持されている。
一方、テスタ20は、メジャリングケーブル等を介して
上記プローブカード16の探針15に電気的に接続され
ており、探針15を介して半導体ウェハ11に形成され
た半導体デバイスに所定の検査信号を供給するとともに
、この検査信号に応じて半導体デバイスから出力される
信号を測定可能とされている。
また、このテスタ20は、ブローμ1oの制御部13に
電気的に接続されており、予め設定されたプログラムに
従ってブローμ10の制御部]3に測定ステージ12を
動作させるための指令信号を送出するとともに、制御部
13を介してδp1定スデステージ12置等に関する情
報を入力するよう構成されている。
そして、1つの半導体デバイスの電極パッド11aに複
数回探針15を接触させて複数回の検査を行う場合は、
その測定回数をテスタ20が認識し、例えば筆2図に示
すように、1回めのfl$1定の際には下側隅部に探針
15を接触させ(A)、2回めの測定の際には中央部に
探針15を接触させ(B)、3回めの測定の際には上側
隅部に探針15を接触させる(C)等して、測定毎に電
極パッドlla上の探針15の接触位置を変更するよう
構成されている。なお、同図において符号18は、電極
パッドlla上の探針15の針跡を示している。
上記構成のこの実施例の半導体検査装置では、例えば図
示しない搬送機構および位置決め機構等により、半導体
ウェハ11を搬送および位置決めし、ブローμ10の測
定ステージ12の所定位置にjlili置する。
この後、予め設定されたプログラムに従ってテスタ20
からブローμ10の制御部13に指令信号を送出し、測
定ステージ12を動作させて、この測定ステージ12上
に保持された半導体ウェハ11の半導体デバイスの電極
パッドllHに順次プローブカード16の探針15を接
触させる。
そして、テスタ20から探針15を介して半導体デバイ
スに所定の検査信号を供給するとともに、この検査信号
に応じて半導体デバイスから出力される信号を測定し、
各半導体デバイスの電気的な検査を行う。
また、前述したように、1つの半導体デバイスの電極パ
ッドllaに複数回探針15を接触させて複数回の検査
を行う場合は、alll定毎に電極パッドlla上の探
針15の接触位置を変更する。したがって、例えば探針
15の先端部が前回の接触時に形成された電極パッドl
la上の傷に影響されることなく、充分な電気的コンタ
クトを得ることができ、安定した検査を行うことができ
る。また、例えば1回めの電極パッドlla上の探針1
5の接触位置を電極パッドllaの隅部等に設定してお
けば、後工程における電極パッドllaに対するワイヤ
ボンディングの際に、探針15の針跡(傷)の影響を受
けず、良好なボンディングを行うことができる。なお、
電極パッドlla上の探針15の接触位置は、例えば第
3図および第4図に針跡18を示すように、例えば各隅
部としても、直線上に並ぶ位置等としてもどのようにし
てもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の検査装置によれば、被検
査体に複数回探針を接触させて複数回の検査を行う場合
でも、例えば探針先端部が前回の接触時に形成された電
極上の傷に影響されることなく、充分な電気的コンタク
トを得ることができ、安定した検査を行うことができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体検査装置の構成を示
す図、第2図は第1図の半導体検査装置の動作を説明す
るための図、第3図および第4図は第1図半導体検査装
置の探針接触位置を説明するための図、第5図は従来の
半導体検査装置の動作を説明するための図、第6図は第
5図探針の電極パッド上の傷(針跡)を説明するための
図である。 10・・・・・・ブローμ、11・・・・・・半導体ウ
ェハ、11a・・・・・・電極パッド、12・・・・・
・7]11+定ステージ、13・・・・・・制御部、1
4・・・・・・基板、15・・・・・・探針、16・・
・・・・プローブカード、20・・・・・・テスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被検査体の電極群に探針を接触させ、該被検査体
    の電気的な検査を行う検査装置において、前記探針を同
    一の前記被検査体の電極群に複数回接触させる際に、該
    電極上の探針接触位置を変更するよう構成したことを特
    徴とする検査装置。
JP1181870A 1989-07-14 1989-07-14 検査装置 Expired - Lifetime JP2767291B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1181870A JP2767291B2 (ja) 1989-07-14 1989-07-14 検査装置

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JP1181870A JP2767291B2 (ja) 1989-07-14 1989-07-14 検査装置

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JPH0346246A true JPH0346246A (ja) 1991-02-27
JP2767291B2 JP2767291B2 (ja) 1998-06-18

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ID=16108289

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278381A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 検査装置および位置ずれ量取得方法
JP2009176883A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Tokyo Electron Ltd 検査方法及びこの検査方法を記録したプログラム記録媒体
US11992891B2 (en) 2020-12-09 2024-05-28 Sodick Co., Ltd. Machining method of wire discharge machine, machining program generating device, wire discharge machining system and machined object manufacturing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57134941A (en) * 1981-02-13 1982-08-20 Nec Corp Semiconductor device

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