JPS62115837A - プロ−ビング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウエノ・−内に作り込まれたトランジ
スターあるいは半導体集積回路などの素子の電気的特性
検査を行い、不合格とされた不良半導体素子に不合格マ
ークを付し、かつ、その適正を検知し得るプロービング
装置に関する。

従来の技術 所定の製造プロセスを経て半導体ウエノ・−内に作り込
まれた多数個の半導体素子は、第６図に概略的平面図で
示すプロービング装置と電気的特性検査装置等により個
々の電気的特性が検査され、一定の特性条件を満たさな
い素子にはインカー５により不合格マーク３が付され、
所定枚数の電気的特性検査が終了したのち、適正な大き
さに不合格マークが付されたか否かを作業者が顕微鏡を
介して目視で検査する方法が採られている。

この方法では、まず多数個の半導体ウエノ・−を収納し
たウエノ・−カセットをプロービング装置１のローディ
ングステーション１６にセットする。

半導体ウェハーは、このウェハーカセットから１枚づつ
測定ステージ４へと自動的に送られ、こ＼で半導体ウエ
ノ・−内に作り込まれた多数個の半導体素子の電気的特
性が個々に検査される。この検査で不合格と判定された
半導体素子には、不良であることを表示するためインク
によるマーク（ドツト）がインカー５によって付される
。

作り込まれた全ての半導体素子の電気的特性検査が終了
した半導体ウエノ・−は、アンローダースチージョン１
７へ送られ、こ＼にセットされているウェハーカセット
内に収納される。この様な検査が順次進み、所定枚数の
半導体ウエノ・−が収納されたところで、ウエノ・−カ
セットはマーク検査工程へ運ばれる。

マーク検査工程では、前記ウェハ−カセットから半導体
ウエノ・−を１枚づつ取り出し、顕微鏡を介して作業者
により前記不合格マークが適正な大きさに付されたか否
かを目視で検査される。なお、不合格マークの適正化は
自動選別工程には不可欠である。このマーク検査で、前
記不合格マークの大きさが適正に付されていると判定さ
れた半導体ウェハーは、再びウェハーカセットに収納さ
れ、次工程へと運ばれるが、もし不合格マークの大きさ
が不適正であると判断されると、該半導体ウェハーの電
気的特性検査を行ったプロービング装置のインカーをチ
ェックし、適正なマークサイズとなるように、作業者に
より、調整される。

発明が解決しようとする問題点 従来、不良半導体素子に付された不合格マークの検査は
、前記したごとくバッチ処理となり検査結果の判明が遅
く、その対応が遅れるという欠点と＼もに、人による検
査はそれぞれの検査員によ本発明は前記不都合を解消す
るため、電気的特性検査に用いるプロービング装置に不
良半導体素子表面に付された不合格マークを自動的に検
出するための光電センサーを具備させ、電気的特性検査
と並行して前記不合格マークが適正な大きさに付された
か否かを光電検出し、自動的に判断させることにより前
記不都合を解消するものである。

作用 本発明により、半導体ウェハー内に作り込まれた半導体
素子のうち不良素子表面に付された不合格マークを光電
検出し、同マークの大きさを基準マークサイズと比較し
適正な大きさのマークが付されたか否かを判断すると共
に、遂次、比較結果をインカーのマーク形成機能部に帰
還し、自動調整を行うことができる。

実施例 第１図乃至第４図を参照し本発明の一実施例を説明する
。

第１図は本実施例によるプロービング装置の概要を示す
平面図である。

第２図は実施例の部分詳細を示す側面図であり、Ｘ−Ｙ
テーブル１４上には電気的特性が検査される半導体ウェ
ハーを載置するウェハー載置台１３が取付けられ、半導
体ウニ・・−内に作り込まれた半導体素子のＸおよびＹ
の寸法に合わせて前記Ｘ−Ｙテーブル１４は駆動され、
これにより、個々の半導体素子は所定の測定位置へと順
次移動される。

プローブコンタクト１２の先端は個々の半導体素子上に
設けられた外部引出電極パッドに合致するように配置さ
れ、グローブカード基板１１に取付けられ、前記プロー
ブコンタクト１２の他端は電気的特性検査用の回路、測
定器へと接続されている。

電気的特性検査の結果不良半導体素子に不合格マークを
付するインカー５は、先端に内径１間弱の穴径のノズル
７を有するインクタンク８、前記ノズル７の穴径より小
径の針９と、前記電気的特性検査機よりの不良信号によ
って前記針９を動作させるソレノイド１０から構成され
ており、前記インクタンク８内には電気的特性不良の半
導体素子上に不合格マークを付するインクが充填されて
いる。インクは後工程での判別の容易さのため、赤色が
多く用いられかつ、マーキングした後に乾燥のため、約
１２０’Ｃで３Ｑ分間の加熱を行い、半導体ウェハー上
に焼付けるのが一般的である。

前記電気的特性検査機よりの不良信号によりソレノイド
１ｏを動作させ、ソレノイド１ｏのプランジャーに取付
けられている針９を下降させ前記不良半導体素子上の所
定の位置にインクを付着させることにより不合格マーク
付けを行う。

光電センサー６は、ボ■記インカー６の位置から、半導
体ウニ・・−２内に形成された半導体素子寸法ｐの整数
倍ｎの距離（本実施例では２倍）に離間された位置に半
導体素子表面の反射光１６を検出すべく、取付けら扛て
おり、前記インカー５によって付さ扛た不合格マーク３
が適正な大きさであるか否かを検出する。

第３図１およびｂは光電センサー６による不合格マーク
３の大きさの検出方法を説明する図であり、イは半導体
ウェハー２内に形成された良品半導体素子であり、前記
インカー５による不合格マークは付さ扛ていないため、
表面の反射率は高く従って反射光量も第３図すのように
、極大となる。

口乃至二は半導体ウェハー内に形成された半導体素子の
うち電気的特性が不良のもので、前記インカー５により
不合格マーク３が付されたものであり、口は不合格マー
ク３の大きさが適正なサイズであり表面の反射光量は第
３図すのように、小となる。

ハは不合格マーク３の大きさが大き過ぎるものであり、
半導体素子表面の反射光量は第３図すのご極小となる。

この様な大き過ぎるマークは、インクの飛散などにより
隣接する良品半導体素子表面を汚染する恐れがある。

ニは不合格マーク３の大きさが小さ過ぎるものであり反
射光量は第３図すのととくや＼犬となる。

このような小さ過ぎるマークは後工程のダイマウント作
業での半導体素子の良否判定を困難にする。

従って第３図すの１乃至１１の範囲（不合格マーク３の
大きさが小さ過ぎるもの）および１１１乃至ｉｖの範囲
（不合格マーク３の大きさが大き過ぎるもの）の反射光
量（光電センサーの出力）を、光電センサー６に接続し
た判断装置（図示せず）によって検出判断して、不合格
マーク３の大きさが適正に付されたか否かを判定する。

第４図は半導体ウェハー２内に形成された個々の半導体
素子の電気的特性と、不合格マークの大きさとを順次検
査する様子を説明する図であり、電気的特性検査は、イ
ーＣからイーｄ、イーｅと順次行い、不良半導体素子に
はインカー５で不合格マーク３を付していく。電気的特
性検査が順次進み、バーＣへと位置移動した時曲記不合
格マーク検出用の光電センサー６はイーＣ上に位置し、
バーＣの電気的特性検査と並行して光電センサー６は半
導体素子イーＣの表面反射光量の検出を行う。たとえば
、イーＣ位置の半導体素子表面には不合格マーク３亀が
付されているため光電センサー６に入光する反射光量は
減じ、光電センサー６の出力は小となる。

電気的特性検査がバーｅへ位置すると光電センサー６は
半導体素子イーｅの検出を行い不合格マーク３ｂが付さ
れているため反射光量は減じるが不合格マーク３ｂの大
きさは大き過ぎるため光電センサー６に入光する反射光
量は極小となり光電センサー６の出力も極小となる。

電気的特性検査がニーｄへ位置すると光電センサー６は
ローｄの反射光量の検出を行うが、不合格マーク３Ｃは
小さ過ぎるため光電センサー６の出力はや＼犬となる。

この様に半導体ウェハー内に形成された個々の半導体素
子の電気的特性検査を行いっＸ並行して光電センサーに
入光する個々の半導体素子表面の反射光量の差を検出す
ることにより不良半導体素子に付された不合格マークの
大きさを順次検査し、不適正な大きさのマークが１枚の
半導体ウニ・・−に所定の数発見されるとプローブ検査
を停止させ、警報を発し作業者に知らせる。また、この
検査情報をイン力の制御機構に帰還して加え、同イン力
を自動制御することもできる。

発明の効果 本発明のプロービング装置では、ｄｆ丁記したごとく、
半導体ウニ・・−内に形成された個々の半導体素子の電
気的特性検査と並行して不良半導体素子に付された不合
格マークを光電センサーによって検出するため、従来の
ように、マーク検査に作業者を必要とせず、作業能率を
向上させると共に、不合格マークの大きさをマーキング
俊速やかに判断出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例によるプロービング装置行の
概略的平面図、第２図は第１図の部分を詳細に示す側面
図、第３図は不合格マークの大きさの検出状況を示す特
性図、第４図は不合格マークの検出過程を示す説明図で
あり、第５図は従来のプロービング装置の概略的平面図
である。 １　・・・・プロービング装置、４・・・・・測定ステ
ージ、６　・・・・インカー、６・・・・・光電センサ
ー。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）不良半導体素子に不合格マークを付すことができ
   るインカーと、不合格マークを検出する光電センサーと
   を具備したことを特徴とするプロービング装置。
2. （２）インカーおよび光電センサーがプローブカードに
   連結して取付けられたことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載のプロービング装置。