JPS61147542A - 良品ペレツトの判別装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、良品ペレットの判別装置に関する。

［従来の技術］ 半導体ウェハは、シリコン等の材質から形成され、表面
が反射率の高い鏡面とされる円形ウェハの表面層に回路
パターン群を焼付けて形成され、該回路パターン群は、
複数の回路パターンをＸＹ方向に配設して構成される。

焼付けられる回路パターン群の形状は、該円形ウェハ内
に収まる正方形ないし長方形状のものとされ、回路パタ
ーンの焼付けられる部分以外の半導体ウニへの表面は、
反射率の高い鏡面のままの状態とされる９回路パターン
群が焼付けられた半導体ウェハは、マトリクス状にダイ
シングされ、さらにブレーキングされて各ペレットに分
離される。ダイシングは、ダイヤモンド砥石あるいはレ
ーザ等を用いて半導体ウェハの表面にダイシングライン
をＸＹ方向に刻設して行なわれる。これにより、該ダイ
シングラインに沿って半導体ウェハを破折し、分離する
ことにより表面に回路パターンを備えたペレットを製造
することができる。このようにして製造されるペレット
は、ペレットポンディング装置により、リードフレーム
等の基板に対してマウントされ、これにより、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等のチップを製造するようにしている。

ところで、円形ウェハに焼付けられる回路パターン群は
、予め、各ペレットに破折し、分離される前の段階で各
回路パターンごとに回路特性試験が行なわれる０回路特
性試験は、特性試験機により行なわれ、該試験機の探針
を焼付けられた回路パターンの表面電極に接触させて各
回路パターンの良、不良を検査可能としている０回路特
性試験の結果、不良と判断された不良ペレットに相当す
る回路パターンの表面には、マーク表示装置により赤色
等のインクで不良マークが表示される。

さらに回路パターンの焼付られていない不良ペレットの
表面に相当する位置にもマーク表示装置により、赤色等
のインクで不良マークを表示するようにしている。

半導体ウェハは、上記のような不良マーク表示作業を経
て各ペレットに破折し、分離される。この結果、表面に
回路パターンが形成され、該表面が反射率の低い反射面
とされるとともに、上記回路特性試験の結果、表面に不
良マークの表示される不良ペレットと、表面に回路パタ
ーンが形成されず、該表面が反射率の高い反射面とされ
るとともに、表面に不良マークの表示される不良ペレッ
トと、表面に回路パターンが形成され、該表面が反射率
の低い反射面とされるとともに、上記回路特性試験の結
果、表面に不良マークが表示されない良品ペレットのそ
れぞれが形成されることとなる。これら、不良および良
品ペレットのうち良品ペレットのみを判別し、該良品ペ
レットのみについてペレットポンディング作業を行なう
ため、従来、良品ペレットの判別装置が用いられていた
。

良品ペレットの判別装置は、ペレットの表面に対し、検
査光を照射可能とする検査光源と、各ペレットにおける
不良マークの有無を判別可能とする基準反射光量を予め
定め、該検査光の反射光量を測定し、該測定反射光量と
基準反射光量とを比較する不良ペレット検知手段を備え
てなる。すなわち、この装置の不良ペレット検知手段は
、不良マークに照射される検査光のペレット表面におけ
る反射光量が基準反射光量のレベルよりも低下するのに
基づき、該ペレットの表面に表示される不良マークの有
無を判別可能としている。この結果、該不良マークが検
知されなかったペレットを良品ペレットと認定し、判別
することが可能となり、良品ペレットと判別されたペレ
ットについてのみペレットポンディング作業を行なうよ
うにしている。

［発明が解決しようとする問題点１ しかしながら、上記従来の良品ペレットの判別装置にあ
っては、ペレット表面に反射率の高低が存在するにもか
かわらず、不良マークの判別を行なうための基準反射光
量のレベルが表面に回路パターンが形成されるペレット
の反射率にあわせた一定のものとされていた。このため
、表面に回路パターンが形成されていない不良ペレット
のように、ペレット表面の反射率が高い場合は、その分
不良ペレット検知手段により測定される反射光量が全体
として大となり、したがって該不良ペレットにおいては
、反射光量の低下による不良マークの判別が難しいもの
とされていた。

以上のことから、マーク表示装置による不良マークの表
示を表面反射率の低い表面に、回路パターンが形成され
る不良ペレットについてのみ行ない、良品ペレットと、
それぞれ表面反射率の異なる回路パターンが形成される
不良ペレットおよび回路パターンが形成されていない不
良ペレット、の中から確実に良品ペレットのみを判別可
能とする良品ペレットの判別装置の開発が望まれていた
。

本発明は、表面の反射率がそれぞれ異なる場合において
も、不良ペレットに対する良品ペレットの判別を確実に
行なうことを目的としている。

［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明は、表面に回路パター
ンが形成され、該表面が反射率の低い反射面とされるペ
レットに対し回路特性試験を行ない、該試験の結果、表
面に不良マークの表示される不良ペレットと、表面に回
路パターンが形成されず、該表面が反射率の高い反射面
とされる不良ペレット、のそれぞれに対し、良品ペレッ
トを判別可能とする良品ペレットの判別装置であって、
テーブル上に整列される良品および不良ペレットのそれ
ぞれの表面に対し、検査光を照射可能とする検査光源と
、各ペレットにおける不良マークの有無を検知可能とす
る基準反射光量と表面が反射率の高い反射面とされる不
良ペレットを検知可能とする基準反射光量のそれぞれを
予め定め、該検査光の反射光量を測定し、該測定反射光
量と基準反射光量を比較する不良ペレット検知手段と、
各ペレットの反射率に応じて検査光源の検査光量と不良
ペレット検知手段の基準反射光量の少なくとも一方を可
変設定する手段とを備えることとじている。

［作　用］ 本発明によれば、各ペレットにおける不良マークの有無
を判別可能とする基準反射光量と表面が反射率の高い反
射面とされる不良ペレットを判別可能とする基準反射光
量のそれぞれを予め定めるとともに、ペレット表面の反
射率に応じて検査光源の検査光量と不良ペレット検知手
段の基準反射光量の少なくとも一方を可変に設定可能と
したため、ペレット表面に反射率の高低が存在する場合
においても、該可変設定により表面に回路パターンの形
成されていない不良ペレットおよび表面に不良マークの
表示される不良ペレットを判別することができる。この
結果、表面の反射率がそれぞれ異なる場合においても、
不良ペレットに対する良品ペレットの判別を確実に行な
うことが可能となる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る良品ペレットの判別装
置を示す一部破断の正面図、第２図は各ペレットに破折
し、分離する前の半導体ウェハを示す平面図、第３図は
ＸＹテーブル上に整列される良品および不良ペレットを
示す平面図、第４図は第３図の一部を拡大して示す平面
図、第５図は測定反射光量に対する基準反射光量の可変
設定状態を示す線図である。

第２図に示する半導体ウェハ１０は、シリコン等から形
成され、かつ表面が反射率の高い鏡面とされる円形ウェ
ハの表面層に、回路パターン群１１を焼付けられる。こ
の回路パターン群１１の輪郭は、円形ウェハ内に収まる
長方形状のものとされ、複数の回路パターン１２をＸＹ
方向に配設して構成される。これにより、回路パターン
１２の焼付けられる部分以外の半導体ウェハ１０の表面
は、反射率の高い鏡面のままの状態とされる。

回路パターン群１１が焼付けられた半導体ウェハ１０は
マトリクス状のダイシングライン１３に沿ってダイシン
グされ、さらにブレーキングされる。この結果、該ダイ
シングライン１３に沿って半導体ウェハ１０を破折し、
分離することにより、表面に回路パターン１２を備えた
複数のペレットを得ることが可能となる。

半導体ウェハ１０は、各ペレットに破折し、分離する前
の段階で焼付けられた回路パターン１２の一つ一つにつ
いて回路特性試験が行なわれ、該試験は、不図示の特性
試験機により行なわれる。

すなわち、回路特性試験は、特性試験機の探針を焼付け
られた回路パターン１２の表面電極に接触させて行なわ
れ、各回路パターン１２の良、不良を検査可能としてい
る０回路特性試験の結果、不良と判断された回路パター
ン１２の表面には、不図示のマーク表示装置により、赤
色等のインクで不良マーク１４が表示される。

上記回路特性試験の行なわれた半導体ウェハ１０は、上
記不良マーク表示作業を経て第１図に示すような良品ペ
レットの判別装置１６において、各ペレットに破折し、
分離され、さらに良品ペレットの判別作業が行なわれる
。

良品ペレットの判別装置１６は、架台１７に対しＸＹ方
向に移動可能なＸＹテーブル１８を有してなり゛、該Ｘ
Ｙテーブル１８には、半導体ウェハｌＯを支持する支持
リング１９が取着可能とされる。支持リング１９の取着
は、支持枠台２０の支持部２１に対して行なわれ、該支
持枠台２０は、ボルト２２によりＸＹテーブル１８の上
面に固着される。支持リング１９に支持される半導体ウ
ェハｌＯは、粘着シート２３の上面に被着される。

すなわち、前記回路特性試験の行なわれた半導体ウェハ
１０は、粘着シート２３に被着された後、ダイシングラ
イン１３に沿って破折し、分離される。この状態で粘着
シート２３を加熱し、さらに、該シート２３を半導体ウ
ェハ１０の周方向に引き伸ばすことにより、粘着シート
２３の上面ＸＹ方向に一定間隔のペレットが整列される
状態となる。粘着シート２３の周縁部は、支持リング１
９の側部に形成される凹溝２４にゴムリング２５を介し
てチャックされる。この結果、第３図に示すように、Ｘ
Ｙテーブル１８上に、表面に回路パターン１２が形成さ
れ、該表面が反射率の低い反射面とされるとともに、上
記回路特性試験の結果、表面に不良マーク１４が表示さ
れる不良ペレット２６と、表面に回路パターン１２が形
成され、該表面が反射率の高い反射面とされる不良ペレ
ット２７と、表面に回路パターン１２が形成され、該表
面が反射率の低い反射面とされるとともに、上記回路特
性試験の結果、表面に不良マーク１４が表示されない良
品ペレット２８のそれぞれが一定間隔でＸＹ方向に整列
されることとなる。

ＸＹテーブル１８の上方位置には、検査光源２９と不良
ペレット検知手段としてのセンサ３０の感知部３１が配
設されている。検査光源２９は、粘着シート２３上に整
列される良品ペレット２８と不良ペレット２６および２
７のそれぞれに対し、検査光３２を照射可能としている
。また、センサ３０の感知部３１は、良品ペレット２８
あるいは不良ペレット２６または２７から反射される検
査光３２の反射光量の変化を感知可能としている。感知
部３１による反射光量の感知領域Ｑは、第５図に示すよ
うに各ペレット２６．２７．２８、の幅Ｗ１よりも幾分
大きな幅Ｗ２を有する線状とされ、各ペレット２６．２
７．２８における反射光量の感知は、ＸＹテーブル１８
をＸ方向またはＹ方向に移動させ、これにより、感知部
３１に対し、ＸＹ方向に整列される各ペレット２６．２
７．２８を移動させて行なようにしている。この結果、
第５図に示すように感知部３１の感知領域Ｑがあたかも
整列される各ベレー／　）２６．２７．２８に対し、矢
示Ａ方向に走査する状態となり、各ペレット２６．２７
．２８における反射光量の大小が感知部３１により感知
されることとなる。

センサ３０には、ペレット表面の不良マーク１４の有無
の検知を行なうとともに、検査光３２の反射光量により
不良ペレット２６および２７を判別し、良品ベレット判
別袋ＬＵＬＬＢの任意の座標原点に対する各良品ペレッ
ト２８の座標位置を記憶可能とする良品ペレット２８の
判別回路３３が接続される。良品ペレット２８の判別回
路３３は、電圧変換部３４、比較部３５、基準反射光量
の設定部３６、良品ペレーＩト判別部３７および記憶部
３８から構成される。電圧変換部３４は、感知部３１に
て感知される反射光量の変化を出力電圧ｖ１の変化に変
換し、該出力電圧■１は比較部３５および基準反射光量
の設定部３６にそれぞれ出力される。この結果、第５図
に示すＸＹテーブル１Ｂの移動に基づく各ペレット２６
．２７．２８の表面の反射光量の変化が、比較部３５お
よび基準反射光量の設定部３６に電圧Ｖｌとして伝達さ
れることとなる。この際、電圧Ｖｌは、各ペレット２６
．２７．２８の反射光量が大きい場合に高く、反射光量
が小さい場合に低く変化する。

したがって、電圧ｖ１は、不良ペレット２６における不
良マーク１４を感知した領域Ｂにおいて、不良ペレット
２６における通常の反射光量に基づく出力電圧Ｖｌに比
べて低い値を示すこととなる。また、出力電圧Ｖｌは、
表面に回路パターン１２が形成される不良ペレット２６
および良品ペレット２８に比べ、表面に回路パターン１
２の形成されない不良ペレット２７の方が、該表面の反
射率の高さから全体として高い値を示すこととなる。

比較部３５は、該測定された電圧ｖｌと予め設定された
基準反射光量に基づく基準電圧レベルを比較して、不良
マーク１４を感知した際に低下する電圧Ｖｌの変化およ
び回路の形成されていない不良ペレット２７を感知した
際に上昇される出力電圧Ｖｌの変化を検知可能としてい
る。基準電圧レベルは表面に回路パターン１２が形成さ
れる場合とされない場合のそれぞれについて設定され、
各基準電圧レベルの設定は、設定部３６において行なわ
れるようにしている。すなわち、設定部３６は、電圧変
換部３４から入力される電圧Ｖｌが、回路パターン１２
が形成されるペレットの反射光量に基づくものか否かを
検知し、回路パターン１２が形成される不良ペレット２
６および良品ペレット２８に基づく出力電圧Ｖｌが検知
された場合に、該不良ペレット２６の不良マーク１４を
検知可能とする基準電圧レベルＬ１を設定し、該基準電
圧レベルＬｌを比較部３５に出力するようにしている。

この結果、比較部３５は、該基準電圧レベルＬｌと不良
ペレット２６および良品ペレット２８の測定反射光量に
基づく出力電圧Ｖｌとを比較し、基準電圧レベルＬＬよ
り低い電圧レベルが測定された場合、すなわち、Ｂの領
域を検知した場合に該ペレットを不良ペレット２６と判
別するようにしている。また、設定部３６は、回路パタ
ーン１２の形成されていない不良ペレット２７に基づく
出力電圧ｖｌを検知した場合に、該不良ペレット２７に
基づく該レベル■ｌの変化を検知可能とする基準電圧レ
ベルＬ２を設定し、該基準電圧レベルＬ２を比較部３５
に出力するようにしている。この結果、比較部３５は、
該電圧レベルＬ２と不良ペレット２７の測定反射光量に
基づく出力電圧■１を比較し、基準電圧レベルより高い
電圧レベルの部分を測定した場合、すなわち、Ｃの領域
を検知した場合に該ペレットを不良ペレット２７と判別
するようにしている。

このようにして、比較部３５においてそれぞれＢおよび
Ｃの各領域における基準電圧レベルＬ１またはＬ２に対
する電圧変化が、比較され、検知された場合、比較部３
５は、第５図に示すように不良ペレット２６または２７
を判別した旨の０の判別パルスＰを良品ペレット判別部
３７に出力可能としている。

良品ペレット判別部３７は、比較部３５より入力される
判別パレスＰをもとに、良品ペレット判別装置４１上の
任意の座標原点に対する各ペレット２６．２７．２８の
位置を解析するようにしている。この結果、整列される
各ペレット２６．２７．２８のうちの良品ペレット２８
の座標位置が解析され、該良品ペレット２８の座標位置
を記憶部３８に記憶させるようにしている。記憶部３８
における記憶は、フロッピィディスク、磁気テープ等の
記憶媒体により行なわれるようにしている。このように
して、良品ペレット２８の座標位置が判別された各ペレ
ット２６．２７．２８は、ペレットポンディング装置の
良品ペレット選別部により選別作業が行なわれ、該選別
作業は、上記記憶媒体に記憶された良品ペレット２８の
座標位置に関するデータをもとにして行なわれるように
している。

次に、上記実施例の作用を説明する。

上記実施例に係る良品ペレットの判別装置１６によれば
、設定部３６において、それぞれのペレット２６．２７
．２８表面の反射率に応じて、該反射率の変化に応じた
基準電圧レベルＬｌおよびＬ２がそれぞれ可変設定され
ることとなる。この結果、それぞれ基準電圧レベルＬ１
またはＬ２と゛測定反射光量との比較により、不良ペレ
ット２６および２７の判別が可能となり、これにより、
良品ペレッ）２Ｂの判別作業が確実なものとなる。

第６図は本発明の他の実施例に係る良品ペレットの判別
装置を示す一部破断の正面図、第７図は検査光源の検査
光量の可変設定状態を示す線図である。

この良品ペレットの判別装置４１のセンサ３０には、ペ
レット表面の不良マーク１４の有無を検知するとともに
、検査光３２の反射光量により不良ペレット２６および
２７を判別し、良品ペレット判別装置４１の任意の座標
原点に対する各良品ペレット２８の座標位置を記憶可能
とする良品ペレット２８の判別回路４２が備えられる。

良品ペレット２８の判別回路４２は、電圧変換部４３、
比較部４４、検査光量の設定部４５、基準反射光量の設
定部４６、良品ペレット判別部４７および記憶部４８か
ら構成される。電圧変換部４３は、感知部３１にて感知
される反射光量の変化を出力電圧Ｖｌの変化に変換し、
該出力電圧ｖ１は比較部４４および検査光量の設定部４
５にそれぞれ出力される。この結果、第７図に示すＸＹ
テーブル１８の移動に基づく各ペレット２６．２７．２
８の表面の反射光量の変化が、比較部４４および検査光
量の設定部４５に電圧Ｖ１として伝達されることとなる
。

比較部４４は、該伝達された電圧ｖ１と予め設定された
基準反射光量に基づく基準電圧レベルとを比較して、不
良マーク１４を感知した際に低下する電圧■１の変化お
よび不良ペレット２７を感知した際に低下する電圧ｖｌ
の変化を検知可能としている。基準電圧レベルＬ３の設
定は、設定部４６にて行なわれ、比較部４４に一定の基
準電圧レベルＬ３を出力可能としている。

一方、検査光量の設定部４５は、表面に回路パターン１
２が形成される不良ペレット２６および良品ペレット２
８と表面に回路パターン１２が形成されない不良ペレッ
ト２７のそれぞれにおいて、検査光源２９が照射する検
査光量をそれぞれ可変に設定可能としている。すなわち
、検査光量の設定部４５は、電圧変換部４３から入力さ
れる電圧ｖ１が、回路パターン１２が形成されるペレッ
トに基づくものか否かを検知し、該設定部４５が回路パ
ターン１２が形成される不良ペレット２６および良品ペ
レー２ト２８に基づく電圧Ｖｔを検知する場合に、検査
光源２９の照射する検査光量を基準光量値Ｄ１に設定し
、保持することを可能としている。基準光量値Ｄｉは、
電圧変換部４３から比較部４４に出力される電圧ｖ１が
、不良ペレット２６の不良マーク１４を感知する領域Ｂ
において、基準電圧レベルＬ３より低いレベルを示すよ
うに予め設定される。また、設定部４５は、回路パター
ン１２が形成されない不良ペレット２７に基づく電圧ｖ
ｌを検知した場合に、検査光源２９の照射する検査光量
を上記基準光量値Ｄｌより、低い光量値を示す補正光量
値Ｄ２に可変設定することを可能としている。この補正
光量値Ｄ２は、基準光量値ＤＩが照射される場合におけ
る不良ペレット２７に基づく出力電圧Ｖｌの変化Ｅを、
変化Ｆに低下可能とするものであり、検査光量の設定部
４５が不良ペレット２７を検知する領域Ｃの間、この補
正光量値Ｄ２が照射されることとなる。この結果、該領
域Ｃにおいて、基準電圧レベルＬ３より低い出力電圧ｖ
１が、比較部４４に出力されることとなる。このように
、基準光量値ＤＩおよびＤ２のそれぞれは、各ペレット
２６．２７．２８の表面の反射率に応じてレベル設定さ
れ、各不良ペレット２６および２７を感知した場合にお
ける出力電圧■１の低下を比較部４４が検・知可能なも
のとしている。この結果、比較部４４において、Ｂおよ
びＣの各領域の電圧変化が基準電圧レベルＬ３との比較
により測定された場合に、第７図に示すように不良ペレ
ット２６および２７が・判別された旨の９の判別パルス
Ｐが良品ペレット判別部４７に出力可能となる。これに
対し、基準電圧レベルＬ３より高い電圧が測定される場
合には、該ペレットが良品ベレット２８である旨の１の
判別パルスＰが良品ペレット判別部４７に出力可能とな
る。。

良品ペレット判別部４７は、比較部４４より順次入力さ
れる不良マーク判別パルスＰをもとに、良品ペレット判
別装置４１上の任意の座標原点に対する各ペレット２６
．２７．２８の位置を解析するようにしている。この結
果、整列される各ペレット２６．２７．２８のうちの良
品ベレット２８の座標位置が解析され、該良品ペレット
２８の座標位置を記憶部４８に記憶させるようにしてい
る。記憶部４８における記憶は、フロッピィディスク、
磁気テープ等の記憶媒体により行なわれるようにしてい
る。このようにして、良品ペレット２８の座標位置が判
別された各ペレット２６．２７．２８は、ペレットポン
ディング装置の良品ペレット選別部により選別作業が行
なわれ、該選別作業は、上記記憶媒体に記憶された良品
ペレット２８の座標位置に関するデータをもとにして行
なわれるようにしている。

上記実施例に係る良品ペレットの判別装置４１によれば
、検査光量の設定部４５において、それぞれのペレット
２６．２７．２８表面の反射率に応じて基準光量値Ｄｉ
および補正光量値Ｄ２のそれぞれが可変設定されること
となる。この結果、基準反射レベルＬ３と反射率に応じ
て変化する測定反射光量との比較により不良ペレット２
６および２７の検知が可能となり、これにより良品ペレ
ット２８の判別作業が確実なものとなる。

なお、上記２つの実施例に係る良品ペレットの判別装置
１６および４１によれば、良品ペレットの判別装置１６
は基準電圧レベルＬｌおよびＬ２の可変設定により、良
品ペレットの判別装置４１は検査光量の光量値Ｄｉおよ
びＤ２の可変設定により、各ペレット２６．２７．２８
表面の反射率に応じた良品ペレット２８の判別を可能と
しているが、基準電圧レベルＬｌおよびＬ２と検査光量
ＤＩおよびＤ２の可変設定の一方または双方を作動可能
とするように、センサ３０に良品ペレット２８の判別回
路３３および良品ペレットの判別回路４２を備えること
としてもよい・ また上記各実施例においては、センサ３０をラインセン
サとし、その感知領域Ｑを線状としているが、本発明の
不良ペレット検知手段としては、感知領域を各ペレット
表面の全体を感知可能とする面センサとしてもよい。

［発明の効果］ 以上のように、本発明は、表面に回路パターンが形成さ
れ、該表面が反射率の低い反射面とされるペレットに対
し回路特性試験を行ない、該試験の結果、表面に不良マ
ークの表示される不良ペレットと、表面に回路パターン
が形成されず、該表面が反射率の高い反射面とされる不
良ペレット、のそれぞれに対し、良品ペレットを判別可
能とする良品ペレットの判別装置であって、テーブル上
に整列される良品および不良ペレットのそれぞれの表面
に対し、検査光を照射可能とする検査光源と、各ペレッ
トにおける不良マークの有無を検知可能とする基準反射
光量と表面が反射率の高い反射面とされる不良ペレット
を検知可能とする基準反射光量のそれぞれを予め定め、
該検査光の反射光量を測定し、該測定反射光量と基準反
射光量を比較する不良ペレット検知手段と、各ペレット
の反射率に応じて検査光源の検査光量と不良ペレット検
知手段の基準反射光量の少なくとも一方を可変設定する
手段とを備えることとしたため、表面の反射率がそれぞ
れ異なる場合においても、不良ペレットに対する良品ペ
レットの判別を確実に行なうことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る良品ペレットの判別装
置を示す一部破断の正面図、第２図は各ペレットに破折
し、分離する前の半導体ウェハを示す平面図、第３図は
ＸＹテーブル上整列される良品および不良ペレットを示
す平面図、第４図は第３図の一部を拡大して示す平面図
、第５図は測定反射光量に対する基準反射光量の可変設
定状態を示す線図、第６図は本発明の他の実施例に係る
良品ペレットの判別装置を示す一部破断の正面図、第７
図は検査光源の検査光量の可変設定状態を示す線図であ
る。 １２・・・回路パターン、１４・・・不良マーク、１６
．４１・・・良品ペレットの判別装置、１８・・・ＸＹ
テーブル、２６．２７・・・不良ペレット、２８・・・
良品ペレット、２９・・・検査光源、３０・・・センサ
、３２・・・検査光、３３．４２・・・良品ペレットの
判別回路、３６・・・基準反射光量の設定部、３７．４
７・・・良品ペレットの判別部、４５・・・検査光量の
設定部、Ｌｌ、Ｌ２、Ｌ３・・・基準電圧レベル、ＤＩ
・・・基準光量値、Ｄ２・・・補正光量値。 代理人　　弁理士　　境　川　修　治 第　１　図 第　２　図 第３図 第４図 ′＃Ｊ５図 第７図 ；１”−匪−ｏ」−一一一 ′ｉ４６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面に回路パターンが形成され、該表面が反射率
   の低い反射面とされるペレットに対し回路特性試験を行
   ない、該試験の結果、表面に不良マークの表示される不
   良ペレットと、表面に回路パターンが形成されず、該表
   面が反射率の高い反射面とされる不良ペレット、のそれ
   ぞれに対し、良品ペレットを判別可能とする良品ペレッ
   トの判別装置であって、テーブル上に整列される良品お
   よび不良ペレットのそれぞれの表面に対し、検査光を照
   射可能とする検査光源と、各ペレットにおける不良マー
   クの有無を検知可能とする基準反射光量と表面が反射率
   の高い反射面とされる不良ペレットを検知可能とする基
   準反射光量のそれぞれを予め定め、該検査光の反射光量
   を測定し、該測定反射光量と基準反射光量を比較する不
   良ペレット検知手段と、各ペレットの反射率に応じて検
   査光源の検査光量と不良ペレット検知手段の基準反射光
   量の少なくとも一方を可変設定する手段とを備えてなる
   良品のペレットの判別装置。