JPH04207047A - プローブ検査装置 - Google Patents
プローブ検査装置Info
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- JPH04207047A JPH04207047A JP33980290A JP33980290A JPH04207047A JP H04207047 A JPH04207047 A JP H04207047A JP 33980290 A JP33980290 A JP 33980290A JP 33980290 A JP33980290 A JP 33980290A JP H04207047 A JPH04207047 A JP H04207047A
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、検査装置に関する。
シリコンウェーハ上の構成要素であるチップに形成され
る微細回路が、設計仕様通りに構成されているか否かを
検査する場合には、信号発生器、波形解析装置等からな
る回路試験器が使用される。 この場合、チップに形成されたパッドにブロービングカ
ード（商品名）の針先を圧接し、前記回路試験器から前
記針先とパッドを介して前記微細回路に試験信号を印加
して当該チップの回路形成の合否を判定している。 一方、最近の半導体のＶＬＳＩ化に伴いチップが大型化
し、例えば、第３図に示すように、シリコンウェーハＷ
上に、従来のチップＣを３個分連続した大きさの長方形
の大型のチップ５１が作成されている。このチップ５１
には、第４図に示すように、ボンディングワイヤ（図示
せず）を接続するための多数のパッド５２が形成されて
いる。 前記チップ５１の合否を検査する場合には、第５図に示
すように、平坦な上面を有する試料台５３上に載置され
たチップ５１のパッド５２の被検面にブロービングカー
ド５４の針５５の針先を圧接し、図示しない回路試験器
から試験信号をチップ５１に印加することにより、当該
チップ５１０回路構成が設計仕様通りになされているか
否かを検査している。また、第４図から明らかなように
、それぞれのパッド５２にはそれぞれの針５５の針先が
圧接されている。
る微細回路が、設計仕様通りに構成されているか否かを
検査する場合には、信号発生器、波形解析装置等からな
る回路試験器が使用される。 この場合、チップに形成されたパッドにブロービングカ
ード（商品名）の針先を圧接し、前記回路試験器から前
記針先とパッドを介して前記微細回路に試験信号を印加
して当該チップの回路形成の合否を判定している。 一方、最近の半導体のＶＬＳＩ化に伴いチップが大型化
し、例えば、第３図に示すように、シリコンウェーハＷ
上に、従来のチップＣを３個分連続した大きさの長方形
の大型のチップ５１が作成されている。このチップ５１
には、第４図に示すように、ボンディングワイヤ（図示
せず）を接続するための多数のパッド５２が形成されて
いる。 前記チップ５１の合否を検査する場合には、第５図に示
すように、平坦な上面を有する試料台５３上に載置され
たチップ５１のパッド５２の被検面にブロービングカー
ド５４の針５５の針先を圧接し、図示しない回路試験器
から試験信号をチップ５１に印加することにより、当該
チップ５１０回路構成が設計仕様通りになされているか
否かを検査している。また、第４図から明らかなように
、それぞれのパッド５２にはそれぞれの針５５の針先が
圧接されている。
しかしながら、例えば、第６図に示すように、チップ５
１とブロービングカード５４の針先とが互いに不平行状
態にあるため、左側の針先と右側の針先とでは、パッド
５２に対する圧接力のバランスが不一致となる。この不
一致状態において前記回路試験器から試験信号をチップ
５１に印加すると、均一な信号印加がなされず、チップ
５１の回路形成の合否が誤って判定されるおそれがある
。 本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
あり、チップ（被検体）とブロービングカードとが平行
となる検査装置を提供することを目的とする。
１とブロービングカード５４の針先とが互いに不平行状
態にあるため、左側の針先と右側の針先とでは、パッド
５２に対する圧接力のバランスが不一致となる。この不
一致状態において前記回路試験器から試験信号をチップ
５１に印加すると、均一な信号印加がなされず、チップ
５１の回路形成の合否が誤って判定されるおそれがある
。 本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
あり、チップ（被検体）とブロービングカードとが平行
となる検査装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するために本発明は、被検体を支持する
支持台と、この支持台上に設けられた、被検体およびプ
ローブ針列カードとの平行度を検出する平行度検出手段
と、この平行度検出手段の検出結果に基づき前記被検体
およびプローブ針列カードとを相対的に移動させて平行
ならしめる平行制御部と、この平行制御部により平行制
御させた後、上記被検体の検査を行う手段と、を備えて
構成した。
支持台と、この支持台上に設けられた、被検体およびプ
ローブ針列カードとの平行度を検出する平行度検出手段
と、この平行度検出手段の検出結果に基づき前記被検体
およびプローブ針列カードとを相対的に移動させて平行
ならしめる平行制御部と、この平行制御部により平行制
御させた後、上記被検体の検査を行う手段と、を備えて
構成した。
本発明によれば、先ず、試料台上に載置された被検体の
被検面に対して、例えば、ブロービングカードの針先を
圧接することにより、被検面に痕跡を形成する。この痕
跡を平行度検出手段である痕跡読取り部で読み取る。こ
の場合、前記針先が被検面に対して平行状態で圧接して
いれば、全ての痕跡は、略均等な大きさになるはずであ
り、平行状態で圧接していなければ、例えば、被検面の
左右で痕跡の大きさが異なるはずである。即ち、ブロー
ビングカードに対して被検面が傾斜していることになる
。かかる痕跡の大小に基づき、プロへピングカードと被
検面の傾斜度合を傾斜判断部が判断し、この判断データ
に基づき平行制御部が被検面とブロービングカードを平
行状態にさせるための演算を行い、この演算結果に基づ
いて被検面きブロービングカードが平行になるように制
御する。ブロービングカードと被検面とが平行にされた
状態で回路試験器から試験信号を印加すると、各針先か
ら被検面に正確な信号が印加される。
被検面に対して、例えば、ブロービングカードの針先を
圧接することにより、被検面に痕跡を形成する。この痕
跡を平行度検出手段である痕跡読取り部で読み取る。こ
の場合、前記針先が被検面に対して平行状態で圧接して
いれば、全ての痕跡は、略均等な大きさになるはずであ
り、平行状態で圧接していなければ、例えば、被検面の
左右で痕跡の大きさが異なるはずである。即ち、ブロー
ビングカードに対して被検面が傾斜していることになる
。かかる痕跡の大小に基づき、プロへピングカードと被
検面の傾斜度合を傾斜判断部が判断し、この判断データ
に基づき平行制御部が被検面とブロービングカードを平
行状態にさせるための演算を行い、この演算結果に基づ
いて被検面きブロービングカードが平行になるように制
御する。ブロービングカードと被検面とが平行にされた
状態で回路試験器から試験信号を印加すると、各針先か
ら被検面に正確な信号が印加される。
以下、本発明を具体化した実施例を第１図および第２図
を参照して説明する。なお、第３図〜第５図で説明した
部分には同一符号を付し、重複記載を省略する。 第１・図（Ａ）に半導体検査装置の実施例を説明するた
めのブロック図を示す。 第１図（Ａ）に示すように、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動
する支持台である試料台１上には被検体である、例えば
シリコンウェーハＷが載置され、このシリコンウェーハ
Ｗには多数個の方形状のチップ５１が形成されている（
第３図参照）。試料台１は台座４上に配置され、第１１
ｍ（Ｂ）に示すように、台座４内には正三角形の頂角上
にサーボモータ３８〜３ｃが配置されている。サーボモ
ータ３ａ〜３ｃの出力軸３ｄ〜３ｆの回転駆動により試
料台１の載置面１ａは、全方向に傾斜調整可能になって
いる。シリコンウェーハＷの上方には図示しない上下駆
動手段により駆動されるプローブであるブロービングカ
ード５４か配置されている。ブロービングカード５４は
、上記チップ５１の電極パターン針先が配列された各針
５５の針先が、シリコンウェーハＷのチップ５１の各パ
ッド５２にウェハＷが上下動することにより圧接される
ようになっている。このブロービングカード５４は前記
圧接の終了後、図示の状態から例えば上方に上げられた
後、右方に退避される。シリコンウェーハＷの上方には
撮像装置、例えばＣＣＤカメラ等からなる平行度検出手
段である痕跡読取り部５が配設され、ランプ１１から発
せられる光がパット５２により反射され、この反射光に
基つき前記圧接によりパッド５２上に形成された痕跡を
パターン情報として読み取る。 ＣＰＬｉ６は、傾斜判断部６ａと平行制御部６ｂ等から
なり、傾斜判断部６ａには痕跡読取り部５が読み取った
データ（パターン）か電気信号に変換されて送られる。 このパターン情報かウェハ表面の予め定められた数点に
おいて同様なパターンとなるよう制御信号を出力する。 この出力信号により、平行制御部６ｂは、前記傾斜判断
部６ａか判断した傾斜データに応じてモータ駆動部７ａ
〜７ｃを介して前記サーボモータ３ａ〜３Ｃを駆動し、
試料台１、即ちウェハＷ表面の平行度を調整する。ＣＰ
Ｕ６には、半導体検査装置全体を制御するプログラムが
格納されたＲＯＭ８と、処理データを一時格納するＲＡ
Ｍ９が接続されている。 半導体ウェハ検査装置の構成は当業者において周知であ
るから省略する。 次に動作を説明する。 試料台１の予め定められた位置に位置決めされたシリコ
ンウェーハＷを載置した状態で、図示しない上下駆動手
段によりプルーブカード５４は下方の予め定められた位
置に駆動され、試料台１を上方に移動させオーバドライ
ブをかけ、針５５の針先をチップ５１のパット５２に圧
接する。今、前記圧接により、ウェハＷの選択された１
つのチップ５１のパッド上には、第２図に示すように、
大小の痕跡か形成されたと仮定する。即ち、チ・〕ノブ
５１の左辺側のパッド５２ａｓ ５２ｇ、５２ｈ。 ５２ｉ上には、大きな痕跡Ａ −Ａ４が形成され、■ 右方にいくにつれ痕跡はＢ 〜Ｆ、Ｂ４〜Ｆ４の如く小
さくなる。これらの痕跡から、ブロービングカード５４
とチップ５１とは不平行状態になっている。即ち、前記
第６図に示した如く、ブロービングカード５４とチップ
５１とは左方か近付いていて、右方が離れていると判断
される。これをパターン認識技術により判別する。以上
に説明した状態は、ランプ１１から発せられた光のパッ
ド５２による反射光として痕跡読取り部５により痕跡デ
ータとして読み取られる。前記読み取られた痕跡データ
は傾斜判断部６ａに送られると、傾斜判断部６ａは痕跡
データに基づきブロービングカード５４とチップ５１と
が第６図に示した傾斜状態になっていると判断する。平
行制御部６ｂは、この判断データに基づきブロービング
カード５４とチップ５１を平行にさせるための演算を行
い、相対的に移動、例えばウェハＷの平行度を調整する
。この演算結果を平行制御信号Ｈ−ＨとしＣ て各モータ駆動部７ａ〜７Ｃを介して各サーボモータ３
ａ〜３ｃに送ａする。サーボモータ３ａ〜３Ｃは平行制
御信号Ｈ−Ｈに応じてそれぞれＣ 正逆回転され、試料台１が傾斜制御されてブロービング
カード５４とチップ５１とは互いに平行状態にされる。 この平行状態において、図示しない回路試験器により所
定の試験信号が印加され、チップの回路構成が設計仕様
通りに形成されているか否かの判断がされる。 なお、本実施例では平行度検出手段としてブロービング
カードの針先によるチップのパッド上への痕跡を検出し
ていたが、例えば、試料台の左右に超音波センサを設け
ておき、このセンサから超音波をシリコンウェーハに向
けて発して反射させることにより、試料台とシリコンウ
ェーハとの距離を測定し、所定の演算をして平行度を求
めてもよい。
を参照して説明する。なお、第３図〜第５図で説明した
部分には同一符号を付し、重複記載を省略する。 第１・図（Ａ）に半導体検査装置の実施例を説明するた
めのブロック図を示す。 第１図（Ａ）に示すように、Ｘ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動
する支持台である試料台１上には被検体である、例えば
シリコンウェーハＷが載置され、このシリコンウェーハ
Ｗには多数個の方形状のチップ５１が形成されている（
第３図参照）。試料台１は台座４上に配置され、第１１
ｍ（Ｂ）に示すように、台座４内には正三角形の頂角上
にサーボモータ３８〜３ｃが配置されている。サーボモ
ータ３ａ〜３ｃの出力軸３ｄ〜３ｆの回転駆動により試
料台１の載置面１ａは、全方向に傾斜調整可能になって
いる。シリコンウェーハＷの上方には図示しない上下駆
動手段により駆動されるプローブであるブロービングカ
ード５４か配置されている。ブロービングカード５４は
、上記チップ５１の電極パターン針先が配列された各針
５５の針先が、シリコンウェーハＷのチップ５１の各パ
ッド５２にウェハＷが上下動することにより圧接される
ようになっている。このブロービングカード５４は前記
圧接の終了後、図示の状態から例えば上方に上げられた
後、右方に退避される。シリコンウェーハＷの上方には
撮像装置、例えばＣＣＤカメラ等からなる平行度検出手
段である痕跡読取り部５が配設され、ランプ１１から発
せられる光がパット５２により反射され、この反射光に
基つき前記圧接によりパッド５２上に形成された痕跡を
パターン情報として読み取る。 ＣＰＬｉ６は、傾斜判断部６ａと平行制御部６ｂ等から
なり、傾斜判断部６ａには痕跡読取り部５が読み取った
データ（パターン）か電気信号に変換されて送られる。 このパターン情報かウェハ表面の予め定められた数点に
おいて同様なパターンとなるよう制御信号を出力する。 この出力信号により、平行制御部６ｂは、前記傾斜判断
部６ａか判断した傾斜データに応じてモータ駆動部７ａ
〜７ｃを介して前記サーボモータ３ａ〜３Ｃを駆動し、
試料台１、即ちウェハＷ表面の平行度を調整する。ＣＰ
Ｕ６には、半導体検査装置全体を制御するプログラムが
格納されたＲＯＭ８と、処理データを一時格納するＲＡ
Ｍ９が接続されている。 半導体ウェハ検査装置の構成は当業者において周知であ
るから省略する。 次に動作を説明する。 試料台１の予め定められた位置に位置決めされたシリコ
ンウェーハＷを載置した状態で、図示しない上下駆動手
段によりプルーブカード５４は下方の予め定められた位
置に駆動され、試料台１を上方に移動させオーバドライ
ブをかけ、針５５の針先をチップ５１のパット５２に圧
接する。今、前記圧接により、ウェハＷの選択された１
つのチップ５１のパッド上には、第２図に示すように、
大小の痕跡か形成されたと仮定する。即ち、チ・〕ノブ
５１の左辺側のパッド５２ａｓ ５２ｇ、５２ｈ。 ５２ｉ上には、大きな痕跡Ａ −Ａ４が形成され、■ 右方にいくにつれ痕跡はＢ 〜Ｆ、Ｂ４〜Ｆ４の如く小
さくなる。これらの痕跡から、ブロービングカード５４
とチップ５１とは不平行状態になっている。即ち、前記
第６図に示した如く、ブロービングカード５４とチップ
５１とは左方か近付いていて、右方が離れていると判断
される。これをパターン認識技術により判別する。以上
に説明した状態は、ランプ１１から発せられた光のパッ
ド５２による反射光として痕跡読取り部５により痕跡デ
ータとして読み取られる。前記読み取られた痕跡データ
は傾斜判断部６ａに送られると、傾斜判断部６ａは痕跡
データに基づきブロービングカード５４とチップ５１と
が第６図に示した傾斜状態になっていると判断する。平
行制御部６ｂは、この判断データに基づきブロービング
カード５４とチップ５１を平行にさせるための演算を行
い、相対的に移動、例えばウェハＷの平行度を調整する
。この演算結果を平行制御信号Ｈ−ＨとしＣ て各モータ駆動部７ａ〜７Ｃを介して各サーボモータ３
ａ〜３ｃに送ａする。サーボモータ３ａ〜３Ｃは平行制
御信号Ｈ−Ｈに応じてそれぞれＣ 正逆回転され、試料台１が傾斜制御されてブロービング
カード５４とチップ５１とは互いに平行状態にされる。 この平行状態において、図示しない回路試験器により所
定の試験信号が印加され、チップの回路構成が設計仕様
通りに形成されているか否かの判断がされる。 なお、本実施例では平行度検出手段としてブロービング
カードの針先によるチップのパッド上への痕跡を検出し
ていたが、例えば、試料台の左右に超音波センサを設け
ておき、このセンサから超音波をシリコンウェーハに向
けて発して反射させることにより、試料台とシリコンウ
ェーハとの距離を測定し、所定の演算をして平行度を求
めてもよい。
以上詳述したことから明らなように、本発明によれば、
例えば、ブロービングカードの針先をチップに圧接する
ことにより形成される痕跡の大小に基づいてブロービン
グカードの針先とチップとの傾斜度合を判断し、この判
断結果に応してブロービングカードの針とチップとを平
行にせしめているので、ブロービングカードの針先から
チップのパッドに正確な試験信号を印加することができ
る。
例えば、ブロービングカードの針先をチップに圧接する
ことにより形成される痕跡の大小に基づいてブロービン
グカードの針先とチップとの傾斜度合を判断し、この判
断結果に応してブロービングカードの針とチップとを平
行にせしめているので、ブロービングカードの針先から
チップのパッドに正確な試験信号を印加することができ
る。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の実施例のブロック図お
よび要部平面図、 第２図はチップの痕跡の大小を示す平面図、第３図はシ
リコンウェーハと大型チップを示す平面図、 第４図は上記大型チップの拡大図、 第５図は従来の大型チップにブロービングカードの針の
針先を圧接した図、 第６図は従来の大型チップとブロービングカードの不具
合を示す側面図である。 符号説明 （１）・・・試料台 （３ａ）〜（３Ｃ）・・・サーボモータ（５）・・・痕
跡読取り部（平行度検出手段）（６）・・・ＣＰＵ （６ａ）・・・傾斜判断部 （６ｂ）・・・平行制御部 （５１）・・・シリコンウェーハのチップ（被検体）（
５４）・・・ブロービングカード （５５）・・・ブロービングカードの針（Ａ）〜（Ｆ）
・・・痕跡 （Ｗ）・・・シリコンウェーハ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
よび要部平面図、 第２図はチップの痕跡の大小を示す平面図、第３図はシ
リコンウェーハと大型チップを示す平面図、 第４図は上記大型チップの拡大図、 第５図は従来の大型チップにブロービングカードの針の
針先を圧接した図、 第６図は従来の大型チップとブロービングカードの不具
合を示す側面図である。 符号説明 （１）・・・試料台 （３ａ）〜（３Ｃ）・・・サーボモータ（５）・・・痕
跡読取り部（平行度検出手段）（６）・・・ＣＰＵ （６ａ）・・・傾斜判断部 （６ｂ）・・・平行制御部 （５１）・・・シリコンウェーハのチップ（被検体）（
５４）・・・ブロービングカード （５５）・・・ブロービングカードの針（Ａ）〜（Ｆ）
・・・痕跡 （Ｗ）・・・シリコンウェーハ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被検体を支持する支持台と、 この支持台上に設けられた、被検体およびプローブ針列
カードとの平行度を検出する平行度検出手段と、 この平行度検出手段の検出結果に基づき前記被検体およ
びプローブ針列カードとを相対的に移動させて平行なら
しめる平行制御部と、 この平行制御部により平行制御させた後、上記被検体の
検査を行う手段と、 を備えたことを特徴とする検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33980290A JP2939657B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プローブ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33980290A JP2939657B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プローブ検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207047A true JPH04207047A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2939657B2 JP2939657B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=18330953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33980290A Expired - Lifetime JP2939657B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プローブ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939657B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
| US6456099B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-09-24 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6468098B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
| US6501289B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-12-31 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage including a plurality of Z shafts, and inspection apparatus |
| US6583614B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-06-24 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage and inspection apparatus having a plurality of Z axes |
| US6774621B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage having a plurality of Z axes |
| KR100445931B1 (ko) * | 1997-07-11 | 2004-10-14 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브테스트방법및프로브장치 |
| US7262611B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
| JP2008224591A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Advantest Corp | 試験装置及び接続装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33980290A patent/JP2939657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
| KR100445931B1 (ko) * | 1997-07-11 | 2004-10-14 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 프로브테스트방법및프로브장치 |
| US6603324B2 (en) | 1998-12-31 | 2003-08-05 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6597187B2 (en) | 1998-12-31 | 2003-07-22 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6621260B2 (en) | 1998-12-31 | 2003-09-16 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6456099B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-09-24 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6940093B2 (en) | 1998-12-31 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Special contact points for accessing internal circuitry of an integrated circuit |
| US6501289B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-12-31 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage including a plurality of Z shafts, and inspection apparatus |
| US6468098B1 (en) | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
| US7195503B2 (en) | 1999-08-17 | 2007-03-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor, especially wafer level contactor, using fluid pressure |
| US7262611B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
| US6583614B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-06-24 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage and inspection apparatus having a plurality of Z axes |
| US6774621B2 (en) | 2000-06-15 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Inspection stage having a plurality of Z axes |
| JP2008224591A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Advantest Corp | 試験装置及び接続装置 |
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