JPS6394650A - プロ−ブ装置 - Google Patents
プロ−ブ装置Info
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- JPS6394650A JPS6394650A JP24076186A JP24076186A JPS6394650A JP S6394650 A JPS6394650 A JP S6394650A JP 24076186 A JP24076186 A JP 24076186A JP 24076186 A JP24076186 A JP 24076186A JP S6394650 A JPS6394650 A JP S6394650A
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- JP
- Japan
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- probe
- wafer
- test
- camera
- semiconductor chip
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明はプローブ装置に関する。
（従来の技術）
トランジスタや集積回路（ＩＣ）等の半導体装置の製造
工程における検査の１つとしてプローブ検査がある。こ
のプローブ検査は、ウェハ上へパターン形成により完成
された半導体チップをウェハプローバのプローブ針を用
いて測定器等からなる検査回路と電気的に接続し動作や
電気的特性を検査するものである。
工程における検査の１つとしてプローブ検査がある。こ
のプローブ検査は、ウェハ上へパターン形成により完成
された半導体チップをウェハプローバのプローブ針を用
いて測定器等からなる検査回路と電気的に接続し動作や
電気的特性を検査するものである。
不良と判定された半導体チップをアッセンブリ工程の手
前で排除することにより、コストダウン或いは生産性の
向上を計る上で重要とされている。
前で排除することにより、コストダウン或いは生産性の
向上を計る上で重要とされている。
上記ウェハの検査方法としては、特開昭５９−１７２６
０などにより、また特にプローブカードを自動的に位置
合わせし、かつウェハセンサを使用してプローブ針位置
検出とウェハ位置検出を行う装置については特開昭６１
−１５３４１などにより当業者において周知である。
０などにより、また特にプローブカードを自動的に位置
合わせし、かつウェハセンサを使用してプローブ針位置
検出とウェハ位置検出を行う装置については特開昭６１
−１５３４１などにより当業者において周知である。
（発明が解決しようとする問題点）
最近の半導体デバイスの高集積化、多機能化、高速化に
伴い、プローブ装置においてもテストスピードの高速化
が求められている。
伴い、プローブ装置においてもテストスピードの高速化
が求められている。
したがって、従来のプローブカードとテスタを長いケー
ブルで接続し測定する方法では、測定周波数の関係で正
常な測定ができないデバイスもある。
ブルで接続し測定する方法では、測定周波数の関係で正
常な測定ができないデバイスもある。
このようなデバイスに対しては、ドライバ、コンパレー
タなどアナログ回路部をビンエレクトロニクスポードと
呼ばれる基板に組み込み、その基板を半導体チップの各
電極ごとに設置したテストヘッドをプローブカードのす
ぐ上に設置して測定する高周波タイプのプローブ装置が
対応しているが従来のこのタイプのテストヘッドには、
ウェハ上の半導体チップの電極バットにプローブ針を高
精度に位置決めするためのＩＴＶカメラ、もしくはマイ
クロスコープの挿入穴を必要としていたため、ピンエレ
クトロニクスポードからプローブ針までのｆｆＦ［ｌが
長くなり、やはり容量、インピーダンスが高くなり、高
周波の測定に問題かのこっていた。
タなどアナログ回路部をビンエレクトロニクスポードと
呼ばれる基板に組み込み、その基板を半導体チップの各
電極ごとに設置したテストヘッドをプローブカードのす
ぐ上に設置して測定する高周波タイプのプローブ装置が
対応しているが従来のこのタイプのテストヘッドには、
ウェハ上の半導体チップの電極バットにプローブ針を高
精度に位置決めするためのＩＴＶカメラ、もしくはマイ
クロスコープの挿入穴を必要としていたため、ピンエレ
クトロニクスポードからプローブ針までのｆｆＦ［ｌが
長くなり、やはり容量、インピーダンスが高くなり、高
周波の測定に問題かのこっていた。
近年のプローブ装置においては、ピンエレクトロニクス
ポードとプローブ針の距離を極力近づけ、インピーダン
スを低くし、より高周波での測定を行うためにテストヘ
ッドの穴をできるかぎり小さくすることが課題とされて
いる。この発明は、上記課題を達成するためになされた
もので、高周波での測定向上を可能としたプローブ装置
を提供するものである。
ポードとプローブ針の距離を極力近づけ、インピーダン
スを低くし、より高周波での測定を行うためにテストヘ
ッドの穴をできるかぎり小さくすることが課題とされて
いる。この発明は、上記課題を達成するためになされた
もので、高周波での測定向上を可能としたプローブ装置
を提供するものである。
（問題を解決するための手段）
この発明はプローブ針とウェハとの状態を反射鏡を介し
てＴＶカメラにより撮像するようにしたプローブ装置を
得るものである。
てＴＶカメラにより撮像するようにしたプローブ装置を
得るものである。
（作 用）
ＴＶカメラもしくはマイクロスコープ等を設けて、プロ
ーブ針により測定するプローブ装置において、上記プロ
ーブ針およびウェハの状態を反射鏡を介して上記ＴＶカ
メラにより撮像する構成となっているため、ウェハの半
導体チップの電極パッドとプローブ針の接触状態をａ察
するためにテストヘッドにマイクロスコープあるいはＩ
ＴＶカメラのような検査機を挿入するための大きな挿入
穴を設ける必要性がなくなる。
ーブ針により測定するプローブ装置において、上記プロ
ーブ針およびウェハの状態を反射鏡を介して上記ＴＶカ
メラにより撮像する構成となっているため、ウェハの半
導体チップの電極パッドとプローブ針の接触状態をａ察
するためにテストヘッドにマイクロスコープあるいはＩ
ＴＶカメラのような検査機を挿入するための大きな挿入
穴を設ける必要性がなくなる。
テストヘッドに設ける挿入穴は１反射鏡の光が入りプロ
ーブ検査位置が検出できればよく、挿入穴はできるかぎ
り小さく、なくなる方向へと切望されている。本発明は
それに対応できるようになっている。
ーブ検査位置が検出できればよく、挿入穴はできるかぎ
り小さく、なくなる方向へと切望されている。本発明は
それに対応できるようになっている。
このようにテストヘッドの穴を小さくすることはピンエ
レクトロニクスポードとプローブ針の距離を短かくする
ことができ、容量、インピーダンスを低くすることがで
きる。
レクトロニクスポードとプローブ針の距離を短かくする
ことができ、容量、インピーダンスを低くすることがで
きる。
したがって、プローブ検査は以前よりも高周波による測
定が可能となる効果が得られる。
定が可能となる効果が得られる。
（実施例）
以下本発明プローブ装置の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
この実施例の特徴は、測定ステージ（υに載置されたウ
ェハ■に形成された多数の半導体チップの電１艇バッド
にプローブカード部のプローブカード■に持着されたプ
ローブ針（へ）を接触させ、電気的諸性能を検査する基
板例えばピンエレクトロニクスポード■が内在されてい
る構成のテストヘッド０のＩＴＶカメラ■もしくはマイ
クロスコープなどの挿入穴をできる限り小さくシ、高周
波での測定を可能とするものである。
ェハ■に形成された多数の半導体チップの電１艇バッド
にプローブカード部のプローブカード■に持着されたプ
ローブ針（へ）を接触させ、電気的諸性能を検査する基
板例えばピンエレクトロニクスポード■が内在されてい
る構成のテストヘッド０のＩＴＶカメラ■もしくはマイ
クロスコープなどの挿入穴をできる限り小さくシ、高周
波での測定を可能とするものである。
プローブ装置は、複数枚のウェハが収納されたウェハカ
セット（ハ）から、プリアライメントステージ０へ１枚
ずつ供給されるウェハ■のオリエンテーションフラット
部を検出してプリアライメントを行う。
セット（ハ）から、プリアライメントステージ０へ１枚
ずつ供給されるウェハ■のオリエンテーションフラット
部を検出してプリアライメントを行う。
ウェハチャック（１０）はプリアライメントステージ■
から供給されたウェハを固定するとともに、ウェハをＸ
、Ｙ、 θおよびＺ方向に移動する。
から供給されたウェハを固定するとともに、ウェハをＸ
、Ｙ、 θおよびＺ方向に移動する。
ウェハチャック（１０）は、さらにこれらの検出結果に
基づいてウェハ■に形成されている半導体チップが、プ
ローブカード■のプローブ検査位置に来るようにウェハ
■を移動し、ウェハ（２）を垂直に持ち上げる（２アツ
プ）もしくはウェハ部を垂直に落下させる（Ｚダウン）
。
基づいてウェハ■に形成されている半導体チップが、プ
ローブカード■のプローブ検査位置に来るようにウェハ
■を移動し、ウェハ（２）を垂直に持ち上げる（２アツ
プ）もしくはウェハ部を垂直に落下させる（Ｚダウン）
。
これにより、ウェハ■上に形成されている半導体チップ
上の電極パッド位置がプローブ針（イ）に押し付けられ
る。この操作は、プローブカード（３）に配線されて導
通しているピンエレクトロニクスポード■が内在してい
るテストヘッド０を測定ステージ田土の上面部に取り付
けた状態でテストヘッド０に設けられた、例えば直径約
５ａｍの穴を通して照射された、例えば角度４５＠の反
射鏡によって写し出された半導体チップと電極パッドと
の接触状態をＩＴＶカメラ■もしくは、マイクロスコー
プなどで撮像し、撮像出力と予め記憶された標準位置情
報とを比較して認識する構成となっている。
上の電極パッド位置がプローブ針（イ）に押し付けられ
る。この操作は、プローブカード（３）に配線されて導
通しているピンエレクトロニクスポード■が内在してい
るテストヘッド０を測定ステージ田土の上面部に取り付
けた状態でテストヘッド０に設けられた、例えば直径約
５ａｍの穴を通して照射された、例えば角度４５＠の反
射鏡によって写し出された半導体チップと電極パッドと
の接触状態をＩＴＶカメラ■もしくは、マイクロスコー
プなどで撮像し、撮像出力と予め記憶された標準位置情
報とを比較して認識する構成となっている。
この構成により、従来はプローブカード（３）の開口の
真上にのみ配置されていたＴＶカメラ例えばＩＴＶカメ
ラ■もしくはマイクロスコープなどを反射鏡（１１）で
写し出される範囲であるならばいずれにも配置可能とな
る。
真上にのみ配置されていたＴＶカメラ例えばＩＴＶカメ
ラ■もしくはマイクロスコープなどを反射鏡（１１）で
写し出される範囲であるならばいずれにも配置可能とな
る。
このような操作者によるウェハ■の半導体パッドとプロ
ーブ針に）の位置確認すなわちティーチング操作終了後
は、自動および連続工程にはいり、プローブカード（３
）の他端に接続されているテスタによりプローブ検査を
行う。
ーブ針に）の位置確認すなわちティーチング操作終了後
は、自動および連続工程にはいり、プローブカード（３
）の他端に接続されているテスタによりプローブ検査を
行う。
該半導体チップのプローブ検査が終了するとウェハ■あ
るいはプローブカード部を元の高さに戻し、予めプログ
ラムを初期設定されているデータをもとに、次の半導体
チップが上記検査位置にくるようにＸ、Ｙ方向に移動し
、Ｚアップもしくは２ダウンして順次半導体チップのプ
ローブ検査を行う。測定の結果、不良チップにはテスタ
からのＦＡＩＬ信号により、マーカーが作動しマークを
つける。
るいはプローブカード部を元の高さに戻し、予めプログ
ラムを初期設定されているデータをもとに、次の半導体
チップが上記検査位置にくるようにＸ、Ｙ方向に移動し
、Ｚアップもしくは２ダウンして順次半導体チップのプ
ローブ検査を行う。測定の結果、不良チップにはテスタ
からのＦＡＩＬ信号により、マーカーが作動しマークを
つける。
測定ウェハ１枚について、プローブ検査が終了するとウ
ェハをウェハチャックから取り外し、ウェハカセットに
）に収納する。上記工程を繰り返し、プローブ検査は行
われる。
ェハをウェハチャックから取り外し、ウェハカセットに
）に収納する。上記工程を繰り返し、プローブ検査は行
われる。
以上記憶したような本発明によれば高周波での測定を向
上するような効果がある。
上するような効果がある。
第１図は本発明のプローバの一実施例を説明するための
概略図、第２図は本発明装置の一実施例であるプローブ
装置内部ウェハ搬送系の配置構造を示す平面図、第３図
は従来プローブ検査の概略図である。 ２ ウェハ ３ プローブカード ４ プローブ針 ５ ピンエレクトロニクスポード ６ テストヘッド ７ ＩＴＶカメラ １０ ウェハチャック １１ 反射鏡 特許出願人 東京エレクトロン株式会社第１図 第２図
概略図、第２図は本発明装置の一実施例であるプローブ
装置内部ウェハ搬送系の配置構造を示す平面図、第３図
は従来プローブ検査の概略図である。 ２ ウェハ ３ プローブカード ４ プローブ針 ５ ピンエレクトロニクスポード ６ テストヘッド ７ ＩＴＶカメラ １０ ウェハチャック １１ 反射鏡 特許出願人 東京エレクトロン株式会社第１図 第２図
Claims (1)
- ＴＶカメラもしくはマイクロスコープ等を設けてプロー
ブ針により測定するプローブ装置において、上記プロー
ブ針およびウェハの状態を反射鏡を介して上記ＴＶカメ
ラにより撮像することを特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24076186A JPS6394650A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | プロ−ブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24076186A JPS6394650A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | プロ−ブ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394650A true JPS6394650A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0582971B2 JPH0582971B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=17064320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24076186A Granted JPS6394650A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | プロ−ブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009043654A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur messnadelüberwachung im prüfbetrieb |
| JP2011075450A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 特性検査装置及びテーピング装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130934A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Nec Kyushu Ltd | Inspecting device for semiconductor element |
| JPS56138288A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Monitoring system |
| JPS60192441A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Nec Corp | ２線式デイジタル双方向伝送方式 |
| JPS6115341A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Canon Inc | ウエハプロ−バ |
| JPS6178135A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
| JPS61187637A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Hitachi Ltd | 外観検査装置 |
| JPS61201434A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Nec Corp | 半導体組立装置 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP24076186A patent/JPS6394650A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130934A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Nec Kyushu Ltd | Inspecting device for semiconductor element |
| JPS56138288A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Monitoring system |
| JPS60192441A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-09-30 | Nec Corp | ２線式デイジタル双方向伝送方式 |
| JPS6115341A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Canon Inc | ウエハプロ−バ |
| JPS6178135A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
| JPS61187637A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Hitachi Ltd | 外観検査装置 |
| JPS61201434A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Nec Corp | 半導体組立装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009043654A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur messnadelüberwachung im prüfbetrieb |
| JP2011075450A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 特性検査装置及びテーピング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582971B2 (ja) | 1993-11-24 |
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