JPH0748509B2 - プロ−ビング方法 - Google Patents
プロ−ビング方法Info
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- JPH0748509B2 JPH0748509B2 JP62106027A JP10602787A JPH0748509B2 JP H0748509 B2 JPH0748509 B2 JP H0748509B2 JP 62106027 A JP62106027 A JP 62106027A JP 10602787 A JP10602787 A JP 10602787A JP H0748509 B2 JPH0748509 B2 JP H0748509B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- needle
- probe
- measurement stage
- probe card
- trace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プロービング方法に関する。
（従来の技術） トランジスタや集積回路（IC）等の半導体装置の製造工
程における検査の１つとしてプローブ検査がある。この
プローブ検査は、ウエハ上へパターン形成により完成さ
れた半導体チップをウエハプローバのプローブ針を用い
て測定器等からなる検査回路と電気的に接続し、動作や
電気的特性を検査するものである。
程における検査の１つとしてプローブ検査がある。この
プローブ検査は、ウエハ上へパターン形成により完成さ
れた半導体チップをウエハプローバのプローブ針を用い
て測定器等からなる検査回路と電気的に接続し、動作や
電気的特性を検査するものである。
上記の動作や電気的特性を検査する際、第10図に示すよ
うに半導体ウエハ（１）上に形成したチップ上のプロー
ブ針（３）先端が電気的に接触するパッドにプローブカ
ード（２）のプローブ針（３）を正確に接触させるため
に、予め上記パッドとプローブ針（３）の位置を合わせ
る針合わせを行なう。この時、上記プローブ針（３）を
確実に上記パッドに接触させるため、この接触部分を拡
大してみるための拡大機構例えばマイクロスコープ
（４）がテストヘッド（５）の挿入穴に設けられ、これ
によりオペレータが目視してマニュアル調整を行なう。
うに半導体ウエハ（１）上に形成したチップ上のプロー
ブ針（３）先端が電気的に接触するパッドにプローブカ
ード（２）のプローブ針（３）を正確に接触させるため
に、予め上記パッドとプローブ針（３）の位置を合わせ
る針合わせを行なう。この時、上記プローブ針（３）を
確実に上記パッドに接触させるため、この接触部分を拡
大してみるための拡大機構例えばマイクロスコープ
（４）がテストヘッド（５）の挿入穴に設けられ、これ
によりオペレータが目視してマニュアル調整を行なう。
（発明が解決しようとする問題点） 最近の半導体デバイスの高集積化，多機能化，高速化に
伴い、ウエハプローバにおいてもテストスピードの高速
化が求められている。
伴い、ウエハプローバにおいてもテストスピードの高速
化が求められている。
したがって、従来のプローブカードとテスタを長いケー
ブルで接続し測定する方法では、測定周波数の関係で正
常な測定ができないデバイスもある。
ブルで接続し測定する方法では、測定周波数の関係で正
常な測定ができないデバイスもある。
このようなデバイスに対しては、ドライバ・コンパレー
タなどアナログ回路部をピンエレクトロニクスボードと
呼ばれる基板に組み込み、その基板を半導体チップの各
電極ごとに設置したテストヘッドをプローブカードのす
ぐ上に設置して測定する高周波タイプのウエハプローバ
が対応しているが、従来のこのタイプのテストヘッドに
は、ウエハ上のチップの電極パッドにプローブ針を高精
度に針合わせするためのマイクロスコープの挿入穴を必
要としていたため、ピンエレクトロニクスボードからプ
ローブ針までの距離が長くなり、容量，インピーダンス
が高くなり、高周波の測定に問題が残っていた。
タなどアナログ回路部をピンエレクトロニクスボードと
呼ばれる基板に組み込み、その基板を半導体チップの各
電極ごとに設置したテストヘッドをプローブカードのす
ぐ上に設置して測定する高周波タイプのウエハプローバ
が対応しているが、従来のこのタイプのテストヘッドに
は、ウエハ上のチップの電極パッドにプローブ針を高精
度に針合わせするためのマイクロスコープの挿入穴を必
要としていたため、ピンエレクトロニクスボードからプ
ローブ針までの距離が長くなり、容量，インピーダンス
が高くなり、高周波の測定に問題が残っていた。
また、プローブ針と電極パッドとの針合せをオペレータ
がマニュアル調整するためスループットの低下や、完全
自動化を行なえないという問題があった。
がマニュアル調整するためスループットの低下や、完全
自動化を行なえないという問題があった。
本発明は上記点に対処してなされたもので、高周波の測
定向上を可能とし、更に完全自動化を行ない、スループ
ットの向上を可能としたプロービング方法を提供しよう
とするものである。
定向上を可能とし、更に完全自動化を行ない、スループ
ットの向上を可能としたプロービング方法を提供しよう
とするものである。
（問題点を解決するための手段） 測定ステージ上に金属が蒸着された被針跡付加基板を載
置する第１工程と、上記測定ステージを上昇させて上記
測定ステージ直上に移動されたプローブカードのプロー
ブ針に上記被針跡付加基板を接触させて針跡を付加する
第２工程と、上記針跡が付加された被針跡付加基板を撮
像手段で撮像し、その位置を認識する第３工程と、認識
した針跡まで上記プローブカードを移動させ、その移動
距離を記憶する第４工程と、被測定基板を測定ステージ
に載置し、上記移動距離だけ移動させる第５工程とを備
えたことを特徴とする。
置する第１工程と、上記測定ステージを上昇させて上記
測定ステージ直上に移動されたプローブカードのプロー
ブ針に上記被針跡付加基板を接触させて針跡を付加する
第２工程と、上記針跡が付加された被針跡付加基板を撮
像手段で撮像し、その位置を認識する第３工程と、認識
した針跡まで上記プローブカードを移動させ、その移動
距離を記憶する第４工程と、被測定基板を測定ステージ
に載置し、上記移動距離だけ移動させる第５工程とを備
えたことを特徴とする。
（作用） 予めプローブ針の針跡を認識し、認識した位置を記憶す
ることにより、被測定体の測定端子にプローブ針を接触
させて測定するに際し、上記認識位置及び針跡内容から
被測定体上の測定端子及びプローブ針の位置合わせを自
動的に行なうことが可能となる。
ることにより、被測定体の測定端子にプローブ針を接触
させて測定するに際し、上記認識位置及び針跡内容から
被測定体上の測定端子及びプローブ針の位置合わせを自
動的に行なうことが可能となる。
また、上記自動的に位置合わせができるため、マニュア
ルで位置合わせする際に使用していたマイクロスコープ
等の目視装置を必要とせず、これにより上記マイクロス
コープ等の目視装置を使用する際、挿入していたテスト
ヘッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレクトロニ
クスボードとプローブ針の距離を短かくすることができ
るため、高周波による測定が可能となる。
ルで位置合わせする際に使用していたマイクロスコープ
等の目視装置を必要とせず、これにより上記マイクロス
コープ等の目視装置を使用する際、挿入していたテスト
ヘッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレクトロニ
クスボードとプローブ針の距離を短かくすることができ
るため、高周波による測定が可能となる。
（実施例） 以下、本発明方法を半導体装置の製造工程における検査
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
工程に適用した実施例につき図面を参照して説明する。
第１図において、Ｘ−Ｙ方向に移動自在である測定ステ
ージ（６）が、被測定体基板例えば半導体ウエハ（７）
を載置可能に設けられている。この測定ステージ（６）
の上方に、上記半導体ウエハ（７）を測定可能に複数の
プローブ針（８）を備えたプローブカード（９）が対向
配置されている。このプローブカード（９）は、ピンエ
レクトロニクスボード（10）を内蔵したテストヘッド
（11）に保持され、且つピンエレクトロニクスボード
（10）にプローブカード（９）のプローブ針（８）が導
通している。
ージ（６）が、被測定体基板例えば半導体ウエハ（７）
を載置可能に設けられている。この測定ステージ（６）
の上方に、上記半導体ウエハ（７）を測定可能に複数の
プローブ針（８）を備えたプローブカード（９）が対向
配置されている。このプローブカード（９）は、ピンエ
レクトロニクスボード（10）を内蔵したテストヘッド
（11）に保持され、且つピンエレクトロニクスボード
（10）にプローブカード（９）のプローブ針（８）が導
通している。
上記測定ステージ（６）上に載置する半導体ウエハ
（７）は、正確に測定する為に予めアライメントを行な
う。このアライメントを行なう為のアライメントブリッ
ジ（12）が、測定部と離れた位置に設けられ、ITVカメ
ラ（13）を内蔵している。このようにしてプローブ装置
が構成されている。
（７）は、正確に測定する為に予めアライメントを行な
う。このアライメントを行なう為のアライメントブリッ
ジ（12）が、測定部と離れた位置に設けられ、ITVカメ
ラ（13）を内蔵している。このようにしてプローブ装置
が構成されている。
次に上述したプローブ装置によるプロービング方法を説
明する。
明する。
半導体ウエハ上へパターン形成により完成された半導体
チップの良否を測定する際、第２図に示す如く、半導体
チップ（14）上の測定端子であるパッド（15）にプロー
ブ針（８）を接触させる為に正確な位置合わせを行なわ
なければならない。
チップの良否を測定する際、第２図に示す如く、半導体
チップ（14）上の測定端子であるパッド（15）にプロー
ブ針（８）を接触させる為に正確な位置合わせを行なわ
なければならない。
このプローブ針（８）とパッド（15）の位置合わせを行
なう際、上記測定ステージ（６）上に被針跡付加基板例
えばアルミ蒸着ウエハ（図示せず）を載置し保持例えば
吸着保持する。この蒸着ウエハを載置した測定ステージ
（６）を測定部であるプローブカード（９）直下へ移動
する。そして、この測定ステージ（６）を測定位置に来
るように垂直に持ち上げる。この際、プローブ針（８）
により上記アルミ蒸着ウエハ上にプローブ針（８）を電
極パッドへの接触圧と同一圧力で針跡を付加する。
なう際、上記測定ステージ（６）上に被針跡付加基板例
えばアルミ蒸着ウエハ（図示せず）を載置し保持例えば
吸着保持する。この蒸着ウエハを載置した測定ステージ
（６）を測定部であるプローブカード（９）直下へ移動
する。そして、この測定ステージ（６）を測定位置に来
るように垂直に持ち上げる。この際、プローブ針（８）
により上記アルミ蒸着ウエハ上にプローブ針（８）を電
極パッドへの接触圧と同一圧力で針跡を付加する。
この針跡が付加されたアルミ蒸着ウエハをアライメント
部であるアライメントブリッジ（12）直下へ上記測定ス
テージ（６）を移動させることにより設定する。この上
記アライメントブリッジ（12）に内蔵したITVカメラ（1
3）により、上記アルミ蒸着ウエハに付加した針跡を位
置認識する。この時、認識した針跡までの上記プローブ
カード（９）から移動した距離を測定し、これを記憶す
る。
部であるアライメントブリッジ（12）直下へ上記測定ス
テージ（６）を移動させることにより設定する。この上
記アライメントブリッジ（12）に内蔵したITVカメラ（1
3）により、上記アルミ蒸着ウエハに付加した針跡を位
置認識する。この時、認識した針跡までの上記プローブ
カード（９）から移動した距離を測定し、これを記憶す
る。
上記説明した操作を半導体ウエハの測定以前に予め行な
い、上記プローブカード（９）からITVカメラ（13）ま
での距離を記憶しておく。
い、上記プローブカード（９）からITVカメラ（13）ま
での距離を記憶しておく。
次に、測定ステージ（６）上に位置決めされた被測定基
板例えば半導体ウエハ（７）を載置し、保持例えば吸着
保持する。そして、この半導体ウエハ（７）を載置した
測定ステージ（６）をITVカメラ（13）を備えたアライ
メントブリッジ（12）直下まで移動し、上記ITVカメラ
（13）により上記半導体ウエハ（７）のアライメントを
行なう。
板例えば半導体ウエハ（７）を載置し、保持例えば吸着
保持する。そして、この半導体ウエハ（７）を載置した
測定ステージ（６）をITVカメラ（13）を備えたアライ
メントブリッジ（12）直下まで移動し、上記ITVカメラ
（13）により上記半導体ウエハ（７）のアライメントを
行なう。
上記アライメント後、上記半導体ウエハ（７）を載置し
ている測定ステージ（６）を予め記憶しておいた距離
を、アライメント部であるアライメントブリッジ（12）
直下から測定部であるプローブカード（９）直下まで移
動する。この移動のみで、プローブカード（９）に備え
られたプローブ針（８）と、上記測定ステージ（６）に
載置した半導体ウエハ（７）に形成された半導体チップ
上のパッドとの位置が合わされている為、従来行なって
いた目視手段例えばマイクロスコープ等でオペレータが
目視しながらマニュアル調整する針合わせ工程を必要と
せず、この針合わせ工程を自動で行なうことができる。
上記針合わせ工程のフローチャートを第３図に示す。
ている測定ステージ（６）を予め記憶しておいた距離
を、アライメント部であるアライメントブリッジ（12）
直下から測定部であるプローブカード（９）直下まで移
動する。この移動のみで、プローブカード（９）に備え
られたプローブ針（８）と、上記測定ステージ（６）に
載置した半導体ウエハ（７）に形成された半導体チップ
上のパッドとの位置が合わされている為、従来行なって
いた目視手段例えばマイクロスコープ等でオペレータが
目視しながらマニュアル調整する針合わせ工程を必要と
せず、この針合わせ工程を自動で行なうことができる。
上記針合わせ工程のフローチャートを第３図に示す。
次に、上述した針合わせ工程を更に詳しく説明する。
まず、測定ステージ（６）上に被針跡付加基板例えばア
ルミ蒸着ウエハを載置し、これをプローブカード（９）
直下へ移動する。そして、測定ステージ（６）を上昇さ
せて上記アルミ蒸着ウエハ表面にプローブ針（８）を接
触させ更に測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程
度上昇させてオーバードライブをかける。これにより上
記アルミ蒸着ウエハに針跡を付加する。この針跡を付加
したアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（13）の視界内に移
動し、このITVカメラ（13）により上記針跡付近を写
す。この針跡からプローブカード（９）θ角を確認し、
ずれ角を補正する為に上記プローブカード（９）を回転
補正する。この操作をプローブカード（９）θ角が合う
まで繰り返す。このプローブカード（９）θ角が合った
時点で、上記ITVカメラ（13）で針跡位置を確認する。
そして、上記アルミ蒸着ウエハを搬出し、実際に測定す
る被測定基板例えば半導体ウエハ（７）を測定ステージ
（６）上に載置し、アライメント部でアライメントをす
る。そして、予め位置合わせしておいたプローブカード
（９）のプローブ針（８）に対応させ、ITVカメラ（1
3）により上記半導体ウエハ（７）上のパッド（15）位
置を指定する。そしてプローブ針（８）を上記パッド
（15）に接触させ、測定を開始する。以上の処理を第４
図に示す。
ルミ蒸着ウエハを載置し、これをプローブカード（９）
直下へ移動する。そして、測定ステージ（６）を上昇さ
せて上記アルミ蒸着ウエハ表面にプローブ針（８）を接
触させ更に測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程
度上昇させてオーバードライブをかける。これにより上
記アルミ蒸着ウエハに針跡を付加する。この針跡を付加
したアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（13）の視界内に移
動し、このITVカメラ（13）により上記針跡付近を写
す。この針跡からプローブカード（９）θ角を確認し、
ずれ角を補正する為に上記プローブカード（９）を回転
補正する。この操作をプローブカード（９）θ角が合う
まで繰り返す。このプローブカード（９）θ角が合った
時点で、上記ITVカメラ（13）で針跡位置を確認する。
そして、上記アルミ蒸着ウエハを搬出し、実際に測定す
る被測定基板例えば半導体ウエハ（７）を測定ステージ
（６）上に載置し、アライメント部でアライメントをす
る。そして、予め位置合わせしておいたプローブカード
（９）のプローブ針（８）に対応させ、ITVカメラ（1
3）により上記半導体ウエハ（７）上のパッド（15）位
置を指定する。そしてプローブ針（８）を上記パッド
（15）に接触させ、測定を開始する。以上の処理を第４
図に示す。
次に、他の実施例を第５図のフローチャートに従って説
明する。
明する。
まず、第１図に示すプローブ装置において初めて測定す
る品種の半導体ウエハであるか調べ（16）、初めてであ
る場合、測定ステージ（６）上に被針跡付加基板例えば
アルミ蒸着ウエハを測定ステージ（６）上に載置し（1
7）、ハイトセンサーでウエハ径，ウエハ中心，ウエハ
の厚みを計り、プローブカード（９）直下へ移動する。
そして上記測定ステージ（６）を上昇させ、プローブ針
（８）がウエハに接触した場合の他、エッジセンサーが
ONした場合、ニードルセンサーがONした場合、及びテス
ターにテスト開始命令を送りながら上昇し、全てのプロ
ーブ針（８）がコンタクトした時点をテスターに判定さ
せ、その時点で信号をプローブ装置へ送出しそれを受け
た場合に上記測定ステージ（６）の上昇を停止する。次
に上記測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程度上
昇させオーバドライブをかける。これにより上記アルミ
蒸着ウエハに針跡を付加する（18）。この針跡を付加し
たアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（13）の視界内に移動
し、このITVカメラ（13）により上記針跡付近を写す。
これを第６図に示す。上記ITVカメラ（13）により写し
た針跡を（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）とし、測定ス
テージ（６）を移動させてITVカメラ（13）のセンター
を示すクロス（19）と針跡（Ａ）を合わせ、その位置を
測定ステージ（６）の絶対座標（α１，β１）として記
憶させる。これと同様に針跡（Ｃ）も行ない、その位置
を測定ステージ（６）の絶対座標（α２，β２）として
記憶させる（20）。同時に針跡付近の画像データを採取
し記憶する（21）。そして上記アルミ蒸着ウエハを搬出
する（22）。次に、実際に測定する半導体ウエハ（７）
を測定ステージ（６）上に載置し（23）、アライメント
部でアライメントをする。この時、アライメント終了時
にITVカメラ（13）のセンターを示すクロス（19）のあ
る測定ステージ（６）の絶対位置を（x1，y1）として記
憶する（24）。そして測定ステージ（６）をプローブカ
ード（９）直下に移動し（25）、上昇させる（26）。そ
して測定ステージ（６）を針跡（Ａ）とパッドが合う状
態に移動させ、この時の測定ステージ（６）の絶対位置
を（x2，y2）として記憶する（27）。次にITVカメラ（1
3）の視界内に上記測定ステージ（６）を移動させ、第
７図に示す如くITVカメラ（13）のセンターを示すクロ
ス（19）をパッド（Ａ′）に合わせてこの時の測定ステ
ージ（６）の絶対位置を（x3，y3）として記憶する。こ
れと同様にパッド（Ｃ′）も行ない、その絶対位置
（x4，y4）として記憶する（28）。同時にパッド
（Ａ′）（Ｃ′）の画像データを採取し記憶する（2
9）。そして上記測定ステージ（６）をプローブカード
（９）直下に移動し、プローブカード（９）をθ方向に
回転させて（30）、パッド（Ａ′）とそれと対応したプ
ローブ針（８）を合わせる。この時の測定ステージ
（６）の絶対位置を（x5，y5）として記憶する（31）。
る品種の半導体ウエハであるか調べ（16）、初めてであ
る場合、測定ステージ（６）上に被針跡付加基板例えば
アルミ蒸着ウエハを測定ステージ（６）上に載置し（1
7）、ハイトセンサーでウエハ径，ウエハ中心，ウエハ
の厚みを計り、プローブカード（９）直下へ移動する。
そして上記測定ステージ（６）を上昇させ、プローブ針
（８）がウエハに接触した場合の他、エッジセンサーが
ONした場合、ニードルセンサーがONした場合、及びテス
ターにテスト開始命令を送りながら上昇し、全てのプロ
ーブ針（８）がコンタクトした時点をテスターに判定さ
せ、その時点で信号をプローブ装置へ送出しそれを受け
た場合に上記測定ステージ（６）の上昇を停止する。次
に上記測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程度上
昇させオーバドライブをかける。これにより上記アルミ
蒸着ウエハに針跡を付加する（18）。この針跡を付加し
たアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（13）の視界内に移動
し、このITVカメラ（13）により上記針跡付近を写す。
これを第６図に示す。上記ITVカメラ（13）により写し
た針跡を（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）とし、測定ス
テージ（６）を移動させてITVカメラ（13）のセンター
を示すクロス（19）と針跡（Ａ）を合わせ、その位置を
測定ステージ（６）の絶対座標（α１，β１）として記
憶させる。これと同様に針跡（Ｃ）も行ない、その位置
を測定ステージ（６）の絶対座標（α２，β２）として
記憶させる（20）。同時に針跡付近の画像データを採取
し記憶する（21）。そして上記アルミ蒸着ウエハを搬出
する（22）。次に、実際に測定する半導体ウエハ（７）
を測定ステージ（６）上に載置し（23）、アライメント
部でアライメントをする。この時、アライメント終了時
にITVカメラ（13）のセンターを示すクロス（19）のあ
る測定ステージ（６）の絶対位置を（x1，y1）として記
憶する（24）。そして測定ステージ（６）をプローブカ
ード（９）直下に移動し（25）、上昇させる（26）。そ
して測定ステージ（６）を針跡（Ａ）とパッドが合う状
態に移動させ、この時の測定ステージ（６）の絶対位置
を（x2，y2）として記憶する（27）。次にITVカメラ（1
3）の視界内に上記測定ステージ（６）を移動させ、第
７図に示す如くITVカメラ（13）のセンターを示すクロ
ス（19）をパッド（Ａ′）に合わせてこの時の測定ステ
ージ（６）の絶対位置を（x3，y3）として記憶する。こ
れと同様にパッド（Ｃ′）も行ない、その絶対位置
（x4，y4）として記憶する（28）。同時にパッド
（Ａ′）（Ｃ′）の画像データを採取し記憶する（2
9）。そして上記測定ステージ（６）をプローブカード
（９）直下に移動し、プローブカード（９）をθ方向に
回転させて（30）、パッド（Ａ′）とそれと対応したプ
ローブ針（８）を合わせる。この時の測定ステージ
（６）の絶対位置を（x5，y5）として記憶する（31）。
上記プローブカード（９）をθ方向に回転させる角度
は、アライメント終了後のθずれのないチップ（14）に
対してプローブカードのθずれ量と等しく、これを第８
図に示す。この図において、X1，X2，Y1，Y2の距離は、 X1＝｜α１−α２|, X2＝｜x3−x4｜ Y1＝｜β１−β２|, Y2＝｜y3−y4｜ となり、プローブカードのθずれ量は、 で求めることができる。
は、アライメント終了後のθずれのないチップ（14）に
対してプローブカードのθずれ量と等しく、これを第８
図に示す。この図において、X1，X2，Y1，Y2の距離は、 X1＝｜α１−α２|, X2＝｜x3−x4｜ Y1＝｜β１−β２|, Y2＝｜y3−y4｜ となり、プローブカードのθずれ量は、 で求めることができる。
次に、プローブカード（９）のセンターの座標を求めて
おく。第９図に示すように となり、センターの座標を（a,b）とすると となり、上記，式よりセンターの座標（a,b）を求
めることができる。
おく。第９図に示すように となり、センターの座標を（a,b）とすると となり、上記，式よりセンターの座標（a,b）を求
めることができる。
上記プローブカード（９）のセンターの座標を求めた
後、測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程度上昇
させオーバドライブをかけて、プローブ針（８）とパッ
ド（14）をコンタクトさせる。この時、針跡の画像デー
タを記憶する（32）。そして、測定を開始する（33）。
後、測定ステージ（６）を例えば60〜100μｍ程度上昇
させオーバドライブをかけて、プローブ針（８）とパッ
ド（14）をコンタクトさせる。この時、針跡の画像デー
タを記憶する（32）。そして、測定を開始する（33）。
上述した半導体ウエハの品種が交換され、他の品種半導
体ウエハを測定する際も同様に上述した工程を繰り返
す。また、再び同じ品種の半導体ウエハを測定する場
合、まず測定する半導体ウエハの品種に対応したプロー
ブカードをセットし（34）、被針跡付加基板例えばアル
ミ蒸着ウエハを測定ステージ（６）上に載置する（3
5）。そして上記測定ステージ（６）を上昇させ、エッ
ジセンサーがONした場合の他、ニードルセンサーがONし
た場合、及びテスターにテスト開始命令を送りながら上
昇し、全てのプローブ針（８）がコンタクトした時点を
テスターに判定させ、その時点で信号をプローブ装置へ
送出しそれを受けた場合に上記測定ステージ（６）の上
昇を停止する。次に上記測定ステージ（６）を例えば60
〜100μｍ程度上昇させオーバドライブをかける。これ
により上記アルミ蒸着ウエハに針跡を付加する（36）。
この針跡を付加したアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（1
3）の視界内に移動し（37）、このITVカメラ（13）によ
り上記針跡付加基板付近を写す。そして画像データを採
取し、これを（21）で採取した画像データと比較しなが
ら（Ａ）と（Ｃ）の針跡を捜す。この時、（Ａ）を（α
３，β３）、（Ｃ）を（α４，β４）として記憶する
（38）。また、センターから（Ａ）のクロス位置までの
移動量を（P,Q）とする（39）。そして、上記アルミ蒸
着ウエハを搬出する（40）。
体ウエハを測定する際も同様に上述した工程を繰り返
す。また、再び同じ品種の半導体ウエハを測定する場
合、まず測定する半導体ウエハの品種に対応したプロー
ブカードをセットし（34）、被針跡付加基板例えばアル
ミ蒸着ウエハを測定ステージ（６）上に載置する（3
5）。そして上記測定ステージ（６）を上昇させ、エッ
ジセンサーがONした場合の他、ニードルセンサーがONし
た場合、及びテスターにテスト開始命令を送りながら上
昇し、全てのプローブ針（８）がコンタクトした時点を
テスターに判定させ、その時点で信号をプローブ装置へ
送出しそれを受けた場合に上記測定ステージ（６）の上
昇を停止する。次に上記測定ステージ（６）を例えば60
〜100μｍ程度上昇させオーバドライブをかける。これ
により上記アルミ蒸着ウエハに針跡を付加する（36）。
この針跡を付加したアルミ蒸着ウエハをITVカメラ（1
3）の視界内に移動し（37）、このITVカメラ（13）によ
り上記針跡付加基板付近を写す。そして画像データを採
取し、これを（21）で採取した画像データと比較しなが
ら（Ａ）と（Ｃ）の針跡を捜す。この時、（Ａ）を（α
３，β３）、（Ｃ）を（α４，β４）として記憶する
（38）。また、センターから（Ａ）のクロス位置までの
移動量を（P,Q）とする（39）。そして、上記アルミ蒸
着ウエハを搬出する（40）。
次に、被測定基板例えば半導体ウエハ（７）を測定ステ
ージ（６）上に載置し、アライメントを行なう。この時
（x3，y3）に（Ａ′）のパッド、（x4，y4）に（Ｃ′）
のパッドが設定された状態になっている。そしてそれぞ
れの画像データを採取し、（29）で採取した画像データ
と比較し補正する（41）。これでプローブカード（９）
のθを合わせることができる。つまり、 α１＝α３＋P, β１＝β３＋Ｑ α２＝α４＋P, β２＝β４＋Ｑ となり、同様の計算でこの時のプローブカードθの角度
δは、 となり、この角度分プローブカード（９）を回転させる
（42）。この時、（38）における（Ａ）の針の座標は、
（α３＋P,β３＋Ｑ）であり、センターの座標（a,b）
は変わらないので、，の式で x2＝α３＋P, y2＝β３＋Ｑ を代入し、（x5，y5）を求める。その時の値を（x5′，
y5′）とする。（x3，y3）にあるパッド（Ａ′）を
（x5′，y5′）の位置になるように測定ステージ（６）
を移動する（43）と、プローブ針（８）の針先はパッド
に正確に接触する。そして上記測定ステージ（６）を例
えば60〜100μｍ程度上昇させ、オーバドライブをかけ
る。このオーバドライブにより針跡を付加し、（32）の
画像データと比較して針跡の位置がずれている場合は、
その差を出し測定ステージ（６）を移動させる（44）。
そして上記半導体ウエハ（７）の測定を開始する。
ージ（６）上に載置し、アライメントを行なう。この時
（x3，y3）に（Ａ′）のパッド、（x4，y4）に（Ｃ′）
のパッドが設定された状態になっている。そしてそれぞ
れの画像データを採取し、（29）で採取した画像データ
と比較し補正する（41）。これでプローブカード（９）
のθを合わせることができる。つまり、 α１＝α３＋P, β１＝β３＋Ｑ α２＝α４＋P, β２＝β４＋Ｑ となり、同様の計算でこの時のプローブカードθの角度
δは、 となり、この角度分プローブカード（９）を回転させる
（42）。この時、（38）における（Ａ）の針の座標は、
（α３＋P,β３＋Ｑ）であり、センターの座標（a,b）
は変わらないので、，の式で x2＝α３＋P, y2＝β３＋Ｑ を代入し、（x5，y5）を求める。その時の値を（x5′，
y5′）とする。（x3，y3）にあるパッド（Ａ′）を
（x5′，y5′）の位置になるように測定ステージ（６）
を移動する（43）と、プローブ針（８）の針先はパッド
に正確に接触する。そして上記測定ステージ（６）を例
えば60〜100μｍ程度上昇させ、オーバドライブをかけ
る。このオーバドライブにより針跡を付加し、（32）の
画像データと比較して針跡の位置がずれている場合は、
その差を出し測定ステージ（６）を移動させる（44）。
そして上記半導体ウエハ（７）の測定を開始する。
以上説明した操作を繰り返すことにより、プローブカー
ド（９）の交換が必要とされない限り、自動で針合わせ
を行ない、半導体ウエハの測定が可能となる。
ド（９）の交換が必要とされない限り、自動で針合わせ
を行ない、半導体ウエハの測定が可能となる。
上記の実施例では、被針跡付加基板としてアルミ蒸着ウ
エハを使用して説明したが、針跡を付加できる基板であ
れば上記アルミ蒸着ウエハに限定するものではない。ま
た、被測定基板として半導体ウエハにより説明したがこ
れに限定されず、液晶基板等でも同様な効果を得ること
ができる。
エハを使用して説明したが、針跡を付加できる基板であ
れば上記アルミ蒸着ウエハに限定するものではない。ま
た、被測定基板として半導体ウエハにより説明したがこ
れに限定されず、液晶基板等でも同様な効果を得ること
ができる。
以上述べたようにこの実施例によれば、予め被針跡付加
基板にプローブ針により針跡を付加し、これをITVカメ
ラ視界内へ移動してこの移動距離を記憶しておくことに
より、被測定基板に形成された被測定体の良否を測定す
る際、被測定基板を上記記憶している距離の移動のみに
より被測定体上のパッドとプローブカードの針との位置
を合わせることが可能となる。
基板にプローブ針により針跡を付加し、これをITVカメ
ラ視界内へ移動してこの移動距離を記憶しておくことに
より、被測定基板に形成された被測定体の良否を測定す
る際、被測定基板を上記記憶している距離の移動のみに
より被測定体上のパッドとプローブカードの針との位置
を合わせることが可能となる。
また、これにより自動的に被測定体上のパッドとプロー
ブカード（９）の針との位置を合わせることができるた
め、マニュアルで位置合わせする際に使用するマイクロ
スコープ等の目視装置を必要とせず、これにより上記マ
イクロスコープ等の目視装置を使用する際挿入していた
テストヘッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレク
トロニクスボードとプローブ針の距離を短かくすること
ができるため、高周波による測定が可能となる。
ブカード（９）の針との位置を合わせることができるた
め、マニュアルで位置合わせする際に使用するマイクロ
スコープ等の目視装置を必要とせず、これにより上記マ
イクロスコープ等の目視装置を使用する際挿入していた
テストヘッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレク
トロニクスボードとプローブ針の距離を短かくすること
ができるため、高周波による測定が可能となる。
以上説明したように本発明によれば、予めプローブ針の
針跡を認識し、認識した位置を記憶することにより、被
測定体の測定端子にプローブ針を接触させて測定するに
際し、上記認識位置及び針跡内容から被測定体上の測定
端子及びプローブ針の位置合わせを自動的に行なうこと
が可能となる。
針跡を認識し、認識した位置を記憶することにより、被
測定体の測定端子にプローブ針を接触させて測定するに
際し、上記認識位置及び針跡内容から被測定体上の測定
端子及びプローブ針の位置合わせを自動的に行なうこと
が可能となる。
また、上記自動的に位置合わせができるため、マニュア
ルで位置合わせする際に使用していたマイクロスコープ
等の目視装置を必要とせず、これにより上記マイクロス
コープ等の目視装置を使用する際挿入していたテストヘ
ッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレクトロニク
スボードとプローブ針の距離を短かくすることができる
ため、高周波による測定が可能となる。
ルで位置合わせする際に使用していたマイクロスコープ
等の目視装置を必要とせず、これにより上記マイクロス
コープ等の目視装置を使用する際挿入していたテストヘ
ッドの挿入穴を設ける必要がなく、ピンエレクトロニク
スボードとプローブ針の距離を短かくすることができる
ため、高周波による測定が可能となる。
第１図は本発明方法の一実施例を説明するためのプロー
ビング装置の構成図、第２図はプローブ針とパッドの接
触状態の図、第３図，第４図，第５図は本発明方法の実
施例を説明するためのフローチャート、第６図は針跡を
示す図、第７図はパッドとITVカメラのクロスの一致を
示す図、第８図はプローブカードのθずれを示す図、第
９図はプローブカードのセンターを求める為の図、第10
図は従来のプロービング方法を説明する為のプロービン
グ装置の構成図を示すものである。 ７…半導体ウエハ、８…プローブ針、９…プローブカー
ド、13…ITVカメラ、14…半導体チップ、15…パッド。
ビング装置の構成図、第２図はプローブ針とパッドの接
触状態の図、第３図，第４図，第５図は本発明方法の実
施例を説明するためのフローチャート、第６図は針跡を
示す図、第７図はパッドとITVカメラのクロスの一致を
示す図、第８図はプローブカードのθずれを示す図、第
９図はプローブカードのセンターを求める為の図、第10
図は従来のプロービング方法を説明する為のプロービン
グ装置の構成図を示すものである。 ７…半導体ウエハ、８…プローブ針、９…プローブカー
ド、13…ITVカメラ、14…半導体チップ、15…パッド。
Claims (2)
- 【請求項１】測定ステージ上に金属が蒸着された被針跡
付加基板を載置する第１工程と、 上記測定ステージを上昇させて上記測定ステージ直上に
移動されたプローブカードのプローブ針に上記被針跡付
加基板を接触させて針跡を付加する第２工程と、 上記針跡が付加された被針跡付加基板を撮像手段で撮像
し、その位置を認識する第３工程と、 認識した針跡まで上記プローブカードを移動させ、その
移動距離を記憶する第４工程と、 被測定基板を測定ステージに載置し、上記移動距離だけ
移動させる第５工程とを具備したことを特徴とするプロ
ービング方法。 - 【請求項２】上記被針跡付加基板は、アルミ蒸着ウェハ
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ロービング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62106027A JPH0748509B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | プロ−ビング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62106027A JPH0748509B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | プロ−ビング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63271948A JPS63271948A (ja) | 1988-11-09 |
| JPH0748509B2 true JPH0748509B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=14423157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62106027A Expired - Lifetime JPH0748509B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | プロ−ビング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748509B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4652725B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-03-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | フォトマスク欠陥修正方法 |
| US8060330B2 (en) * | 2008-12-12 | 2011-11-15 | Lam Research Corporation | Method and system for centering wafer on chuck |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169922A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | オ−トプロ−バにおけるウエハ−のアライメント方法 |
| JPS6272134A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 針跡検出方法 |
| JPS6279640A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ウエハプロ−バ装置 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62106027A patent/JPH0748509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63271948A (ja) | 1988-11-09 |
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