JPS6272134A - 針跡検出方法 - Google Patents
針跡検出方法Info
- Publication number
- JPS6272134A JPS6272134A JP21285585A JP21285585A JPS6272134A JP S6272134 A JPS6272134 A JP S6272134A JP 21285585 A JP21285585 A JP 21285585A JP 21285585 A JP21285585 A JP 21285585A JP S6272134 A JPS6272134 A JP S6272134A
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- signal
- needle
- needle track
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- pad
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、針跡検出方法に関する。
従来、半導体装置の所謂ダイソータ工程では、ステージ
上に設置された半導体ウェハの被測定領域であるポンデ
ィングパッドに特性測定器の検出針(プローブカード)
を当接し、導通試験、抵抗試験等を行うことにより半導
体装置の特性試験を行っている。而して、このような′
特性試験は検出針がポンディングパッドに正しく接触し
て始めて正確に行われる。このため、従来は検出針がポ
ンディングパッドから離間した後にその針跡を顕微鏡に
て検盃していた。すなわち、第2図に示す如く、半導体
ウェハ1を設置したステージ2の上方に被測定領域であ
るポンディングパッドの所定のものに特性量1定器3の
検出針が当接するように設ける。特性6111 i’を
器3は、プローブカード4を取付けたプローバーへノド
プレート5及びプローバーヘッドプレート5の上方に設
けられたテストヘッド6で構成されている。針跡を検出
する顕微鏡7は、特性測定器3の上方に設けられている
。而して、特性ff1l定器3による10ソト測足中か
或は10ツ) 、4!11定後に作業者が顕微鏡7によ
り針跡の異常の有無を調べる。このため検出針による特
性量9時から針跡異常の発見までの時間が長く、…11
定異常の半導体ウニ・・lを多数枚発生し易い。その結
果、不良の半導体ウェハIが多数枚存在すると判断する
か、或は再測定をしなければならない問題があった。ま
た、検出針による特性測定試験は、予め設定された測定
箇所について連続的に行われる。針跡検出は、これらの
一連の41]j定箇所について行われるが、第3図(A
)に示す如く、針h’F 1θがポンディングパッド1
1から完全に外れている場合にだけ測定不良と判断し、
同図(B)に示す如く、4跡10の一部がポンディング
パッド11に形成されている場合や、同図(c)に示す
如く、検出針による接触が不十分で針跡10が小さい場
合は測定不良とf4I!l′lTされない。
上に設置された半導体ウェハの被測定領域であるポンデ
ィングパッドに特性測定器の検出針(プローブカード)
を当接し、導通試験、抵抗試験等を行うことにより半導
体装置の特性試験を行っている。而して、このような′
特性試験は検出針がポンディングパッドに正しく接触し
て始めて正確に行われる。このため、従来は検出針がポ
ンディングパッドから離間した後にその針跡を顕微鏡に
て検盃していた。すなわち、第2図に示す如く、半導体
ウェハ1を設置したステージ2の上方に被測定領域であ
るポンディングパッドの所定のものに特性量1定器3の
検出針が当接するように設ける。特性6111 i’を
器3は、プローブカード4を取付けたプローバーへノド
プレート5及びプローバーヘッドプレート5の上方に設
けられたテストヘッド6で構成されている。針跡を検出
する顕微鏡7は、特性測定器3の上方に設けられている
。而して、特性ff1l定器3による10ソト測足中か
或は10ツ) 、4!11定後に作業者が顕微鏡7によ
り針跡の異常の有無を調べる。このため検出針による特
性量9時から針跡異常の発見までの時間が長く、…11
定異常の半導体ウニ・・lを多数枚発生し易い。その結
果、不良の半導体ウェハIが多数枚存在すると判断する
か、或は再測定をしなければならない問題があった。ま
た、検出針による特性測定試験は、予め設定された測定
箇所について連続的に行われる。針跡検出は、これらの
一連の41]j定箇所について行われるが、第3図(A
)に示す如く、針h’F 1θがポンディングパッド1
1から完全に外れている場合にだけ測定不良と判断し、
同図(B)に示す如く、4跡10の一部がポンディング
パッド11に形成されている場合や、同図(c)に示す
如く、検出針による接触が不十分で針跡10が小さい場
合は測定不良とf4I!l′lTされない。
このため針跡trtx出のイgφシ1性が低く正確な詩
性測定を達成できない。このような問題を解消するため
にゴ負微桃の倍率を高めて針跡10を′Ft5.!察す
ると、針跡10の上方に存在するtう山付が視界を嘔え
ぎって針跡10が見えなくなる場合が起き賜い。このよ
うに従来の方法では、簡単な操作で正確に針跡検出がで
きず、主プr性を十分に向上できない間(壇があった。
性測定を達成できない。このような問題を解消するため
にゴ負微桃の倍率を高めて針跡10を′Ft5.!察す
ると、針跡10の上方に存在するtう山付が視界を嘔え
ぎって針跡10が見えなくなる場合が起き賜い。このよ
うに従来の方法では、簡単な操作で正確に針跡検出がで
きず、主プr性を十分に向上できない間(壇があった。
〔発!月の目的〕
本発明は、簡単な操作でしかも正確に針跡検出を行い生
産性の向上を達成した針跡検出方法を提提することをそ
の目的とするものである。
産性の向上を達成した針跡検出方法を提提することをそ
の目的とするものである。
本発明は、針跡検出をセンサで測定し、得られた測定信
号を予め用意した針跡標準信号と比較して所定の処理信
号を発信させるようにしたことにより、簡単な操作でし
かも正確に針跡検出を行い生産性の向上を達成すること
ができる針跡検出方法である。
号を予め用意した針跡標準信号と比較して所定の処理信
号を発信させるようにしたことにより、簡単な操作でし
かも正確に針跡検出を行い生産性の向上を達成すること
ができる針跡検出方法である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
本発明方法は、光学センサを用いて針跡を測定するもの
であり、光学センサは、所定の針跡標準信号が予め入力
され、所定の演算機能を備えた信号処理器に接続されて
いる。検出針を取付けた特定測定器は、信号処理器の1
号分受けて半導体クエハを設置したステージと共に、動
作するようになっている。針跡標準信号とじてば、例え
ばポンディングパッド200所定領域21内に針跡22
が存在する場合(第1図(A)参;那)に良好信号とし
、第1図(B)のようにポンディングパッド20内に針
跡22が存在しない場合や、同図(C’)に示す如く、
針跡22の一部がポンディングパッド20内に存在する
場合、接触不良による微小な針跡22がポンディングパ
ッド20内に存在する場合(同fi (D) 参照)、
更には、同+〈I (g)に示す如く、針跡22内に下
地の酸化QJ23が露出している場合8を不良信号と予
め菫めておく。また、14号処理器は、光学センサQ1
.]号を受けると、良否[3号、補正1d号、;汗報信
号等の所定の信号を出力するようになっている。
であり、光学センサは、所定の針跡標準信号が予め入力
され、所定の演算機能を備えた信号処理器に接続されて
いる。検出針を取付けた特定測定器は、信号処理器の1
号分受けて半導体クエハを設置したステージと共に、動
作するようになっている。針跡標準信号とじてば、例え
ばポンディングパッド200所定領域21内に針跡22
が存在する場合(第1図(A)参;那)に良好信号とし
、第1図(B)のようにポンディングパッド20内に針
跡22が存在しない場合や、同図(C’)に示す如く、
針跡22の一部がポンディングパッド20内に存在する
場合、接触不良による微小な針跡22がポンディングパ
ッド20内に存在する場合(同fi (D) 参照)、
更には、同+〈I (g)に示す如く、針跡22内に下
地の酸化QJ23が露出している場合8を不良信号と予
め菫めておく。また、14号処理器は、光学センサQ1
.]号を受けると、良否[3号、補正1d号、;汗報信
号等の所定の信号を出力するようになっている。
而して、被測定体である半導体ウェハをステージ上に設
置する。次いで、光学センサを取付けた検出針が所定の
ポンディングパッド領域の上方に位置付けられるように
して、時定測定器を半導体ウェハの上方に設置する。
置する。次いで、光学センサを取付けた検出針が所定の
ポンディングパッド領域の上方に位置付けられるように
して、時定測定器を半導体ウェハの上方に設置する。
次に、検出針をポンディングパッドに当接させて特性試
験を行う。仄いで、検出針がポンディングパッドから離
間したところで、光学センサにて針跡を検出する。得ら
れた針跡信号を光学センサから信号処理器に出力する。
験を行う。仄いで、検出針がポンディングパッドから離
間したところで、光学センサにて針跡を検出する。得ら
れた針跡信号を光学センサから信号処理器に出力する。
信号処理器は、入力された針跡信号と針跡標準信号とを
比較し、良好信号或は不良信号を出力する。また、必要
に応じて′/ji報信号全信号すると共に、所定の補正
信号をステージに出力する。
比較し、良好信号或は不良信号を出力する。また、必要
に応じて′/ji報信号全信号すると共に、所定の補正
信号をステージに出力する。
このようKとの針°銹検出方法では、検出針に設けた光
学センサで検出針がポンディングパッドから離間した直
後に針跡検出を行うので、針跡検出の信頼性を高めると
共に、再測定を回避することができる。また、顕微鏡を
用いずに光学センサで針跡を検出して、更に信号処理器
にて電気的に信号処理を行って所定の信号を出力するの
で、簡単な操作でしかも針跡検出を正確に行つことがで
きる。これらの結果、生産性を著しく向上させることが
できる。
学センサで検出針がポンディングパッドから離間した直
後に針跡検出を行うので、針跡検出の信頼性を高めると
共に、再測定を回避することができる。また、顕微鏡を
用いずに光学センサで針跡を検出して、更に信号処理器
にて電気的に信号処理を行って所定の信号を出力するの
で、簡単な操作でしかも針跡検出を正確に行つことがで
きる。これらの結果、生産性を著しく向上させることが
できる。
以上説明した如く、本発明に係る針跡検出方法によれば
、簡単な操作でしかも正確に針跡検出を行い生産性を向
上させることができるものである。
、簡単な操作でしかも正確に針跡検出を行い生産性を向
上させることができるものである。
第1図(A)乃至同図(E)は、本発明方法の説明図、
第2図は、従来の方法を示す説明図、第3図(〜(B)
(C)は、従来の方法の問題点を示す説明図である。 20・・・ポンディングパッド、21・・・所定領域、
22・・・針:佛、23・・・酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦(A)
(B) (C)jll 図
第2図は、従来の方法を示す説明図、第3図(〜(B)
(C)は、従来の方法の問題点を示す説明図である。 20・・・ポンディングパッド、21・・・所定領域、
22・・・針:佛、23・・・酸化膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦(A)
(B) (C)jll 図
Claims (1)
- 半導体ウェハの被測定領域に検出針を接触して特性試験
を行った後、前記検出針を前記被測定領域から離間する
と共に、前記検出針の針跡をセンサで測定し、該測定に
て得た信号と予め用意した前記被測定領域の針跡標準信
号とを比較して所定の良否信号、補正信号、警報信号を
発信させることを特徴とする針跡検出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21285585A JPS6272134A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 針跡検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21285585A JPS6272134A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 針跡検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6272134A true JPS6272134A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16629428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21285585A Pending JPS6272134A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 針跡検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6272134A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271948A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ビング方法 |
JPH01162177A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プロービング方法 |
JP2007103860A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローブ接触痕検出方法、及び、プローバ |
JP2015079912A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社東京精密 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
JP2015099943A (ja) * | 2015-02-25 | 2015-05-28 | 株式会社東京精密 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21285585A patent/JPS6272134A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271948A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ビング方法 |
JPH01162177A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プロービング方法 |
JP2007103860A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローブ接触痕検出方法、及び、プローバ |
JP2015079912A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | 株式会社東京精密 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
JP2015099943A (ja) * | 2015-02-25 | 2015-05-28 | 株式会社東京精密 | 電子デバイスのプロービング装置及びプロービング方法 |
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