JPH0473620B2 - - Google Patents
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- JPH0473620B2 JPH0473620B2 JP60011870A JP1187085A JPH0473620B2 JP H0473620 B2 JPH0473620 B2 JP H0473620B2 JP 60011870 A JP60011870 A JP 60011870A JP 1187085 A JP1187085 A JP 1187085A JP H0473620 B2 JPH0473620 B2 JP H0473620B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- distance
- probe
- semiconductor wafer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 49
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
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- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の検査方法に関し、特に
半導体ウエハー上の半導体装置の検査方法に関す
る。
半導体ウエハー上の半導体装置の検査方法に関す
る。
従来、半導体ウエハー上の半導体装置の検査に
使用するものとして、特性検査装置とウエハープ
ローバーと呼ばれる、半導体ウエハーを載物台
（ステージ）に載せ間欠送りするものがある。ま
た、特性検査装置とウエハー上の半導体装置の電
極パツドとの接触をとるものとして検査用探針群
（プローブ・カード）がウエハー・プローバーに
装着される。プローブ・カードは半導体装置のそ
れぞれの電極パツドに合わせて基板上に探針が固
定してあり、検査品種毎に変換される。半導体装
置の検査は、ウエハーをステージに載せて半導体
装置の電極パツドにプローブ・カードの各探針を
合わせステージを上昇させて、探針と電極パツド
の接触をとつた後に、特性検査装置による検査を
実施していた。一方、探針と電極パツドの接触抵
抗を一定の値以下に保つ為に探針の電極パツドへ
の針圧を高めている。この電極パツドに接触後の
ステージの上昇分をオーバー・ドライブ量と呼ん
でおり、この値を一定に保つことにより、探針と
電極パツドとの接触抵抗を一定の値以下にし、誤
りのない検査をするようにしている。このオーバ
ー・ドライブ量の設定はエツヂ・センサーと呼ば
れる一対の探針の長針がウエハーに接触し、ステ
ージの上昇により上方向もち上げられ、他方の短
針がそのままの位置を保つことによつて、長針と
短針が離れることを利用し、長針と短針との電気
的導通がなくなつてからのステージの上昇分を一
定にすることによつて設定する方法や目視により
探針が電極パツドに接触した時点を確認し、ステ
ージの上昇分をその時点から一定にすることによ
り設定する方法や、探針から半導体装置の電極パ
ツドを通し、さらに、半導体ウエハーの基板を通
してステージとの間の比抵抗を測定し、抵抗値が
急に小さくなる点からのステージの上昇分を一定
にすることによつて設定する方法が使用されてい
た。
使用するものとして、特性検査装置とウエハープ
ローバーと呼ばれる、半導体ウエハーを載物台
（ステージ）に載せ間欠送りするものがある。ま
た、特性検査装置とウエハー上の半導体装置の電
極パツドとの接触をとるものとして検査用探針群
（プローブ・カード）がウエハー・プローバーに
装着される。プローブ・カードは半導体装置のそ
れぞれの電極パツドに合わせて基板上に探針が固
定してあり、検査品種毎に変換される。半導体装
置の検査は、ウエハーをステージに載せて半導体
装置の電極パツドにプローブ・カードの各探針を
合わせステージを上昇させて、探針と電極パツド
の接触をとつた後に、特性検査装置による検査を
実施していた。一方、探針と電極パツドの接触抵
抗を一定の値以下に保つ為に探針の電極パツドへ
の針圧を高めている。この電極パツドに接触後の
ステージの上昇分をオーバー・ドライブ量と呼ん
でおり、この値を一定に保つことにより、探針と
電極パツドとの接触抵抗を一定の値以下にし、誤
りのない検査をするようにしている。このオーバ
ー・ドライブ量の設定はエツヂ・センサーと呼ば
れる一対の探針の長針がウエハーに接触し、ステ
ージの上昇により上方向もち上げられ、他方の短
針がそのままの位置を保つことによつて、長針と
短針が離れることを利用し、長針と短針との電気
的導通がなくなつてからのステージの上昇分を一
定にすることによつて設定する方法や目視により
探針が電極パツドに接触した時点を確認し、ステ
ージの上昇分をその時点から一定にすることによ
り設定する方法や、探針から半導体装置の電極パ
ツドを通し、さらに、半導体ウエハーの基板を通
してステージとの間の比抵抗を測定し、抵抗値が
急に小さくなる点からのステージの上昇分を一定
にすることによつて設定する方法が使用されてい
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のオーバー・ドライブの設定方法
は以下のような問題点がある。まず、エツヂ・セ
ンサーによる方法は、探針のバネ性を利用してい
るため、バネ性の劣化やバラツキに問題があり、
目視による方法は正確さに問題があり、探針から
ウエハーを通してステージまでの抵抗を測定する
方法は、ウエハーによつて裏面に不純物等が拡散
されて測定ができないほど抵抗値が高いウエハー
があり、代用のウエハーでオーバー・ドライブ量
を設定する方法をとつても、ウエハー間のバラツ
キがある為に一定のオーバー・ドライブ量を保つ
ことができないという問題があつた。
は以下のような問題点がある。まず、エツヂ・セ
ンサーによる方法は、探針のバネ性を利用してい
るため、バネ性の劣化やバラツキに問題があり、
目視による方法は正確さに問題があり、探針から
ウエハーを通してステージまでの抵抗を測定する
方法は、ウエハーによつて裏面に不純物等が拡散
されて測定ができないほど抵抗値が高いウエハー
があり、代用のウエハーでオーバー・ドライブ量
を設定する方法をとつても、ウエハー間のバラツ
キがある為に一定のオーバー・ドライブ量を保つ
ことができないという問題があつた。
本発明の目的はかかる問題点を解決し、正しい
オーバー・ドライブ量を保つことにより、正確な
検査ができる半導体装置の検査方法を提供するこ
とにある。
オーバー・ドライブ量を保つことにより、正確な
検査ができる半導体装置の検査方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するため、本発明による半導体
装置の検査方法においては、複数の半導体装置を
含む半導体ウエハー上の半導体装置の検査方法に
おいて、前記半導体ウエハーを載せるべき載物台
と検査用探針群との間隔、及び半導体ウエハーの
厚さをそれぞれ測定し、前記間隔と前記厚さの差
を計算し、その後、前記半導体ウエハーを前記検
査用探針群の下に移し、前記載物台に載せ、前記
載物台と前記検査用探針群の針先との間隔を、前
記間隔と厚さとの差の値にオーバドライバ量を加
えた距離に調整して前記半導体装置の電極パツド
に前記検査用探針群を接触させるものである。
装置の検査方法においては、複数の半導体装置を
含む半導体ウエハー上の半導体装置の検査方法に
おいて、前記半導体ウエハーを載せるべき載物台
と検査用探針群との間隔、及び半導体ウエハーの
厚さをそれぞれ測定し、前記間隔と前記厚さの差
を計算し、その後、前記半導体ウエハーを前記検
査用探針群の下に移し、前記載物台に載せ、前記
載物台と前記検査用探針群の針先との間隔を、前
記間隔と厚さとの差の値にオーバドライバ量を加
えた距離に調整して前記半導体装置の電極パツド
に前記検査用探針群を接触させるものである。
計算によつて算出された前記間隔と前記厚さの
値にオーバドライブ量を加えた距離と、載物台
と、検査用探針群の針先との間隔とを合致させる
ことにより、載物台上に載せられた半導体装置の
電極パツドには、適正な針圧で検査用探針が接触
する。
値にオーバドライブ量を加えた距離と、載物台
と、検査用探針群の針先との間隔とを合致させる
ことにより、載物台上に載せられた半導体装置の
電極パツドには、適正な針圧で検査用探針が接触
する。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図は、本発明の一実施例の概略図である。
ウエハー・プローバーのステージ１の上部にプロ
ーブ・カード２が固定されている。半導体装置３
を複数個含んだ半導体ウエハー４をステージに載
せる前に、ステージとプローブ・カードの針先と
の間隔d1を測定する。測定する方法は、本実施例
では、プローブ・カードの探針５とステージの間
の電気抵抗を測定部６で測定し、ステージが上昇
してステージがプローブ・カードの探針に接触す
ると電気的抵抗値が低くなることを探知して、そ
の時点のステージの上昇分から間隔d1を測定す
る。他の実施例として、光学的（レーザー光の反
射等を利用）に間隔d1を測定する方法もある。次
に、半導体ウエハーがステージに載せられ、電気
容量センサー７とステージ１′との間の電気容量
を電気容量測定部８で測定し、半導体ウエハーの
厚さd2により、電気容量が変化することを利用し
て、半導体ウエハーの厚さd2を電気容量から測定
する。これらのプローブ・カードの探針とステー
ジの間隔d1と半導体ウエハーの厚さd2との値を演
算部９で差（d1−d2）を求める。半導体ウエハー
をプローブ・カードの下に移動し、探針と半導体
装置の電極パツドを合わせた後、演算部で求めた
差（d1−d2）にオーバードライブを加えた距離
（通常はd1−d2＋（70〜100μｍ））だけステージの
駆動部１０を作動させてステージを上昇させ、プ
ローブ・カードの探針が適正な針圧で半導体装置
の電極パツドに接触するようにする。その後、プ
ローブ・カードの探針を通して特性検査装置１１
で半導体装置の検査を実施する。
ウエハー・プローバーのステージ１の上部にプロ
ーブ・カード２が固定されている。半導体装置３
を複数個含んだ半導体ウエハー４をステージに載
せる前に、ステージとプローブ・カードの針先と
の間隔d1を測定する。測定する方法は、本実施例
では、プローブ・カードの探針５とステージの間
の電気抵抗を測定部６で測定し、ステージが上昇
してステージがプローブ・カードの探針に接触す
ると電気的抵抗値が低くなることを探知して、そ
の時点のステージの上昇分から間隔d1を測定す
る。他の実施例として、光学的（レーザー光の反
射等を利用）に間隔d1を測定する方法もある。次
に、半導体ウエハーがステージに載せられ、電気
容量センサー７とステージ１′との間の電気容量
を電気容量測定部８で測定し、半導体ウエハーの
厚さd2により、電気容量が変化することを利用し
て、半導体ウエハーの厚さd2を電気容量から測定
する。これらのプローブ・カードの探針とステー
ジの間隔d1と半導体ウエハーの厚さd2との値を演
算部９で差（d1−d2）を求める。半導体ウエハー
をプローブ・カードの下に移動し、探針と半導体
装置の電極パツドを合わせた後、演算部で求めた
差（d1−d2）にオーバードライブを加えた距離
（通常はd1−d2＋（70〜100μｍ））だけステージの
駆動部１０を作動させてステージを上昇させ、プ
ローブ・カードの探針が適正な針圧で半導体装置
の電極パツドに接触するようにする。その後、プ
ローブ・カードの探針を通して特性検査装置１１
で半導体装置の検査を実施する。
以上説明したように、本発明はプローブ・カー
ドの探針とウエハー・プローバーのステージの間
隔d1と半導体ウエハーの厚さd2をそれぞれ求める
ことにより、その差（d1−d2）を求め、（d1−d2）
の値に対応した値にステージの上昇量を保つこと
によつて、プローブ・カードの探針と半導体装置
の電極パツドへの針圧を一定に保つことができ、
探針と電極パツドの接触抵抗値を一定の値以下保
つことができ、正しい検査ができる。また間隔
d1、厚さd2とも電気的あるいは光学的に測定する
為に、目視による方法と異なり正確であること、
エツヂ・センサーのように探針のバネ性を利用し
ていない為に測定のバラツキが少ないこと、探針
から半導体ウエハーを通してステージとの間の電
気抵抗を測定する方法と違つて、半導体ウエハー
を通さず測定する為に、半導体ウエハーの電気抵
抗に関係なく測定でき、半導体ウエハー間のバラ
ツキを無視できる効果を有するものである。
ドの探針とウエハー・プローバーのステージの間
隔d1と半導体ウエハーの厚さd2をそれぞれ求める
ことにより、その差（d1−d2）を求め、（d1−d2）
の値に対応した値にステージの上昇量を保つこと
によつて、プローブ・カードの探針と半導体装置
の電極パツドへの針圧を一定に保つことができ、
探針と電極パツドの接触抵抗値を一定の値以下保
つことができ、正しい検査ができる。また間隔
d1、厚さd2とも電気的あるいは光学的に測定する
為に、目視による方法と異なり正確であること、
エツヂ・センサーのように探針のバネ性を利用し
ていない為に測定のバラツキが少ないこと、探針
から半導体ウエハーを通してステージとの間の電
気抵抗を測定する方法と違つて、半導体ウエハー
を通さず測定する為に、半導体ウエハーの電気抵
抗に関係なく測定でき、半導体ウエハー間のバラ
ツキを無視できる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示した概略図であ
る。 １……ウエハー・プローバーのステージ、２…
…プローブ・カード、３……半導体装置、４……
半導体ウエハー、５……プローブ・カードの探
針、６……抵抗の測定部、７……電気容量センサ
ー、８……電気容量測定部、９……演算部、１０
……ステージの駆動部、１１……特性検査装置、
d1……プローブ・カードの探針とウエハー・プロ
ーバのステージの間隔、d2……半導体ウエハーの
厚さ。
る。 １……ウエハー・プローバーのステージ、２…
…プローブ・カード、３……半導体装置、４……
半導体ウエハー、５……プローブ・カードの探
針、６……抵抗の測定部、７……電気容量センサ
ー、８……電気容量測定部、９……演算部、１０
……ステージの駆動部、１１……特性検査装置、
d1……プローブ・カードの探針とウエハー・プロ
ーバのステージの間隔、d2……半導体ウエハーの
厚さ。
Claims (1)
- １ 複数の半導体装置を含む半導体ウエハー上の
半導体装置の検査方法において、前記半導体ウエ
ハーを載せるべき載物台と検査用探針群との間
隔、及び半導体ウエハーの厚さをそれぞれ測定
し、前記間隔と前記厚さの差を計算し、その後、
前記半導体ウエハーを前記検査用探針群の下に移
し、前記載物台に載せ、前記載物台と前記検査用
探針群の針先との間隔を、前記間隔と厚さとの差
の値にオーバドライブ量を加えた距離に調整して
前記半導体装置の電極パツドに前記検査用探針群
を接触させることを特徴とする半導体装置の検査
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187085A JPS61171145A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1187085A JPS61171145A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61171145A JPS61171145A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0473620B2 true JPH0473620B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=11789755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1187085A Granted JPS61171145A (ja) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61171145A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261727A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Tokyo Electron Ltd | 板状体の面歪み補正方法 |
| US6337218B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Method to test devices on high performance ULSI wafers |
-
1985
- 1985-01-25 JP JP1187085A patent/JPS61171145A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61171145A (ja) | 1986-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |