.1: Изобретение относитс к измерительно, технике и может быть использовано дл измерений неоднородных деформаций в раа-; .личных издели х..... Дл измерени деформации, например, по профилю деформируемого издели обычно на последнем закрепл ют несколько тензо-t датчиков, расположив их на заданном раосто нии друг от друга l. К недостаткам измерений деформаций при по мощи отдельных тепзодатчиков следует отнести мадую точность измерений, особенно в случае резко неоднородной деформации, что обусловлено низкой разрешающей способ|ностью по координате. Разрешающа способ ность по координате ограничена сравнительно большими размерами |тензодатчикоБ (примерно 2 мм). Известен датчик деформаций, содержащий тензочувствительные элементы, выпол- ненные в виде металлических сеток и расположенные на заданном рассто нии Друг от друга на поверхности бумажной или пластмассовой подлол 1ки 2, Недостатком этого датчика вл етс невысока тошшсть измерени профил деформаций , т, е, невысока разрешающа способность по координате в заданном направ лении, поскольку.датчик обладает чувствйтедьностъю к поперечной деформации, обусловленной расположением тензочувствитель ных элементов на поверхности подложки, а таклш за счет больших размеров тензочуест , витальных элементов. Увеличение разрешающей способности по координате в известном датчике гСа счет уменьшени размеров тензочувствительных элементов приводит к пропорциональному уменьшению уровн мощности выходного сигнала.Снижение выходного сигнала, Ъ свою очередь, влечет за собой возрастание погрешности ила серьезное усложнение регистрирующей аппаратуры. Известен датчик давлени , содержащий тёнзочувствительные элементы в виде р-п переходов, сформированных в полупроводни ковой пластине 3jo При :неоднородной деформации р-ппере-. ходы измен ют свои параметры на разную величину пропорционально величине дефор мшши в мостах рйсположени р-п переходов По изменению параметров р-и переходов можно определить деформацию в местах их расположени и, следовательно, профиль распределени деформации вдоль линии расположени переходов, Однако при деформаци х пластина может подвергатьс изгибу и на изменение параметров р-м Переходов будет вли ть поперечна деформаци пластины (издели , детали, с которыми скреплена пластина). Это приводит к снижению точности определени профил продольной составл ющей деформации. Цель изобретени - повышение точности измерени деформаций по профилю деформируемого издели . Это достигаетс тем, что рч.м переходы сформированы на одной из боковых граней пластины. Кроме того, расположение тензочувств тельных элементов на боковой грани пластины значительно упрощает процесс npi клеивани пластины к исследуемой детали. На фиг. 1 - датчик деформаций; на фиг. 2схематическое изображение воздействи поперечной деформации на один из тензочувствительных элементов. Датчик деформаций содержит полупроводниковую пластину 1, тензочувствительгные элементы 2, омический контакт 3, электровыводы 4, 5. Дл измерени деформации пластина 1 ориентируетс в заданном направлении и приклеиваетс к исследуемой детали. Электровыводы 4, 5 подсоедин ютс к измерительной аппаратуре. Деталь подвергаетс действию механических сил, деформаци по верхности детали передаетс полупроводниковой пластине 1, Деформаци пластины в области расположени отдельного тензочувс вительного элемента вызывает пропорциональное изменение протекающего через нег тока. Эти изменени регистрируютс измер тельной аппаратурой (на чертеже не показа на). По величине изменени токов определ етс профиль деформации вдоль боковой грани пластины 1, Наличие поперечной деформации приводит к изгибу пластины 1, Одна из поверхностей будет испытывать деформацию раст жени , Друга - деформацию сжати . Поскольку те}1зочувствительный элемент расположен на боковой гр)аии, то половина его площади бу дет подвержена деформации сжати 6, половина - деформации раст жени 7,. За счет этого будет происходить самокомпенсаци изменений параметров тензочувствительных элементов и устран тьс их чувствительность к поперечной деформации. Следовательно , повышаетс точность определени продольного профил деформаций. В качестве тензочувствительных элементов могут быть использованы не тол1 ко р-и переходы, но и другие выпр мл ющие полупроводниковые переходы - барьерьг Шоттки, гетеропереходы, многослойные структуры. Коэффициент тензочувствительности выпр мл ющих структур, как правило, на пор док выше, чем у полупроводниковых тензорезисторов. Рассто ние между такими тбн;.1эчувствительнымы элементами и их paav.Gfbi с высокой степенью точности за- дают-: методами фотолитографии, а расположение их на боковой грани устран ет поперечных деформаций. Все это обеспечивает точное измерение профил деформаций на поверхности детали и существенно лучшие параметры датчика профил деформа|ций по сравнению с известными. Формула изобретени Датчик деформаций, содержащий полупроводниковую пластину с тензочувствител ны ми. элемента ми в виде р-ц переходов, отличающийс тем, что, с целью повыщени точности измерени деформаций по профилю деформируемого, издели , р- 4L переходы сформированы на одной из боковых граней пластины. Источники информации, прин тые во вни- мание при экспертизе: 1, Клоков Н, П, и др. Тензодатчики дл экспериментальных исследований , М,, Машиностроение, 1972. 2,Патент Великобритании № 1088872, кл, G 1 W ( G OIT ), 1965. 3,Акцептованна за вка Великобритании № 1285634, кл. HI К, 1972.