RU1830470C - Интегральный полупроводниковый преобразователь давлени - Google Patents

Abstract

Использование:измерение нестационарных давлений. Цель - расширение диапазона измерени . Сущность изобретени : упругий элемент выполнен в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами X, соединенными в измерительные мосты. В пластине выполнено п каналов подвода давлени  путем образовани  со стороны, противоположной- расположению тензорезисторов , п углублений на различном рассто нии от поверхности расположени  тензорезисторов. Преобразователь давлени  снабжен дополнительными тензорезисторами , соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составл ет п-1, примем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений. 1 ил.

Description

со

с

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  давлени  в нестационарных услови х измер емой среды.

Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона измерени .

Интегральный полупроводниковый преобразователь давлени  содержит упругий элемент в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами, соединенными в измерительный мост. В пластине выполнено п каналов подвода давлени  путем образовани  со стороны, противоположной расположению тензорезисторов, п углублений на различном рассто нии от поверхности расположени  тензорезисторов. Преобразователь давлени  снабжен дополнительными тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составл ет п-1. причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений.

На чертеже изображен интегральный полупроводниковый преобразователь давлени .

Устройство содержит упругий элемент 1, тензорезисторы 2, углублени  3.

Тензорезисторы и углублени  создаютс  на полупроводниковой пластине методом микрозлектронной технологии.

Работа преобразовател  осуществл ет- сй следующим образом. При подаче измер емого давлени  Р на упругий элемент 1 последний воспринимает это давление и передает гензорезисторам 2, которые преобразуют его в электрический сигнал. Так как имеетс  три канала подвода давлени  по

со со О

Ј.

ivi iO

сути, как бы давление измер етс  трем  датчиками с различной чувствительностью. Наибольша  чувствительность у датчика, углубление которого находитс  ближе к поверхности упругого элемента со сформированными тензорезисторами. Наименьша  чувствительность у датчика, углубление которого находитс  дальше от поверхности упругого элемента со сформированными тензорезисторами. Тензорезисторы, сформированные на границах углублений, объединены в отдельные мосты (полумосты). При п 2 имеетс  три отдельных измерительных моста (полумоста).

Толщина упругого элемента наибольшей чувствительности рассчитана на измерение предельного значени  давлени .

Повышение точности и диапазона измерени  в конечном итоге позволит повысить достоверность определени  подсчетных параметров .

0

5

0

Claims (1)

1. Формула изобретени  Интегральный полупроводниковый преобразователь давлени , содержащий упругий элемент в виде полупроводниковой пластины со сформированными на ее поверхности тензорезисторами, соединенными в измерительный мост, в которой выполнено п канал о в подвода давлени  путем образовани  со стороны, противоположной расположению тензорезисторов, п углублений ыа различном рассто нии от поверхности расположени  тензорезисторов, отличающий- с   тем, что, с целью расширени  диапазона измерени , он снабжен дополнительными тензорезисторами, соединенными в соответствующие дополнительные измерительные мосты, количество которых составл ет п-1, причем все тензорезисторы сформированы на поверхности полупроводниковой пластины в области границ углублений.