SU1525505A1

SU1525505A1 - Тензопреобразователь высокого давлени

Info

Publication number: SU1525505A1
Application number: SU884423170A
Authority: SU
Inventors: Алексей Васильевич Белоглазов; Владимир Иванович Евдокимов; Елена Борисовна Котляревская; Владимир Михайлович Стучебников; Владимир Николаевич Черницын
Original assignee: Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения
Priority date: 1988-05-10
Filing date: 1988-05-10
Publication date: 1989-11-30

Abstract

Изобретение относитс к приборостроению и может быть использовано дл измерени давлений с повышенной чувствительностью. В тензопреобразователе, рассчитанном на высокое давление и имеющим толстую мембрану 1, экстремумы радиальной и тангенциальной деформаций, а также их разности наход тс на периферийном утолщенном основании мембраны. Соответственно тензорезисторы 3, 4 расположены так, что их центры наход тс в точках максимума разности вышеуказанных деформаций. Представлено соотношение дл определени места расположени тензорезисторов. 2 ил.

Description

Изобретение относитс к приборо- строеиию, а именно к мембранным тен- зопреобраэоватеп м давлени , и может быть использовано в датчиках давле- ни жидкостей или назов с электрическим выходным сигналов.

Цель изобретени - повьиение чув- ствительности.

На фиг.1 показано расположение тензорезисторов на поверхности мембраны , а также распределение радиальной и тангенциальной деформаций в упругом элементе тензопреобразовател высокого давлени ; на фиг.2 - экс- периментальио определенна зависимост смещени цеитров периферийных тензорезисторов от контура закреплени мембраны на корпус тензопреобразовател от толщины мембраны и зависимость, оп редел ема представленным соотношением .

В теизопреобразователе высокого давлени (фиг,) мембрана 1, выполненна заодно с корпусом тензопреобразо- вател образует колпачковую мембрану с утолщенным основанием 2 и утоненной центральной частью с радиусом R и толщиной h. Кремниевые тензореэисто- ры расположены на утолщенном основа- нни 2 мембраны на рассто нии г от центров тензорезисторов до центра мембраны .

При этом два тензорезистора 3 ори- ентированы перпендикул рно радиусу мембраны, а два других тензорезистора 4 - вдоль радиуса. Тензорезисторы соединены в мостовую тензосхему.

Под действием давлени Р мембрана изгибаетс , деформиру тензорезисто- ры. Под действием деформации тензо- резисторы измен ют свое сопротивление

и на выходной диагонали моста по вл етс сигнал, пропорциональный давлению Р. На фиг,1 также представлено ( распределеиие радиальной - крива 5, тангенциальной - крива 6 деформаций и из разности - крива 7 в тензопре- образователе. Видно, что в тензопреоб- разователе, рассчитанном на высокое давление и имеющем толстую мембрану (h«R), экстремумы радиальной, танген- циальной деформаций, а также их разности наход тс на корпусе тензопреобразовател (утолщенном основании 2). Соответствеино тензорезисторы расположены так, что нх центры наход тс в точках максимума разности радиалыюй и тангенциальной деформаций, определ емой указанной формулой.

Claims

Формула изобретени

Тензопреобразователь высокого -давлени , содержащий колпачковую мембра- иу с утолщенным основанием и утоненной центральной частью с радиусом R и закрепленные на мембране тензорезисторы , расположенные два тензорезистора вдоль и два - поперек осей симметрии и соединенные в мостовую измерительную схему, отличающийс тем, что, с целью повы- Щени чувствительности, в нем по крайней мере центр одного тензорезистора расположен на рассто нии г от центра мембраны, определ емом из соотношени

г h С) . R,

где h - толщина утоненной части мембраны , мм; К - посто нный коэффициент, мм.

uZ.nri

2.01 .G-/t ,f(ff