SU1716979A3 - Способ измерени давлени и преобразователь давлени - Google Patents

Способ измерени давлени и преобразователь давлени Download PDF

Info

Publication number
SU1716979A3
SU1716979A3 SU884356834A SU4356834A SU1716979A3 SU 1716979 A3 SU1716979 A3 SU 1716979A3 SU 884356834 A SU884356834 A SU 884356834A SU 4356834 A SU4356834 A SU 4356834A SU 1716979 A3 SU1716979 A3 SU 1716979A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
strain
diaphragm
film
thick
strain gauge
Prior art date
Application number
SU884356834A
Other languages
English (en)
Inventor
Скуратовски Юджин
Л.Стурдервант Майкл
Original Assignee
Дзе Бабкок Энд Вилкокс Компани (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дзе Бабкок Энд Вилкокс Компани (Фирма) filed Critical Дзе Бабкок Энд Вилкокс Компани (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1716979A3 publication Critical patent/SU1716979A3/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
    • G01L9/0052Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
    • G01L9/0055Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  давлени . Цель - повышение надежности . На керамическую мембрану вакуумнымнапылениемнанос т толстопленочные тензорезисторы различных конфигураций. Под действием измер емого давлени  мембрана деформируетс , при этом сопротивление тензорезисторов мен етс  в результате деформации как вдоль направлени  ориентации тензорези- стора, которое совпадает с направлением протекани  тока, так и поперек этого направлени , а также в направлении нормали к плоскости тензорезисторэ, В результате приращение сопротивлени  достаточно велико как при размещении тензорезисторов в центре мембраны, так и на периферии, причем достигаетс  также уменьшение отношени  сигнал - шум. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике, а именно к средствам измерени  давлени  газов и жидкостей.
Цель изобретени  - повышение надежности .
На фиг.1 представлен преобразователь давлени , вид сверху; на фиг.2 - то же, вид сбоку; на фиг.З диаграмма распределени  тангенциального и радиального напр жений по мембране; на фиг.4 - схема измерени  давлени  с помощью преобразовател  с толстопленочным тензорезистором; на фиг.5 - преобразователь давлени  с кольцеобразным толстопленочным тензорезистором , второй вариант; на фиг.6 - график изменени  сопротивлени  в зависимости от радиуса дл  тангенциального и радиального толстопленочных тензорезисторов; на фиг.7- преобразователь давлени  с параллельными
тензорезисторами, третий вариант, вид сверху; на фиг.8 - то же, четвертый вариант, вид сверху; на фиг.9 - то же, п тый вариант, вид сверху.
Предлагаемый способ позвол ет воспользоватьс  высокой чувствительностью к нормальной деформации толстопленочных резисторов дл  увеличени  выходного сигнала при хороших шумовых характеристиках и малых деформаци х керамической мембраны. Общее изменение сопротивлени  дл  толстопленочных резисторов может быть определено из выражени  dR
R
Схвх + Суву + Сгег + ех еу - ег. (1)
где Сх, Су и Cz - коэффициенты тензочувст- вительности в продольном, поперечном и нормальном направлени х относительно резистора;
-4
О Ю 4 Ю
ы
ех, еу и ez - напр жени  в продольном, поперечном и нормальном направлени х относительно резистора.
Способ позвол ет воспользоватьс  тен- зочувствительностью резистора по нормали к его плоскости дл  увеличени  выходного сигнала преобразовател  давлени  при воздействии измер емого давлени .
В преобразователе давлени , выполненном по первому варианту, используетс  одиночный резистор, который сориентирован радиально в центре мембраны. Мостова  измерительна  схема выполнена снаружи или на недеформируемой части преобразовател . При такой конфигурации используетс  радиальное и тангенциальное напр жени  по площади резистора, а также нормальное к плоскости резистора. Эти напр жени  могут вычисл тьс  следующим образом:
ех (1-)а2 + (3 -3)xV PI:
: 8п
еу
(1-)а2 + (гЯ -1)х2) (2)
ег v1(- -((1+ V)2a2- . h2
-{1- -)4х2).
где ех, еу и ez - радиальное, тангенциальное и нормальное напр жени  соответственно; Р. - приложенное давление;
vl/iv1 - коэффициенты Пуассона дл  подложки и резистора соответственно;
а - радиус мембраны;
Es и ЕГ - модули Юнга дл  резистора и подложки;
h - толщина диафрагмы;
х - радиус, на котором установлен резистор .
Измерительный преобразователь давлени  содержит упругую мембрану 1, на которой размещены толстопленочные компаундные тензорезисторы 2 и 3. Толстопленочные компаундные тензорезисторы выполнены методом вакуумного напылени . Измерительный преобразователь, выполненный по первому варианту (фиг.4), содержит один толстопленочный тензоре- зистор 4 в середине мембраны 1, который подключен к мостовой измерительной схеме 5.
Измерительный преобразователь, выполненный по второму варианту (фиг.5), содержит тензорезистор 6, выполненный в форме незамкнутого кольца (С-образной формы) и расположенного на периферии мембраны.
Измерительный преобразователь, выполненный по третьему варианту (фиг.7), содержит несколько тензорезисторов 7-10 в центре и на периферии мембраны, причем
тензорезисторы расположены в местах максимальной деформации и параллельны друг другу. Преобразователь, выполненный по четвертому варианту (фиг.8), содержит два. толстопленочных тензорезистора 11 и 12,
0 установленные в центральной части мембраны с двух сторон от центра, выполненные в виде пр молинейных полосок, параллельных друг другу, а на периферийной части мембраны установлены два тол5 стопленочных тензорезистора 13 и 14, выполненные С-образной формы и расположенные диаметрально противоположно друг другу. Измерительный преобразователь , выполненный по п тому варианту, со0 держит два тензорезистора С-образной формы 15 и 16 в центральной части мембраны и два тензорезистора С-образной формы 17 и 18 на периферии мембраны.
Способ осуществл ют следующим об5 разом.
Мембрану с насененными на нее компа- ундными толстопленочными тензорезисто- рами нагружают измер емым давлением, измер ют изменени  сопротивлений тензо0 резисторов, происход щие в результате деформации мембраны как вдоль, так и поперек направлени  ориентации тензорезисторов , а давление определ ют решением уравнений (1) и (2).
5 Измерительный преобразователь давлени  работает следующим образом.
Под действием измер емого давлени  мембрана деформируетс , сопротивлени  крмпаундных толстопленочных тензорези0 сторов мен ютс  под действием деформации как вдоль ориентации тензорезистора, так и поперек, а также и по нормали к поверхности тензорезистора. Изменени  сопротивлений резисторов регистрируютс 
5 измерительной мостовой схемой, по показани м которой определ ют давление.
Чувствительность толстопленочного резистора в нормальном направлении оказываетс  линейной, и при этом отсутствует
0 гистерезис.
Таким образом, использование изобретени  позвол ет получить высокоточный, малошум щий и рассчитанный на малые усили  преобразователь давлени .
5 В общем случае компаунд резистора имеет диэлектрическую и провод щую составл ющие . Диэлектрическа  составл юща  может содержать боросиликатный, свинцово-боросиликатный, алюмино-сили- катный или свинцово-силикатный тип стекла с возможными небольшими добавками окисла типа CdO, СааОз или Провод ща  составл юща  может быть в виде благородного металла (серебро, золото, палладий) или окисла, или их смеси, или же провод ще- го окисла благородного металла.
Применение толстопленочного резистора с меньшим удельным сопротивлением и большим размером позвол ет получить снижение взрывного шума керамико-тол- стопленочных преобразователей давлени . Испытани  имеющихс  керамико-толстр- пленочных преобразователей давлени  с мостиковыми сопротивлени ми пор дка 5000 см позволили получить уровни шума до 0,15% от номинального сигнала. Толсто- пленочные резисторы с низкой удельной проводимостью, большим размером и сопротивлением 5000 Ом дают уровни шума в 0,025% от номинального сигнала.
За счет увеличени  выхода толстопле- ночного резистора при использовании его чувствительности в нормальном направлении необходимы малые усили  в диафрагме. При этом увеличиваетс  надежность преоб- разова тел .
Если требуетс  более низкое потребление энергии, удельна  проводимость толстой пленки может быть повышена за счет несколько большего шума, при этом сохра- н ютс  тот же уровень максимального напр жени  в мембране и тот же выходной сигнал.
На фиг.5 показан преобразователь, в котором на мембране 11 установлен кольце- вой толстопленочный резистор 6 вблизи от внешней окружности мембраны, Этот резистор также соединен со схемой дл  измерени  изменений сопротивлени . Результатом  вл етс  несколько более низ- кий выход, поскольку радиальное и тангенциальное напр жени  имеют противоположные знаки.
При работе устройства используетс  способность толстопленочного резистора измер ть напр жение в любом направлении , Наружные датчики, которые в известных преобразовател х давлени  ориентируютс  дл  измерени  радиального напр жени , в предлагаемом преобразова- теле ориентируютс  дл  измерени  тангенциального напр жени  вдоль оси резистора и радиального напр жени , перпендикул рного оси резистора (фиг.7, 8 и 9). Резисторы образуют кольцевые области у внешней кромки диафрагмы. Это приводит к тому, что dR/R дл  длинного кольцевого резистора аналогично dR/R дл  короткого резистора, сориентированного дл  измерений радиального напр жени , поэтому выходной сигнал аналогичен сигналу известных преобразователей давлени . Така  ориентаци  позвол ет получить более длинные обладающие большим сопротивлением и низким удельным сопротивлением малошум щие резисторы, чем в случае известной конфигурации.
Так как толстопленочный резистор чувствителен к напр жени м, параллельным и перпендикул рным оси резистора, то можно выбирать другие конфигурации резистоФормула изобретени  1. Способ измерени  давлени  с помощью преобразовател  давлени  с упругой диафрагмой, на которой размещен один или несколько компаундных толстопленочных тензорезисторов, включающий нагру- жение диафрагмы измер емым давлением и измерение относительного изменени  сопротивлени  тензорезисторов, отличающийс  тем, что, с целью повышени  надежности, измер ют изменени  сопротивлени  тензорезисторов, происход щие в результате деформации диафрагмы как вдоль, так и поперек направлений ориентации тензорезисторов, и изменени  сопротивлени  тензорезисторов вычисл ют по формуле
d R
-- Схвх + Суву + Cz6z + ех - ву - вг.
к
где Сх, Су, Cz - коэффициенты тензочувстви- тельности дл  деформации соответственно в продольном, поперечном и нормальном направлени х пленки тензорезистора;
ех, еу и ez - компоненты тензора деформации в продольном, поперечном и нормальном направлени х пленки тензорезистора ,
которые вычисл ют в соответствии с уравнени ми
ех 4 0-)а2 + (31 -3}xV PI: ES 8h2
(1-V2)a2 + ( -1)х2)-
ez Р- v1(l (О4 )2a2- ЕГ8 h2
- (1 + v) Ax2), где Р - приложенное к диафрагме давление;
v1 - коэффициенты Пуассона дл  материалов подложки и тензорезистора;
а - радиус диафрагмы;
Es, Ег - модули Юнга тензорезистора и подложки; . h - толщина диафрагмы;
х - радиус, на котором располагаетс  тензорезистор.
2; Преобразователь давлени , содержащий корпус, установленную в нем упругую диафрагму с размещенным на ее поверхности по крайней мере одним толстрпленоч- ным тензорезистором и электронную схему дл  измерени  изменений сопротивлений тензорезисторов, о т л и чающийс  тем, что, с целью повышени  надежности и точ1 ности измерений, в нем толстопленочный тензорезистор выполнен удлиненной формы в направлении пропускани  тока.
3.Преобразователь по п.2, о т л и ч а ю- щ и и с   тем, что в нем толстопленочный тензорезистор выполнен кольцеобразной формы, а диафрагма выполнена в виде диска , причем тензорезистор размещен на периферийной части диска.
4.Преобразователь по п.2, отличающийс  тем, что диафрагма выполнена в виде диска, на поверхности которого размещены дополнительные толстоплёночные
тензорезисторы, причем все тензорезисто- ры имеют удлиненную форму и параллельны относисительно друг друга.
5.Преобразователь по п.З, отличаю- щ и и с   тем, что на поверхности диска в
его центральной части с двух сторон от центра установлены два тензорезистора, выполненные в виде пр молинейных полосок, параллельных друг другу, а на периферий- ной части диска установлены два тензорезистора кольцеобразной формы, расположенные диаметрально противоположно друг другу.
6.Преобразователь по п.2, о т л и ч а ю- щ и и с   тем, что по крайней мере одна
поверхность диафрагмы выполнена круглой и на ней в ее центральной части с двух сторон от центра размещены два толстопле- ночных тензорезистора кольцеобразной формы, а на периферийной части диафрагмы с двух диаметрально противоположных сторон размещены два тензорезистора петлеобразной формы.
/
фие. 1 .
(Риг. 2
-го
Фиг.5
Фиг. 4
/
I
.
5s O
,r./
, .Ф
f S
,y ,&
r
Ш
CM
..-%
.-их . Л-и
.&
, V
.;Ј .- .
5
ч
cn o
Si
&
&
A 4
12
16

Claims (6)

  1. Формула изобретения
    1. Способ измерения давления с помощью преобразователя давления с упругой диафрагмой, на которой размещен один или несколько компаундных толстопленочных тензорезисторов. включающий нагружение диафрагмы измеряемым давлением и измерение относительного изменения сопротивления тензорезисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, измеряют изменения сопротивления тензорезисторов, происходящие в результате деформации диафрагмы как вдоль, так и поперек направлений ориентации тензорезисторов, и изменения сопротивления тензорезисторов вычисляют по формуле d R = Схвх + Суву + Czez + βχ — ву ez. к где Сх, Су, Cz - коэффициенты тензочувствительности для деформации соответственно в продольном, поперечном и нормальном направлениях пленки тензорезистора;
    ех, еу и ez - компоненты тензора деформации в продольном, поперечном и нормальном направлениях пленки тензорезистора, которые вычисляют в соответствии с уравнениями ех= (1-^)а2 + (зЛ-3)х2)^ Р];
    Е* 8 h2 еу= |[ΑΡ· (1-^)а2 + (р2 - 1)х2)- PJ;
    Е 8 hz ег= 1 - ^(ЗР {(1+ ) 2а2 Er 8 h2
    - (1 ·* v) 4х2)], где Р - приложенное к диафрагме давление: гм? - коэффициенты Пуассона для материалов подложки и тензорезистора;
    а - радиус диафрагмы;
    Es, Er - модули Юнга тензорезистора и подложки;
    . h - толщина диафрагмы;
    Ί χ - радиус, на котором располагается тензорезистор.
  2. 2. Преобразователь давления, содержащий корпус, установленную в нем упругую диафрагму с размещенным на ее поверхности по крайней мере одним толстопленочным тензорезистором и электронную схему для измерения изменений сопротивлений тензорезисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и точности измерений, в нем толстопленочный тензорезистор выполнен удлиненной формы в направлении пропускания тока.
  3. 3. Преобразователь по п.2, отличаю· щ ий с я тем, что в нем толстопленочный тензорезистор выполнен кольцеобразной формы, а диафрагма выполнена в виде диска, причем тензорезистор размещен на периферийной части диска.
  4. 4. Преобразователь по п.2, отличающийся тем, что диафрагма выполнена в виде диска, на поверхности которого размещены дополнительные толстоплёночные тензорезисторы, причем все тензорезисторы имеют удлиненную форму и параллельны относисительно друг друга.
  5. 5. Преобразователь по п.З, отличающийся тем, что на поверхности диска в его центральной части с двух сторон от центра установлены два тензорезистора, выполненные в виде прямолинейных полосок, параллельных друг другу, а на периферийной части диска установлены два тензорезистора кольцеобразной формы, расположенные диаметрально противоположно друг другу.
  6. 6. Преобразователь по п.2, о т л и ч а tout и й с я тем, что по крайней мере одна поверхность диафрагмы выполнена круглой и на ней в ее центральной части с двух сторон от центра размещены два толстопленочных тензорезистора кольцеобразной формы, а на периферийной части диафрагмы с двух диаметрально противоположных сторон размещены два тензорезистора петлеобразной формы.
    Фиг. 2
    Фи г. 5
    I
    Фиг. 3 Фиг. 9
SU884356834A 1987-12-11 1988-11-17 Способ измерени давлени и преобразователь давлени SU1716979A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13187387A 1987-12-11 1987-12-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1716979A3 true SU1716979A3 (ru) 1992-02-28

Family

ID=22451387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884356834A SU1716979A3 (ru) 1987-12-11 1988-11-17 Способ измерени давлени и преобразователь давлени

Country Status (17)

Country Link
EP (1) EP0320299B1 (ru)
JP (1) JPH01196526A (ru)
KR (1) KR890010545A (ru)
CN (1) CN1033481A (ru)
AU (1) AU617348B2 (ru)
BG (1) BG49839A3 (ru)
BR (1) BR8804324A (ru)
CA (1) CA1309879C (ru)
DD (1) DD276150A5 (ru)
DE (1) DE3888118T2 (ru)
ES (1) ES2050163T3 (ru)
HK (1) HK96594A (ru)
HU (1) HU210503B (ru)
IN (1) IN169553B (ru)
MX (1) MX173008B (ru)
PL (1) PL159285B1 (ru)
SU (1) SU1716979A3 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890010548A (ko) * 1987-12-16 1989-08-09 로버트 제이. 에드워즈 이중압력센서
ES2050018T3 (es) * 1990-07-28 1994-05-01 Endress Hauser Gmbh Co Sensor resistivo de presion.
US6341528B1 (en) 1999-11-12 2002-01-29 Measurement Specialties, Incorporated Strain sensing structure with improved reliability
WO2002061383A1 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Silicon Valley Sensors, Inc. Triangular chip strain sensing structure and corner,edge on a diaphragm
PL231259B1 (pl) 2015-12-31 2019-02-28 Przed Cimat Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Urządzenie do regulacji zmiennej geometrii turbosprężarek
CN112595394A (zh) * 2020-12-07 2021-04-02 锐马(福建)电气制造有限公司 切向弧形应变片、径向应变片及支脚称重传感器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3830100A (en) * 1973-02-22 1974-08-20 Statham Instrument Inc Strain gauge transducer transient voltage protection
JPS5524273B2 (ru) * 1974-03-15 1980-06-27
JPS54113379A (en) * 1978-02-23 1979-09-04 Nec Corp Pressure gauge
US4311980A (en) * 1978-10-12 1982-01-19 Fabrica Italiana Magneti Marelli, S.P.A. Device for pressure measurement using a resistor strain gauge
JPS6073428A (ja) * 1983-09-19 1985-04-25 フオ−ド モ−タ− カンパニ− 燃焼圧力センサ
US4586018A (en) * 1983-09-19 1986-04-29 Ford Motor Company Combustion pressure sensor
JPS6165126A (ja) * 1984-09-06 1986-04-03 Copal Denshi Kk 圧力センサ
EP0219543B1 (en) * 1985-04-26 1993-12-15 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Говард А.Нилсен, Толстопленочные тен- зодатчики. Труды 32 международного симпозиума по приборам ISA. 8.05.86. *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0320299A3 (en) 1991-03-27
ES2050163T3 (es) 1994-05-16
BG49839A3 (en) 1992-02-14
BR8804324A (pt) 1989-07-25
EP0320299B1 (en) 1994-03-02
DE3888118D1 (de) 1994-04-07
AU617348B2 (en) 1991-11-28
AU2103988A (en) 1989-06-15
PL276065A1 (en) 1989-07-10
CN1033481A (zh) 1989-06-21
DE3888118T2 (de) 1994-06-09
CA1309879C (en) 1992-11-10
IN169553B (ru) 1991-11-09
JPH01196526A (ja) 1989-08-08
HK96594A (en) 1994-09-23
PL159285B1 (pl) 1992-12-31
HU210503B (en) 1995-04-28
EP0320299A2 (en) 1989-06-14
HUT50388A (en) 1990-01-29
DD276150A5 (de) 1990-02-14
KR890010545A (ko) 1989-08-09
MX173008B (es) 1994-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7503221B2 (en) Dual span absolute pressure sense die
US4980646A (en) Impedance tomographic tactile sensor
US4574640A (en) Integrated dual-range pressure transducer
US4932265A (en) Pressure transducer using thick film resistor
SU1716979A3 (ru) Способ измерени давлени и преобразователь давлени
JPH0755598A (ja) 触覚センサおよび触覚イメージャー
Frobenius et al. A microminiature solid-state capacitive blood pressure transducer with improved sensitivity
US4682502A (en) Pressure sensor
RU2267757C2 (ru) Датчик и способ измерения давления
CN215114946U (zh) 集成型压力传感薄膜和压力传感器
SU960559A2 (ru) Датчик давлени
RU45526U1 (ru) Устройство для измерения давления
RU2115897C1 (ru) Интегральный преобразователь деформации и температуры
SU1525505A1 (ru) Тензопреобразователь высокого давлени
SU885842A1 (ru) Тензометрический преобразователь
JPH06102128A (ja) 半導体複合機能センサ
JPH0344079A (ja) 複合センサ
SU1435967A1 (ru) Интегральный тензопреобразователь давлени
SU1068747A1 (ru) Полупроводниковый датчик давлени
RU1812455C (ru) Интегральный полупроводниковый датчик давлени
RU2112228C1 (ru) Датчик напряжения поверхностного трения
RU2080573C1 (ru) Полупроводниковый преобразователь давления
SU1663462A1 (ru) Устройство дл измерени давлени
SU1458728A1 (ru) Тензопреобразователь силы
SU681339A1 (ru) Преобразователь давлени