JP3022649B2 - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
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- JP3022649B2 JP3022649B2 JP3238654A JP23865491A JP3022649B2 JP 3022649 B2 JP3022649 B2 JP 3022649B2 JP 3238654 A JP3238654 A JP 3238654A JP 23865491 A JP23865491 A JP 23865491A JP 3022649 B2 JP3022649 B2 JP 3022649B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ上に形成
された集積回路(以後ICと呼ぶ)の電気特性試験を行
う半導体検査装置(以後プローバと呼ぶ)に関する。
された集積回路(以後ICと呼ぶ)の電気特性試験を行
う半導体検査装置(以後プローバと呼ぶ)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のプローバは図5に示すよ
うに、半導体ウェハ1を保持するための試料吸着台3
と、制御部8と、駆動部10と、操作部11と、顕微鏡
12とを有している。
うに、半導体ウェハ1を保持するための試料吸着台3
と、制御部8と、駆動部10と、操作部11と、顕微鏡
12とを有している。
【0003】半導体ウェハ1上のIC2に対して電気特
性試験を行うために、半導体テスター13と、探針5を
複数設置しているプローブカード4とを接続し、プロー
ブカード4の探針5をIC2の電極に接触させた状態で
IC2の電気特性試験が行われていた。
性試験を行うために、半導体テスター13と、探針5を
複数設置しているプローブカード4とを接続し、プロー
ブカード4の探針5をIC2の電極に接触させた状態で
IC2の電気特性試験が行われていた。
【0004】前記プローブカード4については、IC2
の電極群に接触するための探針5が約20本〜500本
プローブカードの裏面側に設置されている。
の電極群に接触するための探針5が約20本〜500本
プローブカードの裏面側に設置されている。
【0005】これらの探針5を設置するためには、熟練
した作業者が探針5を1本1本曲げ、ICの電極群に対
応するため定められた位置に配置し、その後接着材によ
り配置された探針5を固定する。
した作業者が探針5を1本1本曲げ、ICの電極群に対
応するため定められた位置に配置し、その後接着材によ
り配置された探針5を固定する。
【0006】このような精密作業は、熟練した作業者で
あっても探針5の曲げる角度が定められた角度になって
いなかったり、探針5の高さを揃えることが難しい。
あっても探針5の曲げる角度が定められた角度になって
いなかったり、探針5の高さを揃えることが難しい。
【0007】以上のようにして作製されたプローブカー
ド4は、プローバに接続され、その後作業者は顕微鏡1
2を見ながら探針5とIC2の電極群の接触状態を確か
め、全ての探針5が接触した時点より、接触状態の安定
を図るため、さらに約10〜20μm試料吸着台3を探
針5に押し当てる。
ド4は、プローバに接続され、その後作業者は顕微鏡1
2を見ながら探針5とIC2の電極群の接触状態を確か
め、全ての探針5が接触した時点より、接触状態の安定
を図るため、さらに約10〜20μm試料吸着台3を探
針5に押し当てる。
【0008】一般には、約10〜20μm試料吸着台3
を探針5に押し当てることをオーバードライブと呼んで
おり、このときに押し当てた高さ分を制御部8に記憶さ
せる。
を探針5に押し当てることをオーバードライブと呼んで
おり、このときに押し当てた高さ分を制御部8に記憶さ
せる。
【0009】このようにして、探針5とIC2の電極群
が接触でき、且つオーバードライブ量が記憶され、はじ
めてIC2の電気特性試験が行えるようになる。
が接触でき、且つオーバードライブ量が記憶され、はじ
めてIC2の電気特性試験が行えるようになる。
【0010】半導体ウェハ1上の各IC2に対してプロ
ーブカード4の探針5を数万回接触させると、プローブ
カード4は作製時に定められたとおりに作製されていな
い特定の探針5だけが摩耗したり、高さが変わってしま
うことがある。
ーブカード4の探針5を数万回接触させると、プローブ
カード4は作製時に定められたとおりに作製されていな
い特定の探針5だけが摩耗したり、高さが変わってしま
うことがある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】この従来のプローバに
おいては、顕微鏡によりICの電極群と探針との接触確
認を行っているため、探針の多いプローブカードでは、
ICの電極群との間で接触していない探針を見逃した
り、逆にICの電極と探針との接触に気がつかず、オー
バードライブを加え過ぎてしまうことがある。
おいては、顕微鏡によりICの電極群と探針との接触確
認を行っているため、探針の多いプローブカードでは、
ICの電極群との間で接触していない探針を見逃した
り、逆にICの電極と探針との接触に気がつかず、オー
バードライブを加え過ぎてしまうことがある。
【0012】探針高さバラツキに対してオーバードライ
ブを大きく加えると、ICの電極と探針との接触抵抗は
安定するが、探針の針圧により、集積回路の電極を壊す
こともある。
ブを大きく加えると、ICの電極と探針との接触抵抗は
安定するが、探針の針圧により、集積回路の電極を壊す
こともある。
【0013】そのため、オーバードライブは約10〜2
0μmが適当であり、このとき、探針バラツキが約5μ
m以上あると、電極と探針との接触抵抗のバラツキも大
きくなり、ICの電気特性試験は正確に行えなくなる。
0μmが適当であり、このとき、探針バラツキが約5μ
m以上あると、電極と探針との接触抵抗のバラツキも大
きくなり、ICの電気特性試験は正確に行えなくなる。
【0014】しかも、従来のプローバには探針バラツキ
を測定する機能や、探針の高さからICの電極群と探針
群の接触高さや、適切なオーバードライブを見つける機
能はなく、作業者の判断に頼るために、オーバードライ
ブや探針バラツキの判断に個人差があり、ICの電気特
性試験が正確に行えないという問題がある。
を測定する機能や、探針の高さからICの電極群と探針
群の接触高さや、適切なオーバードライブを見つける機
能はなく、作業者の判断に頼るために、オーバードライ
ブや探針バラツキの判断に個人差があり、ICの電気特
性試験が正確に行えないという問題がある。
【0015】本発明の目的は、かかる問題を解決する半
導体検査装置を提供することにある。
導体検査装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体検査装置においては、半導体ウ
ェハ上に形成された集積回路にプロ−ブカ−ドの複数の
探針を接触させ該集積回路の電気特性試験を行う半導体
検査装置であって、プロ−ブカ−ドの探針の先端までの
高さを各々の探針につき計測する探針高さ計測部と、探
針高さ計測部からの情報に基づいて前記電気特性試験開
始の可否を判断し、かつ集積回路の電極群と探針との接
触位置の高さと適切なオ−バ−ドライブの値を算出する
機能をもつ制御部とを有するものである。
め、本発明に係る半導体検査装置においては、半導体ウ
ェハ上に形成された集積回路にプロ−ブカ−ドの複数の
探針を接触させ該集積回路の電気特性試験を行う半導体
検査装置であって、プロ−ブカ−ドの探針の先端までの
高さを各々の探針につき計測する探針高さ計測部と、探
針高さ計測部からの情報に基づいて前記電気特性試験開
始の可否を判断し、かつ集積回路の電極群と探針との接
触位置の高さと適切なオ−バ−ドライブの値を算出する
機能をもつ制御部とを有するものである。
【0017】
【作用】本発明では、探針の高さを測定し、そのデータ
を統計処理し最適な接触位置の高さを算出するようにし
たものである。
を統計処理し最適な接触位置の高さを算出するようにし
たものである。
【0018】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0019】(実施例1)図1は、本発明の実施例1を
示すプローバの断面図である。
示すプローバの断面図である。
【0020】図において、本実施例に係るプローバは、
プローブカード4の探針5の先端までの高さを計測する
ためのレーザ光源6及びカメラ7より構成される探針高
さ計測部9と、探針高さ計測部9からの情報を使用し
て、IC2の電極群と探針5との接触位置の高さと適切
なオーバードライブの値を算出する機能を付加した制御
部8とを有するものである。その他の構成は従来例と同
様である。
プローブカード4の探針5の先端までの高さを計測する
ためのレーザ光源6及びカメラ7より構成される探針高
さ計測部9と、探針高さ計測部9からの情報を使用し
て、IC2の電極群と探針5との接触位置の高さと適切
なオーバードライブの値を算出する機能を付加した制御
部8とを有するものである。その他の構成は従来例と同
様である。
【0021】次に、このプローバの動作について説明す
る。例えば、探針5の高さを確認する場合には、探針高
さ計測部9が計測する探針5の下へ移動して、探針5の
高さを自動的に見つけ出す。
る。例えば、探針5の高さを確認する場合には、探針高
さ計測部9が計測する探針5の下へ移動して、探針5の
高さを自動的に見つけ出す。
【0022】探針5の高さを計測する原理は、図2
(A)のように、探針5の下面に向けて下方から角度a
でレーザ光が入射し、探針5で反射されたレーザ反射光
はカメラ7に入射する。
(A)のように、探針5の下面に向けて下方から角度a
でレーザ光が入射し、探針5で反射されたレーザ反射光
はカメラ7に入射する。
【0023】レーザ光源6とカメラ7の中心距離Lは固
定されているため、反射光がカメラ7の中心に入射した
時の探針5の高さH1は、H1=L/2tanaである。
定されているため、反射光がカメラ7の中心に入射した
時の探針5の高さH1は、H1=L/2tanaである。
【0024】従って、図2(B)のように、カメラ7へ
の入射光が中心からdl程ズレた場合、探針5までの高
さH2=(Lcosa+dl)×H1/Lcosaで表わ
される。
の入射光が中心からdl程ズレた場合、探針5までの高
さH2=(Lcosa+dl)×H1/Lcosaで表わ
される。
【0025】レーザ光源6の中心とカメラ7の中心が試
料吸着台3の表面と同じ高さに取付けられている時、半
導体ウェハ1の厚さをWとすると、試料吸着台3から探
針5までの高さは、H=H2−Wにより算出できる。
料吸着台3の表面と同じ高さに取付けられている時、半
導体ウェハ1の厚さをWとすると、試料吸着台3から探
針5までの高さは、H=H2−Wにより算出できる。
【0026】この探針5の高さの計測を各探針5に対し
てそれぞれ行い、制御部8で探針5の高さバラツキが5
μm以下ならば、探針5の高さの平均値を算出し、これ
にオーバードライブを加えた上で、IC2の電気特性試
験を開始する。
てそれぞれ行い、制御部8で探針5の高さバラツキが5
μm以下ならば、探針5の高さの平均値を算出し、これ
にオーバードライブを加えた上で、IC2の電気特性試
験を開始する。
【0027】また、探針5の高さバラツキが5μmを超
える場合は、作業を中断し、作業者にプローブカード4
の交換を行うよう知らせる。
える場合は、作業を中断し、作業者にプローブカード4
の交換を行うよう知らせる。
【0028】(実施例2)図3は、本発明の実施例2を
示す断面図である。
示す断面図である。
【0029】本実施例2では、実施例1において使用し
ているカメラ7及びレーザ光源6に代えて、レーザの入
射波と反射波の相互干渉により位置検出を行うレーザ干
渉計を用いた探針高さ計測部9を設ける。
ているカメラ7及びレーザ光源6に代えて、レーザの入
射波と反射波の相互干渉により位置検出を行うレーザ干
渉計を用いた探針高さ計測部9を設ける。
【0030】レーザ光の干渉の原理は、図4(A),
(B)に示すように、入射波と反射波が相互干渉を起こ
し、光の強さが探針5の先端よりレーザ光の1/4波長
ごとに、暗,明,暗,明…を繰り返す。
(B)に示すように、入射波と反射波が相互干渉を起こ
し、光の強さが探針5の先端よりレーザ光の1/4波長
ごとに、暗,明,暗,明…を繰り返す。
【0031】従って、この例では、干渉したレーザ光の
強弱(明暗)により探針5の高さを計測する。
強弱(明暗)により探針5の高さを計測する。
【0032】この実施例2においても、例えばレーザ干
渉計から得た計測値を制御部8でIC2から探針5まで
の高さを算出し、これにオーバードライブを加えた上
で、ICの電気特性試験を行う。
渉計から得た計測値を制御部8でIC2から探針5まで
の高さを算出し、これにオーバードライブを加えた上
で、ICの電気特性試験を行う。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプローバ
は、探針の高さ位置データを統計処理し、最適な接触位
置の高さを算出するため、ICと探針の接触高さと適切
なオーバードライブを迅速に発見でき、且つ自動的にチ
ェックでき、作業者による接触の判断の個人差や、接触
抵抗のバラツキはなくなり、正確な電気特性試験が行え
るという効果を得る。
は、探針の高さ位置データを統計処理し、最適な接触位
置の高さを算出するため、ICと探針の接触高さと適切
なオーバードライブを迅速に発見でき、且つ自動的にチ
ェックでき、作業者による接触の判断の個人差や、接触
抵抗のバラツキはなくなり、正確な電気特性試験が行え
るという効果を得る。
【0034】また、各探針がどの程度摩耗しているとい
う情報も同時に得ることができ、さらに探針の高さバラ
ツキが5μmを超える場合は作業を中断し、作業者にプ
ローブカードの交換を行うよう知らせることができる。
う情報も同時に得ることができ、さらに探針の高さバラ
ツキが5μmを超える場合は作業を中断し、作業者にプ
ローブカードの交換を行うよう知らせることができる。
【図1】本発明の実施例1を示す半導体検査装置の断面
図である。
図である。
【図2】図1に示した探針の高さ位置計測実行中の様子
と計測原理を示す略図であり、(A)は探針が摩耗して
いない場合、(B)は探針が摩耗した場合を示す図であ
る。
と計測原理を示す略図であり、(A)は探針が摩耗して
いない場合、(B)は探針が摩耗した場合を示す図であ
る。
【図3】本発明の実施例2を示す半導体検査装置の断面
図である。
図である。
【図4】(A)は、図3において、レーザ光の入射波と
反射波の一例を示す図、(B)は、図4(A)において
レーザ光の干渉の様子を示す図である。
反射波の一例を示す図、(B)は、図4(A)において
レーザ光の干渉の様子を示す図である。
【図5】従来例を示す断面図である。
1 半導体ウェハ 2 IC(集積回路) 3 試料吸着台 4 プローブカード 5 探針 6 レーザ光源 7 カメラ 8 制御部 9 探針高さ計測部 10 駆動部 11 操作部 12 顕微鏡 13 半導体テスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−227448(JP,A) 特開 平1−286324(JP,A) 特開 平3−38855(JP,A) 特開 昭62−39021(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/66 B
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体ウェハ上に形成された集積回路に
プロ−ブカ−ドの複数の探針を接触させ該集積回路の電
気特性試験を行う半導体検査装置であって、プロ−ブカ
−ドの探針の先端までの高さを各々の探針につき計測す
る探針高さ計測部と、探針高さ計測部からの情報に基づ
いて前記電気特性試験開始の可否を判断し、かつ集積回
路の電極群と探針との接触位置の高さと適切なオ−バ−
ドライブの値を算出する機能をもつ制御部とを有するこ
とを特徴とする半導体検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3238654A JP3022649B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3238654A JP3022649B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555317A JPH0555317A (ja) | 1993-03-05 |
JP3022649B2 true JP3022649B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17033346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3238654A Expired - Fee Related JP3022649B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3022649B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161783A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体測定装置及びその測定状態設定方法 |
JP4536525B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2010-09-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の試験装置及び試験方法 |
JP4752080B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2011-08-17 | 株式会社三友製作所 | 電子顕微鏡微細作業用マニピュレーション装置 |
KR100948805B1 (ko) * | 2009-08-07 | 2010-03-24 | 주식회사 에이디엔티 | 전자 방해 검출 장치 및 그 제어 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2501613B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1996-05-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハプロ―バ |
JPH01286324A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Canon Inc | ウエハプローバ |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP3238654A patent/JP3022649B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0555317A (ja) | 1993-03-05 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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