JPS6178135A - 半導体ウエ−ハの測定装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハの測定装置Info
- Publication number
- JPS6178135A JPS6178135A JP20225184A JP20225184A JPS6178135A JP S6178135 A JPS6178135 A JP S6178135A JP 20225184 A JP20225184 A JP 20225184A JP 20225184 A JP20225184 A JP 20225184A JP S6178135 A JPS6178135 A JP S6178135A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peripheral circuit
- test head
- wafer
- circuit substrate
- measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、テストヘッドからの測定信号を周辺回路基
板に通し、グローブカードの接触針を半導体ウェーハ上
に接触させ測定試験する、半導体ウェーハの測定装置に
関する。
板に通し、グローブカードの接触針を半導体ウェーハ上
に接触させ測定試験する、半導体ウェーハの測定装置に
関する。
従来の半導体ウェーハ（以下「ウェーハ」と称する）の
測定装置は、第３図に斜視図で示すようＫなっていた。
測定装置は、第３図に斜視図で示すようＫなっていた。
（１）は測定器で、信号電源となっており測定用信号を
出し、測定結果を表示及び記録する。（２）は測定Ｉ！
（１） Ｋ収容されているテストヘッドで、ビンニレ
ボード（図示は略す）を内蔵していてマトリックス状回
路からピンによシ測定（１号を選び出すようにしている
。（３）は台枠、（４）はこの一台枠上に暇付けられた
周辺回路基板で、テストヘッド（２） Ｋ接続ケーブル
（５）で接続されている。（６）は台枠（３）上に固定
された１対の容器で、一方の容器（６）に多数枚のウェ
ーハ（図示は略す）が上下の間隔をあけて収められてあ
シ、他方の容器（６）に測定済みのウェーハを収容する
。（７）は周辺回路基板（４）の中央の窓穴（４ａ）か
ら下方のウェーハを観察する顕微鏡である。
出し、測定結果を表示及び記録する。（２）は測定Ｉ！
（１） Ｋ収容されているテストヘッドで、ビンニレ
ボード（図示は略す）を内蔵していてマトリックス状回
路からピンによシ測定（１号を選び出すようにしている
。（３）は台枠、（４）はこの一台枠上に暇付けられた
周辺回路基板で、テストヘッド（２） Ｋ接続ケーブル
（５）で接続されている。（６）は台枠（３）上に固定
された１対の容器で、一方の容器（６）に多数枚のウェ
ーハ（図示は略す）が上下の間隔をあけて収められてあ
シ、他方の容器（６）に測定済みのウェーハを収容する
。（７）は周辺回路基板（４）の中央の窓穴（４ａ）か
ら下方のウェーハを観察する顕微鏡である。
上記周辺回路基板（４）の下方の被測定のウェーへ部を
、ｖｇ４図ＩＣ縦断面図で示す。（８）は台枠（３）に
固定されたＸＹテーブルで、上部にステージ（９）を取
付けていてに軸及びＹ軸方向に移動させる。ステージ（
９） Ｆｉ上下動手段α［）Ｋよシ上下移動される。α
＄は容器（６）から移Ｉ！装置（図示は略す）によシス
テージ（９）上の定位置く載せられ固定されたウェーハ
、αυは取付板（２）を介し周辺回路基板（４）の下方
に暇付けられたグローブカードで、複数の導通する接触
針α３が下方に出されている。これらの接触針ａ３は、
ウェーハ０９に形成されである多数の半導体素子部のう
ちの１個分又は複数個分の素子部の各Ｗ１甑に接触し、
導通して測定ができるようにする。
、ｖｇ４図ＩＣ縦断面図で示す。（８）は台枠（３）に
固定されたＸＹテーブルで、上部にステージ（９）を取
付けていてに軸及びＹ軸方向に移動させる。ステージ（
９） Ｆｉ上下動手段α［）Ｋよシ上下移動される。α
＄は容器（６）から移Ｉ！装置（図示は略す）によシス
テージ（９）上の定位置く載せられ固定されたウェーハ
、αυは取付板（２）を介し周辺回路基板（４）の下方
に暇付けられたグローブカードで、複数の導通する接触
針α３が下方に出されている。これらの接触針ａ３は、
ウェーハ０９に形成されである多数の半導体素子部のう
ちの１個分又は複数個分の素子部の各Ｗ１甑に接触し、
導通して測定ができるようにする。
上記従来の測定装置において、ステージ（９）が下降さ
れ、容器（６）から１枚のウェーハ（至）が移Ｓ！装置
によりステージ（９）上に載せられ、所定位置に固定さ
れる。顕微鏡（７）によりウェーハα９の位置を検出し
、ＸＹテーブル（８）によシ位置を調整する。ステージ
（９）を上昇させ、ウェーハ（イ）の半導体素子部の電
極を接触針（１３に接触させる。測定器（１）からの信
号で、テストヘッド（２）を介し測定信号が接続ケーブ
ル（５）を通り周辺回路基板（４）を経て、プローブカ
ード（ロ）から接触針α３によりウェーハ（ト）の所定
の半導体素子部に加えられ、測定が行われる。こつして
、各半導体素子部を順に測定していく。
れ、容器（６）から１枚のウェーハ（至）が移Ｓ！装置
によりステージ（９）上に載せられ、所定位置に固定さ
れる。顕微鏡（７）によりウェーハα９の位置を検出し
、ＸＹテーブル（８）によシ位置を調整する。ステージ
（９）を上昇させ、ウェーハ（イ）の半導体素子部の電
極を接触針（１３に接触させる。測定器（１）からの信
号で、テストヘッド（２）を介し測定信号が接続ケーブ
ル（５）を通り周辺回路基板（４）を経て、プローブカ
ード（ロ）から接触針α３によりウェーハ（ト）の所定
の半導体素子部に加えられ、測定が行われる。こつして
、各半導体素子部を順に測定していく。
上記従来の測定装置で１テストヘツド（２）から大きく
離れた周辺回路基板（４）間を、長い接続ケーブル（５
）により接続しており、このため、ケーブルの抵抗や静
電容量が影響し、ウェーハ（至）の微少な電圧、［流の
測定、高周波測定などか正確にできなかった。
離れた周辺回路基板（４）間を、長い接続ケーブル（５
）により接続しており、このため、ケーブルの抵抗や静
電容量が影響し、ウェーハ（至）の微少な電圧、［流の
測定、高周波測定などか正確にできなかった。
この発明は、テストヘッドと周辺回路基板間のケーブル
による測定信号に及ぼす影響をなくし、ウェーハの測定
が正確にでき精度が高くされる測定装置を得ることを目
的としている。
による測定信号に及ぼす影響をなくし、ウェーハの測定
が正確にでき精度が高くされる測定装置を得ることを目
的としている。
この発明にかかるウェーハの測定装置は、周辺回路基板
の上方にテストヘッドを配設し、双方を短い配線で接続
したものである。
の上方にテストヘッドを配設し、双方を短い配線で接続
したものである。
この発明においては、テストヘッドを周辺回路基板の上
方に接近して配設しているから、双方間の配線が短くな
シ、この配線による測定への影響がなくなる。
方に接近して配設しているから、双方間の配線が短くな
シ、この配線による測定への影響がなくなる。
第１図はこの発明の一実施例を示す測定装置の斜視図で
あシ、（３） 、 （６） 、 （７） ｆｉ上記従来
装置と同一のものである５シＤけ測定器で、信号電源と
なっており測定用信号を出し、測定結果を表示及び記録
する。（至）は台枠（３）上に取付けられたテストヘッ
ドで、ピンエレボード（図示は略す）を内蔵していてマ
トリックス状回路からピンにより測定信号を選び出すよ
うにしている。（２２ａ）は窓穴、＃ ｔｉｉｌｌｌｌ
定器ｆ２υとテストヘッド（イ）とを接続する接続電線
である。
あシ、（３） 、 （６） 、 （７） ｆｉ上記従来
装置と同一のものである５シＤけ測定器で、信号電源と
なっており測定用信号を出し、測定結果を表示及び記録
する。（至）は台枠（３）上に取付けられたテストヘッ
ドで、ピンエレボード（図示は略す）を内蔵していてマ
トリックス状回路からピンにより測定信号を選び出すよ
うにしている。（２２ａ）は窓穴、＃ ｔｉｉｌｌｌｌ
定器ｆ２υとテストヘッド（イ）とを接続する接続電線
である。
上記テストヘッドい及びウェーハ載置部分を、第２図に
縦断面図で示し、（８）〜ａ３は上記従来装置と同一の
ものである。（財）は周辺回路基板で、中央に窓穴（２
４ａ）があけられており、保持環（２）に取付けられて
いる。保持環（至）は支持体（至）を介し取付体（財）
に支持され、この取付体＠は台枠（３）上に喉付けられ
ている。（至）は＠吋体翰上に固着された取付座で受は
板翰を取付けている。この受は板翰とにテストヘッドの
が吹付けられている。テストヘッド＠と周辺回路基板（
財）は接続ピン（７）と９１）を介し、短い配置ｌ！（
資）によシ接続されている。
縦断面図で示し、（８）〜ａ３は上記従来装置と同一の
ものである。（財）は周辺回路基板で、中央に窓穴（２
４ａ）があけられており、保持環（２）に取付けられて
いる。保持環（至）は支持体（至）を介し取付体（財）
に支持され、この取付体＠は台枠（３）上に喉付けられ
ている。（至）は＠吋体翰上に固着された取付座で受は
板翰を取付けている。この受は板翰とにテストヘッドの
が吹付けられている。テストヘッド＠と周辺回路基板（
財）は接続ピン（７）と９１）を介し、短い配置ｌ！（
資）によシ接続されている。
上記一実施例の１ｆｌ１１定装置によるウェーハ（イ）
のｉｌｌ定試験は、次のようにする。ＸＹテーブル（８
）によシステージ（９）を容器（６）方向に移動し、移
Ｒ装置（図示は略す）により容器（６）内の被測定のウ
ェーハＱυを１枚ステージ（９）上の所定の位置に載せ
固定する。ＸＹテーブル（８）によりステージ（９）を
プローブカードαめ下に戻す。顕微鏡（７）によりウェ
ーハ（２）の位置を検出し、ＸＹテーブル（８）により
位ｉ′ｆｒ：ｖＩ４整する。ステージ（９）を上昇させ
、ウェーハ（イ）の半導体素子部の電極を接触針（至）
に接触させる。こうして、上記従来装置と同様にし、測
定器２１）からの信号で、ウェーハａ９の各半導体素子
部を順に測定する。
のｉｌｌ定試験は、次のようにする。ＸＹテーブル（８
）によシステージ（９）を容器（６）方向に移動し、移
Ｒ装置（図示は略す）により容器（６）内の被測定のウ
ェーハＱυを１枚ステージ（９）上の所定の位置に載せ
固定する。ＸＹテーブル（８）によりステージ（９）を
プローブカードαめ下に戻す。顕微鏡（７）によりウェ
ーハ（２）の位置を検出し、ＸＹテーブル（８）により
位ｉ′ｆｒ：ｖＩ４整する。ステージ（９）を上昇させ
、ウェーハ（イ）の半導体素子部の電極を接触針（至）
に接触させる。こうして、上記従来装置と同様にし、測
定器２１）からの信号で、ウェーハａ９の各半導体素子
部を順に測定する。
なお、周辺回路基板＠とテストヘッド（イ）の台枠（３
）への取付けは、上記実施例の外、他の手段くよっても
よい。
）への取付けは、上記実施例の外、他の手段くよっても
よい。
以上のように１この発明によれば、テストヘッドを周辺
回路基板の上方に配設し、双方を短い配線で接続したの
で、この配線の抵抗や静電容量が大幅に低減し、測定信
号に及ぼす影響がなくなシ、ウェーハの測定が正確に精
変高く行える。
回路基板の上方に配設し、双方を短い配線で接続したの
で、この配線の抵抗や静電容量が大幅に低減し、測定信
号に及ぼす影響がなくなシ、ウェーハの測定が正確に精
変高く行える。
第１図はこの発明によるウェーハの測定装置の一実施例
の斜視図、第２図ｉ［１図のテストヘッド邪とウェーハ
載置部分を示す縦断面図、第３図は従来のウェーハの測
定装置の斜視図、第４図は第３図のウェーハ載置部分を
示す縦断面図である。 ３・・・台枠、８・・・ＸＹテーブル、９・・・ステー
ジ、１０・・上下動手段、１１・・・プローブカード、
１２・・・＠付板、１３・・・接触針、１５・・半導体
ウェーハ、２１測定２ｇ、ｚ２・・・テストヘッド、２
４・・・周辺回路基板、３２ ・配線 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の斜視図、第２図ｉ［１図のテストヘッド邪とウェーハ
載置部分を示す縦断面図、第３図は従来のウェーハの測
定装置の斜視図、第４図は第３図のウェーハ載置部分を
示す縦断面図である。 ３・・・台枠、８・・・ＸＹテーブル、９・・・ステー
ジ、１０・・上下動手段、１１・・・プローブカード、
１２・・・＠付板、１３・・・接触針、１５・・半導体
ウェーハ、２１測定２ｇ、ｚ２・・・テストヘッド、２
４・・・周辺回路基板、３２ ・配線 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 測定するための信号を出し、測定結果を記録する測定
器、台枠上に取付けられており、上記測定器から入力さ
れ内蔵するピンエレボードにより所要の測定信号を出す
テストヘッド、このテストヘッドの下方に配設されてお
り、テストヘッドから短い配線で接続された周辺回路基
板、この周辺回路基板の下方に取付けられ、下方に複数
の導通する接触針が出されたプローブカード、及び上記
台枠に支持されたＸＹテーブル上に固定され、上面に半
導体ウェーハを載置し上下動手段により上下移動される
ようにされてあり、上昇により上記半導体ウェーハを上
記接触針に接触させるステージを備えた半導体ウェーハ
の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20225184A JPS6178135A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20225184A JPS6178135A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178135A true JPS6178135A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16454448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20225184A Pending JPS6178135A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178135A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394650A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
| JPH02239641A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-21 | Toshiba Corp | 半導体ウエーハ用プロービング装置 |
| JPH0373446U (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-24 |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP20225184A patent/JPS6178135A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394650A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブ装置 |
| JPH0582971B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1993-11-24 | Tokyo Electron Ltd | |
| JPH02239641A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-21 | Toshiba Corp | 半導体ウエーハ用プロービング装置 |
| JPH0373446U (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-24 | ||
| JPH0729636Y2 (ja) * | 1989-11-21 | 1995-07-05 | 横河電機株式会社 | 半導体ウェハー検査装置 |
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