JPH0425145A - 半導体測定装置 - Google Patents

半導体測定装置

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JPH0425145A
JPH0425145A JP13069790A JP13069790A JPH0425145A JP H0425145 A JPH0425145 A JP H0425145A JP 13069790 A JP13069790 A JP 13069790A JP 13069790 A JP13069790 A JP 13069790A JP H0425145 A JPH0425145 A JP H0425145A
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JP
Japan
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output
semiconductor
measuring device
input
digits
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JP13069790A
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English (en)
Inventor
Jun Murata
純 村田
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体測定装置に関する。
(従来の技術) 従来から、半導体製造に係る分野においては、製造工程
の監視、開発、不良解析等のために半導体ウェハ上に形
成した半導体素子(例えばトランジスタ等)の複数項目
のDCパラメータを測定することが行われている。
例えば、製造工程の監視等においては、半導体ウェハ上
に形成された通常の半導体チップの間に、テスト用のチ
ップ(TEC:test element group
)を予め設けておき、このテスト用のチップのDCパラ
メータを測定すること等が行われている。
このような半導体チップのDCパラメータを測定する装
置は、半導体ウェハ上に形成された多数の電極パッドに
探針を接触させて電気的な導通を得るいわゆるプローバ
と、このプローバの探針を介して半導体チップに電流、
電圧等を印加し、DCパラメータの測定を実施する測定
機構とがら構成されている。
従来、このような半導体測定装置においては、測定結果
は、半導体ウェハの形状を模式的に示すウェハマツプ上
に、例えば色分は表示、等高線表示等によって、例えば
3〜10程度の階級別に表示し、DCパラメータ(テス
ト用のチップの特性)の半導体ウェハ上の分布を視覚的
に認知することができるよう構成されている。すなわち
、このような表示によれば、例えば半導体ウニ/’%の
中央部のチップの特性が良好で周辺部のチップの特性が
不良である等の判断を容易に行うことができる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、近年半導体チップが高集積化される傾向
にあり、これに伴い、上述したようなりCパラメータ測
定においても、高精度な測定結果が要求されるようにな
りつつある。
ところが、前述した従来の半導体測定装置では、その本
来の71111定精度は高いにもかかわらず、測定結果
を幾つかの階級に分けて色別あるいは等高線等によって
表すため、所望する測定情報、例えば高い精度の詳細な
測定情報を得ることができないという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、必要に応じて高精度の詳細な測定情報を得ることので
きる半導体測定装置を提供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、半導体ウェハ上に複数配列された半
導体チップの複数項目のDCパラメタを測定する半導体
測定装置において、前記複数項l」のDCパラメータの
測定結果を記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶さ
れた前記測定結果のうち出力する測定結果を指定すると
ともに、少なくとも出力桁数および出力単位を指定可能
に構成された入力手段と、この入力手段によって指定さ
れた前記測定結果を、前記出力桁数および前記出力単位
に従って、前記半導体ウェハおよび前記半導体チップの
形状を模式的に表すウェハマツプ上に数値で出力する出
力手段とを具備したことを特徴とする。
(作 用) 本発明の半導体測定装置では、入力手段によって所望の
出力桁数および出力単位等を指定することにより、所望
の測定結果をウエノ17・ツブ上に上記出力桁数および
出力単位に従った数値で出力させることができる。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示すように、この実施例の半導体測定装置は、
7Il11定機構部1と、プローブ部2から構成されて
いる。
上記プローブ部2は、上面に半導体ウエノ\3を保持し
、X−Y−Z方向に移動可能に構成された載置台4を備
えており、この載置台4の上部所定位置には、複数(例
えば50本程度)の探針5を備えたプローブカード6が
固定されている。そして、マイクロコンピュータ等から
構成されるプローブ制御部7によって載置台4を駆動制
御することにより、半導体ウェハ3の通常の半導体チッ
プおよびテスト用のチップの電極パッドに探針5を接触
させ、電気的な導通を得るよう構成されている。
一方、測定機構部1には、測定部]1、測定制御部12
、入出力部13、記憶部14が設けられている。
上記測定部]1は、電圧測定器、電流測定器、電気容量
測定器等から構成されている。また、これらの測定器は
、プローブカード6の各探針5に電気的に接続されてお
り、探針5を介して半導体ウェハ3上に形成された半導
体チップのDCパラメータを測定するよう構成されてい
る。
また、上記測定制御部12は、例えばマイクロコンピュ
ータ等からなり、上記測定部11の動作を制御するとと
もに、この測定部11から測定結果を入力し、記憶部1
4に保存する。さらに、この測定制御部12は、人出力
部13から入力された測定条件に関する情報をプローブ
制御部7に送出し、載置台4の駆動制御がこの入力情報
に基いて実施されるよう制御する。
また、上記入出力部13には、キーボード15等の入力
手段と、例えばCRT、液晶表示器等からなる表示装置
]6およびプリンタ17等が設けられており、測定制御
部12に所望の測定条件に関する情報を入力したり、測
定結果の出力を要求し、表示あるいはプリントアウトさ
せるよう構成されている。このプリンタ17による出力
は、第1図に示すようにウェハマツプ20上に、測定し
た半導体チップの位置に応じた測定値21が数値で表示
可能に構成されている。
上記構成のこの実施例の半導体測定装置では、預り定を
実施する前に、予め表示装置16およびキーボード15
を用いて、測定条件、すなわち、例えば測定を実施する
半導体チップの半導体ウェハ3」二の位置、複数の測定
項目(例えばスレッシュホールド電圧、抵抗値等)を入
力しておく。
すると、上記入力された測定条件が、測定制御部12か
らプローブ制御部7に送られ、載置台4が駆動制御され
るとともに、測定制御部12によって測定部1]が制御
され、所望の半導体チップの所望の測定項目についての
測定が自動的に実施される。そして、この41す定結果
は、記憶部14に記憶される。
また、1lll!I定か終了し、測定結果を出力する際
には、以下のようにして出力、例えばプリンタ]7によ
る出力を行う。
すなわち、入出力部]3(キーボード15)からの出力
要求があると、測定制御部12は出力ルチンをスタート
し、第2図に示すように、まず情報記憶エリアを初期化
する(101)。
次に、コマンド入力を要求しく1.02)、入力コマン
ドが10ット要求」であるか(1,03)、「条件設定
」であるか(1,04)、「出力処理」であるか(]、
 05 )、「終了」であるか(106)を順次判断す
る。
そして、それぞれの入力コマンドに応じて、ロット情報
入力処理(107) 、条件設定処理(108)、出力
処理(1,09)を実施する。また1、入力コマンドか
「終了」である場合は終了(110)する。
上記ロット情報入力処理(107)は、出力を行うロッ
トを指定するためのものである。すなわぢ、この実施例
の半導体測定装置では、−度に90ット(10ツトは例
えば1ウ工ハカセツト分)までの測定結果を出力するこ
とができるよう構成されており、そのロットを指定する
ためのものである。
この処理においては、第3図に示すように、まず、ロッ
ト数が10未満であるかを判定する(20])。そして
、ロット数が10未満である場合は、順次ロット番号入
力要求(202)、出力モード入力要求(203)を出
力し、この後終了する(204)。また、ロット数が1
0以上である場合は、−度に出力できるロット数を越え
ているため直ぢに終了する(204)。
また、第1図における条件設定処理(108)は、どの
ような形で出力を行うかを設定するためのもので、この
処理においては、第4図に示すように、ます、前述した
ような出力を行うロットに関するロットデータの確認を
行う(301)。
そして、ロットデータが入力されているか否かを判断し
く302)、ロットデータが入力されていない場合は処
理を終了する(310)。
一方、ロットデータが入力されている場合は、出力条件
が設定されているか否かを判断する(303)。
そして、既に出力条件が設定されている場合は、この出
力条件を読み込み(304) 、一方、出力条件が設定
されていない場合は、条件を初期化する(305)。
この後、設定条件を表示装置16に表示しく306)、
出力条件、例えば表示桁数、表示単位(例えばミリボル
ト、マイクロボルト等)等の入力要求を出力する(30
7)。なお、このような出力条件は、ロット毎に異った
設定とすることができる。
しかる後、上記ステップで設定された設定条件を保存(
セーブ)するか否かの選択を促しく308)、保存する
場合はファイルに書き込み(309)、終rする(31
0)。一方、保存しない場]0 合は、そのまま終了する(310)。
また、第1図における出力処理(1,09)は、上述し
たロット情報入力処理(107)および条件設定処理(
10g)によって入力された条件に従って出力を実行す
るための処理である。
この処理においては、まず、出力条件n(ロットデータ
nに対応する)を読み取り(401)、この後ロットデ
ータnを読み取る(402)。
そして、これらのデータに従って記憶部14内に収容さ
れている測定結果からマツプデータファイルを作成しく
403)、プリンタ17に出力する(404)。
なお、第1図に示したように、上記プリンタ17の出力
は、ウェハマツプ20上に、測定した半導体チップの位
置に応じて、その測定値21(数値)を配列した形で出
力される。また、この測定値21の桁数および単位等は
、前述の如く設定された設定条件に従って出力される。
この後、次の出力すべきロットがあるか否かを判断しく
405)、出力すべきロットがある場合は、次のロッh
(n+ 1.)について上記(401,)からのステッ
プを繰り返して実行し、出力を行い、出力すべきロット
かなくなると処理を終了する(406)。
このように、この実施例の半導体測定装置では、所望の
桁数および所望の単位で、ウェハマツプ20上に、測定
した半導体チップの位置に応じて、その測定値2]が出
力される。したがって、所望の精度の詳細な測定情報を
得ることができ、例えば微少な測定値の差異等も検知す
ることが可能となる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の半導体測定装置によれば
、必要に応じて高精度の詳細な測定情報を得ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の半導体測定装置の構成を示
す図、第2図ないし第5図は第1図の半導体測定装置の
出力条件入力手順を説明するためのフローチャートであ
る。 1・・・・・・測定機構部、2・・・・・・プローブ部
、3・・・・・・半導体ウェハ、4・・・・・・載置台
、5・・・・・・探針、6・・・・・・プローブカード
、7・・・・・・プローブ制御部、11・・・・・・測
定部、12・・・・・・測定制御部、13・・・・・・
入出力部、14・・・・・・記憶部、15・・・・・・
キーボード、16・・・・・・表示装置、]7・・・・
・・プリンタ、20・・・・・・ウェハマツプ、21・
・・・・・測定値。 出願人  東京エレクトロン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハ上に複数配列された半導体チップの
    複数項目のDCパラメータを測定する半導体測定装置に
    おいて、 前記複数項目のDCパラメータの測定結果を記憶する記
    憶手段と、 この記憶手段に記憶された前記測定結果のうち出力する
    測定結果を指定するとともに、少なくとも出力桁数およ
    び出力単位を指定可能に構成された入力手段と、 この入力手段によって指定された前記測定結果を、前記
    出力桁数および前記出力単位に従って、前記半導体ウェ
    ハおよび前記半導体チップの形状を模式的に表すウェハ
    マップ上に数値で出力する出力手段とを具備したことを
    特徴とする半導体測定装置。
JP13069790A 1990-05-21 1990-05-21 半導体測定装置 Pending JPH0425145A (ja)

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JP13069790A JPH0425145A (ja) 1990-05-21 1990-05-21 半導体測定装置

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JP13069790A Pending JPH0425145A (ja) 1990-05-21 1990-05-21 半導体測定装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0580895A2 (en) * 1992-07-24 1994-02-02 Fujitsu Limited Method of mapping a tested semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0580895A2 (en) * 1992-07-24 1994-02-02 Fujitsu Limited Method of mapping a tested semiconductor device
EP0580895A3 (ja) * 1992-07-24 1994-03-09 Fujitsu Ltd

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