JPH02197144A - 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法 - Google Patents
半導体ウェーハチップの位置合わせ方法Info
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- JPH02197144A JPH02197144A JP1017264A JP1726489A JPH02197144A JP H02197144 A JPH02197144 A JP H02197144A JP 1017264 A JP1017264 A JP 1017264A JP 1726489 A JP1726489 A JP 1726489A JP H02197144 A JPH02197144 A JP H02197144A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
- H01L2223/54466—Located in a dummy or reference die
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、半導体ウェーハに形成された半導体チップ
の電気的緒特性を測定する際に使用するチップ座標マツ
プと各チップの位置合わせ方法に関する。
の電気的緒特性を測定する際に使用するチップ座標マツ
プと各チップの位置合わせ方法に関する。
従来、半導体ウェーハに格子状に配列されている多数の
半導体チップの電気的緒特性を試験する場合、半導体ウ
ェーハ試験用触針を装着したプローバと称する試＠機を
用いて行われる。 試験の結果、不良と判定されたチップにインク等でマー
キングのみ専用にする機能を有するマーキングプローバ
も広く背反している。 この場合、上記試験の結果を記憶するためチップ座標マ
ツプが用いられる。このチップ座標マツプは、半導体ウ
ェーハに形成されたチップパターンのそれぞれの半導体
ウェーハでの座標位置が指定されたものである。このチ
ップＷ標マツプは、同品種の半導体ウェーハについて共
通であり、つ工−ハにおいて、予め定められた基準チッ
プを原点の座標として作成される。 半導体ウェーハの各チップについての測定結果は、チッ
プ座標マツプに対応してアドレッシングされる記憶装置
に書き込まれる。このメモリの記憶内容（測定結果）に
基づいて不良チップにマーキングを自動的に行なう。 一″１′導体ウェーハの品種毎のチップ座標マツプを予
め作成しておけば、同品種の半導体ウェーハであれば２
枚目以降のものについては、同じチップＦＥＡＲマツプ
を使用することができる。すなわち、測定時のウェーハ
載置台であるＸ−Ｙステージと呼ばれる可動台上で半導
体ウェーハの位置を最初の半導体ウェーハと同じ位置に
すれば、２枚目以降の半導体ウェーハについても各チッ
プの座標位置は最初の半導体ウェーハと同じになる。し
たがって、２枚目以降の半導体ウェーハは測定、マーキ
ング作業を自動的に行なうことができる。 ところが、同品種の半導体ウェーハであっても、例えば
ウェーハ製造の前工程における露光焼付工程においてマ
スクずれ（例えば１０１１ｆｌ角のチップ゛の場合、ｉ
悪の場合１／２チップ分程度ずれることがある）が生じ
る場合がある。このような場合、上記のように単に半導
体ウェーハの位置合わせをしただけではチップ座標マツ
プと半導体ウェーハの各チップの位置とが一致しなくな
り、誤測定を生じる恐れがある。 そこで、出願人は先に上述のような誤測定を生じないよ
うにする方法として、半導体ウェーハに形成されている
モニタチップ等通常のチップと異なる部分を用いたパタ
ーン認識技術による位置合わせ方法を提案した（特開昭
６３−１３６５４２号公報参照）。
半導体チップの電気的緒特性を試験する場合、半導体ウ
ェーハ試験用触針を装着したプローバと称する試＠機を
用いて行われる。 試験の結果、不良と判定されたチップにインク等でマー
キングのみ専用にする機能を有するマーキングプローバ
も広く背反している。 この場合、上記試験の結果を記憶するためチップ座標マ
ツプが用いられる。このチップ座標マツプは、半導体ウ
ェーハに形成されたチップパターンのそれぞれの半導体
ウェーハでの座標位置が指定されたものである。このチ
ップＷ標マツプは、同品種の半導体ウェーハについて共
通であり、つ工−ハにおいて、予め定められた基準チッ
プを原点の座標として作成される。 半導体ウェーハの各チップについての測定結果は、チッ
プ座標マツプに対応してアドレッシングされる記憶装置
に書き込まれる。このメモリの記憶内容（測定結果）に
基づいて不良チップにマーキングを自動的に行なう。 一″１′導体ウェーハの品種毎のチップ座標マツプを予
め作成しておけば、同品種の半導体ウェーハであれば２
枚目以降のものについては、同じチップＦＥＡＲマツプ
を使用することができる。すなわち、測定時のウェーハ
載置台であるＸ−Ｙステージと呼ばれる可動台上で半導
体ウェーハの位置を最初の半導体ウェーハと同じ位置に
すれば、２枚目以降の半導体ウェーハについても各チッ
プの座標位置は最初の半導体ウェーハと同じになる。し
たがって、２枚目以降の半導体ウェーハは測定、マーキ
ング作業を自動的に行なうことができる。 ところが、同品種の半導体ウェーハであっても、例えば
ウェーハ製造の前工程における露光焼付工程においてマ
スクずれ（例えば１０１１ｆｌ角のチップ゛の場合、ｉ
悪の場合１／２チップ分程度ずれることがある）が生じ
る場合がある。このような場合、上記のように単に半導
体ウェーハの位置合わせをしただけではチップ座標マツ
プと半導体ウェーハの各チップの位置とが一致しなくな
り、誤測定を生じる恐れがある。 そこで、出願人は先に上述のような誤測定を生じないよ
うにする方法として、半導体ウェーハに形成されている
モニタチップ等通常のチップと異なる部分を用いたパタ
ーン認識技術による位置合わせ方法を提案した（特開昭
６３−１３６５４２号公報参照）。
ところが、最近、半導体ウェーハの全面に渡ってチップ
を形成し、モニタチップや鏡面部分等の無い半導体ウェ
ーハも多々ある。 この発明は、上記の点に対処してなされたもので、モニ
タチップ等、通常のチップと異なる基準となる部分のな
い半導体ウェーハであっても、前記マスクずれなどに対
処できる半導体ウェーハチップの位置合わせ方法を提供
することを目的とする。
を形成し、モニタチップや鏡面部分等の無い半導体ウェ
ーハも多々ある。 この発明は、上記の点に対処してなされたもので、モニ
タチップ等、通常のチップと異なる基準となる部分のな
い半導体ウェーハであっても、前記マスクずれなどに対
処できる半導体ウェーハチップの位置合わせ方法を提供
することを目的とする。
この発明による半導体ウェーハチップの位置合わせ方法
は、 半導体ウェーハの中心位置から予め設定された一方向の
欠けの無い周辺側のチップまでの距離を、予め求めてお
き、 位置合わせされる半導体ウェーハの中心位置を求め、こ
の中心位置から上記予め定められた一方向に上記予め求
められた距離能れたチップと、その周辺の画像データか
ら欠けの無い参照チップを判定し、 この参照チップに基づいてチップの位置合わせをするよ
うにしたことを特徴とする。
は、 半導体ウェーハの中心位置から予め設定された一方向の
欠けの無い周辺側のチップまでの距離を、予め求めてお
き、 位置合わせされる半導体ウェーハの中心位置を求め、こ
の中心位置から上記予め定められた一方向に上記予め求
められた距離能れたチップと、その周辺の画像データか
ら欠けの無い参照チップを判定し、 この参照チップに基づいてチップの位置合わせをするよ
うにしたことを特徴とする。
同品種の半導体ウェーハについて、ウェーハの中心位置
から特定の一方向の周辺チップで、欠けの無いチップま
での距ｉＪＩ ｄを予め求め、記憶しておく。 そして、各半導体ウェーハについて、そのウェーハの中
心位置を求め、その中心位置から前記距ａｄだけ離れた
チップと、その周辺の画像データを求める。そして、そ
の画像データから欠けの無いチップを参照チップとする
。そして、この参照チップに基づいて位置合わせする。
から特定の一方向の周辺チップで、欠けの無いチップま
での距ｉＪＩ ｄを予め求め、記憶しておく。 そして、各半導体ウェーハについて、そのウェーハの中
心位置を求め、その中心位置から前記距ａｄだけ離れた
チップと、その周辺の画像データを求める。そして、そ
の画像データから欠けの無いチップを参照チップとする
。そして、この参照チップに基づいて位置合わせする。
以下この発明による位置合わせ方法の一実施例を、グロ
ーμにより半導体ウェーハの各チップの測定を行なう場
合に適用した場合について、図を参照しながら説明する
。 第１図は、この実施υノに使用するグローμの構成の一
例を示すで、図示しない搬送装置により搬送された半導
体ウェーハ１は、ウェーハ載置台２に真空吸着される。 ウェーハ載置台２は、３次元駆動ステージに設けられ、
ウェーハ載置台駆動機構１０により３次元的に移動可能
となっている。 ウェーハ載置台２の上方には、これと対向してプローブ
カード３が配置されており、ウェーハ載置台２を上下・
水平方向へ自在に移動させてプローブカード３の半導体
ウェーハ１面側に装着された測定用電極である測定用触
針４とチップに形成された電極パッドとを接触させて各
チップの電気的緒特性を予め記憶された期待値と比較し
ながら順次測定検査する。 ウェーハ載置台２の上方には画像認識機構１１に接続さ
れた画！認識用のモニタカメラ５が設けられており、ウ
ェーハ載置台２の移動に伴い、ウェーハ１の画像認識位
置が変えられる。モニタカメラ５からの撮像画像情報は
プローバＣＰＵ１２の制御手段１３に供給される。 グローブカード３の近傍には、マーキング機構１４と接
続されたマーカ６か配されており、これにより、後述の
ように、インク等により所定のチップにマークが付与さ
れる。 プローブカード３の測定用触針４は、テスター１５内の
測定回路１６と接続されており、ここで測定された測定
結果は、テスタインターフェイス１７を介してプローバ
ＣＰＵ１２に供給される。 １０−バＣＰＵ１２の制御手段１３は、記憶装置１８に
、予め測定パラメータ入力機構１９により記憶された測
定に必要な測定パラメータ、例えば基準データ、チップ
パターンデータ、移動量データ、ウェーハ中心データ等
に基づき上記ブローバの各機構を制御する。 以上のような構成の１０−バで半導体ウェーＡの各半導
体チップの測定をする際に、この発明を用いて位置合わ
せを行なう場合の一例を第２図及び第３図のフローチャ
ートを参照しながら説明する。 先ず、同品種の半導体ウェーハの最初のウェーハをウェ
ーハ載置台２上に載置し、例えばオリエンテーションフ
ラットを用いて初期の位置合わせを行なう（ステップ１
０１）。 次に、容量センサを用いて半導体ウェーハの中心位置を
求める（ステップ１０２＞、すなわち、第４に示すよう
に、先ず、オリエンテーションフラット２１にほぼ平行
な方向２２（チップはオリエンテーションフラットの直
線方向にほぼ平行な方向と、これに垂直な方向に形成さ
れている）についての半導体ウェーハの中心位置Ｃを求
める。 これは、方向２２について容量センサによってウェーハ
の周縁部Ａ、Ｂを求め、その点Ａ、Ｂ間の中点として求
められる。そして、この中点Ｃを通って線分ＡＢに垂線
Ｔ１を立てる。 次に、方向２２に垂直な方向２３について同様にしてウ
ェーハの周縁部り、Ｅを求め、その中点Ｆを求め、その
中点Ｆを通って線分ＤＥに垂線Ｔ２を立てる。そして、
垂線Ｔ１とＴ２の交点位置Ｏを求める。この交点位置Ｏ
はウェーハの中心位置である。この中心位置のデータは
、記憶装置１８に記憶される。 次に、モニタカメラ１１からの撮像データをモニタ受像
機に映出さぜ、垂線Ｔ１上で、ウェーハ１の最ら周縁に
近いチップであって、欠けの無いチップ２４を検出し、
このチップを第１の参照チップとしてそのチップ位置を
記憶装置１８に記憶する（ステップ１０３）、次にチッ
プ２４と、ウェーハの中心位置Ｏとの距Ｍ ｄ ＋を求
め、これを記憶装置１８に記憶する（ステップ１０４）
。 同様にして、モニタカメラ１１からの撮像データのモニ
タ画像から垂線Ｔ２上で、ウェーハ１の最も周縁に近い
チップであって、欠けの無いチップ２５を検出し、この
チップを第２の参照チップとしてそのチップ位置を記憶
装置１８に記憶しくステップ１０５）、また、チップ２
５とウェーハの中心位置Ｏとの距Ａｉ ｄ ２を求め、
これを記憶装置１８に記憶する（ステップ１０６）。 次に、第１及び第２の参照チップ２４及び２５から、チ
ップ座標マツプの原点の座標位置を定める。この例では
、参照チップ２４の位置を原点とし、チップ座標マツプ
を作成する（ステップ１０７）。 次に、このチップ座標マツプ上で任意の位置のチップを
マーキングチップとして設定し、半導体ウェーハの対応
する位置のチップにマーカ６によってインク等でマーク
を付与するとともに、そのマーキングチップ位置を記憶
装置１８に記憶する（ステップ１０８）。 その後、ウェーハ載置台２を上昇させて測定用触針４の
位置合わせを行った後（ステップ１０９）、測定を行な
う（ステップ１１０）、この測定の際、チップ座標マツ
プに基づいてウェーハ上の各チップの番地を指定し、各
チップについての測定結果を記憶装置１８の対応する番
地に記憶する。 こうして最初のウェーハについて作成されたチップ座標
マツプは、次の第３図のフローチャートに示すように参
照チップを求めることによって、２枚目以降のウェーハ
については同じものを用いることができる。 先ず、最初のウェーハと同様に初期位置合わせを行ない
（ステップ２０１）、ウェーハの中心位置０を求める（
ステップ２０２）。 次に、第５図に示すように、この中心位置Ｏがら方向２
３に平行な方向に距ｔｌｌｆｆｌ ｄ 、だけ離れた位
置のチップ２４′とその周辺の画像をモニタカメラ５か
ら得る（ステップ２０３）、そして、このチップ２４′
が欠けの無いチップであるが否か判別する（ステップ２
０４＞、最初のウェーハとマスクずれが無い、あるいは
ずれがあっても少ないときは、このチップ２４′は、欠
けの無いチップである。つまり、チップ２４′は、第４
図の最初のウェーハの第１の参照チップ２４とチップ座
標マツプ上同じ位置にある。 そこで、ステップ２０４でチップ２４′が欠けの無いチ
ップであると判別したときは、このチップ２４′を第１
の参照チップとして記憶装置１８に記憶する（ステップ
２０５）。 一方、マスクずれが大きいときはチップ２４′は・、１
００％の欠けの無いチップでなく、一部が欠けたチップ
であることがある。ステップ２０３で、チップ２４′が
欠けのあるチップであると判別されたときは、チップ２
４′よりもさらに中心０より遠ざかる方の隣のデツプ２
６が欠けのないチップであるか否か判別する（ステップ
２０６）。 そして、このチップ２６が欠けのないチップであると判
別されれば、このチップ２６を第１の参照チップとして
記憶装置１８に記憶する（ステップ２０７＞、このチッ
プ２６が欠けのあるチップであるとステップ２０６で判
別されたときは、チップ２４′より中心Ｏに近いほうの
隣のチップ２７を第１の参照デツプとして記憶装置１８
に記憶する（ステップ２０８＞。 こうして第１の参照チップが求められたら、第５図に示
すように、中心位置０から方向２３に垂直な方向２２に
平行な方向に距Ｍ ｄ ２だけ離れた位置のチップ２５
′とその周辺の画像をモニタカメラ５から得る（ステッ
プ２０９＞、そして、ステップ２１０〜ステツプ２１４
において、チップ２４′と同様の処理により第２の参照
チップを求め、記憶装置１８に記憶する。 次に、第１及び第２の参照チップの位置関係を最初のウ
ェーハと同じか否か確認しくステップ２１５）、同じで
あればチップ座標マツプの原点を定め、最初のウェーハ
と同様にしてマーキングチップを定め、そのチップにマ
ークを施すとともに、そのマーキングチップの位置を記
憶装置１８に記憶しくステップ２１６）、各チップの測
定試験を行なう（ステップ２１７）。 第１及び第２の参照チップの位置関係が最初のウェーハ
と異なっていれば、参照チップの設定をやり直し、正し
い位置関係となるようにする（ステップ２１８＞、その
後、ステップ２１６に進む。 以上のようにして、２枚目以降のウェーハでは、最初の
ウェーハについて作成したチップ座標マツプを用いて、
自動的に測定を開始することができる。 ところで、上記のチップ座標マツプには、位置合わせ用
のマーキングチップの座標も含まれているので、後工程
で使用する装置、例えば第１図に示した不良チップの損
傷部分を予備回路に接続して、損傷チップを修復するり
ダンダンシー装置のＣＰＵ３０の記憶装置に入力すれば
、チップ座標マツプ情報のマーキングチップ座標情報に
より、新たに座標設定することなく自動的に測定を開始
することができる。マーキングチップには位置決め用の
マークが打たれており、しかもそのアドレスが記憶され
ているので、このマークを自動的に検出する手段、例え
ばフォトセンサ３２と画像認識機構３３等を使用すれば
、このマーキングチップの座標からウェーハ上の各チッ
プの全てのアドレスが判明し、オペレータによるウェー
ハの位置合わせ作業が不要となる。これらチップ座標マ
ツプ情報は、リダンダンシー装置の記憶装置３１から制
御機構３４に入力され、この情報に基づいてウェーハ載
置台駆動機構３５によりウェーハ載置台３６の移動を制
御し、一方、半導体ウェーハ上面に配置したレーザ例え
ばＹＡＧレーザ３７のレーザ光学系駆動装置３８を制御
して作業対象チップにレーザを照射して所定の作業を行
なう。 以上は、半導体ウェーハ全面にチップが焼き付けられた
半導体ウェーハの場合について説明したが、ステッパ焼
き付けにより製造された半導体ウェーハにも、この発明
による方法は適用可能である。この場合には、２枚目以
降のウェーハについて参照チップを求める際、欠けが無
いチップであるか否かは、チップ部分か、チップの焼き
付けが行われないウェーハ地である鏡面部分かで判別す
ることができる。
ーμにより半導体ウェーハの各チップの測定を行なう場
合に適用した場合について、図を参照しながら説明する
。 第１図は、この実施υノに使用するグローμの構成の一
例を示すで、図示しない搬送装置により搬送された半導
体ウェーハ１は、ウェーハ載置台２に真空吸着される。 ウェーハ載置台２は、３次元駆動ステージに設けられ、
ウェーハ載置台駆動機構１０により３次元的に移動可能
となっている。 ウェーハ載置台２の上方には、これと対向してプローブ
カード３が配置されており、ウェーハ載置台２を上下・
水平方向へ自在に移動させてプローブカード３の半導体
ウェーハ１面側に装着された測定用電極である測定用触
針４とチップに形成された電極パッドとを接触させて各
チップの電気的緒特性を予め記憶された期待値と比較し
ながら順次測定検査する。 ウェーハ載置台２の上方には画像認識機構１１に接続さ
れた画！認識用のモニタカメラ５が設けられており、ウ
ェーハ載置台２の移動に伴い、ウェーハ１の画像認識位
置が変えられる。モニタカメラ５からの撮像画像情報は
プローバＣＰＵ１２の制御手段１３に供給される。 グローブカード３の近傍には、マーキング機構１４と接
続されたマーカ６か配されており、これにより、後述の
ように、インク等により所定のチップにマークが付与さ
れる。 プローブカード３の測定用触針４は、テスター１５内の
測定回路１６と接続されており、ここで測定された測定
結果は、テスタインターフェイス１７を介してプローバ
ＣＰＵ１２に供給される。 １０−バＣＰＵ１２の制御手段１３は、記憶装置１８に
、予め測定パラメータ入力機構１９により記憶された測
定に必要な測定パラメータ、例えば基準データ、チップ
パターンデータ、移動量データ、ウェーハ中心データ等
に基づき上記ブローバの各機構を制御する。 以上のような構成の１０−バで半導体ウェーＡの各半導
体チップの測定をする際に、この発明を用いて位置合わ
せを行なう場合の一例を第２図及び第３図のフローチャ
ートを参照しながら説明する。 先ず、同品種の半導体ウェーハの最初のウェーハをウェ
ーハ載置台２上に載置し、例えばオリエンテーションフ
ラットを用いて初期の位置合わせを行なう（ステップ１
０１）。 次に、容量センサを用いて半導体ウェーハの中心位置を
求める（ステップ１０２＞、すなわち、第４に示すよう
に、先ず、オリエンテーションフラット２１にほぼ平行
な方向２２（チップはオリエンテーションフラットの直
線方向にほぼ平行な方向と、これに垂直な方向に形成さ
れている）についての半導体ウェーハの中心位置Ｃを求
める。 これは、方向２２について容量センサによってウェーハ
の周縁部Ａ、Ｂを求め、その点Ａ、Ｂ間の中点として求
められる。そして、この中点Ｃを通って線分ＡＢに垂線
Ｔ１を立てる。 次に、方向２２に垂直な方向２３について同様にしてウ
ェーハの周縁部り、Ｅを求め、その中点Ｆを求め、その
中点Ｆを通って線分ＤＥに垂線Ｔ２を立てる。そして、
垂線Ｔ１とＴ２の交点位置Ｏを求める。この交点位置Ｏ
はウェーハの中心位置である。この中心位置のデータは
、記憶装置１８に記憶される。 次に、モニタカメラ１１からの撮像データをモニタ受像
機に映出さぜ、垂線Ｔ１上で、ウェーハ１の最ら周縁に
近いチップであって、欠けの無いチップ２４を検出し、
このチップを第１の参照チップとしてそのチップ位置を
記憶装置１８に記憶する（ステップ１０３）、次にチッ
プ２４と、ウェーハの中心位置Ｏとの距Ｍ ｄ ＋を求
め、これを記憶装置１８に記憶する（ステップ１０４）
。 同様にして、モニタカメラ１１からの撮像データのモニ
タ画像から垂線Ｔ２上で、ウェーハ１の最も周縁に近い
チップであって、欠けの無いチップ２５を検出し、この
チップを第２の参照チップとしてそのチップ位置を記憶
装置１８に記憶しくステップ１０５）、また、チップ２
５とウェーハの中心位置Ｏとの距Ａｉ ｄ ２を求め、
これを記憶装置１８に記憶する（ステップ１０６）。 次に、第１及び第２の参照チップ２４及び２５から、チ
ップ座標マツプの原点の座標位置を定める。この例では
、参照チップ２４の位置を原点とし、チップ座標マツプ
を作成する（ステップ１０７）。 次に、このチップ座標マツプ上で任意の位置のチップを
マーキングチップとして設定し、半導体ウェーハの対応
する位置のチップにマーカ６によってインク等でマーク
を付与するとともに、そのマーキングチップ位置を記憶
装置１８に記憶する（ステップ１０８）。 その後、ウェーハ載置台２を上昇させて測定用触針４の
位置合わせを行った後（ステップ１０９）、測定を行な
う（ステップ１１０）、この測定の際、チップ座標マツ
プに基づいてウェーハ上の各チップの番地を指定し、各
チップについての測定結果を記憶装置１８の対応する番
地に記憶する。 こうして最初のウェーハについて作成されたチップ座標
マツプは、次の第３図のフローチャートに示すように参
照チップを求めることによって、２枚目以降のウェーハ
については同じものを用いることができる。 先ず、最初のウェーハと同様に初期位置合わせを行ない
（ステップ２０１）、ウェーハの中心位置０を求める（
ステップ２０２）。 次に、第５図に示すように、この中心位置Ｏがら方向２
３に平行な方向に距ｔｌｌｆｆｌ ｄ 、だけ離れた位
置のチップ２４′とその周辺の画像をモニタカメラ５か
ら得る（ステップ２０３）、そして、このチップ２４′
が欠けの無いチップであるが否か判別する（ステップ２
０４＞、最初のウェーハとマスクずれが無い、あるいは
ずれがあっても少ないときは、このチップ２４′は、欠
けの無いチップである。つまり、チップ２４′は、第４
図の最初のウェーハの第１の参照チップ２４とチップ座
標マツプ上同じ位置にある。 そこで、ステップ２０４でチップ２４′が欠けの無いチ
ップであると判別したときは、このチップ２４′を第１
の参照チップとして記憶装置１８に記憶する（ステップ
２０５）。 一方、マスクずれが大きいときはチップ２４′は・、１
００％の欠けの無いチップでなく、一部が欠けたチップ
であることがある。ステップ２０３で、チップ２４′が
欠けのあるチップであると判別されたときは、チップ２
４′よりもさらに中心０より遠ざかる方の隣のデツプ２
６が欠けのないチップであるか否か判別する（ステップ
２０６）。 そして、このチップ２６が欠けのないチップであると判
別されれば、このチップ２６を第１の参照チップとして
記憶装置１８に記憶する（ステップ２０７＞、このチッ
プ２６が欠けのあるチップであるとステップ２０６で判
別されたときは、チップ２４′より中心Ｏに近いほうの
隣のチップ２７を第１の参照デツプとして記憶装置１８
に記憶する（ステップ２０８＞。 こうして第１の参照チップが求められたら、第５図に示
すように、中心位置０から方向２３に垂直な方向２２に
平行な方向に距Ｍ ｄ ２だけ離れた位置のチップ２５
′とその周辺の画像をモニタカメラ５から得る（ステッ
プ２０９＞、そして、ステップ２１０〜ステツプ２１４
において、チップ２４′と同様の処理により第２の参照
チップを求め、記憶装置１８に記憶する。 次に、第１及び第２の参照チップの位置関係を最初のウ
ェーハと同じか否か確認しくステップ２１５）、同じで
あればチップ座標マツプの原点を定め、最初のウェーハ
と同様にしてマーキングチップを定め、そのチップにマ
ークを施すとともに、そのマーキングチップの位置を記
憶装置１８に記憶しくステップ２１６）、各チップの測
定試験を行なう（ステップ２１７）。 第１及び第２の参照チップの位置関係が最初のウェーハ
と異なっていれば、参照チップの設定をやり直し、正し
い位置関係となるようにする（ステップ２１８＞、その
後、ステップ２１６に進む。 以上のようにして、２枚目以降のウェーハでは、最初の
ウェーハについて作成したチップ座標マツプを用いて、
自動的に測定を開始することができる。 ところで、上記のチップ座標マツプには、位置合わせ用
のマーキングチップの座標も含まれているので、後工程
で使用する装置、例えば第１図に示した不良チップの損
傷部分を予備回路に接続して、損傷チップを修復するり
ダンダンシー装置のＣＰＵ３０の記憶装置に入力すれば
、チップ座標マツプ情報のマーキングチップ座標情報に
より、新たに座標設定することなく自動的に測定を開始
することができる。マーキングチップには位置決め用の
マークが打たれており、しかもそのアドレスが記憶され
ているので、このマークを自動的に検出する手段、例え
ばフォトセンサ３２と画像認識機構３３等を使用すれば
、このマーキングチップの座標からウェーハ上の各チッ
プの全てのアドレスが判明し、オペレータによるウェー
ハの位置合わせ作業が不要となる。これらチップ座標マ
ツプ情報は、リダンダンシー装置の記憶装置３１から制
御機構３４に入力され、この情報に基づいてウェーハ載
置台駆動機構３５によりウェーハ載置台３６の移動を制
御し、一方、半導体ウェーハ上面に配置したレーザ例え
ばＹＡＧレーザ３７のレーザ光学系駆動装置３８を制御
して作業対象チップにレーザを照射して所定の作業を行
なう。 以上は、半導体ウェーハ全面にチップが焼き付けられた
半導体ウェーハの場合について説明したが、ステッパ焼
き付けにより製造された半導体ウェーハにも、この発明
による方法は適用可能である。この場合には、２枚目以
降のウェーハについて参照チップを求める際、欠けが無
いチップであるか否かは、チップ部分か、チップの焼き
付けが行われないウェーハ地である鏡面部分かで判別す
ることができる。
以上のように、この発明による方法によれば、半導体ウ
ェーハにモニタチップが形成されていなくても、マスク
ずれ等によるウェーハ上のチップの基準座標の相対的ず
れを補償して、最初のウェーハについて設定したチップ
座標マツプに対する基準位置を正しく設定することがで
きる。したがって、同じチップ座標マツダを用いても誤
測定の恐れはない、また、マーキングチップ位置をこの
チップ座標マツプに基づいて設定し、記憶し、後工程で
これを使用するようにしたので、後工程でのウェーハの
位置合わせが不要となり、後工程の作業効率が向上する
。
ェーハにモニタチップが形成されていなくても、マスク
ずれ等によるウェーハ上のチップの基準座標の相対的ず
れを補償して、最初のウェーハについて設定したチップ
座標マツプに対する基準位置を正しく設定することがで
きる。したがって、同じチップ座標マツダを用いても誤
測定の恐れはない、また、マーキングチップ位置をこの
チップ座標マツプに基づいて設定し、記憶し、後工程で
これを使用するようにしたので、後工程でのウェーハの
位置合わせが不要となり、後工程の作業効率が向上する
。
第１図は、この発明による方法を適用する装置の一例の
構成を示す図、第２図及び第３図は、この発明の一実施
例の動作の説明のためのフローチャート、第４図及び第
５図は、この発明の一実施例の動作説明に供する図面で
ある。 １；半導体ウェーハ ２；ウェーハ載置台 ５；モニタカメラ ６；マーカ １１；画像認識装置 １２；グローバＣＰＵ ｌ３；制御手段 １４；マーキングｔｉ構 １８；記憶装置 ２４；第１の参照チップ ２５；第２の参照チップ 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 アローへｎ構Ａ′口 第１図 最才力のウェーハめ丁発イト 第２図 Ｅｌ１１史−フ０−へ ２千文目り人７１Ｆ／、フローチャート第３図（す２） Ｘ３しＤ（攬／１２次鰻く ２序ヌ゛目上人降ｌフローチャート 第３図（イめ１） 最ネηヵウ□−ハ 篤４図 ２械日り人Ｐ率ｊウェーハ 第５図
構成を示す図、第２図及び第３図は、この発明の一実施
例の動作の説明のためのフローチャート、第４図及び第
５図は、この発明の一実施例の動作説明に供する図面で
ある。 １；半導体ウェーハ ２；ウェーハ載置台 ５；モニタカメラ ６；マーカ １１；画像認識装置 １２；グローバＣＰＵ ｌ３；制御手段 １４；マーキングｔｉ構 １８；記憶装置 ２４；第１の参照チップ ２５；第２の参照チップ 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 アローへｎ構Ａ′口 第１図 最才力のウェーハめ丁発イト 第２図 Ｅｌ１１史−フ０−へ ２千文目り人７１Ｆ／、フローチャート第３図（す２） Ｘ３しＤ（攬／１２次鰻く ２序ヌ゛目上人降ｌフローチャート 第３図（イめ１） 最ネηヵウ□−ハ 篤４図 ２械日り人Ｐ率ｊウェーハ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハの中心位置から予め設定された一方向の
欠けの無い周辺側のチップまでの距離を、予め求めてお
き、 位置合わせされる半導体ウェーハの中心位置を求め、こ
の中心位置から上記予め定められた一方向に上記予め求
められた距離離れたチップと、その周辺の画像データか
ら欠けの無い参照チップを判定し、 この参照チップに基づいてチップの位置合わせをするよ
うにしたことを特徴とする半導体ウェーハチップの位置
合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017264A JP2694462B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017264A JP2694462B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197144A true JPH02197144A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2694462B2 JP2694462B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=11939110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017264A Expired - Lifetime JP2694462B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694462B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104914375A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-09-16 | 南京协辰电子科技有限公司 | 飞针测试机的偏差校正方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4491513B1 (ja) | 2009-02-12 | 2010-06-30 | 株式会社アドバンテスト | 半導体ウェハ試験装置 |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1017264A patent/JP2694462B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104914375A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-09-16 | 南京协辰电子科技有限公司 | 飞针测试机的偏差校正方法 |
| CN104914375B (zh) * | 2015-05-11 | 2017-08-25 | 南京协辰电子科技有限公司 | 飞针测试机的偏差校正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2694462B2 (ja) | 1997-12-24 |
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