CN112927948A - 电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：获取一待测晶圆的缺陷图，根据缺陷图标定出待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个标准测量位置的坐标值。采用电阻仪测量待测晶圆的方块电阻。再获取待测晶圆在方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个实际测量位置的坐标值。比对各个标准测量位置与对应的实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此，本发明通过获取坐标的方式，实现探针位置偏差测量的可视化，且测量精度更高，便于精准调整所述电阻仪的位置，以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时，本发明利用机台已有设备即可实现，成本低，操作简单。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。
背景技术
在半导体制造技术领域中，对晶圆方块电阻的检测是检测工艺效果以及产品良率的重要环节之一。例如，通过检测方块电阻可监测离子注入的深度、浓度以及离子在晶圆表面分布的均匀性。以及，在晶圆验收测试时也会进行晶圆方块电阻的检测。
目前，常用的方块电阻检测设备为电阻仪，例如RS75电阻仪。RS75电阻仪通过探头上的探针实现与晶圆内电路的导通，再通过内部的检测电路对电阻仪的探针位置(即电阻仪的测量位置)的信息进行处理，来实现对晶圆各区域中方块电阻的检测。然而，在实际操作过程中，电阻仪的探针位置的偏差对方块电阻的检测精准度会造成很大的影响，进而会影响工程师对测试结果的判断。当前对电阻仪的探针位置判断还源于工程师的经验及肉眼观测，精准度很低，不利于保证方块电阻测量值的准确性。尤其是待测晶圆的边缘区域很难确定电阻仪的检测位置是否准确。
因此，需要一种新的电阻仪探针位置的校正方法，来实现电阻仪的测量位置偏差的精准测量，以在测量方块电阻前校正电阻仪探针的测量位置，便于获得更为精准的方块电阻。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电阻仪探针位置的校正方法电阻仪探针位置的校正方法，以解决电阻仪探针的测量位置偏差导致的方块电阻测量误差大的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法，包括：
获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个所述标准测量位置的坐标值；
通过将电阻仪的探针置于所述标准测量位置，来对所述待测晶圆进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成对应的实际测量位置；
获取所述待测晶圆在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置的坐标值；
比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，在比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差中包括：
判断所述偏差是否在阈值范围内，如是，则无需校正所述电阻仪的探针位置；如否，则根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，所述阈值范围为：大于或等于0毫米且小于或等于2毫米。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，在获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置之后，采用电阻仪中的探针在对应的各个所述标准测量位置处扎点，并使得各个扎点位置与对应的所述标准测量位置之间的偏差在阈值范围内。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，采用电阻仪中的探针在对应的各个所述标准测量位置处扎点之后，获取各个所述扎点位置的坐标值作为所述标准测量位置的坐标值。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，校正后的所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成的各个实际测量位置与对应的所述标准测量位置之间的偏差在阈值范围内。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，在获取一待测晶圆的缺陷图之前，定位所述待测晶圆，以确定所述待测晶圆位于预设位置。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，在采用电阻仪测量所述待测晶圆的方块电阻的过程中，所述电阻仪中的探针在各个所述标准测量位置处扎点，以与所述待测晶圆内电路导通，并测量所述待测晶圆各处的所述方块电阻。
可选的，在所述的电阻仪探针位置的校正方法中，各个所述实际测量位置的坐标值包括：各个所述标准测量位置处扎点的位置坐标值。
基于同一发明构思，本发明还提供一种方块电阻的测量方法，包括：
使用所述电阻仪探针位置的校正方法校正所述电阻仪的位置；
采用经位置校正后的所述电阻仪测量所述待测晶圆的方块电阻。
综上所述，本发明提供一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个所述标准测量位置的坐标值。通过将电阻仪的探针置于所述标准测量位置，来对所述待测晶圆进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成对应的实际测量位置。获取所述待测晶圆在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置的坐标值。比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。因此，本发明通过获取坐标的方式，实现探针位置偏差测量的可视化，且测量精度更高，便于精准调整所述电阻仪的位置，以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时，本发明利用机台已有设备即可实现，成本低，操作简单。
附图说明
图1是本发明实施例中一种电阻仪探针位置的校正方法的流程图；
图2是本发明实施例中电阻仪测量方块电阻的示意图；
图3是本发明实施例中多个标准测量位置的坐标示意图；
图4是本发明实施例的标准测量位置与实际测量位置偏差示意图；
其中，附图标记说明：
10-待测晶圆；101-标准测量位置；102-实际测量位置；20-电阻仪；201-探针；30-承载台。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
为解决上述技术问题，本实施例提供一种电阻仪探针位置的校正方法，请参阅图1，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：
步骤一S10：获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个所述标准测量位置的坐标值。
步骤二S20：通过将电阻仪的探针置于所述标准测量位置，来对所述待测晶圆进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成对应的实际测量位置。
步骤三S30：获取所述待测晶圆在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置的坐标值。
步骤四S40：比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。
以下结合附图2-4，具体阐述所述电阻仪探针位置的校正方法：
步骤一S10：请参阅图2-3，获取一待测晶圆10的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆10上的多个标准测量位置101，并获得各个所述标准测量位置101的坐标值。
本实施例以RS75电阻仪为例。所述电阻仪20具有一探头，所述探头中与所述待测晶圆10相对的一侧设置有多个探针201，类似于探针卡。所述电阻仪20内具有方块电阻检测电路，当探针与所述晶圆待测区域接触时，导通方块电阻检测电路，以实现对方块电阻的获取。在探针与所述晶圆待测区域接触时，会在所述待测晶圆10上留下多个扎点。因此，可选的，在步骤一S10中根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆10上的多个标准测量位置101之后，采用电阻仪中的探针201在对应的各个所述标准测量位置101处扎点，并使得各个扎点位置与对应的所述标准测量位置101之间的偏差在阈值范围内(参见下文阈值范围的介绍)。即以该次扎点位置为基准，对所述探针201的测量位置进行校正。
进一步的，在获取所述待测晶圆10的缺陷图之前，先将所述待测晶圆10置于承载台30上，然后根据机台的检测，定位所述待测晶圆10，以使得所述待测晶圆10位于预设位置，便于提高待测晶圆10方块电阻的检测精度。
步骤二S20：请参阅图3，通过将电阻仪的探针201置于所述标准测量位置101，来对所述待测晶圆10进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针201在所述待测晶圆10的表面上形成对应的实际测量位置102。
在工作机台中，会经常使用到缺陷扫描装置，所述缺陷扫描装置可用于扫描晶圆上的缺陷，例如污染颗粒或者晶圆表面不平整的位置等。在本实施例提供的所述电阻仪探针位置的校正方法中，可使用该缺陷扫描装置扫描所述待测晶圆10，以获得所述待测晶圆10的缺陷图，所述缺陷图带有精准的坐标系，可通过在坐标系中标定标准测量位置101，或者通过电阻仪20上的探针201在所述待测晶圆10上扎点，并通过缺陷扫描装置检测各个所述扎点的位置，以获得对应的所述标准测量位置101和\或所述实际测量位置102的坐标值。不仅操作简单，成本低，还能够获得可视化的测量位置。
在采用电阻仪20测量所述待测晶圆10的方块电阻的过程中，所述电阻仪20中的探针201在各个所述测量位置处扎点，以与所述待测晶圆10内电路导通，实现测量所述待测晶圆各处的所述方块电阻。
步骤三S30：请参阅图4，获取所述待测晶圆10在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置102的坐标值。
再一次采用缺陷扫描装置检测电阻仪在测量待测晶圆10的方块电阻时留下的所述扎点的位置，以获得各个所述实际测量位置102的坐标值。
步骤四S40：请参阅图4，比对各个所述标准测量位置101与对应的所述实际测量位置102之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪20的探针201位置。
进一步的，在获取各个所述标准测量位置101与对应的实际测量位置102之间的偏差d之后，需要先判断所述偏差d是否在阈值范围内，如是，则无需校正所述电阻仪探针的位置；如否，则根据获取的偏差d校正所述电阻仪探针的位置。其中，不同的制程需求对应的阀值范围可以不同。通常所述阈值范围可选为：大于或等于0毫米且小于或等于2毫米。
进一步的，各个所述标准测量位置101与对应的实际测量位置102之间的偏差d为每个所述标准测量位置101与相对应的实际测量位置102之间的间距。待判定需要对电阻仪的实际测量位置进行校正后，可根据二者对应的坐标值沿X方向和Y方向作出相应的调整。其中，因每一所述标准测量位置101与对应的实际测量位置102之间均存在一个偏差d，则可取所有偏差d的均值为判断是否需要校正的依据。
其中，校正后的所述电阻仪探针201在所述待测晶圆10的表面上形成的各个实际测量位置102与对应的所述标准测量位置101之间的偏差d在阈值范围内。
基于同一发明构思，本实施例还提供一种方块电阻的测量方法，包括：
先使用所述电阻仪探针位置的校正方法校正所述电阻仪的位置。然后，采用经位置校正后的所述电阻仪测量所述待测晶圆的方块电阻。由此可获得较为精准的方块电阻，有利于提高产品良率。
综上所述，本实施例提供的一种电阻仪探针位置的校正方法及方块电阻的测量方法。其中，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：获取一待测晶圆10的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆10上的多个标准测量位置101，并获得各个所述标准测量位置101的坐标值。通过将电阻仪20的探针201置于所述标准测量位置101，来对所述待测晶圆10进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针201在所述待测晶圆10的表面上形成对应的实际测量位置102。获取所述待测晶圆10在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置102的坐标值。比对各个所述标准测量位置101与对应的所述实际测量位置102之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针201位置。因此，本实施例通过获取坐标的方式，实现探针201位置偏差测量的可视化，且测量精度更高，便于精准调整所述电阻仪探针201位置，以实现提高获取的方块电阻的精确度。同时，本发明利用机台已有设备即可实现，成本低，操作简单。
此外还应该认识到，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
Claims (10)
1.一种电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，所述电阻仪探针位置的校正方法包括：
获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置，并获得各个所述标准测量位置的坐标值；
通过将电阻仪的探针置于所述标准测量位置，来对所述待测晶圆进行方块电阻测量，且所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成对应的实际测量位置；
获取所述待测晶圆在所述方块电阻测量后的缺陷图，以获得各个所述实际测量位置的坐标值；
比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差，并根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。
2.根据权利要求1所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，在比对各个所述标准测量位置与对应的所述实际测量位置之间的偏差中包括：
判断所述偏差是否在阈值范围内，如是，则无需校正所述电阻仪的探针位置；如否，则根据获取的偏差校正所述电阻仪的探针位置。
3.根据权利要求2所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，所述阈值范围为：大于或等于0毫米且小于或等于2毫米。
4.根据权利要求2所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，在获取一待测晶圆的缺陷图，根据所述缺陷图标定出所述待测晶圆上的多个标准测量位置之后，采用电阻仪中的探针在对应的各个所述标准测量位置处扎点，并使得各个扎点位置与对应的所述标准测量位置之间的偏差在阈值范围内。
5.根据权利要求4所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，采用电阻仪中的探针在对应的各个所述标准测量位置处扎点之后，获取各个所述扎点位置的坐标值作为所述标准测量位置的坐标值。
6.根据权利要求2所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，校正后的所述电阻仪的探针在所述待测晶圆的表面上形成的各个实际测量位置与对应的所述标准测量位置之间的偏差在阈值范围内。
7.根据权利要求1所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，在获取一待测晶圆的缺陷图之前，定位所述待测晶圆，以确定所述待测晶圆位于预设位置。
8.根据权利要求1所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，在采用电阻仪测量所述待测晶圆的方块电阻的过程中，所述电阻仪中的探针在各个所述标准测量位置处扎点，以与所述待测晶圆内电路导通，并测量所述待测晶圆各处的所述方块电阻。
9.根据权利要求8所述的电阻仪探针位置的校正方法，其特征在于，各个所述实际测量位置的坐标值包括：各个所述标准测量位置处扎点的位置坐标值。
10.一种方块电阻的测量方法，其特征在于，所述方块电阻的测量方法包括：
使用如权利要求1-9中任意一项所述电阻仪探针位置的校正方法校正所述电阻仪的位置；
采用经位置校正后的所述电阻仪测量所述待测晶圆的方块电阻。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210608 |