JPH0442944A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0442944A JPH0442944A JP14784990A JP14784990A JPH0442944A JP H0442944 A JPH0442944 A JP H0442944A JP 14784990 A JP14784990 A JP 14784990A JP 14784990 A JP14784990 A JP 14784990A JP H0442944 A JPH0442944 A JP H0442944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- pad
- probing
- probing pad
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板」二に半導体素子のプロービングパ
ッドを有する半導体装置に関するものである。
ッドを有する半導体装置に関するものである。
従来の技術
半導体装置は、その電気的特性の測定時にプロービング
パッドを通じて電気的信号の入出力を行っている。その
プロービングパッドは、蒸着されたアルミニウムによっ
て形成されている。
パッドを通じて電気的信号の入出力を行っている。その
プロービングパッドは、蒸着されたアルミニウムによっ
て形成されている。
以下に従来の半導体装置について説明する。
第３図は従来の半導体装置のフローピングバンドを示す
ものである。第３図において、１は半導体基板、２は絶
縁膜で半導体基板上に形成されている。３はプロービン
グパッドで絶縁膜上に蒸着されたアルミニウムによって
形成されている。４はバノノヘーンヨン膜でシリコン窒
化膜等で形成されており半導体素子を保護している。５
はプローブである。
ものである。第３図において、１は半導体基板、２は絶
縁膜で半導体基板上に形成されている。３はプロービン
グパッドで絶縁膜上に蒸着されたアルミニウムによって
形成されている。４はバノノヘーンヨン膜でシリコン窒
化膜等で形成されており半導体素子を保護している。５
はプローブである。
以上のような半導体装置について、半導体素子の電気的
特性の測定か行われる。この測定は第３図に示すように
外部測定器（図示せず）に接続されたプローブ５をフロ
ーピングバンド３に接触させて電気的特性の測定するこ
とにより行われる。
特性の測定か行われる。この測定は第３図に示すように
外部測定器（図示せず）に接続されたプローブ５をフロ
ーピングバンド３に接触させて電気的特性の測定するこ
とにより行われる。
この時、プローブ５はプロービングパッド３との間に良
好な接触を得るために若干の圧力を持ってプロービング
パッド３と接触している。プローブ５はプロービングパ
ッド３の表面の垂線に対して３０度から６０度程度の角
度をなしており、ブローブ５がプロービングパッド３と
若干の圧力を持って接触することによりプローブ５の先
端がプロービングパッド３上を滑って移動し、その時プ
ロービングパッド３のアルミニウムが削られることによ
りブロービングパッド３にプローブ５の跡が付く。この
ようにプローブ５がブロービングパッド３と接触してい
ることはプロービングパッド３上のプローブ５の移動や
、ブロービングパッド３についたプローブ５の跡により
確認する。
好な接触を得るために若干の圧力を持ってプロービング
パッド３と接触している。プローブ５はプロービングパ
ッド３の表面の垂線に対して３０度から６０度程度の角
度をなしており、ブローブ５がプロービングパッド３と
若干の圧力を持って接触することによりプローブ５の先
端がプロービングパッド３上を滑って移動し、その時プ
ロービングパッド３のアルミニウムが削られることによ
りブロービングパッド３にプローブ５の跡が付く。この
ようにプローブ５がブロービングパッド３と接触してい
ることはプロービングパッド３上のプローブ５の移動や
、ブロービングパッド３についたプローブ５の跡により
確認する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成ではプロービングパッド
３ヘプローブ５を接触させる際、プローブ５とブロービ
ングパッド３との間に過大な圧力が加わりプローブ５が
プロービングパッド３上を滑りすぎて不適切な位置でプ
ローブ５が止まったり、プローブ５がブロービングパッ
ド３を削り良好な接触が得られなくなるなどの不都合が
起こり得る。またブロービングパッド３はアルミニウム
でできているためブロービング時にプローブ５の先端が
これにひっかかりやすく、過大な圧力がプローブ５とブ
ロービングパッド３との間にかかつていることに気付か
ないことがある。このような状態で測定を開始した場合
、測定中のわずかな振動や、ブロービングパッド３にか
かつている圧力によるブロービングパッド３の変形など
の理由によりプローブ５がずれてしまい測定ができない
ことがある。
３ヘプローブ５を接触させる際、プローブ５とブロービ
ングパッド３との間に過大な圧力が加わりプローブ５が
プロービングパッド３上を滑りすぎて不適切な位置でプ
ローブ５が止まったり、プローブ５がブロービングパッ
ド３を削り良好な接触が得られなくなるなどの不都合が
起こり得る。またブロービングパッド３はアルミニウム
でできているためブロービング時にプローブ５の先端が
これにひっかかりやすく、過大な圧力がプローブ５とブ
ロービングパッド３との間にかかつていることに気付か
ないことがある。このような状態で測定を開始した場合
、測定中のわずかな振動や、ブロービングパッド３にか
かつている圧力によるブロービングパッド３の変形など
の理由によりプローブ５がずれてしまい測定ができない
ことがある。
本発明は、測定する半導体素子のブロービングパッド３
を傷めずにプローブ５の位置調整を正確に行うことによ
り信頼性の高い電気的特性の測定を実現できる半導体装
置を提供することを目的とする。
を傷めずにプローブ５の位置調整を正確に行うことによ
り信頼性の高い電気的特性の測定を実現できる半導体装
置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、ア
ルミニウムを主成分とする金属で形成された第１のブロ
ービングパッドより硬度の高い材質で形成された第２の
ブロービングパッドを有している。
ルミニウムを主成分とする金属で形成された第１のブロ
ービングパッドより硬度の高い材質で形成された第２の
ブロービングパッドを有している。
作用
この構成によって、プローブの位置調整を第２のブロー
ビングパッドで行う。そのため測定する半導体素子のブ
ロービングパッドを傷めることが少なく測定を正確に行
うことができる。またこの第２のブロービングパッドは
硬度が高く滑り易い材質で形成するために、針の移動量
の最大値および必要な圧力を見積もることができ過大な
圧力による測定中の針ずれを防ぎ測定を確実に行うこと
ができる。
ビングパッドで行う。そのため測定する半導体素子のブ
ロービングパッドを傷めることが少なく測定を正確に行
うことができる。またこの第２のブロービングパッドは
硬度が高く滑り易い材質で形成するために、針の移動量
の最大値および必要な圧力を見積もることができ過大な
圧力による測定中の針ずれを防ぎ測定を確実に行うこと
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置のプロー
ブの位置調整専用のブロービングパッドを示すものであ
る。第１図において６はパツシベーシヨン層で形成され
た位置調整専用ブロービングパッド、７は蒸着されたア
ルミニウムである。なお、１は半導体基板、２は絶縁膜
、４はパツシベーシヨン層、５はプローブでこれらは従
来例の構成と同じである。第２図は本発明の一実施例に
おける半導体装置の構成図を示すものである。第２図に
おいて８は半導体装置である。
ブの位置調整専用のブロービングパッドを示すものであ
る。第１図において６はパツシベーシヨン層で形成され
た位置調整専用ブロービングパッド、７は蒸着されたア
ルミニウムである。なお、１は半導体基板、２は絶縁膜
、４はパツシベーシヨン層、５はプローブでこれらは従
来例の構成と同じである。第２図は本発明の一実施例に
おける半導体装置の構成図を示すものである。第２図に
おいて８は半導体装置である。
以上のように構成された本実施例の゛半導体装置につい
て、以下その動作を説明する。
て、以下その動作を説明する。
この半導体装置は、半導体素子の電気的特性の測定が行
なわれる。測定時のプローブ５の位置調整は第１図の位
置調整専用プロービングパッド６を用いて以下の手順で
行なう。
なわれる。測定時のプローブ５の位置調整は第１図の位
置調整専用プロービングパッド６を用いて以下の手順で
行なう。
まずプローブ５を上げた状態で、位置調整専用ブロービ
ングパッド６とプローブ５の針先の水平面上の位置調整
をする。次にプローブ５を下ろしプローブ５の高さを調
整する。ここでプローブ５か位置調整専用ブロービング
パッド６に接触していることはプローブ５が位置調整専
用プロービングパッド６上を滑って移動することにより
わかり、過大な圧力によりプローブ５が位置調整専用プ
ロービングパッドバッド６上をはずれることは位置調整
専用プロービングパッド６周辺のアルミニウム７に傷が
付くことによりわかる。最後にプローブ５を再び上げて
、測定する半導体素子のブロービングパッド３がプロー
ブ５の真下にくるように半導体基板の載っているステー
ジ（図示せず）を移動させ、プローブ５を測定する半導
体素子のプロービングパッド３に接触させる。
ングパッド６とプローブ５の針先の水平面上の位置調整
をする。次にプローブ５を下ろしプローブ５の高さを調
整する。ここでプローブ５か位置調整専用ブロービング
パッド６に接触していることはプローブ５が位置調整専
用プロービングパッド６上を滑って移動することにより
わかり、過大な圧力によりプローブ５が位置調整専用プ
ロービングパッドバッド６上をはずれることは位置調整
専用プロービングパッド６周辺のアルミニウム７に傷が
付くことによりわかる。最後にプローブ５を再び上げて
、測定する半導体素子のブロービングパッド３がプロー
ブ５の真下にくるように半導体基板の載っているステー
ジ（図示せず）を移動させ、プローブ５を測定する半導
体素子のプロービングパッド３に接触させる。
以上のように、本実施例によればプローブ５の位置調整
のために測定する半導体素子のプロービングパッド３を
傷つけることがなく電気的特性を正確に測定することが
できる。また、この位置調整専用プロービングパッド６
はプローブ５が滑り易くプローブ５を位置調整専用ブロ
ービングバ・ノド６上に下ろしたときの針先の移動量は
測定する半導体素子のプロービングパッド３に比へて大
きいため、測定する半導体素子のプロービングパッド３
にプローブ５を立てたときプローブ５が移動し過ぎて測
定する半導体素子のプロービングパッド３から外れてし
まったり、測定中に振動等によりプローブ５が測定する
半導体素子のプロービングパッド３から外れてしまうな
どの不都合が起こらない。さらに、この位置調整専用プ
ロービングパッド６は硬度が高くブロービングによって
傷がつかず、何度も使用できる。
のために測定する半導体素子のプロービングパッド３を
傷つけることがなく電気的特性を正確に測定することが
できる。また、この位置調整専用プロービングパッド６
はプローブ５が滑り易くプローブ５を位置調整専用ブロ
ービングバ・ノド６上に下ろしたときの針先の移動量は
測定する半導体素子のプロービングパッド３に比へて大
きいため、測定する半導体素子のプロービングパッド３
にプローブ５を立てたときプローブ５が移動し過ぎて測
定する半導体素子のプロービングパッド３から外れてし
まったり、測定中に振動等によりプローブ５が測定する
半導体素子のプロービングパッド３から外れてしまうな
どの不都合が起こらない。さらに、この位置調整専用プ
ロービングパッド６は硬度が高くブロービングによって
傷がつかず、何度も使用できる。
なお、上記実施例では位置調整専用プロービングパッド
６はバッジベージジン膜と１７ているか、パッシベーシ
ョン膜に限らスフロービングバッド３より硬度の高い材
料を用いればよい。また、上記実施例ではプロービング
パッド３および位１［ｍ整専用ブロービングバソド６の
形状は正方形であるが、素子の電気的特性の測定に適し
た形であればこれらの形状は正方形でなくても良いこと
は言うまでもない。さらに、上記実施例では４つのプロ
ービングパッド３あるいは４つの位置調整専用プロービ
ングパッド６により１つのモジュールが形成されており
、１一つの半導体装置は２４個のモジュールより構成さ
れているが、モジク、−ルの形およびモジュールの数は
半導体装置によって異なることは言うまでもない。
６はバッジベージジン膜と１７ているか、パッシベーシ
ョン膜に限らスフロービングバッド３より硬度の高い材
料を用いればよい。また、上記実施例ではプロービング
パッド３および位１［ｍ整専用ブロービングバソド６の
形状は正方形であるが、素子の電気的特性の測定に適し
た形であればこれらの形状は正方形でなくても良いこと
は言うまでもない。さらに、上記実施例では４つのプロ
ービングパッド３あるいは４つの位置調整専用プロービ
ングパッド６により１つのモジュールが形成されており
、１一つの半導体装置は２４個のモジュールより構成さ
れているが、モジク、−ルの形およびモジュールの数は
半導体装置によって異なることは言うまでもない。
発明の効果
本発明は、硬度の高い材料で形成されたプロービングパ
ッドをプローブの位置調整専用のプロービングパッドと
して設けることにより測定する半導体素子のプロービン
グパッドを傷めずにしかも電気的特性を測定するための
プロービングパッドで位置調整するよりも確実にプロー
ブの位置調整を行うことができ、これにより半導体素子
の電気的特性の測定の信頼性が向上する優れた半導体装
置か実現できるものである。
ッドをプローブの位置調整専用のプロービングパッドと
して設けることにより測定する半導体素子のプロービン
グパッドを傷めずにしかも電気的特性を測定するための
プロービングパッドで位置調整するよりも確実にプロー
ブの位置調整を行うことができ、これにより半導体素子
の電気的特性の測定の信頼性が向上する優れた半導体装
置か実現できるものである。
第１図（ａ） 、 ｉｂｌはそれぞれ本発明の一実施例
にお１プる半導体装置のプロービングパッドの平面図お
よび断面図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の
全体の平面図、第３図（ａｌ、 （ｂｌはそれぞれ従来
の半導体装置のプロービングパッドの平面図および断面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・ブローピンクパッド、４・・・・・・パッ
ジベージジン膜、５・・・・・・プローブ、６・・・・
・・位置調整専用プロービングパッド、７・・・・・・
アルミニウム、８・・・・・・半導体装置。 ７ ７１１ ミ 、ニーワム、 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか〕１名第 図
にお１プる半導体装置のプロービングパッドの平面図お
よび断面図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の
全体の平面図、第３図（ａｌ、 （ｂｌはそれぞれ従来
の半導体装置のプロービングパッドの平面図および断面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・絶縁膜、３
・・・・・・ブローピンクパッド、４・・・・・・パッ
ジベージジン膜、５・・・・・・プローブ、６・・・・
・・位置調整専用プロービングパッド、７・・・・・・
アルミニウム、８・・・・・・半導体装置。 ７ ７１１ ミ 、ニーワム、 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか〕１名第 図
Claims (2)
- （１）アルミニウムを主成分とする金属で形成された第
１のプロービングパッドと前記第１のプービングパッド
と成分を異にする第２のプロービングパッドとを有する
半導体装置。 - （２）第２のプロービングパッドが第１のプロービング
パッドより硬度の高い材質であることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14784990A JPH0442944A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14784990A JPH0442944A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442944A true JPH0442944A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15439648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14784990A Pending JPH0442944A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442944A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161787A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその特性測定方法 |
| JP2006086244A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9760982B2 (en) | 2007-06-28 | 2017-09-12 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US9782079B2 (en) | 2012-08-02 | 2017-10-10 | Accuvein, Inc. | Device for detecting and illuminating the vasculature using an FPGA |
| US9789267B2 (en) | 2009-07-22 | 2017-10-17 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with user interface |
| US9788788B2 (en) | 2006-01-10 | 2017-10-17 | AccuVein, Inc | Three dimensional imaging of veins |
| US9854977B2 (en) | 2006-01-10 | 2018-01-02 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer using a single laser, and modulation circuitry |
| US10238294B2 (en) | 2006-06-29 | 2019-03-26 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer using one laser |
| US10258748B2 (en) | 2006-01-10 | 2019-04-16 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with user interface for controlling imaging parameters |
| US10357200B2 (en) | 2006-06-29 | 2019-07-23 | Accuvein, Inc. | Scanning laser vein contrast enhancer having releasable handle and scan head |
| US10376148B2 (en) | 2012-12-05 | 2019-08-13 | Accuvein, Inc. | System and method for laser imaging and ablation of cancer cells using fluorescence |
| US10470706B2 (en) | 2006-01-10 | 2019-11-12 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer for hands-free imaging for a venipuncture procedure |
| US10813588B2 (en) | 2006-01-10 | 2020-10-27 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer |
| US11051697B2 (en) | 2006-06-29 | 2021-07-06 | Accuvein, Inc. | Multispectral detection and presentation of an object's characteristics |
| US11253198B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-02-22 | Accuvein, Inc. | Stand-mounted scanned laser vein contrast enhancer |
| US11278240B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-03-22 | Accuvein, Inc. | Trigger-actuated laser vein contrast enhancer |
| USD999379S1 (en) | 2010-07-22 | 2023-09-19 | Accuvein, Inc. | Vein imager and cradle in combination |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14784990A patent/JPH0442944A/ja active Pending
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07161787A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその特性測定方法 |
| JP2006086244A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US11399768B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-08-02 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer utilizing surface topology |
| US11642080B2 (en) | 2006-01-10 | 2023-05-09 | Accuvein, Inc. | Portable hand-held vein-image-enhancing device |
| US11172880B2 (en) | 2006-01-10 | 2021-11-16 | Accuvein, Inc. | Vein imager with a dual buffer mode of operation |
| US9788788B2 (en) | 2006-01-10 | 2017-10-17 | AccuVein, Inc | Three dimensional imaging of veins |
| US9788787B2 (en) | 2006-01-10 | 2017-10-17 | Accuvein, Inc. | Patient-mounted micro vein enhancer |
| US9854977B2 (en) | 2006-01-10 | 2018-01-02 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer using a single laser, and modulation circuitry |
| US9949688B2 (en) | 2006-01-10 | 2018-04-24 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer with a dual buffer mode of operation |
| US10813588B2 (en) | 2006-01-10 | 2020-10-27 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer |
| US11191482B2 (en) | 2006-01-10 | 2021-12-07 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer imaging in an alternating frame mode |
| US10258748B2 (en) | 2006-01-10 | 2019-04-16 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with user interface for controlling imaging parameters |
| US11253198B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-02-22 | Accuvein, Inc. | Stand-mounted scanned laser vein contrast enhancer |
| US11109806B2 (en) | 2006-01-10 | 2021-09-07 | Accuvein, Inc. | Three dimensional imaging of veins |
| US11638558B2 (en) | 2006-01-10 | 2023-05-02 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer |
| US10470706B2 (en) | 2006-01-10 | 2019-11-12 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer for hands-free imaging for a venipuncture procedure |
| US10500350B2 (en) | 2006-01-10 | 2019-12-10 | Accuvein, Inc. | Combination vein contrast enhancer and bar code scanning device |
| US10617352B2 (en) | 2006-01-10 | 2020-04-14 | Accuvein, Inc. | Patient-mounted micro vein enhancer |
| US11484260B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-11-01 | Accuvein, Inc. | Patient-mounted micro vein enhancer |
| US11357449B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-06-14 | Accuvein, Inc. | Micro vein enhancer for hands-free imaging for a venipuncture procedure |
| US11278240B2 (en) | 2006-01-10 | 2022-03-22 | Accuvein, Inc. | Trigger-actuated laser vein contrast enhancer |
| US11523739B2 (en) | 2006-06-29 | 2022-12-13 | Accuvein, Inc. | Multispectral detection and presentation of an object's characteristics |
| US10357200B2 (en) | 2006-06-29 | 2019-07-23 | Accuvein, Inc. | Scanning laser vein contrast enhancer having releasable handle and scan head |
| US10238294B2 (en) | 2006-06-29 | 2019-03-26 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer using one laser |
| US11051755B2 (en) | 2006-06-29 | 2021-07-06 | Accuvein, Inc. | Scanned laser vein contrast enhancer using a retro collective mirror |
| US11051697B2 (en) | 2006-06-29 | 2021-07-06 | Accuvein, Inc. | Multispectral detection and presentation of an object's characteristics |
| US9760982B2 (en) | 2007-06-28 | 2017-09-12 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US10096096B2 (en) | 2007-06-28 | 2018-10-09 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US10580119B2 (en) | 2007-06-28 | 2020-03-03 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US11132774B2 (en) | 2007-06-28 | 2021-09-28 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US10713766B2 (en) | 2007-06-28 | 2020-07-14 | Accuvein, Inc. | Automatic alignment of a contrast enhancement system |
| US10518046B2 (en) | 2009-07-22 | 2019-12-31 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with user interface |
| US9789267B2 (en) | 2009-07-22 | 2017-10-17 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with user interface |
| US11826166B2 (en) | 2009-07-22 | 2023-11-28 | Accuvein, Inc. | Vein scanner with housing configured for single-handed lifting and use |
| USD999380S1 (en) | 2009-07-22 | 2023-09-19 | Accuvein, Inc. | Vein imager and cradle in combination |
| USD999379S1 (en) | 2010-07-22 | 2023-09-19 | Accuvein, Inc. | Vein imager and cradle in combination |
| USD998152S1 (en) | 2010-07-22 | 2023-09-05 | Accuvein, Inc. | Vein imager cradle |
| US9782079B2 (en) | 2012-08-02 | 2017-10-10 | Accuvein, Inc. | Device for detecting and illuminating the vasculature using an FPGA |
| US11510617B2 (en) | 2012-08-02 | 2022-11-29 | Accuvein, Inc. | Device for detecting and illuminating the vasculature using an FPGA |
| US10568518B2 (en) | 2012-08-02 | 2020-02-25 | Accuvein, Inc. | Device for detecting and illuminating the vasculature using an FPGA |
| US10517483B2 (en) | 2012-12-05 | 2019-12-31 | Accuvein, Inc. | System for detecting fluorescence and projecting a representative image |
| US10376148B2 (en) | 2012-12-05 | 2019-08-13 | Accuvein, Inc. | System and method for laser imaging and ablation of cancer cells using fluorescence |
| US11439307B2 (en) | 2012-12-05 | 2022-09-13 | Accuvein, Inc. | Method for detecting fluorescence and ablating cancer cells of a target surgical area |
| US10376147B2 (en) | 2012-12-05 | 2019-08-13 | AccuVeiw, Inc. | System and method for multi-color laser imaging and ablation of cancer cells using fluorescence |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0442944A (ja) | 半導体装置 | |
| US4918377A (en) | Integrated circuit reliability testing | |
| SG99365A1 (en) | Reliable metal bumps on top of i/o pads with test probe marks | |
| JPH08111431A (ja) | Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法 | |
| JP2000146569A (ja) | 半導体基板の周辺ダレの測定方法 | |
| JPH01219566A (ja) | プローブ・カード | |
| JPH05299484A (ja) | 半導体ウェハ | |
| US7804313B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2559512B2 (ja) | 金属膜の膜厚測定方法 | |
| KR100457334B1 (ko) | 테스트프로브 | |
| JPH04152634A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06349907A (ja) | プローブカード | |
| JPS62238633A (ja) | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 | |
| JPH03196633A (ja) | 半導体集積回路装置及び半導体ウエハ | |
| JPS6042843A (ja) | 半導体ウェファ | |
| JPH01742A (ja) | プローブ装置 | |
| JP2500450B2 (ja) | 半導体ウェハ― | |
| JPS64270Y2 (ja) | ||
| JPH03198361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03105258A (ja) | 半導体検査装置のプローブカード | |
| JP2001174514A (ja) | 半導体集積回路及び半導体集積回路の製造方法及び半導体ウェハーの電気的特性検査方法 | |
| JP2511232Y2 (ja) | 半導体集積回路用ウエハ | |
| JPS6225433A (ja) | 半導体素子特性測定装置 | |
| JPS61154044A (ja) | プロ−バ−のプロ−ブカ−ド | |
| JP2520823B2 (ja) | 半導体ウエハ―測定方法 |