JPS6225433A - 半導体素子特性測定装置 - Google Patents

半導体素子特性測定装置

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Publication number
JPS6225433A
JPS6225433A JP16450085A JP16450085A JPS6225433A JP S6225433 A JPS6225433 A JP S6225433A JP 16450085 A JP16450085 A JP 16450085A JP 16450085 A JP16450085 A JP 16450085A JP S6225433 A JPS6225433 A JP S6225433A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
contactor
measuring device
probe
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16450085A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimii Sumino
角野 公威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPS6225433A publication Critical patent/JPS6225433A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子の電極に測定器の端子を接続して
半導体素子の特性を測定する半導体素子特性測定装置に
関する。
【従来技術とその問題点】
半導体素子の特性を測定するには、従来第2図に示すよ
うに半導体チップ1のアルミニウム1掻2あるいはバン
プ電極′3に測定器の端子に接続された探針4を当てて
行なう方法が知られている。 ところが、このような探針4は、先端に超硬金属が使用
されているため、第3図に示すようにM電極2またはバ
ンプ電極3に損傷部11が生じ、このあとこれらの電極
に対する電気的接続の信鯨性が低下する欠点があった。
【発明の目的】
本発明は、測定の際に半導体素子のtaに損傷を与える
ことがなく、その結果外部回路との接続の信顛性が向上
する半導体素子特性測定装置を提供することを目的とす
る。
【発明の要点】
本発明による半導体測定装置は、測定器の端子が半導体
基板面に垂直方向に弾性変形可能な導電性接触体を介し
て半導体素子の電極に接続されることによって上記の目
的を達成する。
【発明の実施例】
第1図は本発明の五つの実施例を示すものである。第1
図(+1)においては、印刷配線板用材料として用いら
れるボリミイドなどのプラスチックフィルム6に、例え
ば100n径の導電性接触体7が設けられている。測定
の際には半導体チップ1を移動させて測定すべきM電極
2が接触体7の直下に来るようにし、接触体7の直上に
配置されている探針4を接触体の上面に押しつけ、接触
体7を電極2に接触させる。プラスチックフィルム6は
探針4を上げればちとに戻る弾性を有するので、探針4
を押しつけたときだけ測定できる。接触体7は平面でA
jti2に接触するので電極を損傷することはない、接
触体7には、導電ゴムのようにそれ自体クッションにな
る材料を用いることによって損傷の防止をより確実にす
ることができる。第1図(1))においては探針4の先
端に導電ゴムのような導電性クツシラン材からなる接触
体7を備えており、探針を電極2に押しつけて測定する
。第1図(C1においては、絶縁板8にクツシランとし
て働く接触体7が取り付けられており、この絶縁板8を
押さえて接触体7を電極2に接触させ、接触体7に接続
され、絶縁板8を貫通するリード線9を測定器に接続し
て測定する。第1図fdlにおいては、いくつかのチッ
プlに分割されるべき半導体板1゜と同じ大きさの絶縁
フィルム6の、半導体板上の電極2に合う位置にクツシ
ラン性接触体7を設けておき、探針4により接触体7を
次々に押さえつけて測定する。この場合に深針4の下に
、互いに位置合わせした半導体板10および絶縁フィル
ムを一緒に移動させて測定する。第1図te+において
は、弾性を有するプラスチックフィルム6に金属平板か
らなる接触体71が取り付けられている。接触体71は
電極2より小さい面積を有し、第1図(δ)の場合と同
様にチップ1を移動させ、探針4を金属接触体71の上
面に押しつけることにより測定する。 以上に引用した図には、M電極2に対する測定のみが示
されているが、第2図のバンブ電pi3に対する測定に
対しても同様に損傷を与えない効果が生ずることは明白
である。
【発明の効果】
本発明によれば、半導体素子の測定の際に測定用探針を
直接電極に接触させないで、半導体基板面に垂直方向に
弾性変形可能な接触体を、例えば導電性クツシラン材か
ら作成するかあるいは弾性支持体に設けることにより形
成し、その接触体を電極に接触させて測定することによ
り、従来測定時に生していた!極の損傷を無くすことが
できるので、半導体素子の製造歩留りあるいは信頼性の
向上に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の五つの異なる実施例による半導体素子
特性測定作業をそれぞれ示す断面図、第2図は従来の半
導体素子特性測定作業の二つの例をそれぞれ示す断面図
、第3図は第2図に示した作業における電極の損傷をそ
れぞれ示す断面図である。 1:半導体チップ、2−M電極、 4;探針、6:プラ
スチックフィルム、7:クソシツン性接触体、71:金
属接触体、8:絶縁板、9:リード線。 (α) 第 (α) 第 (b) 2囚 3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)半導体素子の電極に測定器の端子を接続して特性を
    測定するものにおいて、測定器の端子が半導体基板面に
    垂直方向に弾性変形可能な導電性接触体を介して電極と
    接続されることを特徴とする半導体素子特性測定装置。
JP16450085A 1985-07-25 1985-07-25 半導体素子特性測定装置 Pending JPS6225433A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04321250A (ja) * 1990-10-31 1992-11-11 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 電気的相互接続装置
JP2000200812A (ja) * 1990-02-16 2000-07-18 Glenn J Leedy 高密度探触点を使用した集積回路の製作および試験方法
JP2015021773A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 株式会社ディスコ プローブ

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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