JPH02156549A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
- Publication number
- JPH02156549A JPH02156549A JP63311151A JP31115188A JPH02156549A JP H02156549 A JPH02156549 A JP H02156549A JP 63311151 A JP63311151 A JP 63311151A JP 31115188 A JP31115188 A JP 31115188A JP H02156549 A JPH02156549 A JP H02156549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- piezoelectric element
- contact
- semiconductor wafer
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハーのブロービング技術に関し、特
にウェハーに対するプローブ針の接触を検出してブロー
バステージの高さを決定する技術に関する。
にウェハーに対するプローブ針の接触を検出してブロー
バステージの高さを決定する技術に関する。
プローブ針が半導体ウェハーに接触したことを検出する
従来の技術としては、特定のプローブ針に微小電圧を印
加しておき、半導体ウニノー−を載せたブローバステー
ジを上昇させ、プローブ針とブローバステージに微小電
流が流れることを検出してプロオーブ針が半導体ウェハ
ーに接触したことを検出する方法がある。
従来の技術としては、特定のプローブ針に微小電圧を印
加しておき、半導体ウニノー−を載せたブローバステー
ジを上昇させ、プローブ針とブローバステージに微小電
流が流れることを検出してプロオーブ針が半導体ウェハ
ーに接触したことを検出する方法がある。
これを第３図を用いてさらに説明すると、プローバにプ
ローブカードを取り付けた後、半導体ウェハー２がプロ
ーブ針４に接触するブローバステージ３の高さを決定す
る作業工程を自動で行うため、ソケット８を接触検出端
子Ｃにブローバステージを検出端子りに接続する。この
状態でブローバステージ３を徐々に上昇させると半導体
ウェハー２とプローブ針４が接触したときに電流工が流
れるので、電流が流れた時のブローバステージの位置に
オーバードライブ量を加えた位置でブローバステージの
位置を設定することでブローバステージ上昇時の最適の
高さが決定できる。
ローブカードを取り付けた後、半導体ウェハー２がプロ
ーブ針４に接触するブローバステージ３の高さを決定す
る作業工程を自動で行うため、ソケット８を接触検出端
子Ｃにブローバステージを検出端子りに接続する。この
状態でブローバステージ３を徐々に上昇させると半導体
ウェハー２とプローブ針４が接触したときに電流工が流
れるので、電流が流れた時のブローバステージの位置に
オーバードライブ量を加えた位置でブローバステージの
位置を設定することでブローバステージ上昇時の最適の
高さが決定できる。
上述した従来の技術によるプローブカードは、半導体ウ
ェハー上に形成された集積回路の測定な行う際にはプロ
ーブ針とブローバステージを所定の測定回路に接続する
よう配線を変更しなければならないので、ステージ高さ
合わせ作業の工程が複雑になるという欠点がある。
ェハー上に形成された集積回路の測定な行う際にはプロ
ーブ針とブローバステージを所定の測定回路に接続する
よう配線を変更しなければならないので、ステージ高さ
合わせ作業の工程が複雑になるという欠点がある。
また半導体ウェハーが絶縁膜上に回路素子を形成するＳ
ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）
構造などの導電性を有しない構造であった場合は、プロ
ーブ針が半導体ウェノ・−に接触した際にも電流がほと
んど流れないので検出が困難であるという欠点もある。
ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）
構造などの導電性を有しない構造であった場合は、プロ
ーブ針が半導体ウェノ・−に接触した際にも電流がほと
んど流れないので検出が困難であるという欠点もある。
上述した従来のプローブカードに対し、本発明はプロー
ブ針とフローバステージ間の電圧−電流特性ではなく、
プローブ針が半導体ウニノー−に接触する圧力を圧電素
子により直接検出する構造を含むという相違点を有する
。
ブ針とフローバステージ間の電圧−電流特性ではなく、
プローブ針が半導体ウニノー−に接触する圧力を圧電素
子により直接検出する構造を含むという相違点を有する
。
本発明のプローブカードは、プローブ針の支点とプロー
ブカード基板との間に絶縁物（例えば樹脂モールド）を
介して圧電素子を挟んだ構造な有している。
ブカード基板との間に絶縁物（例えば樹脂モールド）を
介して圧電素子を挟んだ構造な有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図であり、第２図は
第１図の矢印部分の拡大図である。
第１図の矢印部分の拡大図である。
フローブカード基板１とプローブ針４の支点であるモー
ルド５との間に挟まれて設置された圧電素子６はブロー
バステージ３が上昇すると半導体ウェハー２がプローブ
針４に接触してモールド５を介し伝えられる力により圧
縮され端子Ａ−Ｂ間に電圧Ｖを発生する。フローバ側で
これを検出することによって半導体ウエノＳ−２とプロ
ーブ針４が接触したことを認識することができる。
ルド５との間に挟まれて設置された圧電素子６はブロー
バステージ３が上昇すると半導体ウェハー２がプローブ
針４に接触してモールド５を介し伝えられる力により圧
縮され端子Ａ−Ｂ間に電圧Ｖを発生する。フローバ側で
これを検出することによって半導体ウエノＳ−２とプロ
ーブ針４が接触したことを認識することができる。
以上説明したように本発明はプローブ針の受ける接触圧
力を圧電素子に伝え、その結果発生する電圧を検出する
構造であるため、プローブ針やブローバステージの電気
的接続を変更することなくブローバステージの適正な高
さを設定できる効果がある。
力を圧電素子に伝え、その結果発生する電圧を検出する
構造であるため、プローブ針やブローバステージの電気
的接続を変更することなくブローバステージの適正な高
さを設定できる効果がある。
また半導体ウェハーに導電性がない場合でも全く問題な
くプローブ針の接触を検出できる効果もある。
くプローブ針の接触を検出できる効果もある。
さらにブロービング中もプローブ針の接触を検出できる
ことから割れたウェハーの欠損部分は測定を実行しなけ
れば測定時間を短縮できるという効果もある。
ことから割れたウェハーの欠損部分は測定を実行しなけ
れば測定時間を短縮できるという効果もある。
第１図は本発明の一実施例のプローブカードの縦断面図
、第２図は第１図の矢印で示した部分の拡大図である、
第３図は従来のプローブカードの例の断面図である。 図面に付した番号は共通で、 １・・・・・−１０−ブカード基板、２・・・・・・半
導体ウェハー ３・・・・・・ブローバステーシ、４・
・・・・・プローブ針、５・・・・・・モールド、６・
・・・・・圧電素子、７・・・・・・信号線、８・・・
・・・ソケットを示す。 第１ 関 沼２ 父 代理人 弁理士 内 原 晋
、第２図は第１図の矢印で示した部分の拡大図である、
第３図は従来のプローブカードの例の断面図である。 図面に付した番号は共通で、 １・・・・・−１０−ブカード基板、２・・・・・・半
導体ウェハー ３・・・・・・ブローバステーシ、４・
・・・・・プローブ針、５・・・・・・モールド、６・
・・・・・圧電素子、７・・・・・・信号線、８・・・
・・・ソケットを示す。 第１ 関 沼２ 父 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- ワイヤーモールド型プローブカードにおいて、プローブ
針の支点となる樹脂部とプローブカード基板との間に圧
電素子を設置したことを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311151A JPH02156549A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311151A JPH02156549A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156549A true JPH02156549A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18013724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311151A Pending JPH02156549A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04113443U (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-05 | 安藤電気株式会社 | プローブへの過負荷防止機構 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63311151A patent/JPH02156549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04113443U (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-05 | 安藤電気株式会社 | プローブへの過負荷防止機構 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0259667A2 (en) | Testing station for integrated circuits | |
| KR900014901A (ko) | 플립-칩 검사 소켓 아답터 및 이에 의한 검사 방법 | |
| TW521371B (en) | Semiconductor apparatus, method of and apparatus for mounting a semiconductor-device | |
| KR980005984A (ko) | 반도체 웨이퍼상의 복수의 집적회로 테스트 방법 | |
| JPH10111315A (ja) | プローブカードおよびこれを用いた試験装置 | |
| JPH02156549A (ja) | プローブカード | |
| KR940009571B1 (ko) | 번인소켓 | |
| JPH01170857A (ja) | プローブカード | |
| JPS6225433A (ja) | 半導体素子特性測定装置 | |
| JPS6362343A (ja) | プロ−ブ・カ−ド | |
| JPH05206233A (ja) | 半導体のエージング装置 | |
| KR19980015039A (ko) | 가압 도전성 고무판을 이용한 반도체 칩 패키지의 전기적 특성 검사 방법 | |
| JPH0421105Y2 (ja) | ||
| JP3261723B2 (ja) | 半導体ウェーハのペレット検査方法 | |
| JPH03290940A (ja) | プロービングマシンのウエハ載置台 | |
| KR100231481B1 (ko) | 프로브패드 | |
| KR950008679Y1 (ko) | 반도체 소자 테스트용 소켓 | |
| JP2558825B2 (ja) | プローブ装置 | |
| JPH0618559A (ja) | プローブカード | |
| JPH062266Y2 (ja) | エッジセンサー | |
| JP3172305B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02293671A (ja) | 基板用プローバ | |
| JP2000180470A (ja) | 検査用プロ―ブ | |
| JPH1012679A (ja) | プローブカードおよびこのプローブカードを用いた試験 方法 | |
| CN115032430A (zh) | 探针结构及其制作方法 |