JPH04321250A - 電気的相互接続装置 - Google Patents
電気的相互接続装置Info
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- JPH04321250A JPH04321250A JP3308356A JP30835691A JPH04321250A JP H04321250 A JPH04321250 A JP H04321250A JP 3308356 A JP3308356 A JP 3308356A JP 30835691 A JP30835691 A JP 30835691A JP H04321250 A JPH04321250 A JP H04321250A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/59—Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures
- H01R12/62—Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures connecting to rigid printed circuits or like structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
-
- G—PHYSICS
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- G01R1/067—Measuring probes
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- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
- H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
- H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
- H05K3/365—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by abutting, i.e. without alloying process
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R2201/00—Connectors or connections adapted for particular applications
- H01R2201/20—Connectors or connections adapted for particular applications for testing or measuring purposes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電気的相互接続並び
に半導体及びパッケージ試験に関し、特に、半導体チッ
プまたはウエーハを電気的試験のためにスペーストラン
スフォーマに相互接続したり、使用のためにパッケージ
構造体に相互接続したりするために両面においてコンタ
クト及びヴァイアを含む薄いインターフェースペリクル
または膜に関する。
に半導体及びパッケージ試験に関し、特に、半導体チッ
プまたはウエーハを電気的試験のためにスペーストラン
スフォーマに相互接続したり、使用のためにパッケージ
構造体に相互接続したりするために両面においてコンタ
クト及びヴァイアを含む薄いインターフェースペリクル
または膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置またはチップ及び他の電気装
置は通常、試験、バーンイン及び使用のために電気的に
相互接続される。相互接続方法には、剛性のプローブ及
びコンタクト、可撓性のプローブ及びコンタクト、ワイ
ヤボンディング、はんだ付け及び溶接が含まれる。チッ
プ上の相互接続の形態は、周辺に間隔をおいて設けられ
たパッド、バンプまたはコンタクトの１列または直線状
配列から、二次元的に間隔をおいて設けられたパッドま
たはバンプの面状配列まで色々であった。直線状または
面状配列のいずれにおいても、パッドまたはバンプは通
常、配列中に一様な幅及び中心間距離を有していた。面
状配列におけるコンタクトの配列は通常、互いに直交す
る行及び列のようなパターンに配設されている。集積回
路チップまたはダイにおいては、コンタクトの配列がよ
り高密度化し、チップ当たりのコンタクトがより多くな
る傾向にある。製造メーカーの一つであるニューヨーク
州アーモンクにあるインターナショナル・ビジネス・マ
シーンズ・コーポレイションは、Ｃ４バンプと呼ばれる
コンタクトを使用している。このＣ４バンプは、集積回
路上に約０．１２５ｍｍだけ延在しており、主として鉛
及び錫（Ｐｂ−Ｓｎ）から成り、配列面に平行な断面は
丸または円であり、その側面から他の電極と相互接続さ
れる場所のバンプの最上面まで湾曲している。１９８６
年９月に特許された米国特許第３４０１１２６号には、
はんだにほとんど濡れない極めて導電性の高い電極が記
載されている。１９６９年２月に特許された米国特許第
３４２９０４０号には、絶縁基板の表面の接続領域に接
続されるマイクロミニチュア素子の柔軟なコンタクトが
記載されている。
置は通常、試験、バーンイン及び使用のために電気的に
相互接続される。相互接続方法には、剛性のプローブ及
びコンタクト、可撓性のプローブ及びコンタクト、ワイ
ヤボンディング、はんだ付け及び溶接が含まれる。チッ
プ上の相互接続の形態は、周辺に間隔をおいて設けられ
たパッド、バンプまたはコンタクトの１列または直線状
配列から、二次元的に間隔をおいて設けられたパッドま
たはバンプの面状配列まで色々であった。直線状または
面状配列のいずれにおいても、パッドまたはバンプは通
常、配列中に一様な幅及び中心間距離を有していた。面
状配列におけるコンタクトの配列は通常、互いに直交す
る行及び列のようなパターンに配設されている。集積回
路チップまたはダイにおいては、コンタクトの配列がよ
り高密度化し、チップ当たりのコンタクトがより多くな
る傾向にある。製造メーカーの一つであるニューヨーク
州アーモンクにあるインターナショナル・ビジネス・マ
シーンズ・コーポレイションは、Ｃ４バンプと呼ばれる
コンタクトを使用している。このＣ４バンプは、集積回
路上に約０．１２５ｍｍだけ延在しており、主として鉛
及び錫（Ｐｂ−Ｓｎ）から成り、配列面に平行な断面は
丸または円であり、その側面から他の電極と相互接続さ
れる場所のバンプの最上面まで湾曲している。１９８６
年９月に特許された米国特許第３４０１１２６号には、
はんだにほとんど濡れない極めて導電性の高い電極が記
載されている。１９６９年２月に特許された米国特許第
３４２９０４０号には、絶縁基板の表面の接続領域に接
続されるマイクロミニチュア素子の柔軟なコンタクトが
記載されている。
【０００３】コンタクトの高密度の二次元配列を高速で
試験するために、現在のプロービング装置はそれに対応
してより密なものに改良されている。一つのタイプまた
はカテゴリーのプローブは、１９７１年７月２６日に特
許された米国特許第４０３８５９９号に記載されている
「コブラ（Ｃｏｂｒａ）プローブ」として知られている
。このコブラプローブは、互いに平行に設けられた複数
のワイヤを有し、これらのワイヤの端はそれらの軸を横
断する面で終端している。ワイヤの端はまた、プロービ
ングを容易にする形状になっている。各ワイヤはまた、
コンタクトに対して機械的に移動される時に対応するコ
ンタクトに圧力を加えるのに十分な剛性があるが、コン
タクトへの過剰な圧力またはコンタクトの変形を防止す
るのに十分に可撓性または弾性があるものである。各ワ
イヤが正しく配置されている時は、その端は浮いており
、ワイヤにより加えられる累積圧力はコンタクトの領域
に関して大きい。これらのワイヤは、隣接するワイヤと
ショートしたり、配列上に落とされる汚染物やかけらを
運ぶ。 さらに、コブラプローブの配列は、その機械的アセンブ
リ、容量及びインダクタンスによる電気的帯域幅、プロ
ーブの中心間距離または配列密度により制限される。コ
ブラプローブは、長さ５．０８ｍｍ、直径０．１０２ｍ
ｍ、中心間距離０．２０３ｍｍ、自己インダクタンス２
．５ｎＨ及び抵抗１８０ｍΩを有する。
試験するために、現在のプロービング装置はそれに対応
してより密なものに改良されている。一つのタイプまた
はカテゴリーのプローブは、１９７１年７月２６日に特
許された米国特許第４０３８５９９号に記載されている
「コブラ（Ｃｏｂｒａ）プローブ」として知られている
。このコブラプローブは、互いに平行に設けられた複数
のワイヤを有し、これらのワイヤの端はそれらの軸を横
断する面で終端している。ワイヤの端はまた、プロービ
ングを容易にする形状になっている。各ワイヤはまた、
コンタクトに対して機械的に移動される時に対応するコ
ンタクトに圧力を加えるのに十分な剛性があるが、コン
タクトへの過剰な圧力またはコンタクトの変形を防止す
るのに十分に可撓性または弾性があるものである。各ワ
イヤが正しく配置されている時は、その端は浮いており
、ワイヤにより加えられる累積圧力はコンタクトの領域
に関して大きい。これらのワイヤは、隣接するワイヤと
ショートしたり、配列上に落とされる汚染物やかけらを
運ぶ。 さらに、コブラプローブの配列は、その機械的アセンブ
リ、容量及びインダクタンスによる電気的帯域幅、プロ
ーブの中心間距離または配列密度により制限される。コ
ブラプローブは、長さ５．０８ｍｍ、直径０．１０２ｍ
ｍ、中心間距離０．２０３ｍｍ、自己インダクタンス２
．５ｎＨ及び抵抗１８０ｍΩを有する。
【０００４】現在、半導体装置のバーンイン中の相互接
続は、極めて高い温度で長時間耐えるばかりでなく、極
めて大きな温度変化にも耐えなければならない。チップ
の信号端子及び電力端子は、この目的のためにはんだ付
けされることがあり、その後に使用のために再びはんだ
付けされる。バーンインまたは試験中の誤った相互接続
の原因は、チップの不良にある。試験により不良とされ
たチップは、さらに試験を行うことなく廃棄されること
がある。
続は、極めて高い温度で長時間耐えるばかりでなく、極
めて大きな温度変化にも耐えなければならない。チップ
の信号端子及び電力端子は、この目的のためにはんだ付
けされることがあり、その後に使用のために再びはんだ
付けされる。バーンインまたは試験中の誤った相互接続
の原因は、チップの不良にある。試験により不良とされ
たチップは、さらに試験を行うことなく廃棄されること
がある。
【０００５】１９７０年１１月１７日に特許された米国
特許第３５４１２２２号には、層状回路の隣接する表面
を相互接続するためのコネクタスクリーンが記載されて
いる。絶縁材料のシートが設けられ、このシートは、そ
の中に埋め込まれ、かつその両面から突き出ている互い
に離れた導電コネクタから成るマトリックスを含んでい
る。
特許第３５４１２２２号には、層状回路の隣接する表面
を相互接続するためのコネクタスクリーンが記載されて
いる。絶縁材料のシートが設けられ、このシートは、そ
の中に埋め込まれ、かつその両面から突き出ている互い
に離れた導電コネクタから成るマトリックスを含んでい
る。
【０００６】１９７２年４月４日に特許された米国特許
第３６５４５８５号には、薄いファイバーグラスシート
のような絶縁材料の薄い基板から成るトランジション板
が記載されている。このファイバーグラスシートは、各
面に銅層を有する。そして、この銅層は、テスタと接続
されたばねピンの配列と試験すべきプリント配線基板と
の間の座標変換インターフェースを得るために、基板を
通して電気的に相互接続される基板の底面側のコンタク
トパッド及び基板の上面側のコンタクトパッドだけが残
るようにエッチングされる。
第３６５４５８５号には、薄いファイバーグラスシート
のような絶縁材料の薄い基板から成るトランジション板
が記載されている。このファイバーグラスシートは、各
面に銅層を有する。そして、この銅層は、テスタと接続
されたばねピンの配列と試験すべきプリント配線基板と
の間の座標変換インターフェースを得るために、基板を
通して電気的に相互接続される基板の底面側のコンタク
トパッド及び基板の上面側のコンタクトパッドだけが残
るようにエッチングされる。
【０００７】１９８６年４月８日に特許された米国特許
第４５８１６７９号には、貫通した開口を有する絶縁基
板と、導電ワイヤが挿通された圧縮性の固まりの形態の
多数の接続素子とを含む相互接続媒体が記載されている
。絶縁基板の選択された開口に挿通された接続素子は、
圧縮されて回路パッケージ素子上に形成されたコンタク
ト領域と接触する。
第４５８１６７９号には、貫通した開口を有する絶縁基
板と、導電ワイヤが挿通された圧縮性の固まりの形態の
多数の接続素子とを含む相互接続媒体が記載されている
。絶縁基板の選択された開口に挿通された接続素子は、
圧縮されて回路パッケージ素子上に形成されたコンタク
ト領域と接触する。
【０００８】１９８７年１１月１７日に特許された米国
特許第４７０７６５７号には、プリント回路基板テスタ
を試験すべきプリント回路基板と接続するために貫通し
て相互接続される両面に配設されたパッドを有するプリ
ント回路基板から成るコネクタアセンブリが記載されて
いる。パッドの上には、コネクタインターフェースとの
コンタクトインターフェースとなる球、円柱、立方体ま
たはワイヤメッシュの部材が設けられる。また、貫通し
た電気的に導電性の通路が埋め込まれた電気絶縁材料か
ら作られたシートがパッドの上に設けられる。パッド上
の凹部内にあるコイルばねは、ばね上の金属コンタクト
を隣接する面または試験パッドに対して位置決めされる
。
特許第４７０７６５７号には、プリント回路基板テスタ
を試験すべきプリント回路基板と接続するために貫通し
て相互接続される両面に配設されたパッドを有するプリ
ント回路基板から成るコネクタアセンブリが記載されて
いる。パッドの上には、コネクタインターフェースとの
コンタクトインターフェースとなる球、円柱、立方体ま
たはワイヤメッシュの部材が設けられる。また、貫通し
た電気的に導電性の通路が埋め込まれた電気絶縁材料か
ら作られたシートがパッドの上に設けられる。パッド上
の凹部内にあるコイルばねは、ばね上の金属コンタクト
を隣接する面または試験パッドに対して位置決めされる
。
【０００９】１９８９年６月６日に特許された米国特許
第４８３７５０７号には、平行な主面と支持部材によっ
て保持され、支持体の両主面の間に延在する屈曲可能な
オイラー柱プローブの第１及び第２の配列とを有する。 導電性のコンプライアント媒体を含む支持部材を一体化
した高周波試験固定具が記載されている。第１のプロー
ブの配列の各プローブは、コンプライアント媒体から電
気的に絶縁されている。第１の配列の隣接する二つのプ
ローブ間に位置した第２のプローブの配列は、コンプラ
イアント媒体と電気的にコンタクトしている。
第４８３７５０７号には、平行な主面と支持部材によっ
て保持され、支持体の両主面の間に延在する屈曲可能な
オイラー柱プローブの第１及び第２の配列とを有する。 導電性のコンプライアント媒体を含む支持部材を一体化
した高周波試験固定具が記載されている。第１のプロー
ブの配列の各プローブは、コンプライアント媒体から電
気的に絶縁されている。第１の配列の隣接する二つのプ
ローブ間に位置した第２のプローブの配列は、コンプラ
イアント媒体と電気的にコンタクトしている。
【００１０】コネチカット州ロジャーズ、テクノロジー
ドライブ ワンにあるロジャーズ・コーポレイション
によって製造されたコネクタは、応力残留の高いセルラ
ーエラストマーに吊り下げられた平坦なＳ字形状のベリ
リウム銅導体を含むコンタクトパッドの配列のための圧
力突き合わせ接続を有する。このコネクタの使用時には
、コネクタに下向きの力が加えられ、Ｓ字形状の導体が
回転し、各インターフェースでこする作用を行う。発泡
エラストマー（ｃｅｌｌｕｌａｒ ｅｌａｓｔｏｍｅｒ
）は、Ｓ字形状の導体のコンタクト力を維持し、気密封
止を行う。このコネクタは、ロジャーズ・コーポレイシ
ョンによって印刷された“ＩＳＯＣＯＮ／ＴＭ ＩＮＴ
ＥＲＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮＳ”という表題の販売カタロ
グの第１頁から第５頁に記載されている。
ドライブ ワンにあるロジャーズ・コーポレイション
によって製造されたコネクタは、応力残留の高いセルラ
ーエラストマーに吊り下げられた平坦なＳ字形状のベリ
リウム銅導体を含むコンタクトパッドの配列のための圧
力突き合わせ接続を有する。このコネクタの使用時には
、コネクタに下向きの力が加えられ、Ｓ字形状の導体が
回転し、各インターフェースでこする作用を行う。発泡
エラストマー（ｃｅｌｌｕｌａｒ ｅｌａｓｔｏｍｅｒ
）は、Ｓ字形状の導体のコンタクト力を維持し、気密封
止を行う。このコネクタは、ロジャーズ・コーポレイシ
ョンによって印刷された“ＩＳＯＣＯＮ／ＴＭ ＩＮＴ
ＥＲＣＯＮＮＥＣＴＩＯＮＳ”という表題の販売カタロ
グの第１頁から第５頁に記載されている。
【００１１】１９８８年１２月２７日に特許され、ロジ
ャーズ・コーポレイションに譲渡された米国特許第４７
９３８１４号には、支持部材の厚さにわたって延在する
全体として回転可能な導電性の相互接続素子、すなわち
発泡エラストマー内の平坦なＳ字形状の導体を有する第
１及び第２のプリント回路基板上のコンタクトパッド間
の電気的相互接続を行うための面コネクタが記載されて
いる。
ャーズ・コーポレイションに譲渡された米国特許第４７
９３８１４号には、支持部材の厚さにわたって延在する
全体として回転可能な導電性の相互接続素子、すなわち
発泡エラストマー内の平坦なＳ字形状の導体を有する第
１及び第２のプリント回路基板上のコンタクトパッド間
の電気的相互接続を行うための面コネクタが記載されて
いる。
【００１２】さらに、プリント回路基板を試験するため
に種々の試験プローブが製造され、使用されている。ロ
ードアイランド、ワリックにあるＯｓｔｂｙ−Ｂａｒｔ
ｏｎ Ｔｅｓｔ Ｐｒｏｂｅｓの“Ｔｅｓｔ Ｐｒｏｂ
ｅｓ Ｓｈｏｒｔ Ｆｏｒｍ Ｃａｔａｌｏｇ”という
表題の１９８８年のカタログには、プリント回路基板上
のランド、パッド、リード、ホールその他を試験するた
めに使用される多数の試験プローブティップが示されて
いる。コーンケイブ、スピア、フラット、スフェリカル
レイディアス、コンベックス、セレイティド、フレキシ
ニードル、クラウン、カレイドスコープ、スター、チゼ
ル及びチューリップと記載されている形状を含む種々の
プローブティップが示されている。
に種々の試験プローブが製造され、使用されている。ロ
ードアイランド、ワリックにあるＯｓｔｂｙ−Ｂａｒｔ
ｏｎ Ｔｅｓｔ Ｐｒｏｂｅｓの“Ｔｅｓｔ Ｐｒｏｂ
ｅｓ Ｓｈｏｒｔ Ｆｏｒｍ Ｃａｔａｌｏｇ”という
表題の１９８８年のカタログには、プリント回路基板上
のランド、パッド、リード、ホールその他を試験するた
めに使用される多数の試験プローブティップが示されて
いる。コーンケイブ、スピア、フラット、スフェリカル
レイディアス、コンベックス、セレイティド、フレキシ
ニードル、クラウン、カレイドスコープ、スター、チゼ
ル及びチューリップと記載されている形状を含む種々の
プローブティップが示されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プまたはウエーハを電気的試験のためにスペーストラン
フォーマに相互接続したり、使用のためにパッケージ構
造体に相互接続したりするために、両面に延在する電気
的接続部を高密度に配列した薄いインターフェースペリ
クルを用いた電気的相互接続装置を提供することを目的
とする。
プまたはウエーハを電気的試験のためにスペーストラン
フォーマに相互接続したり、使用のためにパッケージ構
造体に相互接続したりするために、両面に延在する電気
的接続部を高密度に配列した薄いインターフェースペリ
クルを用いた電気的相互接続装置を提供することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明は、力を伝達す
るために使用される第１の剛性プローブの上の第１のコ
ンタクトの配列と上記力に耐えるように支持された電気
装置の上の対応する第２のコンタクトの配列との間を電
気的に接続するための装置であって、上面及び下面を有
する可撓性の膜と、上記可撓性の膜に形成され、それぞ
れの縦軸の方向に上記上面の上側及び上記下面の下側に
延在する電極の配列とを具備し、それぞれの電極は上記
それぞれの縦軸の方向に第１の所定の長さを有し、上記
可撓性の膜は、局所領域に最小半径を有し、上記電極が
互いに独立して移動可能なように局所領域に上記可撓性
の膜の所定の弾性変形を生じさせるための弾性を有する
湾曲した上面及び下面を形成できる厚さを有し、上記電
極の配列のそれぞれの電極は、上側の第１のコンタクト
の配列のそれぞれのコンタクト及び下側の第２の配列の
それぞれのコンタクトと位置的に対応し、第１のコンタ
クトの配列が第２のコンタクトの配列とそれらの間の可
撓性の膜の上の電極の配列によって電気的に接続される
ものである。上記電極の配列は、少なくとも６００個含
む。
るために使用される第１の剛性プローブの上の第１のコ
ンタクトの配列と上記力に耐えるように支持された電気
装置の上の対応する第２のコンタクトの配列との間を電
気的に接続するための装置であって、上面及び下面を有
する可撓性の膜と、上記可撓性の膜に形成され、それぞ
れの縦軸の方向に上記上面の上側及び上記下面の下側に
延在する電極の配列とを具備し、それぞれの電極は上記
それぞれの縦軸の方向に第１の所定の長さを有し、上記
可撓性の膜は、局所領域に最小半径を有し、上記電極が
互いに独立して移動可能なように局所領域に上記可撓性
の膜の所定の弾性変形を生じさせるための弾性を有する
湾曲した上面及び下面を形成できる厚さを有し、上記電
極の配列のそれぞれの電極は、上側の第１のコンタクト
の配列のそれぞれのコンタクト及び下側の第２の配列の
それぞれのコンタクトと位置的に対応し、第１のコンタ
クトの配列が第２のコンタクトの配列とそれらの間の可
撓性の膜の上の電極の配列によって電気的に接続される
ものである。上記電極の配列は、少なくとも６００個含
む。
【００１５】さらに、この発明は、電気装置上の突起状
導電性バンプと機械的及び電気的コンタクトをとるため
の装置であって、好ましくは６２０ｇ（２０ｏｚ）以下
の力で、上記導電性バンプの表面を貫通して上記導電性
バンプに所定の深さを有する側壁を形成するための第１
の突起部をその上に有する部材を具備し、上記部材は、
上記導電性バンプの表面への上記第１の突起部の侵入を
制限するための上記第１の突起部に隣接して設けられた
第２の凹部を有するものである。
導電性バンプと機械的及び電気的コンタクトをとるため
の装置であって、好ましくは６２０ｇ（２０ｏｚ）以下
の力で、上記導電性バンプの表面を貫通して上記導電性
バンプに所定の深さを有する側壁を形成するための第１
の突起部をその上に有する部材を具備し、上記部材は、
上記導電性バンプの表面への上記第１の突起部の侵入を
制限するための上記第１の突起部に隣接して設けられた
第２の凹部を有するものである。
【００１６】さらに、この発明は、ペリクル（膜）をス
ペーストランスフォーマに隣接して位置決めする工程と
、上記電気装置を上記ペリクルの下側に位置決めする工
程と、所定の力に耐えるように上記電気装置を支持する
工程と、最終的に加えられる上記所定の力で上記電気装
置を上記スペーストランスフォーマに向かって移動させ
る工程とを具備することによって、上記電気装置上の対
応するコンタクトを有する上記ペリクルの対応する電極
と上記スペーストランスフォーマ上のパッドとの間の電
気的コンタクトがとられる電気装置の試験方法である。
ペーストランスフォーマに隣接して位置決めする工程と
、上記電気装置を上記ペリクルの下側に位置決めする工
程と、所定の力に耐えるように上記電気装置を支持する
工程と、最終的に加えられる上記所定の力で上記電気装
置を上記スペーストランスフォーマに向かって移動させ
る工程とを具備することによって、上記電気装置上の対
応するコンタクトを有する上記ペリクルの対応する電極
と上記スペーストランスフォーマ上のパッドとの間の電
気的コンタクトがとられる電気装置の試験方法である。
【００１７】さらに、この発明は、二次元配列に設けら
れた第１のコンタクトの配列と、所定の力に耐えるよう
に上記第１のコンタクトの配列を支持するための部材、
基板、コネクタまたはハウジングのような第１の手段と
、上面及び下面を有する可撓性の膜と、上記可撓性の膜
に形成され、かつ上記電極のそれぞれの縦軸の方向に上
記上面の上側及び上記下面の下側に延在する電極の配列
と、上記第１のコンタクトの配列と一定の関係で上記所
定の力に耐えるように上記電気装置を支持するための第
２の手段とを具備し、それぞれの上記電極は上記それぞ
れの縦軸方向に第１の所定の長さを有し、上記可撓性の
膜は、局所領域に最小曲率半径を有し、上記電極が独立
して移動可能なように局所領域に上記可撓性の膜の所定
の弾性変形を生じさせるための弾性を有する湾曲した上
面及び下面を形成できる厚さを有し、上記電極の配列の
上記下面は上記第１のコンタクトの配列と電気的にコン
タクトし、電気装置は、二次元配列に配設され、上記所
定の力に耐えるように上記電気装置により支持された第
２のコンタクトの配列を有し、上記電極の配列の上記上
面は上記第２のコンタクトの配列と電気的にコンタクト
している電気装置の相互接続装置を提供する。
れた第１のコンタクトの配列と、所定の力に耐えるよう
に上記第１のコンタクトの配列を支持するための部材、
基板、コネクタまたはハウジングのような第１の手段と
、上面及び下面を有する可撓性の膜と、上記可撓性の膜
に形成され、かつ上記電極のそれぞれの縦軸の方向に上
記上面の上側及び上記下面の下側に延在する電極の配列
と、上記第１のコンタクトの配列と一定の関係で上記所
定の力に耐えるように上記電気装置を支持するための第
２の手段とを具備し、それぞれの上記電極は上記それぞ
れの縦軸方向に第１の所定の長さを有し、上記可撓性の
膜は、局所領域に最小曲率半径を有し、上記電極が独立
して移動可能なように局所領域に上記可撓性の膜の所定
の弾性変形を生じさせるための弾性を有する湾曲した上
面及び下面を形成できる厚さを有し、上記電極の配列の
上記下面は上記第１のコンタクトの配列と電気的にコン
タクトし、電気装置は、二次元配列に配設され、上記所
定の力に耐えるように上記電気装置により支持された第
２のコンタクトの配列を有し、上記電極の配列の上記上
面は上記第２のコンタクトの配列と電気的にコンタクト
している電気装置の相互接続装置を提供する。
【００１８】
【実施例】図面、特に図１及び図２を参照すると、イン
ターフェースペリクル１０がプローブキャリア１１及び
スペーストランスフォーマ１２とともに示されている。 インターフェースペリクル１０は、膜３１及び電極２６
を支持するための膜やシート状の材料である。例えば、
ポリイミド、高分子材料等である。インターフェースペ
リクル１０は、膜３１と同一の材料であってよい。スペ
ーストランスフォーマ１２上のアラインメントピン１３
及び１４は、アラインメントノッチ１３ａ及び１４ａに
よってプローブキャリア１１のアラインメント及びイン
ターフェースペリクル１０のアラインメントを行う役割
を果たす。スペーストランスフォーマ１２は、スペース
トランスフォーマ１２の変形を実質的に生じることなく
インターフェースペリクル１０内の電極２６に力を伝達
するために、機械的剛性がある。
ターフェースペリクル１０がプローブキャリア１１及び
スペーストランスフォーマ１２とともに示されている。 インターフェースペリクル１０は、膜３１及び電極２６
を支持するための膜やシート状の材料である。例えば、
ポリイミド、高分子材料等である。インターフェースペ
リクル１０は、膜３１と同一の材料であってよい。スペ
ーストランスフォーマ１２上のアラインメントピン１３
及び１４は、アラインメントノッチ１３ａ及び１４ａに
よってプローブキャリア１１のアラインメント及びイン
ターフェースペリクル１０のアラインメントを行う役割
を果たす。スペーストランスフォーマ１２は、スペース
トランスフォーマ１２の変形を実質的に生じることなく
インターフェースペリクル１０内の電極２６に力を伝達
するために、機械的剛性がある。
【００１９】スペーストランスフォーマ１２は、パッケ
ージ、チップまたはウエーハの上の対応するコンタクト
を１個単位で合わせるために、その上に電気的コンタク
ト１８を高密度に有する突起部または台地１７を有する
。電気的コンタクト１８は、スペーストランスフォーマ
１２を介して電気的コンタクト１８からの導電性金属に
よって試験装置へ電気接続するために、間隔をあけてス
ペーストランスフォーマ１２の上面１９と接続されてい
る。
ージ、チップまたはウエーハの上の対応するコンタクト
を１個単位で合わせるために、その上に電気的コンタク
ト１８を高密度に有する突起部または台地１７を有する
。電気的コンタクト１８は、スペーストランスフォーマ
１２を介して電気的コンタクト１８からの導電性金属に
よって試験装置へ電気接続するために、間隔をあけてス
ペーストランスフォーマ１２の上面１９と接続されてい
る。
【００２０】スペーストランスフォーマ１２はまた、プ
ローブキャリア１１を所定の場所に支持する役割を果た
す真空供給孔２０及び２１を有する。プローブキャリア
１１は開口２４を有し、この開口２４を通して台地１７
を貫通させるとともに、プローブキャリア１１がスペー
ストランスフォーマ１２の下面２５に対して座位するこ
とを可能としている。プローブキャリア１１は、インタ
ーフェースペリクル１０のためのマウンティング及びハ
ンドリング固定具として働く。
ローブキャリア１１を所定の場所に支持する役割を果た
す真空供給孔２０及び２１を有する。プローブキャリア
１１は開口２４を有し、この開口２４を通して台地１７
を貫通させるとともに、プローブキャリア１１がスペー
ストランスフォーマ１２の下面２５に対して座位するこ
とを可能としている。プローブキャリア１１は、インタ
ーフェースペリクル１０のためのマウンティング及びハ
ンドリング固定具として働く。
【００２１】インターフェースペリクル１０は、プロー
ブキャリア１１の穴１５及び１６と位置合わせされた穴
２８及び２９を有するプローブキャリア１１にあらかじ
め組み立てられる。アラインメント後に、インターフェ
ースペリクル１０及びプローブキャリア１１は、接着剤
の薄膜２２により、またはそれらを一緒に溶かすことに
より、互いに結合される。インターフェースペリクル１
０は、プローブキャリア１１のアラインメントノッチ１
３ａ及び１４ａとアラインメントピン１３及び１４とに
よって、電気的コンタクト１８の配列と位置合わせされ
た上面２７の上の電極２６を有する台地１７の上に位置
決めされる。電極は、好ましくは、銅を含む。ペリクル
１０の下面３０は、この下面３０を通して延在し、かつ
例えばＣ４バンプとの電気的コンタクトのために所定の
形状とされた電極２６の下端を有する。Ｃ４バンプは、
ＩＢＭコーポレイションにより半導体ウエーハ上に製造
され、周知の技術である。好ましくは、はんだを含む。 インターフェースペリクル１０は、少なくとも電極２６
の領域に膜３１を含み、電極２６の製造を可能とするた
めのヴァイアがあるかまたはヴァイアがない開口をその
中に有する。具体的には、可撓性の膜の上面及び下面の
一方の上にある銅層から、膜の開口部を通じて銅を電気
めっきし、これを選択的にエッチングして形成する。
ブキャリア１１の穴１５及び１６と位置合わせされた穴
２８及び２９を有するプローブキャリア１１にあらかじ
め組み立てられる。アラインメント後に、インターフェ
ースペリクル１０及びプローブキャリア１１は、接着剤
の薄膜２２により、またはそれらを一緒に溶かすことに
より、互いに結合される。インターフェースペリクル１
０は、プローブキャリア１１のアラインメントノッチ１
３ａ及び１４ａとアラインメントピン１３及び１４とに
よって、電気的コンタクト１８の配列と位置合わせされ
た上面２７の上の電極２６を有する台地１７の上に位置
決めされる。電極は、好ましくは、銅を含む。ペリクル
１０の下面３０は、この下面３０を通して延在し、かつ
例えばＣ４バンプとの電気的コンタクトのために所定の
形状とされた電極２６の下端を有する。Ｃ４バンプは、
ＩＢＭコーポレイションにより半導体ウエーハ上に製造
され、周知の技術である。好ましくは、はんだを含む。 インターフェースペリクル１０は、少なくとも電極２６
の領域に膜３１を含み、電極２６の製造を可能とするた
めのヴァイアがあるかまたはヴァイアがない開口をその
中に有する。具体的には、可撓性の膜の上面及び下面の
一方の上にある銅層から、膜の開口部を通じて銅を電気
めっきし、これを選択的にエッチングして形成する。
【００２２】膜３１は可撓性であり、隣接する電極２６
の移動と独立して各電極２６は移動、振動または回転で
きる。各電極２６の近傍の局所領域に最小曲率半径を有
する湾曲した上面及び対応する下面を時々形成するため
に、膜厚を選択することによって膜３１の可撓性を得る
。さらに、電極２６が限定された水平方向の変位で回転
及び移動する時、各電極２６の近傍の局所領域に所定の
弾性変形が生じるように、膜３１は選択された弾性を有
する。
の移動と独立して各電極２６は移動、振動または回転で
きる。各電極２６の近傍の局所領域に最小曲率半径を有
する湾曲した上面及び対応する下面を時々形成するため
に、膜厚を選択することによって膜３１の可撓性を得る
。さらに、電極２６が限定された水平方向の変位で回転
及び移動する時、各電極２６の近傍の局所領域に所定の
弾性変形が生じるように、膜３１は選択された弾性を有
する。
【００２３】図３を参照すると、インターフェースペリ
クル１０及びその電極２６の配列がスペーストランスフ
ォーマ１２の電極１８のパッド３５と半導体ウエーハ３
７上のＣ４バンプ３６との間にコンタクトしているのが
示されている。
クル１０及びその電極２６の配列がスペーストランスフ
ォーマ１２の電極１８のパッド３５と半導体ウエーハ３
７上のＣ４バンプ３６との間にコンタクトしているのが
示されている。
【００２４】ウエーハ３７は、ウエーハ及びウエーハ上
の試験すべき回路の位置を示すために、電気的コンタク
トの前にｘ及びｙ方向に移動可能な台３８によって支持
されている。ウエーハ３７は、電気的に接続したり切断
したりするためにｚ方向に移動される。
の試験すべき回路の位置を示すために、電気的コンタク
トの前にｘ及びｙ方向に移動可能な台３８によって支持
されている。ウエーハ３７は、電気的に接続したり切断
したりするためにｚ方向に移動される。
【００２５】電極２６は、膜３１を貫通する場所でこの
電極２６の中心を通る縦軸４０を有する。電極２６の長
さは、互いに実質的に同一であり、図３の矢印４１で示
される縦軸４０の方向で測定される。
電極２６の中心を通る縦軸４０を有する。電極２６の長
さは、互いに実質的に同一であり、図３の矢印４１で示
される縦軸４０の方向で測定される。
【００２６】図３の矢印４２は、圧力または力が電極２
６の端に確実に加わるようにするために、電気的試験ま
たは使用時に、コンタクト１８またはパッド３５とＣ４
バンプ３６との間の距離が矢印４１で示される電極２６
の長さよりも小さいことを示している。この圧力または
力により、Ｃ４バンプ３６に矢印４３で示される距離だ
け侵入が起こり、以前のＣ４バンプの表面の下側に酸化
物のない新たな清浄表面が貫通形成される。電極２６の
長さは、矢印４２及び４３によって示される距離の和に
等しい。インターフェースペリクル１０上の電極２６は
、長さ０．０６３５ｍｍ、直径０．０５１ｍｍ、中心間
距離０．１０２ｍｍ、自己インダクタンス４０ｐＨ以下
及び全抵抗１ｍΩ以下を有する。
６の端に確実に加わるようにするために、電気的試験ま
たは使用時に、コンタクト１８またはパッド３５とＣ４
バンプ３６との間の距離が矢印４１で示される電極２６
の長さよりも小さいことを示している。この圧力または
力により、Ｃ４バンプ３６に矢印４３で示される距離だ
け侵入が起こり、以前のＣ４バンプの表面の下側に酸化
物のない新たな清浄表面が貫通形成される。電極２６の
長さは、矢印４２及び４３によって示される距離の和に
等しい。インターフェースペリクル１０上の電極２６は
、長さ０．０６３５ｍｍ、直径０．０５１ｍｍ、中心間
距離０．１０２ｍｍ、自己インダクタンス４０ｐＨ以下
及び全抵抗１ｍΩ以下を有する。
【００２７】図４は、パッド１８とＣ４バンプ３６との
間の矢印４４によって示される間隔または距離を図３の
矢印４２で示される距離に減少させることによって各電
極２６に力を加える前に、スペーストランスフォーマ１
２上のパッド１８とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６と
の間に位置決めされたインターフェースペリクル１０及
び電極２６の拡大図である。図４において、膜３１は、
スペーストランスフォーマ１０によって電極２６に圧力
または力が加えられる前は、その上面２７及びその下面
３０は実質的に平坦である。図４に示すように、膜３１
は、上面２７及び下面３０を横切り、かつ実質的に直交
する軸４０を有する電極２６を支持している。
間の矢印４４によって示される間隔または距離を図３の
矢印４２で示される距離に減少させることによって各電
極２６に力を加える前に、スペーストランスフォーマ１
２上のパッド１８とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６と
の間に位置決めされたインターフェースペリクル１０及
び電極２６の拡大図である。図４において、膜３１は、
スペーストランスフォーマ１０によって電極２６に圧力
または力が加えられる前は、その上面２７及びその下面
３０は実質的に平坦である。図４に示すように、膜３１
は、上面２７及び下面３０を横切り、かつ実質的に直交
する軸４０を有する電極２６を支持している。
【００２８】図５は、電極２６をバンプ３６に侵入させ
るために加えられる力でスペーストランスフォーマ１２
上のパッド１８とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との
間に電気的コンタクトがとられている電極２６の拡大図
である。図５に示すように、軸４０´は、バンプ３６の
軸４６と同一直線上にはなく、従って軸４０で示される
電極２６の僅かな回転が生じる。軸４０´は、バンプ３
６とコンタクトする前の軸４０の軸位置である。電極２
６の回転量、従って軸４０に関する軸４０´の回転量は
矢印４７で示され、これは例えば５°であり、１５°も
しくはそれ以下である。アラインメントのミスは、設計
レイアウト及び余裕に依存して決まり、または不注意に
より生じる。軸４０´と軸４６との間の距離は、電極２
６を回転させるためにコンタクトした時にトルクを与え
る。トルクの大きさは、電極２６とバンプ３６との間の
コンタクト点及び加えられる力に依存する。電極２６は
、図５においては、膜３１への途中の電極２６の中心の
周りに回転すると仮定されている。電極２６は、膜３１
が矢印３２で示されている厚さｔを有していて可撓性で
あるので、回転可能である。電極２６の回転時には、膜
３１は、図５の点３４の周りの矢印３３で示されている
局所領域に最小曲率半径ｒを有する湾曲した上面及び下
面を有する。膜３１は、電極２６が独立して移動または
回転可能とするために、湾曲面に対して局所領域に膜３
１の所定の弾性変形を生じさせるための弾性を有する。
るために加えられる力でスペーストランスフォーマ１２
上のパッド１８とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との
間に電気的コンタクトがとられている電極２６の拡大図
である。図５に示すように、軸４０´は、バンプ３６の
軸４６と同一直線上にはなく、従って軸４０で示される
電極２６の僅かな回転が生じる。軸４０´は、バンプ３
６とコンタクトする前の軸４０の軸位置である。電極２
６の回転量、従って軸４０に関する軸４０´の回転量は
矢印４７で示され、これは例えば５°であり、１５°も
しくはそれ以下である。アラインメントのミスは、設計
レイアウト及び余裕に依存して決まり、または不注意に
より生じる。軸４０´と軸４６との間の距離は、電極２
６を回転させるためにコンタクトした時にトルクを与え
る。トルクの大きさは、電極２６とバンプ３６との間の
コンタクト点及び加えられる力に依存する。電極２６は
、図５においては、膜３１への途中の電極２６の中心の
周りに回転すると仮定されている。電極２６は、膜３１
が矢印３２で示されている厚さｔを有していて可撓性で
あるので、回転可能である。電極２６の回転時には、膜
３１は、図５の点３４の周りの矢印３３で示されている
局所領域に最小曲率半径ｒを有する湾曲した上面及び下
面を有する。膜３１は、電極２６が独立して移動または
回転可能とするために、湾曲面に対して局所領域に膜３
１の所定の弾性変形を生じさせるための弾性を有する。
【００２９】図６はインターフェースペリクル１０の上
面を上側から見た電極２６の図である。図６において、
電極２６は、断面が丸または円であり、軸４０に関して
対称であり、矢印４８で示される直径を有する。上面２
７の上の電極２６の高さは、中心間距離が約０．２２９
ｍｍのコンタクトの場合には、約０．０２５〜０．０７
５ｍｍの範囲にある。
面を上側から見た電極２６の図である。図６において、
電極２６は、断面が丸または円であり、軸４０に関して
対称であり、矢印４８で示される直径を有する。上面２
７の上の電極２６の高さは、中心間距離が約０．２２９
ｍｍのコンタクトの場合には、約０．０２５〜０．０７
５ｍｍの範囲にある。
【００３０】図７は、インターフェースペリクル１０の
下面を下側から見た電極２６の図である。図７において
、電極２６は、ワッフル焼き器あるいは菓子焼き盤と同
様に、その上に突起状平坦部５１及び５６を有する長方
形の形状である。電極２６の突起状の長方形または正方
形の中心部５１は、電極２６の軸４０に中心を有する。 下面３０の下側の電極２６は、矢印４９で示される幅と
矢印５０で示される長さとを有する。下面３０の下側の
電極２６の高さは、中心間距離が約０．２２９ｍｍの場
合、約０．０５０〜０．０１０ｍｍの範囲にある。中心
部５１は、矢印５２で示される幅と矢印５３で示される
長さとを有する。電極の高さは、電極の中心間距離に応
じて決められる。
下面を下側から見た電極２６の図である。図７において
、電極２６は、ワッフル焼き器あるいは菓子焼き盤と同
様に、その上に突起状平坦部５１及び５６を有する長方
形の形状である。電極２６の突起状の長方形または正方
形の中心部５１は、電極２６の軸４０に中心を有する。 下面３０の下側の電極２６は、矢印４９で示される幅と
矢印５０で示される長さとを有する。下面３０の下側の
電極２６の高さは、中心間距離が約０．２２９ｍｍの場
合、約０．０５０〜０．０１０ｍｍの範囲にある。中心
部５１は、矢印５２で示される幅と矢印５３で示される
長さとを有する。電極の高さは、電極の中心間距離に応
じて決められる。
【００３１】図８は、インターフェースペリクル１０の
上面を上側から斜めに見た図６の一部分の拡大図である
。図８は、その一端が剛性のスペーストランスフォーマ
の平坦なパットとの相互接続のために丸くなっている電
極２６を示す。図８においては、上面２７の上の電極２
６の高さは約０．０５０ｍｍである。
上面を上側から斜めに見た図６の一部分の拡大図である
。図８は、その一端が剛性のスペーストランスフォーマ
の平坦なパットとの相互接続のために丸くなっている電
極２６を示す。図８においては、上面２７の上の電極２
６の高さは約０．０５０ｍｍである。
【００３２】図９は、インターフェースペリクル１０の
下面３０の下側から斜めに見た図７の一部分の拡大図で
ある。図９は、上面３０の上から矢印５７で示される凹
面までの高さ約０．０２５ｍｍを有する電極２６を示す
。 その上面６０までの突起部５６の高さは、凹面５９に関
して矢印５８で示されるように０．０１２５ｍｍである
。
下面３０の下側から斜めに見た図７の一部分の拡大図で
ある。図９は、上面３０の上から矢印５７で示される凹
面までの高さ約０．０２５ｍｍを有する電極２６を示す
。 その上面６０までの突起部５６の高さは、凹面５９に関
して矢印５８で示されるように０．０１２５ｍｍである
。
【００３３】図１０は、ペリクル６２の下面６１から見
た電極６０の配列の図であり、第２の実施例である。ペ
リクル６２は、ペリクル１０と同一の材料及び厚さであ
る。電極６０は、周辺部に突起部６３〜６６を有し、各
電極６０の中心に突起部６７を有する。突起部６３〜６
６と突起部６７との間のスペースは、その端部において
突起部６３〜６７の側壁に向かって丸まった凹面６８で
ある。突起部６３〜６７は、平坦でかつ凹面６８に向か
って傾斜したその端部に鋭い角を有する上面を有する。
た電極６０の配列の図であり、第２の実施例である。ペ
リクル６２は、ペリクル１０と同一の材料及び厚さであ
る。電極６０は、周辺部に突起部６３〜６６を有し、各
電極６０の中心に突起部６７を有する。突起部６３〜６
６と突起部６７との間のスペースは、その端部において
突起部６３〜６７の側壁に向かって丸まった凹面６８で
ある。突起部６３〜６７は、平坦でかつ凹面６８に向か
って傾斜したその端部に鋭い角を有する上面を有する。
【００３４】図１１は、ペリクル７４の下面７３から見
た電極７２の配列の図であり、第３の実施例である。ペ
リクル７４は、ペリクル１０と同一の材料及び厚さを有
する。電極７２は、一方の側の中心から他方の側の中心
にかけて、電極７２の周辺部の周りに及び電極７２の中
心を横切って延在する突起部７５を有する。電極７２は
、この電極７２に構造的な強度を与える連続した突起部
７５によって囲まれた等しい大きさを有する四つの凹面
７６〜７９を有する。電極７２は、電気的試験の後にＣ
４バンプを再成形するためのはんだリフローの間の空隙
の形成を防ぐためのＣ４バンプにおける深い分離した窪
みの形成を防ぐための形状を有する。
た電極７２の配列の図であり、第３の実施例である。ペ
リクル７４は、ペリクル１０と同一の材料及び厚さを有
する。電極７２は、一方の側の中心から他方の側の中心
にかけて、電極７２の周辺部の周りに及び電極７２の中
心を横切って延在する突起部７５を有する。電極７２は
、この電極７２に構造的な強度を与える連続した突起部
７５によって囲まれた等しい大きさを有する四つの凹面
７６〜７９を有する。電極７２は、電気的試験の後にＣ
４バンプを再成形するためのはんだリフローの間の空隙
の形成を防ぐためのＣ４バンプにおける深い分離した窪
みの形成を防ぐための形状を有する。
【００３５】図１２は、ペリクル８３の下面８４に固着
された電極の配列に使用されるに好適な電極８２の平面
図であり、第４の実施例である。ペリクル８３の上面８
５は、図６及び図８に示されている電極２６と同様な端
部を有する電極８２を有する。電極８２は、周辺部の周
囲及び突起部８７と突起部８８との間に凹面８６を有す
る。突起部８７は、矢印８９で示されている一様な幅を
有する長方形を形成している。突起部８８は、電極８２
の中心に正方形を形成し、その辺は突起部８７の辺と平
行である。突起部８８は、矢印９０で示される幅を有す
る。
された電極の配列に使用されるに好適な電極８２の平面
図であり、第４の実施例である。ペリクル８３の上面８
５は、図６及び図８に示されている電極２６と同様な端
部を有する電極８２を有する。電極８２は、周辺部の周
囲及び突起部８７と突起部８８との間に凹面８６を有す
る。突起部８７は、矢印８９で示されている一様な幅を
有する長方形を形成している。突起部８８は、電極８２
の中心に正方形を形成し、その辺は突起部８７の辺と平
行である。突起部８８は、矢印９０で示される幅を有す
る。
【００３６】図１３は、ペリクル９３の下面９４に固着
された電極の配列に使用されるに好適な電極９２の平面
図であり、第５の実施例である。ペリクル９３の上面９
５は、図６及び図８に示されている電極２６と同様な端
部を有する電極９２を有する。電極９２は、プラスの記
号、すなわちその中心で直交し、矢印８０で示される等
しい長さ及び等しい幅を有する二つの長さの突起部７８
及び７９を形成する突起部７７を有する凹面９６を有す
る。
された電極の配列に使用されるに好適な電極９２の平面
図であり、第５の実施例である。ペリクル９３の上面９
５は、図６及び図８に示されている電極２６と同様な端
部を有する電極９２を有する。電極９２は、プラスの記
号、すなわちその中心で直交し、矢印８０で示される等
しい長さ及び等しい幅を有する二つの長さの突起部７８
及び７９を形成する突起部７７を有する凹面９６を有す
る。
【００３７】図１４は、ペリクル１０３の下面１０４に
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１０２
の平面図であり、第６の実施例である。ペリクル１０３
の上面１０５は、図６及び図８に示されている電極２６
と同様な端部を有する電極１０２を有する。電極１０２
は、矢印１１０で示される一様な長さを有し、それぞれ
が凹面１０６の端部１１１まで延在しないような長さを
有する互いに平行に配置された三つの突起部１０７〜１
０９をその上に有する凹面１０６を有する。
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１０２
の平面図であり、第６の実施例である。ペリクル１０３
の上面１０５は、図６及び図８に示されている電極２６
と同様な端部を有する電極１０２を有する。電極１０２
は、矢印１１０で示される一様な長さを有し、それぞれ
が凹面１０６の端部１１１まで延在しないような長さを
有する互いに平行に配置された三つの突起部１０７〜１
０９をその上に有する凹面１０６を有する。
【００３８】図１５は、ペリクル１１３の下面１１４に
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１１２
の平面図であり、第７の実施例である。ペリクル１１３
の上面１１５は、図６及び図８に示されている電極２６
と同様な端部を有する電極１１２を有する。電極１１２
は、二つの突起部１１７及び１１８をその上に有する凹
面１１６を有する。突起部１１７は、矢印１１９で示さ
れる一様な幅を有する円形のリングである。突起部１１
８は、中心に位置した矢印１２０で示される直径を有し
、突起部１１７と同心の円である。凹面１１６は、突起
部１１７及び１１８の間でかつ電極１１２の周辺部の周
りの突起部１１８の外側にある。
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１１２
の平面図であり、第７の実施例である。ペリクル１１３
の上面１１５は、図６及び図８に示されている電極２６
と同様な端部を有する電極１１２を有する。電極１１２
は、二つの突起部１１７及び１１８をその上に有する凹
面１１６を有する。突起部１１７は、矢印１１９で示さ
れる一様な幅を有する円形のリングである。突起部１１
８は、中心に位置した矢印１２０で示される直径を有し
、突起部１１７と同心の円である。凹面１１６は、突起
部１１７及び１１８の間でかつ電極１１２の周辺部の周
りの突起部１１８の外側にある。
【００３９】図１６は、ペリクル１２３の下面１２４に
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１２２
及び１２３の平面図であり、第８の実施例である。ペリ
クル１２３の上面１２５は、図６及び図８に示されてい
る電極２６と同様な端部を有する電極１２２及び１３２
を有する。電極１２２は、それぞれが例えば正方形のよ
うな矩形の形状を有する五つの突起部１２７を有する凹
面１２６を有する。電極１３２は、それぞれが例えば正
方形のような矩形の形状を有する五つの突起部１３７を
有する凹面１３６を有する。電極１２２及び１３２は、
これらの電極１２２及び１３２が凹面１２６及び１３６
と同一の高さを有するストラップまたはバー１３８によ
って互いに電気的に接続されていることを除いて、図７
に示されている電極２６と同様な大きさである。ストラ
ップ１３８は、電極１２２及び１３２の間に低インダク
タンス及び低抵抗の通路を形成する。
固着された電極の配列に使用されるに好適な電極１２２
及び１２３の平面図であり、第８の実施例である。ペリ
クル１２３の上面１２５は、図６及び図８に示されてい
る電極２６と同様な端部を有する電極１２２及び１３２
を有する。電極１２２は、それぞれが例えば正方形のよ
うな矩形の形状を有する五つの突起部１２７を有する凹
面１２６を有する。電極１３２は、それぞれが例えば正
方形のような矩形の形状を有する五つの突起部１３７を
有する凹面１３６を有する。電極１２２及び１３２は、
これらの電極１２２及び１３２が凹面１２６及び１３６
と同一の高さを有するストラップまたはバー１３８によ
って互いに電気的に接続されていることを除いて、図７
に示されている電極２６と同様な大きさである。ストラ
ップ１３８は、電極１２２及び１３２の間に低インダク
タンス及び低抵抗の通路を形成する。
【００４０】図１７及び図１８は、コンタクト抵抗対コ
ンタクト数の分布のグラフである。コンタクト抵抗の測
定のために、２７行及び２７列に一様に配設された７２
９個のＣ４バンプの面状配列を有する半導体チップが製
造される。チップ当たり５０個のコンタクトの抵抗を測
定するために使用される５０個の電極を有するインター
フェースペリクルが製造される。インターフェースペリ
クルの５０個の電極は、７２９個のＣ４バンプの面状配
列にわたって一様に分布される。図１７においては、８
０個のチップが５０個の電極を有するインターフェース
ペリクルによって順次接続され、測定されるコンタクト
の数は合計で４０００個となる。図１８においては、７
０個のチップが５０個の電極を有するインターフェース
ペリクルによって順次接続され、測定されるコンタクト
の数は合計で３５００個となる。図１７及び図１８にお
いては、縦軸はコンタクト数を表し、横軸はオームを単
位とした抵抗である。図１７及び図１８においては、図
５、図７及び図９に示すような形状を有する電極でＣ４
バンプとの相互接続が行われる。図１７においては、相
互接続抵抗の測定は、２５℃でＣ４バンプ当たり２０グ
ラム印加して行われた。図１８においては、相互接続抵
抗の測定は、８５℃でＣ４バンプ当たり１５グラム印加
して行われた。図１７の曲線１４０及び図１８の曲線１
４１は、コンタクト抵抗対コンタクト数の分布を示す。 図１７及び図１８においては、ケーブル長による数オー
ム程度の大きな固定抵抗が、各コンタクト抵抗測定から
差し引かれる。測定誤差により、図１７及び図１８に示
されている幾つかの抵抗は、図１７及び図１８における
抵抗が実際には正である時に、負であると示される。
ンタクト数の分布のグラフである。コンタクト抵抗の測
定のために、２７行及び２７列に一様に配設された７２
９個のＣ４バンプの面状配列を有する半導体チップが製
造される。チップ当たり５０個のコンタクトの抵抗を測
定するために使用される５０個の電極を有するインター
フェースペリクルが製造される。インターフェースペリ
クルの５０個の電極は、７２９個のＣ４バンプの面状配
列にわたって一様に分布される。図１７においては、８
０個のチップが５０個の電極を有するインターフェース
ペリクルによって順次接続され、測定されるコンタクト
の数は合計で４０００個となる。図１８においては、７
０個のチップが５０個の電極を有するインターフェース
ペリクルによって順次接続され、測定されるコンタクト
の数は合計で３５００個となる。図１７及び図１８にお
いては、縦軸はコンタクト数を表し、横軸はオームを単
位とした抵抗である。図１７及び図１８においては、図
５、図７及び図９に示すような形状を有する電極でＣ４
バンプとの相互接続が行われる。図１７においては、相
互接続抵抗の測定は、２５℃でＣ４バンプ当たり２０グ
ラム印加して行われた。図１８においては、相互接続抵
抗の測定は、８５℃でＣ４バンプ当たり１５グラム印加
して行われた。図１７の曲線１４０及び図１８の曲線１
４１は、コンタクト抵抗対コンタクト数の分布を示す。 図１７及び図１８においては、ケーブル長による数オー
ム程度の大きな固定抵抗が、各コンタクト抵抗測定から
差し引かれる。測定誤差により、図１７及び図１８に示
されている幾つかの抵抗は、図１７及び図１８における
抵抗が実際には正である時に、負であると示される。
【００４１】図１９はプロービング前のウエーハ３７上
のＣ４バンプ３６の図である。図２０は、プロービング
後の図７及び図９に示すような電極２６の配列を有する
ウエーハ３７上のＣ４バンプ３６の図である。
のＣ４バンプ３６の図である。図２０は、プロービング
後の図７及び図９に示すような電極２６の配列を有する
ウエーハ３７上のＣ４バンプ３６の図である。
【００４２】図２１及び図２２は、図２０に示されてい
るＣ４バンプ２６のうちの２つの拡大図である。図２１
及び図２２においては、押されてくぼんだ領域１４６〜
１４９は、電極２６の突起部５１及び５６の侵入による
ものである。突起部５１及び５６の侵入は、電極２６の
凹面５９に対して押圧された面１５０及び１５１によっ
て制限される。
るＣ４バンプ２６のうちの２つの拡大図である。図２１
及び図２２においては、押されてくぼんだ領域１４６〜
１４９は、電極２６の突起部５１及び５６の侵入による
ものである。突起部５１及び５６の侵入は、電極２６の
凹面５９に対して押圧された面１５０及び１５１によっ
て制限される。
【００４３】突起部５１及び５６の侵入により、面６０
、１５０及び１５１と領域５９及び１４６〜１４９との
間にそれぞれ側壁１５４〜１５７が形成される。側壁１
５４〜１５７は、新しく、清浄であり、突起部の移動に
よる小さなリッジ１５８を示している。このリッジ１５
８は、突起部がＣ４バンプ３６に侵入した時に電極２６
が少し振動または回転されることを示す。
、１５０及び１５１と領域５９及び１４６〜１４９との
間にそれぞれ側壁１５４〜１５７が形成される。側壁１
５４〜１５７は、新しく、清浄であり、突起部の移動に
よる小さなリッジ１５８を示している。このリッジ１５
８は、突起部がＣ４バンプ３６に侵入した時に電極２６
が少し振動または回転されることを示す。
【００４４】図２３は、ペリクルまたは膜１６１の上の
電極１６０の断面図を示す。これは本発明の第９の実施
例である。ここでは、電極１６０は、電流が過剰となっ
た時、例えばショートした時にヒューズとして機能する
電流検出素子１６２を有する。電流検出素子１６２は、
電極が過剰な電流により所定の温度を超えた時に電極を
切断または分離するために、長さ方向を横切って横断面
に沿って電極内部に低融点金属の層を被着することによ
って製造される。低融点金属は、銅、インジウム及び金
から成る群より選択される。白金、パラジウム及びニッ
ケルは、単独でまたは上述の低融点金属とともに使用さ
れうる他の金属の例である。
電極１６０の断面図を示す。これは本発明の第９の実施
例である。ここでは、電極１６０は、電流が過剰となっ
た時、例えばショートした時にヒューズとして機能する
電流検出素子１６２を有する。電流検出素子１６２は、
電極が過剰な電流により所定の温度を超えた時に電極を
切断または分離するために、長さ方向を横切って横断面
に沿って電極内部に低融点金属の層を被着することによ
って製造される。低融点金属は、銅、インジウム及び金
から成る群より選択される。白金、パラジウム及びニッ
ケルは、単独でまたは上述の低融点金属とともに使用さ
れうる他の金属の例である。
【００４５】図２４は、膜１６７の上の電極１６６の断
面図を示す。ここでは、電極１６６は、電流が過剰とな
った時、例えばショートした時にヒューズとして機能す
る電流検出素子１６６を有する。電流検出素子１６８は
、ある長さの導電材料１６９であり、電流が過剰となっ
て所定値以上に温度が上昇した時に溶融または蒸発によ
って導電通路を開放する。
面図を示す。ここでは、電極１６６は、電流が過剰とな
った時、例えばショートした時にヒューズとして機能す
る電流検出素子１６６を有する。電流検出素子１６８は
、ある長さの導電材料１６９であり、電流が過剰となっ
て所定値以上に温度が上昇した時に溶融または蒸発によ
って導電通路を開放する。
【００４６】図２４に示すように、電極１６６の端部は
、他のものから所定距離だけオフセットしている。この
オフセットはまた、圧力または力が加えられてコンタク
ト面がこすられた時に電極１６６が少し回転するのを可
能とする。電極１６６の上側コンタクトは、その中心を
通る、膜１６７と直角または直交する軸１７０を有する
。電極１６６の下側のコンタクトは、膜１６７と直角ま
たは直交する軸１７１を有する。軸１７０と軸１７１と
の間のオフセット距離は矢印１７２で示されている。
、他のものから所定距離だけオフセットしている。この
オフセットはまた、圧力または力が加えられてコンタク
ト面がこすられた時に電極１６６が少し回転するのを可
能とする。電極１６６の上側コンタクトは、その中心を
通る、膜１６７と直角または直交する軸１７０を有する
。電極１６６の下側のコンタクトは、膜１６７と直角ま
たは直交する軸１７１を有する。軸１７０と軸１７１と
の間のオフセット距離は矢印１７２で示されている。
【００４７】図２５は、ある厚さとＣ４バンプ３６が貫
通し、電極２６とのコンタクトを可能とするための開口
１８１とを有するアラインメントシート１８０が付加さ
れていることを除いて、図４と同様である。矢印１８２
で示される開口１８１は、矢印１８３で示されるＣ４バ
ンプ３６の直径よりも大きいが、隣接するＣ４バンプと
のショートを防止するために、バーンイン等における温
度において軟化し、その変形したＣ４バンプ３６の辺を
支持する程度小さい。Ｃ４バンプの直径は、矢印１８３
で示されるように約０．１２５ｍｍである。
通し、電極２６とのコンタクトを可能とするための開口
１８１とを有するアラインメントシート１８０が付加さ
れていることを除いて、図４と同様である。矢印１８２
で示される開口１８１は、矢印１８３で示されるＣ４バ
ンプ３６の直径よりも大きいが、隣接するＣ４バンプと
のショートを防止するために、バーンイン等における温
度において軟化し、その変形したＣ４バンプ３６の辺を
支持する程度小さい。Ｃ４バンプの直径は、矢印１８３
で示されるように約０．１２５ｍｍである。
【００４８】図２５は、アラインメントシート１８０の
下にウエーハ３７がある構造を示す。代わりに、図２５
の上下を逆にし、インターフェースペリクル１０の上に
アラインメントシート１８０を設けて示すこともできる
。ウエーハ３７またはチップは、アラインメントシート
１８０上に、チップテンプレートのようなものによる大
まかなアラインメントで配設または位置決めされ、アラ
インメントシート１８０に対応する開口１８１を有する
Ｃ４バンプをアラインメントするために振動される。 アラインメントした時、ウエーハ３７をアラインメント
シート１８０に向かって下ろすと、Ｃ４バンプは対応す
る開口を通過する。ここで、プラットフォート３８が、
ウエーハ３７をスペーストランスフォーマ１２に向かっ
て移動させると、ペリクル１０を介して電気的相互接続
が行われる。アラインメントシート１８０はまた、重力
の方向に依存してウエーハ３７からまたはその逆の方向
に落下する汚れた他の粒子からインターフェースペリク
ル３７を保護する。図６〜図９に示されている電極２６
の一つの特徴は、第１の場所におけるプロービングによ
るＣ４バンプから粒子の生成を防止するための形状を与
えることである。電極２６は、金、銀、パラジウム、白
金、ロジウム、クロム、鉛、錫、銅、ニッケル及びそれ
らの合金を含む。Ｃ４バンプは、大部分は鉛と錫とから
成り、厚さが数百Åの酸化物層をその上に有する。チッ
プ及びウエーハ３７の連続試験の間に特定の位置または
ランダムな位置に、金属及び酸化物の破片が生成、運搬
及び蓄積される。試験後には、アラインメントシート１
８０の上にチップまたはウエーハ３７を持ち上げて取り
はずす。アラインメントシート１８０は、定期的に破片
のクリーニングが行われる。
下にウエーハ３７がある構造を示す。代わりに、図２５
の上下を逆にし、インターフェースペリクル１０の上に
アラインメントシート１８０を設けて示すこともできる
。ウエーハ３７またはチップは、アラインメントシート
１８０上に、チップテンプレートのようなものによる大
まかなアラインメントで配設または位置決めされ、アラ
インメントシート１８０に対応する開口１８１を有する
Ｃ４バンプをアラインメントするために振動される。 アラインメントした時、ウエーハ３７をアラインメント
シート１８０に向かって下ろすと、Ｃ４バンプは対応す
る開口を通過する。ここで、プラットフォート３８が、
ウエーハ３７をスペーストランスフォーマ１２に向かっ
て移動させると、ペリクル１０を介して電気的相互接続
が行われる。アラインメントシート１８０はまた、重力
の方向に依存してウエーハ３７からまたはその逆の方向
に落下する汚れた他の粒子からインターフェースペリク
ル３７を保護する。図６〜図９に示されている電極２６
の一つの特徴は、第１の場所におけるプロービングによ
るＣ４バンプから粒子の生成を防止するための形状を与
えることである。電極２６は、金、銀、パラジウム、白
金、ロジウム、クロム、鉛、錫、銅、ニッケル及びそれ
らの合金を含む。Ｃ４バンプは、大部分は鉛と錫とから
成り、厚さが数百Åの酸化物層をその上に有する。チッ
プ及びウエーハ３７の連続試験の間に特定の位置または
ランダムな位置に、金属及び酸化物の破片が生成、運搬
及び蓄積される。試験後には、アラインメントシート１
８０の上にチップまたはウエーハ３７を持ち上げて取り
はずす。アラインメントシート１８０は、定期的に破片
のクリーニングが行われる。
【００４９】図２６は、パッド３５とＣ４バンプ３６と
の間の矢印２４４で示される距離を減少させるように力
を加える前の、スペーストランスフォーマ１２上のパッ
ド３５とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に設け
られた二つの積層されたインターフェースペリクル１０
及び２１０の拡大図であり、第１２の実施例である。図
２６においては、同様な符号は図３及び図４に示されて
いるものと同一の機能または装置に対応する。ペリクル
２１０は、膜２３０、下面２３１及び上面２２７を有す
る。コンタクト２２６は、膜３０の上面２７の上のコン
タクト２６との最適な電気的接続のための形状を有する
。例えば、コンタクト２２６は、コンタクト２６を正方
向に座位及びアラインメントし、コンタクト２６と大面
積で非貫通コンタクトさせるために、球状の凹面を有す
る形状である。コンタクト２２６は、ペリクル２１０上
には示されていない他のコンタクトと相互接続される。 従って、ペリクル２２６とそこに挿入された他の置換ペ
リクルとによって、異なる試験相互接続が行われる。例
えば、アース接続、信号接続及び電源接続は、異なるペ
リクル２２６間で変化される。膜２３０は、膜３０と同
一の材料か、または可撓性が小さな、より固い材料から
成る。
の間の矢印２４４で示される距離を減少させるように力
を加える前の、スペーストランスフォーマ１２上のパッ
ド３５とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に設け
られた二つの積層されたインターフェースペリクル１０
及び２１０の拡大図であり、第１２の実施例である。図
２６においては、同様な符号は図３及び図４に示されて
いるものと同一の機能または装置に対応する。ペリクル
２１０は、膜２３０、下面２３１及び上面２２７を有す
る。コンタクト２２６は、膜３０の上面２７の上のコン
タクト２６との最適な電気的接続のための形状を有する
。例えば、コンタクト２２６は、コンタクト２６を正方
向に座位及びアラインメントし、コンタクト２６と大面
積で非貫通コンタクトさせるために、球状の凹面を有す
る形状である。コンタクト２２６は、ペリクル２１０上
には示されていない他のコンタクトと相互接続される。 従って、ペリクル２２６とそこに挿入された他の置換ペ
リクルとによって、異なる試験相互接続が行われる。例
えば、アース接続、信号接続及び電源接続は、異なるペ
リクル２２６間で変化される。膜２３０は、膜３０と同
一の材料か、または可撓性が小さな、より固い材料から
成る。
【００５０】図２７は、上面２５２の上のペリクル２５
１の上の電極２５０及び電流検出素子２５５〜２５７に
よって相互接続された下面２５４の上の電極２５３の拡
大断面図であり、第１３の実施例である。電流検出素子
２５５〜２５７は、電流が過剰な時にフューズとして機
能するある導電長の材料である。電流検出素子２５５〜
２５７は、コンタクトを通してのスペーストランスフォ
ーマまたはウエーハ上のＣ４バンプへの熱伝導を減少さ
せるために、コンタクト２５０及び２５３から離れた部
分を有する。さらに、電流検出素子２５５〜２５７のう
ちの一つの開口は、図２３の実施例とは逆に、コンタク
ト２５０及び２５３のコンタクト圧力による何らかの機
械的影響を受けることなく、開放されたままの状態を保
つ。
１の上の電極２５０及び電流検出素子２５５〜２５７に
よって相互接続された下面２５４の上の電極２５３の拡
大断面図であり、第１３の実施例である。電流検出素子
２５５〜２５７は、電流が過剰な時にフューズとして機
能するある導電長の材料である。電流検出素子２５５〜
２５７は、コンタクトを通してのスペーストランスフォ
ーマまたはウエーハ上のＣ４バンプへの熱伝導を減少さ
せるために、コンタクト２５０及び２５３から離れた部
分を有する。さらに、電流検出素子２５５〜２５７のう
ちの一つの開口は、図２３の実施例とは逆に、コンタク
ト２５０及び２５３のコンタクト圧力による何らかの機
械的影響を受けることなく、開放されたままの状態を保
つ。
【００５１】図２８は、ペリクル２６１上の電極２６０
の拡大断面図であり、第１４の実施例である。スペース
トランスフォーマ２６２は、基板２６５上の凹形パッド
２６４とのコンタクトをとるために圧力が加えられた時
に電極２６０を振動させるための形状を有するパッド２
６３を有する。基板２６５は、剛性のあるもの、すなわ
ちセラミック、シリコンその他である。パッド２６４は
、基板２６５上の金属相互接続部の主要部であり、絶縁
層２６７の開口２６６によって規定される。パッド２６
４は、電極２６０の下部２６８がそれに到達し、矢印２
６９で示される電極２６０の回転により水平方向に移動
するのを可能とするのに十分な０．１０１６ｍｍの幅を
有する。スペーストランスフォーマ２６２が基板２６５
に向かって移動するにつれて、非対称なパッド２６３が
電極２６０の左側を下側に押し、電極２６０をこの電極
２６０の右側が面２７０のまたはその近傍のパッド２６
３に接触するまで回転させる。ペリクル２６１は、電極
２６０による回転を可能とするために可撓性を有する。 電極２６０の回転は、パッド２６４上の電極２６０によ
って矢印２６９で示されるスクレーピング運動を可能と
し、より良好な電気的コンタクトが可能となる。
の拡大断面図であり、第１４の実施例である。スペース
トランスフォーマ２６２は、基板２６５上の凹形パッド
２６４とのコンタクトをとるために圧力が加えられた時
に電極２６０を振動させるための形状を有するパッド２
６３を有する。基板２６５は、剛性のあるもの、すなわ
ちセラミック、シリコンその他である。パッド２６４は
、基板２６５上の金属相互接続部の主要部であり、絶縁
層２６７の開口２６６によって規定される。パッド２６
４は、電極２６０の下部２６８がそれに到達し、矢印２
６９で示される電極２６０の回転により水平方向に移動
するのを可能とするのに十分な０．１０１６ｍｍの幅を
有する。スペーストランスフォーマ２６２が基板２６５
に向かって移動するにつれて、非対称なパッド２６３が
電極２６０の左側を下側に押し、電極２６０をこの電極
２６０の右側が面２７０のまたはその近傍のパッド２６
３に接触するまで回転させる。ペリクル２６１は、電極
２６０による回転を可能とするために可撓性を有する。 電極２６０の回転は、パッド２６４上の電極２６０によ
って矢印２６９で示されるスクレーピング運動を可能と
し、より良好な電気的コンタクトが可能となる。
【００５２】図２９は、ペリクル２６１上の電極２７５
及びパッド２７６を有するスペーストランスフォーマ２
６２の拡大断面図であり、第１５の実施例である。図２
９においては、図２８の装置に対応する機能に対しては
同様な符号が使用されている。パッド２７６は、スペー
ストランスフォーマ２６２の支持面に関して矢印２７７
で示されている角度Ａで傾斜している。パッド２７６の
傾斜は、電極２７５を回転させて、矢印２６９で示され
る下部２６８の水平方向の移動を生じさせる機能を有す
る。あるいは、電極２７５は、矢印２７９で示される角
度Ｂで傾斜した上面２７８を有する。電極２７５の上面
２７８の傾斜は、同様に、電極２７５を回転させて、矢
印２６９で示される下部２６８の水平方向の移動を生じ
させる機能を有する。図２９に示すように、電極２７５
及びパッド２７６の両者が傾斜しているか、あるいは一
方が矢印２６９で示される水平方向の移動を生じるに十
分な傾斜角で傾斜している。
及びパッド２７６を有するスペーストランスフォーマ２
６２の拡大断面図であり、第１５の実施例である。図２
９においては、図２８の装置に対応する機能に対しては
同様な符号が使用されている。パッド２７６は、スペー
ストランスフォーマ２６２の支持面に関して矢印２７７
で示されている角度Ａで傾斜している。パッド２７６の
傾斜は、電極２７５を回転させて、矢印２６９で示され
る下部２６８の水平方向の移動を生じさせる機能を有す
る。あるいは、電極２７５は、矢印２７９で示される角
度Ｂで傾斜した上面２７８を有する。電極２７５の上面
２７８の傾斜は、同様に、電極２７５を回転させて、矢
印２６９で示される下部２６８の水平方向の移動を生じ
させる機能を有する。図２９に示すように、電極２７５
及びパッド２７６の両者が傾斜しているか、あるいは一
方が矢印２６９で示される水平方向の移動を生じるに十
分な傾斜角で傾斜している。
【００５３】図３０には、第１６の実施例である装置２
８４の拡大断面図が示されている。第１のコンタクト２
８６の配列が、熱伝導モジュール２８７の上面２８８の
上に二次元配列で設けられている。熱伝導モジュール２
８７は、所定の力に耐えるために、第１のコンタクト２
８６の配列の支持を行う。熱伝導モジュール２８７は、
例えば、第１のコンタクト２８６の配列と相互接続され
る上面２８８の上の多層配線を有するセラミック基板で
ある。インターフェースペリクル１０は、その電極２６
が第１のコンタクト２８６の配列とアラインメントされ
るように設けられる。電気装置２８５は、二次元配列で
設けられ、かつ所定の力に耐えるために電気装置２８５
によって支持された第２のコンタクト２８９の配列を有
する。クランピング機構２９２は、電気装置２８５を、
第１のコンタクト２８６の配列と一定の関係で所定の力
に耐えるために支持する。クランピング機構２９２は、
例えばエポキシ樹脂または他の高分子材料のような接着
剤２９３や、リベット、ねじ、ボルトなどで熱伝導モジ
ュール２８７に取り付けられる。クランピング機構２９
２は、電気装置２８５に所定の力を加え及び維持し、電
極２６を介して第１のコンタクト２８６の配列に力を加
える。クランピング機構２９２は、力を加え及び維持す
るためのばね２９４その他を含み、あるいは電気装置２
８５に力を加え及び維持するためのエラストマー材料、
発泡材料、高分子材料，ゴムその他を含む。良好な熱伝
導体である材料が好ましい。
８４の拡大断面図が示されている。第１のコンタクト２
８６の配列が、熱伝導モジュール２８７の上面２８８の
上に二次元配列で設けられている。熱伝導モジュール２
８７は、所定の力に耐えるために、第１のコンタクト２
８６の配列の支持を行う。熱伝導モジュール２８７は、
例えば、第１のコンタクト２８６の配列と相互接続され
る上面２８８の上の多層配線を有するセラミック基板で
ある。インターフェースペリクル１０は、その電極２６
が第１のコンタクト２８６の配列とアラインメントされ
るように設けられる。電気装置２８５は、二次元配列で
設けられ、かつ所定の力に耐えるために電気装置２８５
によって支持された第２のコンタクト２８９の配列を有
する。クランピング機構２９２は、電気装置２８５を、
第１のコンタクト２８６の配列と一定の関係で所定の力
に耐えるために支持する。クランピング機構２９２は、
例えばエポキシ樹脂または他の高分子材料のような接着
剤２９３や、リベット、ねじ、ボルトなどで熱伝導モジ
ュール２８７に取り付けられる。クランピング機構２９
２は、電気装置２８５に所定の力を加え及び維持し、電
極２６を介して第１のコンタクト２８６の配列に力を加
える。クランピング機構２９２は、力を加え及び維持す
るためのばね２９４その他を含み、あるいは電気装置２
８５に力を加え及び維持するためのエラストマー材料、
発泡材料、高分子材料，ゴムその他を含む。良好な熱伝
導体である材料が好ましい。
【００５４】図３０には、熱伝導モジュール２８７の上
面２８８の上の図示されていない付加的なコンタクトの
配列の上のクランピング機構３０５も示されている。コ
ンタクトの配列の上には、装置上のコンタクトとアライ
ンメントされた電極をその中に有するインターフェース
ペリクルがある。クランピング機構３０５は、ばねまた
は他の適当な手段によって、一定の力の下で装置を保持
する。接着剤３０７は、クランピング機構３０５を上面
２８８に保持する。
面２８８の上の図示されていない付加的なコンタクトの
配列の上のクランピング機構３０５も示されている。コ
ンタクトの配列の上には、装置上のコンタクトとアライ
ンメントされた電極をその中に有するインターフェース
ペリクルがある。クランピング機構３０５は、ばねまた
は他の適当な手段によって、一定の力の下で装置を保持
する。接着剤３０７は、クランピング機構３０５を上面
２８８に保持する。
【００５５】クランピング機構３１５は、ばねまたは他
の適当な手段によって、一定の力の下で装置を保持する
。上面２８８は、インターフェースペリクルの下側に図
示されていないコンタクトの配列を有する。このインタ
ーフェースペリクルの電極は、面２８８上の図示されて
いないコンタクトと、装置２８５と同様な図示されてい
ない装置上のコンタクトと、図３０に示されている電極
２６及びコンタクト２８６とにアラインメントされてい
る。接着剤３１７は、クランピング機構３１５を上面２
８８に保持する。クランピング機構２９２、３０５及び
３１５は、クランピング機構の配列中で互いに離れて設
けられる。
の適当な手段によって、一定の力の下で装置を保持する
。上面２８８は、インターフェースペリクルの下側に図
示されていないコンタクトの配列を有する。このインタ
ーフェースペリクルの電極は、面２８８上の図示されて
いないコンタクトと、装置２８５と同様な図示されてい
ない装置上のコンタクトと、図３０に示されている電極
２６及びコンタクト２８６とにアラインメントされてい
る。接着剤３１７は、クランピング機構３１５を上面２
８８に保持する。クランピング機構２９２、３０５及び
３１５は、クランピング機構の配列中で互いに離れて設
けられる。
【００５６】図３１には、コンタクト３４１の配列を有
する熱伝導モジュール２８７がインターフェースペリク
ル３３１によってそれぞれコンタクト３２５の各配列と
相互接続されているのが示されている。本発明の第１７
の実施例である。インターフェースペリクル３３１は、
熱伝導モジュール２８７上のコンタクト３４１の配列の
下側に位置する電極３３５の各配列を有する。コンタク
ト３４１及び３２５の配列及び電極３３５の配列は、二
次元である。コンタクト３４１及び３２５と電極３３５
とは、それぞれ所定の直径を有し、一様な中心間距離を
有する。クランピング機構３４５は、例えばばね、発泡
材料または高分子材料３４８により加えられた力で、熱
伝導モジュール２８７を含む装置２８４をインターフェ
ースペリクル３１上の電極３３５の配列に対して、従っ
てコンタクト３２５の配列に対して保持する。コンタク
ト３２５は、プリント回路基板３５９上の金属によって
支持及び相互接続される。クランピング機構３４６は、
装置２８４と同様な図示されていない装置を、所定の力
で、クランピング機構３４６内の図示されていないイン
ターフェースペリクル上の電極３３５と同様な電極の配
列に対して保持する。プリント回路基板３５９は、相互
接続を行うためのコンタクトまたはコネクタを有する。 クランピング機構３４５及び３４６は、クランピング機
構の配列において互いに離れている。図３〜図３１にお
いては、先の図の装置と対応する機能に対しては同様な
符号が使用されている。
する熱伝導モジュール２８７がインターフェースペリク
ル３３１によってそれぞれコンタクト３２５の各配列と
相互接続されているのが示されている。本発明の第１７
の実施例である。インターフェースペリクル３３１は、
熱伝導モジュール２８７上のコンタクト３４１の配列の
下側に位置する電極３３５の各配列を有する。コンタク
ト３４１及び３２５の配列及び電極３３５の配列は、二
次元である。コンタクト３４１及び３２５と電極３３５
とは、それぞれ所定の直径を有し、一様な中心間距離を
有する。クランピング機構３４５は、例えばばね、発泡
材料または高分子材料３４８により加えられた力で、熱
伝導モジュール２８７を含む装置２８４をインターフェ
ースペリクル３１上の電極３３５の配列に対して、従っ
てコンタクト３２５の配列に対して保持する。コンタク
ト３２５は、プリント回路基板３５９上の金属によって
支持及び相互接続される。クランピング機構３４６は、
装置２８４と同様な図示されていない装置を、所定の力
で、クランピング機構３４６内の図示されていないイン
ターフェースペリクル上の電極３３５と同様な電極の配
列に対して保持する。プリント回路基板３５９は、相互
接続を行うためのコンタクトまたはコネクタを有する。 クランピング機構３４５及び３４６は、クランピング機
構の配列において互いに離れている。図３〜図３１にお
いては、先の図の装置と対応する機能に対しては同様な
符号が使用されている。
【００５７】
【発明の効果】本発明は、半導体チップはまたウエーハ
を電気的試験のためにスペーストランスフォーマに相互
接続したり、使用のためにパッケージ構造体に接続した
りするために、両面に延在する電気的相互接続部を高密
度に配列した薄いインターフェースペリクルを用いた電
気的相互接続装置を提供することができる。
を電気的試験のためにスペーストランスフォーマに相互
接続したり、使用のためにパッケージ構造体に接続した
りするために、両面に延在する電気的相互接続部を高密
度に配列した薄いインターフェースペリクルを用いた電
気的相互接続装置を提供することができる。
【図１】インターフェースペリクルプローブ１０、プロ
ーブキャリア１１及びスペーストランスフォーマ１２を
示すこの発明の第１実施例の分解図である。
ーブキャリア１１及びスペーストランスフォーマ１２を
示すこの発明の第１実施例の分解図である。
【図２】この発明の第１実施例の底面図である。
【図３】スペーストランスフォーマ１２上のパッド３５
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間にコンタクト
しているインターフェースペリクル１０を示す図１の線
２−２に沿っての断面図である。
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間にコンタクト
しているインターフェースペリクル１０を示す図１の線
２−２に沿っての断面図である。
【図４】スペーストランスフォーマ１２上のパッド３５
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に位置してい
るインターフェースペリクル１０を示す図３の拡大図で
ある。
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に位置してい
るインターフェースペリクル１０を示す図３の拡大図で
ある。
【図５】スペーストランスフォーマ１２上のパッド３５
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に位置し、か
つ電気的にコンタクトしている電極２６を示す拡大図で
ある。
とウエーハ３７上のＣ４バンプ３６との間に位置し、か
つ電気的にコンタクトしている電極２６を示す拡大図で
ある。
【図６】図４及び図５に示すペリクルの上面から見た電
極２６の配列の図である。
極２６の配列の図である。
【図７】図６に示すペリクルの下面から見た電極２６の
配列の図である。
配列の図である。
【図８】図６の一部分を斜めから見た拡大図である。
【図９】図７の一部分を斜めから見た拡大図である。
【図１０】ペリクルの下面から見た電極の配列を示すこ
の発明の第２実施例の図である。
の発明の第２実施例の図である。
【図１１】ペリクルの下面から見た電極の配列を示すこ
の発明の第３実施例の図である。
の発明の第３実施例の図である。
【図１２】ペリクルの下面電極を示すこの発明の第４実
施例の図である。
施例の図である。
【図１３】ペリクルの下面の上の電極を示すこの発明の
第５実施例の図である。
第５実施例の図である。
【図１４】ペリクルの下面の上の電極を示すこの発明の
第６実施例の図である。
第６実施例の図である。
【図１５】ペリクルの下面の上の電極を示すこの発明の
第７実施例の図である。
第７実施例の図である。
【図１６】ペリクルの下面の上の電極を示すこの発明の
第８実施例の図である。
第８実施例の図である。
【図１７】８０チップコンタクト、２５℃、２０グラム
／Ｃ４の条件におけるコンタクト抵抗対コンタクト数の
分布のグラフである。
／Ｃ４の条件におけるコンタクト抵抗対コンタクト数の
分布のグラフである。
【図１８】７０チップコンタクト、８５℃、１５グラム
／Ｃ４の条件におけるコンタクト抵抗対コンタクト数の
分布のグラフである。
／Ｃ４の条件におけるコンタクト抵抗対コンタクト数の
分布のグラフである。
【図１９】プロービング前のウエーハの上のＣ４バンプ
の図である。
の図である。
【図２０】インターフェースペリクルによるプロービン
グ後の図１９に示すウエーハの上のＣ４バンプの図であ
る。
グ後の図１９に示すウエーハの上のＣ４バンプの図であ
る。
【図２１】図２０に示すＣ４バンプの拡大図である。
【図２２】図２０に示すＣ４バンプの拡大図である。
【図２３】電流検出素子を有するペリクル上の電極の断
面図であり、この発明の第９実施例の図である。
面図であり、この発明の第９実施例の図である。
【図２４】電流検出素子を有するペリクル上の電極の断
面図であり、この発明の第１０実施例の図である。
面図であり、この発明の第１０実施例の図である。
【図２５】アラインメントシートを含むこの発明の第１
１実施例の図である。
１実施例の図である。
【図２６】スペーストランスフォーマ上のパッドとウエ
ーハ上のＣ４バンプとの間に位置している二つの積層さ
れたインターフェースペリクルの拡大断面図を示すこの
発明の第１２実施例の図である。
ーハ上のＣ４バンプとの間に位置している二つの積層さ
れたインターフェースペリクルの拡大断面図を示すこの
発明の第１２実施例の図である。
【図２７】電流検出素子を有するペリクルの上の電極の
拡大断面図を示すこの発明の第１３実施例の図である。
拡大断面図を示すこの発明の第１３実施例の図である。
【図２８】ペリクル上の電極及び凹形パッドと電気的コ
ンタクトをとるためのスペーストランスフォーマの拡大
断面図を示すこの発明の第１４実施例の図である。
ンタクトをとるためのスペーストランスフォーマの拡大
断面図を示すこの発明の第１４実施例の図である。
【図２９】ペリクル上の電極及び凹形パッドと電気的コ
ンタクトをとるためのスペーストランスフォーマの拡大
断面図を示すこの発明の第１５実施例の図である。
ンタクトをとるためのスペーストランスフォーマの拡大
断面図を示すこの発明の第１５実施例の図である。
【図３０】半導体チップと熱伝導モジュールとの間のイ
ンターフェースペリクルの拡大部分断面図を示すこの発
明の第１６実施例の図である。
ンターフェースペリクルの拡大部分断面図を示すこの発
明の第１６実施例の図である。
【図３１】熱伝導モジュールとプリント回路基板との間
のインターフェースペリクルの拡大部分断面図を示すこ
の発明の第１７実施例の図である。
のインターフェースペリクルの拡大部分断面図を示すこ
の発明の第１７実施例の図である。
１０ インターフェースペリクル
１１ プローブキャリア
１２ スペーストランスフォーマ
２６ 電極
３６ Ｃ４バンプ
４０ 縦軸
Claims (36)
- 【請求項１】 力を伝達するために使用される第１の
剛性プローブを形成する第１のコンタクトの配列と上記
力に耐えるように支持された電気装置の上の対応する第
２のコンタクトの配列との間を電気的に接続するための
装置であって、上面及び下面を有する可撓性の膜と、上
記可撓性の膜に形成され、それぞれの縦軸の方向に沿っ
て上記上面の上側及び上記下面の下側に延在する電極の
配列とを具備し、それぞれの上記電極は上記それぞれの
縦軸の方向に第１の所定の長さを有し、上記可撓性の膜
は、局所領域に最小曲率半径を有し、かつ上記電極が互
いに独立して移動可能なように局所領域に上記可撓性の
膜の所定の弾性変形を生じさせるための弾性を有する湾
曲した上記上面及び上記下面を形成できる厚さを有する
ことを特徴とする装置。 - 【請求項２】 上記電極は銅及びニッケルから成る群
より選ばれた一つの金属を含むことを特徴とする請求項
１記載の装置。 - 【請求項３】 上記電極は、上記可撓性の膜の上記上
面及び下面のうちの一方の上にある銅層から上記可撓性
の膜の開口を通じて銅を電気めっきした後、上記銅層を
選択的にエッチングすることにより形成されることを特
徴とする請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 上記電極の配列は０．３８１ｍｍ以下
よりも小さい中心間距離を有するパターンに互いに離れ
ていることを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項５】 上記可撓性の膜は０．１２７ｍｍより
も小さい膜厚を有することを特徴とする請求項１記載の
装置。 - 【請求項６】 上記可撓性の膜は０．０７６２ｍｍよ
りも小さい膜厚を有することを特徴とする請求項１記載
の装置。 - 【請求項７】 上記可撓性の膜はポリイミドを含むこ
とを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項８】 上記可撓性の膜は高分子材料を含むこ
とを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項９】 上記電極の配列は少なくとも６００個
の電極を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項１０】 電気装置上の突起状導電性バンプと
機械的及び電気的コンタクトをとるための装置であって
、６２０ｇ（２０オンス）以下の力で上記導電性バンプ
の表面を貫通して上記導電性バンプに所定の深さを有す
る側壁を形成するための第１の突起部をその上に有する
部材を具備し、上記部材は、上記導電性バンプの表面へ
の上記第１の突起部の侵入を制限するための上記第１の
突起部に隣接して設けられた第２の凹部を有することを
特徴とする装置。 - 【請求項１１】 上記導電性バンプははんだを含み、
上記部材は銅を含むことを特徴とする請求項１０記載の
装置。 - 【請求項１２】 上記部材は可撓性の膜に固着されて
いることを特徴とする請求項１０記載の装置。 - 【請求項１３】 上記部材は、第１の端に上記第１の
突起部を有し、上記第２の端は平坦な面に対してこの第
２の端を振動可能とするための丸い面を有する縦軸を有
することを特徴とする請求項１０記載の装置。 - 【請求項１４】 電気装置上の突起状導電性バンプと
機械的及び電気的コンタクトをとるための装置であって
、上記導電性バンプの表面を貫通して最大の所定深さを
有する複数の独立した側壁を形成するための複数の第１
の突起部をその上に有する部材と、上記部材は、上記導
電性バンプの表面への上記複数の第１の突起部のうちの
いずれかの侵入を制限するための上記第１の突起部に隣
接し及び上記第１の突起部の間の第２の凹部とを具備す
ることを特徴とする装置。 - 【請求項１５】 上記部材は可撓性の膜により支持さ
れていることを特徴とする請求項１４記載の装置。 - 【請求項１６】 上記電極のうちの一つは、開回路を
形成するために所定の電流に応じて溶融または蒸発する
ための上記縦軸と直交する材料層を含むことを特徴とす
る請求項１記載の装置。 - 【請求項１７】 上記可撓性の膜の一方の面上に形成
され、上記上面の上側に延在する第１の電極と上記可撓
性の膜の他方の面上に形成された第２の電極とをさらに
具備し、上記第１及び第２の電極は圧力が加えられた時
に両電極に全体として回転トルクを与えるために所定の
距離だけ互いに離れていることを特徴とする請求項１記
載の装置。 - 【請求項１８】 上記第１及び第２の電極を相互接続
する導電性材料をさらに含むことを特徴とする請求項１
７記載の装置。 - 【請求項１９】 上記導電性材料は、開回路を形成す
るために所定の電流に応じて溶融または蒸発することを
特徴とする請求項１８記載の装置。 - 【請求項２０】 異物の移送を制限するために上記可
撓性の膜に隣接して設けられた上記電極の配列に対応し
て開口を有する絶縁材料から成るアラインメントシート
をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項２１】 上面及び下面を有する第２の膜と、
上記第２の膜に形成され、上記可撓性の膜の上記電極の
配列のうちのいずれかに対応する位置を有する第２の電
極の配列とをさらに具備し、上記第２の膜は上記可撓性
の膜の上記電極の配列と選択的にコンタクトをとるため
に上記可撓性の膜に隣接して設けられることを特徴とす
る請求項１記載の装置。 - 【請求項２２】 上記第２の膜は上記第２の電極の配
列のうちの選択された電極間を相互接続するための導電
性材料を含むことを特徴とする請求項２１記載の装置。 - 【請求項２３】 上記可撓性の膜の一方の面上に形成
された第１の電極と上記可撓性の膜の他方の面上に形成
された第２の電極と上記第１及び第２の電極の間を相互
接続する導電性材料とをさらに含むことを特徴とする請
求項１記載の装置。 - 【請求項２４】 上記導電性材料は開回路を形成する
ために所定の電流に応じて溶融または蒸発することを特
徴とする請求項２３記載の装置。 - 【請求項２５】 上記可撓性の膜の上記上面の上側に
延在する上記電極の配列のうちの一つの電極の上部は、
上記縦軸から外側にも延在し、上記第１の剛性プローブ
から初期コンタクト力を受けて上記電極を回転させるこ
とを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項２６】 上記上部は平坦であることを特徴と
する請求項２５記載の装置。 - 【請求項２７】 上記上部は平坦であり、かつ上記縦
軸に垂直な平面に関して傾斜していることを特徴とする
請求項２５記載の装置。 - 【請求項２８】 スペーストランスフォーマをさらに
含み、上記第１のコンタクトの配列のうちの少なくとも
一つは、上記電極の配列の一つの縦軸から外側に初期コ
ンタクト力を与えるように形づくられることを特徴とす
る請求項２５記載の装置。 - 【請求項２９】 ペリクルをスペーストランスフォー
マに隣接して位置決めする工程と、電気装置を上記ペリ
クルの下側に位置決めする工程と、所定の力に耐えるよ
うに上記電気装置を支持する工程と、最終的に加えられ
る上記所定の力により上記電気装置を上記スペーストラ
ンスフォーマに向かって移動させる工程とを具備し、こ
れによって上記電気装置上の対応するコンタクトを有す
る上記ペリクル上の対応する電極と上記スペーストラン
スフォーマ上のパッドとの間のコンタクトがとられる電
気装置の試験方法。 - 【請求項３０】 二次元配列に配設された第１のコン
タクトの配列と、所定の力に耐えるように上記第１のコ
ンタクトの配列を支持するための第１の手段と、上面及
び下面を有する可撓性の膜と、上記可撓性の膜に形成さ
れ、それぞれの縦軸の方向に上記上面の上側及び上記下
面の下側に延在する電極の配列と、上記第１のコンタク
トの配列と一定の関係で上記所定の力に耐えるように上
記電気装置を支持するための第２の手段とを具備し、そ
れぞれの上記電極は上記それぞれの縦軸方向に第１の所
定の長さを有し、上記可撓性の膜は、局所領域に最小曲
率半径を有し、かつ上記電極が互いに独立して移動可能
なように局所領域に上記可撓性の膜の所定の弾性変形を
生じさせるための弾性を有する湾曲した上面及び下面を
形成できる厚さを有し、上記電極の配列の上記下面は上
記第１のコンタクトの配列と電気的にコンタクトし、上
記電気装置は、二次元配列に配設され、上記所定の力に
耐えるように上記電気装置により支持された第２のコン
タクトの配列を有し、上記電極の配列の上記上面は上記
第２のコンタクトの配列と電気的にコンタクトしている
電気装置の相互接続装置。 - 【請求項３１】 上記第１の手段に所定の力を加える
ための第３の手段をさらに含むことを特徴とする請求項
３０記載の装置。 - 【請求項３２】 上記第３の手段はばねを含むことを
特徴とする請求項３１記載の装置。 - 【請求項３３】 上記第３の手段はエラストマー材料
を含むことを特徴とする請求項３１記載の装置。 - 【請求項３４】 上記第２の手段に所定の力を加える
ための第３の手段をさらに含むことを特徴とする請求項
３０記載の装置。 - 【請求項３５】 上記第３の手段はばねを含むことを
特徴とする請求項３３記載の装置。 - 【請求項３６】 上記第３の手段はエラストマー材料
を含むことを特徴とする請求項３３記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
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| JPH07105419B2 JPH07105419B2 (ja) | 1995-11-13 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH07105419B2 (ja) |
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