JPH08111431A - Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法 - Google Patents

Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法

Info

Publication number
JPH08111431A
JPH08111431A JP6243856A JP24385694A JPH08111431A JP H08111431 A JPH08111431 A JP H08111431A JP 6243856 A JP6243856 A JP 6243856A JP 24385694 A JP24385694 A JP 24385694A JP H08111431 A JPH08111431 A JP H08111431A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
probe pad
test
probing
wire bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6243856A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Ota
行雄 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP6243856A priority Critical patent/JPH08111431A/ja
Publication of JPH08111431A publication Critical patent/JPH08111431A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＲＦ・ミリ波評価時における、プローブ針と
のコンタクト位置決め精度の向上、コンタクト性の向
上、コンタクト傷の防止。 【構成】 プローブパッド１の上面の一部に傾斜部２Ａ
を設けて、傾斜プロービング領域２とワイヤボンディン
グ領域３とを外観上分離する。プローブ針はエッジ部２
Ｅから傾斜部２Ａに沿ってオーバードライブされ、プロ
ービング方向２０にｗ1だけ進んだ境界ＢＬにおいて停
止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣのテストに用い
られる、基板上に形成されたプローブパッド及びその製
造技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプローブパッドは基板上に平坦に
形成されており、ＩＣのテスト時のコンタクトは、プロ
ーブパッドとプローブ針との接触→加圧→プローブ針が
プローブパッド上をオーバードライブすることにより得
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術で
は、２本以上のプローブ針を有するプローブの傾き、あ
るいはプローブ針の摩滅等に起因して、２本以上のプロ
ーブ針の先端間において、被測定ＩＣ面に対する高さや
形状の差異が存在した場合には、ＩＣ評価時のプローブ
針とプローブパッドとのコンタクト時に、接触抵抗が大
きい、接触面積が小さい等の測定誤差要因が発生し易い
といった問題点があった。
【０００４】また、ＲＦ波評価及び、ミリ波評価におい
ては、プロービングの位置の誤差が測定誤差に効くため
に、作業者の個人差による測定誤差が発生するという問
題点もあった。
【０００５】更に、評価時のプローブ針とプローブパッ
ドとのコンタクトによりプローブパッドの表面荒れ
（傷）を生じ、ワイヤボンド時にボンディング強度が低
下するという問題点もあった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ＩＣが搭載又は形成された基板の上面に形成され、プロ
ーブ針のオーバードライブによりプロービングされるプ
ロービング領域とワイヤボンディング領域とを有するＩ
Ｃテスト用のプローブパッドであって、前記プローブパ
ッド内の所定の位置に所定の形状を有する形状部を形成
して、当該形状部によって前記プロービング領域と前記
ワイヤボンディング領域とを分離している。
【０００７】請求項２に係る発明では、請求項１記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が、前
記ワイヤボンディング領域内の前記プローブパッドの上
面に対して所定の傾斜を有する傾斜部を含み、前記傾斜
部は前記プロービング領域内に含まれており、前記プロ
ーブ針は前記傾斜部に沿って前記オーバードライブされ
る。
【０００８】請求項３に係る発明では、請求項１記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が、前
記プローブパッドの上面に形成された凸部を含んでい
る。
【０００９】請求項４に係る発明では、請求項３記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が、前
記プローブ針のプロービング方向と直交する、前記プロ
ーブパッドの上面内に含まれる方向に線状に延びた凸部
を含んでいる。
【００１０】請求項５に係る発明では、請求項４記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記凸部の側面
が、前記プローブパッドの上面に対して垂直に形成され
ている。
【００１１】請求項６に係る発明では、請求項４記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記凸部の側面を
テーパー形状に傾斜させている。
【００１２】請求項７に係る発明では、請求項３又は請
求項４に記載のＩＣテスト用プローブパッドにおける前
記形状部に、前記凸部に加えて、前記プロービング領域
内の前記プローブパッドの上面に形成された新たな凸部
を備えさせることとしている。そして、前記新たな凸部
の高さは、前記プローブ針のオーバードライブ時に押し
つぶされ得る高さに設定されている。
【００１３】請求項８に係る発明では、請求項１記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が、前
記プローブパッドの上面に形成された凹部を含んでい
る。
【００１４】請求項９に係る発明では、請求項８記載の
ＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が、前
記プローブ針のプロービング方向と直交する、前記プロ
ーブパッドの上面内に含まれる方向に線状に延びた凹部
を含んでいる。
【００１５】請求項１０に係る発明では、請求項８又は
請求項９に記載のＩＣテスト用プローブパッドにおける
前記形状部が、前記凹部に加えて、前記プロービング領
域内の前記プローブパッドの上面に形成された新たな凹
部を備えており、この新たな凹部の深さは、前記プロー
ブ針のオーバードライブ時にその側壁が押しつぶされる
深さに設定されている。
【００１６】請求項１１に係る発明では、請求項１記載
のＩＣテスト用プローブパッドにおける前記形状部が前
記プローブパッドの上面に形成された段差壁であり、前
記プローブパッドの上面の内で前記基板の上面からの高
さの低い方が前記プロービング領域に含まれている。
【００１７】請求項１２に係る発明では、請求項１１記
載のＩＣテスト用プローブパッドにおける前記段差壁に
切り欠き部を形成している。
【００１８】請求項１３に係る発明は、プローブ針がオ
ーバードライブされるプロービング領域とワイヤボンデ
ィング領域とを有し、基板に搭載又は形成されたＩＣの
テスト用プローブパッドの製造方法であって、前記基板
の上面の一部に凸部形状のスペーサを形成する工程と、
前記基板及び前記スペーサの露出面上に金属膜から成る
プローブパッドを形成する工程とを備えている。
【００１９】請求項１４に係る発明は、プローブ針がオ
ーバードライブされるプロービング領域とワイヤボンデ
ィング領域とを有し、基板に搭載又は形成されたＩＣの
テスト用プローブパッドの製造方法であって、前記基板
の上面下部の一部に凹部を形成する工程と、前記凹部を
含む前記基板の上面に金属膜から成るプローブパッドを
形成する工程とを備えている。
【００２０】
【作用】請求項１に係る発明では、形状部が、プロービ
ング領域とワイヤボンディング領域とを、その形状によ
って外観上分離する。そのため、プローブ針のコンタク
ト位置は当該形状部の位置で決まる。又、プローブ針と
形状部とのコンタクトが発生し、コンタクト性が向上す
る。そして、プローブ針は、当該形状部の存在によっ
て、ワイヤボンディング領域までオーバードライブされ
ることは無い。
【００２１】請求項２に係る発明では、傾斜部とワイヤ
ボンディング領域内のプローブパッドの上面との境界部
分が、プロービング領域とワイヤボンディング領域とを
外観上分離する。従って、プローブ針は傾斜部とコンタ
クトしながら上記境界部分までオーバードライブされ、
ワイヤボンディング領域内ではプローブ針はプローブパ
ッドの上面と接触しない。
【００２２】請求項３に係る発明では、凸部がプロービ
ング領域とワイヤボンディング領域とを分離する。そし
て、プロービング領域内のプローブパッドの上面に沿っ
てオーバードライブされるプローブ針は、最終的に上記
凸部の一方の側壁に接触して、当該側壁に食い込む。こ
れにより、プローブ針のプロービング位置が決定され
る。
【００２３】請求項４に係る発明では、凸部は、プロー
ブパッドの上面内方向の内でプロービング方向と直交す
る方向に線状に延びて、プロービング領域とワイヤボン
ディング領域とを分離している。従って、プローブ針が
プロービング方向に沿ってオーバードライブされて凸部
の側面に到達すると、当該側面にプローブ針は食い込
み、コンタクト圧力が増す。しかも、凸部の側面は線状
に延びているため、コンタクト面積も増す。
【００２４】請求項５に係る発明では、プローブパッド
の上面内でプロービング方向と直交する方向に線状に延
びた凸部の側面は、プローブパッド上面に対して垂直な
面となっている。この凸部側面は、プローブ針のコンタ
クト位置を決定する。
【００２５】請求項６に係る発明では、線状に延びた凸
部の側面はテーパー形状に傾斜しており、この傾斜側面
とプローブ針とのコンタクト（食い込み）によってプロ
ーブ針のコンタクト位置が決定される。
【００２６】請求項７に係る発明では、新たな凸部がプ
ロービング領域内に形成されているため、プローブ針
は、プロービング領域内を、新たな凸部を押しつぶしな
がらオーバードライブされる。このために、押しつぶさ
れた新たな凸部とプローブ針とが接触し、コンタクト面
積、コンタクト圧力が増大する。そして、プロービング
領域とワイヤボンディング領域とを分離する凸部の側面
にプローブ針がコンタクトし、この時点でプローブ針の
オーバードライブを終了することで、その際の食い込み
によって、プローブ針のプロービング位置が決定され
る。
【００２７】請求項８に係る発明では、オーバードライ
ブ時に、プローブ針が凹部に滑り込み、その際に凹部の
側壁を押しつぶし、当該押しつぶされた部分と接触す
る。又、凹部１２の位置において、プローブ針のオーバ
ードライブを止めることができ、凹部は、プロービング
領域とワイヤボンディング領域とを分離する形状部とし
て機能する。
【００２８】請求項９に係る発明では、線状に延びた凹
部内にプローブ針が滑り込み、その際にプローブ針は、
凹部の線状に延びた側壁を押しつぶす。
【００２９】請求項１０に係る発明では、プローブ針
は、新たな凹部自体を押しつぶしながらプロービング方
向にオーバードライブされ、最後の凹部の側壁とのコン
タクトによって停止される。上記凹部は、プロービング
領域とワイヤボンディング領域とを分離する。
【００３０】請求項１１に係る発明では、段差壁がプロ
ービング領域とワイヤボンディング領域とを分離する。
オーバードライブされたプローブ針は、この段差壁に食
い込み、この状態で停止される。
【００３１】請求項１２に係る発明では、プローブ針
は、段差壁に設けられた切り込み部に食い込み、コンタ
クト性を増す。
【００３２】請求項１３に係る発明では、基板上面上に
形成されたスペーサの露出面上にプロープパッドが形成
されるので、形成後のプローブパッドの形状はスペーサ
の形状に対応したものとなる。即ち、プロープパッドの
内でスペーサ上部に当たる部分の形状も又、凸部形状と
なる。
【００３３】請求項１４に係る発明では、基板上面上に
形成されたスペーサの露出面上にプロープパッドが形成
されるので、形成後のプローブパッドの形状はスペーサ
の形状に対応したものとなる。即ち、プロープパッドの
内でスペーサ上部に当たる部分の形状も又、凹部形状と
なる。
【００３４】
【実施例】本発明では、プローブパッド内の所定の位置
に所定の形状を有する形状部を形成して、プロービング
領域とワイヤボンディング領域とを分離している。以
下、形状部の様々な適用例を、実施例１〜実施例１５と
して列挙する。
【００３５】（実施例１） 以下、この発明の第一実施
例を図１〜図３について説明する。
【００３６】先ず、図１は、実施例１としてのプローブ
パッドの構成を示す図であり、その（ａ）は上面図を、
（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線より眺めた断面図である。同
図において、１はＡｕやＡｌ等の低抵抗金属膜により形
成されたプローブパッドを示しており、２はプローブパ
ッド１内に設けられた所定の傾斜（高さがｈ1，長さが
ｗ1）を持つ傾斜部２Ａを有し、後述するプローブ針に
よりプロービングされる傾斜プロービング領域であり、
３は〜５μｍ程度の金属厚みｈ2を持つワイヤボンディ
ング領域（平面部）であり、４はプローブパッド１がそ
の上面に形成される基板（ＩＣが搭載されたセラミック
基板や、ＩＣが形成された半導体基板等）である。又、
２０は、プロービング方向（ｘ方向に平行）である。
【００３７】次に、図１のＩ−Ｉ線についての断面図と
して示した図２及び図３を用いて、動作を説明する。
【００３８】両図２，３において、５はプローブ針、６
はプローブホルダである。ここで、傾斜プロービング領
域２及びワイヤボンディング領域３の境界ＢＬ（図１）
は、当該傾斜部２Ａでの光の反射により、光学的に判別
可能である。傾斜部２Ａは、ワイヤボンディング領域３
の上面に対して高さ方向ｚ1にｈ1（〜２μｍ程度）だけ
突出し，プロービング方向２０にｗ1（〜２５μｍ程
度）の幅を持つ。
【００３９】まず、プローブ針５を、傾斜プロービング
領域２のエッジ部２Ｅに接触させる（図２）。その後、
更にプローブ針５の駆動を行う本体装置（図示せず）を
〜１００μｍ程度−ｚ方向に降下させると、プローブ針
５がたわむことにより、プローブ針５は、傾斜プロービ
ング領域２を、そのエッジ部２Ｅから平面部方向へ向け
てｘ方向に関してｗ1（〜２５μｍ）程度スライドして
ゆく。このスライドを、オーバードライブと呼ぶ。そし
て、プローブ針５の先端が、傾斜プロービング領域２と
ワイヤボンディング領域３との境界ＢＬ（図１（ａ））
に達したときに、プローブ針５の降下を終了する（図
３）。その際、境界ＢＬに達したことは、反射光を観測
することで検出できる。
【００４０】以上のように構成することにより、次の様
な利点が得られる。
【００４１】その第一は、プロービング位置を一定にす
ることが出来ることである。即ち、境界ＢＬの位置にお
いて、常に確実にプローブ針５を停止させることができ
る。
【００４２】第二は、プローブ針５の底面と傾斜プロー
ビング領域２の傾斜部２Ａとを接触させているので、接
触面積を広く且つ十分とることができ、接触抵抗を低下
させることができる。その結果、上記第一及び第二によ
り、評価時の測定誤差を低減することができる。
【００４３】また、ワイヤボンディング領域３にプロー
ブ針５が接触しないので、ワイヤボンディング領域３内
のプローブパッド１の平面形状が荒れず、ワイヤボンデ
ィング性を向上させることができる。
【００４４】（実施例２） 上記実施例１では、傾針プ
ロービング領域２とワイヤボンディング領域３とを境界
ＢＬで分離していたが、これに代えて、図４に示すよう
に、プローブパッド１の所定の下部に幅ｗ2（〜１０μ
ｍ），高さｈ3（〜２μｍ）程度のスペーサ７を形成
し、更に当該スペーサ７の上にプローブパッド１を形成
することにより、プローブパッド１上に形成される凸部
８（その側面がプローブパッド１の上面に垂直）によっ
て、ワイヤボンディング領域３とプロービング領域９と
を分離しても良い。この場合、スペーサ７は、例えばシ
リコン酸化膜からなり、基板４の上面に、レジストをマ
スクとしたスパッタリング等によりスペーサ７を形成す
ることができる。そして、このスペーサ７の上面にメッ
キや蒸着等により、プローブパッド１を形成すれば、ス
ペーサ７の形状に従って凸部８が生じる。図４の例にお
いては、ｗ3は〜２５μｍ、ｈ4は〜５μｍ、ｈ5は〜２
μｍである。
【００４５】本構成の場合には、プローブ針５のオーバ
ードライブの終点は、凸部８の側壁にプローブ針５の先
端が食い込むことにより決定される。
【００４６】以上のように構成することにより、(1)プ
ロービング位置を一定に出来る、(2)プローブ針５の底
面及び先端部が凸部８に食い込むことにより接触面積を
広く、かつ接触圧力を十分とれ、その結果、接触抵抗を
低下できる。このため、ＲＦ波及びミリ波評価時の測定
誤差を低減できる。勿論、ワイヤボンディング領域３内
にコンタクト傷を発生させないので、ワイヤボンディン
グの強度向上をも図れる。
【００４７】（実施例３） 上記実施例２では、スペー
サ７の形状を方形としたが、図５に示す様に、スペーサ
の側面にテーパーをつけて、その断面形状が幅ｗ4（例
えば、〜１０μｍ），高さｈ6（例えば、〜２μｍ程
度）の台形となる、スペーサ７Ａを形成しても良い。こ
の場合にも、プローブパッド１の上面の一部が、テーパ
ー形状の側面を有する凸部８Ａ（高さｈ8（〜２μｍ程
度））となる。
【００４８】本実施例３の作用・効果は、実施例２と同
様である。尚、スペーサ７Ａ、従って凸部８Ａの形状
を、円形や三角形等としても良い。図５の例では、ｗ5
は〜２５μｍ，ｈ7は〜５μｍ程度である。
【００４９】（実施例４） 上記実施例２及び３では、
プローブパッド１の所定の下部にスペーサ７、７Ａを形
成することにより、それぞれ凸部８、８Ａを形成してい
たが、これに代えて、図６に示す様に、プローブパッド
１の表面（上面）に直接、プローブパッド１と同じ低抵
抗金属膜を用いて、メッキ等により、長さｗ6（例えば
〜１０μｍ），高さｈ10（例えば〜２μｍ）程度の凸部
８Ｂ（その側面がプローブパッド１の上面に垂直な面）
を形成しても良い。この場合にも、実施例２，３と同様
の効果が得られる。尚、ｗ7は〜２５μｍ，ｈ9は〜５μ
ｍ程度である。
【００５０】（実施例５） 上記実施例２〜４では、ワ
イヤボンディング領域３とプロービング領域９を分離す
るために、ｙ方向に線状な凸部８，８Ａ，８Ｂを形成し
ていたが、図７に示すように、プロービング領域９の全
面に、プロービング方向２０に長さないし幅が〜３μ
ｍ，高さｈ13が〜２μｍ，プロービング方向２０の間隔
ｗ11が〜７μｍ程度の凸部８Ｃ（その側面がプローブパ
ッド１の上面に垂直な面）を形成してもよい。
【００５１】この場合には、先ず、凸部８Ｃの下部に当
たる部分に、ステッパ７Ｃ（幅ｗ8が、〜２μｍ，高さ
ｈ11が〜２μｍ，ステッパ間隔ｗ9が〜２μｍ）をスパ
ッタリング等で形成しておき、ステッパ７Ｃの上にメッ
キ等でプローブパッド１を形成することで、各凸部８Ｃ
を形成する。同図中、ｈ12は〜５μｍであり、ｗ10は〜
２５μｍである。
【００５２】但し、凸部８Ｃの高さｈ13は、プローブ針
５のオーバードライブ時に、押しつぶされる高さであ
る。
【００５３】プローブパッド１の一端から長さｗ10だけ
離れた位置に、その一方の側面がある凸部８は、ワイヤ
ボンディング領域３とプロービング領域９とを外観上分
離しており、それ以外の凸部８Ｃを、ここでは便宜上、
新たな凸部と呼ぶ。
【００５４】このように構成することにより、押しつぶ
された凸部８Ｃとプローブ針５の底面，前面及び側面と
が接触するため、コンタクト性が向上する。また、プロ
ービング方向２０の最後の凸部８Ｃで、ワイヤボンディ
ング領域３とプロービング領域９とを分離できる。
【００５５】（実施例６） 上記実施例２〜５では、凸
部８，８Ａ，８Ｂ，８Ｃはいずれもｙ方向に線状に形成
していたが、これらに代えて、図８に示すように、凸部
８Ｄ（その側面はプローブパッド１の上面に垂直な上
面）を、個々のブロックとして方形状に、プロービング
領域９の任意位置に離散的に形成しても良い。この場合
にも、ワイヤボンディング領域３とプロービング領域９
とを分離する凸部８Ｄ（図８で最も左側に位置する二つ
の凸部）を除く凸部８Ｄを、新たな凸部と呼ぶ。
【００５６】例えば、図８では、方形の横方向（プロー
ビング方向２０に対して直交する、プローブパッド１の
上面内方向）の長さｌ1及び間隔ｌ2は、それぞれ〜３０
μｍ及び〜１０μｍ程度としている。これらの凸部８Ｄ
も又、先ずスペーサ７Ｄ（幅ｗ10及び間隔ｗ11が共に〜
２μｍ程度）を基板１の上面にスパッタリング等で形成
した上で、プローブパッド１をメッキ等することで形成
される。凸部８Ｄの幅は図７の凸部８Ｃの幅と同一であ
り、その高さｈ16も高さｈ13に等しい。
【００５７】尚、部８Ｄとしては、他に円錐，円柱，角
錐，半球状等の形状としても良い。
【００５８】本実施例６でも、実施例５と同様の効果が
得られる。
【００５９】（実施例７） 上記実施例５では、凸部８
Ｃはスペーサ７Ｃを用いて形成していたが、これに代え
て、図９に示す通り、プローブパッド１の上面に、ｙ方
向に線状に延びた複数個の凸部１０（その側面はプロー
ブパッド１の上面に垂直な面）をメッキ等で直接、形成
しても良い。この場合でも、実施例５と同様の効果を得
ることができる。ここでも、一端からｗ12（〜２５μ
ｍ）だけ離れた位置にある凸部１０がワイヤボンディン
グ領域３とプロービング領域９とを分離し、他の凸部１
０がプローブ針のオーバードライブ時に押しつぶされ
る、新たな凸部である。ｈ17は〜５μｍ。ｈ18は、〜２
μｍであり、プローブ針が新たな凹部１０を押しつぶせ
る程度の高さに設定されている。
【００６０】（実施例８） 上記実施例２〜７では、ワ
イヤボンディング領域３とプロービング領域９を凸部で
分離していたが、図１０に示すように、プローブパッド
１下部の基板４の上面に、エッチング等によりｙ方向に
線状に延びた基板凹部１１を所定の位置に形成し、その
上部にプローブパッド１をメッキ等により形成すること
により凹部１２を形成し、この凹部１２（形状部）によ
ってワイヤボンディング領域３とプロービング領域９と
を分離しても良い。ここで、基板凹部１１の幅ｗ13は〜
１０μｍ程度、その深さｈ19は〜２μｍ程度であり、凹
部１２の底面の基板４の上面からの高さｈ20は〜５μｍ
程度、その深さｈ21は〜２μｍ程度である。又、ｗ14は
〜２５μｍ程度である。
【００６１】動作は、次の通りである。プローブ針５が
凹部１２に滑り込むことにより、プローブ針５は凹部１
２の側壁１２ａをつぶし、このつぶれた部分とプローブ
針５とが凹部１２内でコンタクトする。これにより、コ
ンタクト面積・コンタクト圧力が増加し、コンタクト性
が向上する。また、凹部１２の他方の側壁１２ｂでプロ
ーブ針５のオーバードライブを止めることにより、プロ
ーブ針５の位置精度も向上できる。
【００６２】（実施例９） 上記実施例８では、凹部１
１，１２を基板４のエッチングにより形成していたが、
図１１に示すように、プローブパッド１の上面上にエッ
チング等で直接凹部１２Ａを形成しても良い。この場合
にも、実施例８と同様の動作・効果が実現される。尚、
ｈ22は〜５μｍ程度、ｈ23は〜２μｍ程度である。
【００６３】（実施例１０） 上記実施例８，９では、
それぞれ凹部１２，１２Ａで以てワイヤボンディング領
域３とプロービング領域９とを分離していたが、これに
代えて、図１２に示すように、プロービング領域９の全
面に、ｙ方向に線状の凹部１２Ｂと凸部２Ｂとの組み合
わせを複数個形成しても良い。この場合には、予め基板
４の上面側に、基板凹部１１Ａ（深さｈ26（〜２μｍ程
度），幅ｗ16（〜５μｍ程度））を間隔ｗ17（〜５μｍ
程度）で形成しておき、その上にプローブパッド１（Ａ
ｌ等）をメッキや蒸着等することで、凹部１２Ｂ，凸部
２Ｂを形成する。
【００６４】但し、凹部１２Ｂは、プローブ針５がオー
バードライブ時に凹部１２Ｂを押しつぶせる程度の高さ
ないし深さｈ25（〜２μｍ程度）を有している。又、ｈ
24は〜５μｍ程度、ｗ15は〜２５μｍ程度である。
【００６５】プローブパッド１の一端からｗ15だけ離れ
た位置にある、図１２では最も左に位置する凹部１２Ｂ
が、プロービング領域９とワイヤボンディング領域３と
を分離する。他の凹部１２Ｂは、プローブ針によって押
しつぶされる、新たな凹部である。
【００６６】この場合にも、各凹部１２Ｂがオーバード
ライブ時にプローブ針によって押しつぶされることでコ
ンタクト性が向上し、且つ最後の凹部１２Ｂの側壁１２
Ｂａでプローブ針５の位置決めを設定できる。
【００６７】（実施例１１） 上記実施例８〜１０で
は、それぞれ凹部１２，１２Ａ，１２Ｂはｙ方向に線状
に形成していたが、これに代えて、図１３に示すよう
に、方形状の凹部１２Ｃを複数個プロービング領域９内
の任意位置に離散的に形成しても良い。
【００６８】そして、一端からｗ18だけ離れた位置にそ
の側壁の一方がある凹部１２Ｃ（図１３では最も左にあ
る三つの凹部）がワイヤボンディング領域３とプロービ
ング領域９とを分離し、他の凹部１２Ｃは新たな凹部に
該当する。
【００６９】各凹部１２Ｃの深さｈ27は〜２μｍ程度、
その底面の基板４の上面からの高さｈ28は〜５μｍ程度
である。
【００７０】この場合にも、予め基板４の上面側に、方
形状の凹部１１Ｂ（深さ〜２μｍ程度，幅ｗ19〜５μｍ
程度，間隔ｗ20〜５μｍ程度）を形成し、この上にメッ
キ等でプローブパッド１を形成することで、各凹部１２
Ｃを形成している。尚、ｗ18は〜２５μｍである。
【００７１】他に凹部１２Ｃの形状としては、円錐（す
りばち），円柱，角錐，半球状でも良い。
【００７２】この場合にも、実施例８〜１０と同様の動
作・効果が得られる。
【００７３】（実施例１２） 上記実施例１０では、凹
部１２Ｂは基板凹部１１Ｂを用いて形成していたが、図
１４に示すように、プローブパッド１の上面に直接エッ
チング等によって複数の凹部１３（図１４中、最も左に
ある凹部以外のものを、新たな凹部と呼ぶ）を形成し
て、プロービング領域９とワイヤボンディング領域３と
を分離しても良い。この場合の凹部１３の深さｈ29は〜
２μｍ（押しつぶせる深さ），その底面の基板４の上面
からの高さｈ30は〜５μｍ，その幅ｗ22は〜５μｍ，そ
の間隔ｗ23は〜５μｍ、ｗ21は〜２５μｍである。本実
施例１２でも、実施例８〜１１と同様の動作・効果が得
られる。
【００７４】（実施例１３） 上記実施例２〜１２では
凸部又は凹部を用いて、ワイヤボンディング領域３とプ
ロービング領域９とを分離していたが、これに代えて図
１５に示すように、プローブパッド１の上面側に段差壁
１５（形状部）を設けて、ワイヤボンディング領域３に
対して、高さ的に（−ｚ方向に）ｈ31（〜２μｍ）程度
だけ低いプロービング領域１４の平面を形成し、これに
より両領域３，１４を分離しても良い。図中、ｈ30は〜
３μｍ、ｈ31は〜２μｍ，ｗ24は２５μｍである。
【００７５】この場合にも、プロービング時、プローブ
針は、２平面間の垂直な段差壁１５に食い込むことによ
り、コンタクト性を向上させる。又、プローブ針の位置
決めは、段差壁１５の位置で決定される。従って、ワイ
ヤボンディング領域３の表面も損傷を受けることはな
い。
【００７６】（実施例１４） 上記実施例１３では、段
差壁１５は垂直面であったが、これに代えて図１６に示
すように、段差壁１５Ａの所定の位置に、切り込み量〜
１０μｍ程度の切り込み部１６を形成しても良い。同図
（ａ）はプローブパッド１の上面図を、同図（ｂ）は正
面図を、同図（Ｃ）は側面図を示しており、便宜上、基
板の図示を省略している。尚、ここでも、ｈ32は３μｍ
程度に、ｈ33は２μｍ程度に、ｗ25は２５μｍ程度に設
定されている。
【００７７】この構成により、プローブ針が段差壁１５
Ａに食い込み易くなり、より一層コンタクト性が向上す
ると共に、プローブ針の位置決めは、より一層確実に且
つ容易に行える。
【００７８】（実施例１５） 上記実施例１６では、切
り込み部１６は段差壁１５Ａの１ヶ所にしか設けられて
いなかったが、図１７に示すように、２個以上の切り込
み部１６Ａを段差壁１５Ｂに形成しても良い。尚、図１
７（ａ）はプローブパッド１の上面図を、その（ｂ）は
側壁図を各々示しており、基板の図示を省略している。
又、ｈ34は〜３μｍ、ｈ35は〜２μｍ、ｗ26は〜２５μ
ｍ程度である。
【００７９】この場合には、実施例１４よりも更に一
層、プローブ針が段差壁１５Ｂに食い込み易くなり、コ
ンタクト性、位置決め精度が更に一層向上する。勿論、
ワイヤボンディング領域３内にコンタクト傷が発生する
こともなく、ワイヤボンディングの強度が向上する。
【００８０】尚、上述した各実施例の形状部の適当な組
み合わせによって、必要な形状部を構成するようにして
も良い。
【００８１】以上のように、この発明の各実施例によれ
ば、以下の利点が得られる。
【００８２】１．マイクロ波〜ミリ波帯でのＩＣ評価時
における、プローブ針のコンタクト位置決め精度を向上
させることができる。
【００８３】２．マイクロ波〜ミリ波帯でのＩＣ評価時
において、コンタクト面積及びコンタクト圧力を増大さ
せることにより、コンタクト抵抗の低減等のコンタクト
性を向上させることができる。
【００８４】上記１．及び２．により、上記ＩＣ評価時
の測定誤差を低減できる。
【００８５】３．プローブパッド内のワイヤボンディン
グ領域に評価時のコンタクトによる表面荒れ（傷）を生
じさせないので、ワイヤボンディング強度を向上でき
る。
【００８６】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、プローブ
針のコンタクト位置が形状部の位置で決まるので、ＲＦ
波及びミリ波評価時におけるプローブ針のコンタクト位
置決め精度を向上させることができる。又、形状部の形
状によって、プローブ針のコンタクト面積及びコンタク
ト圧力を増大させることができ、これによりコンタクト
抵抗を低減させる等、コンタクト性の向上を実現するこ
とができる。加えて、ワイヤボンディング領域までオー
バードライブされるのを確実に防止することができ、そ
のためワイヤボンディング領域内に評価後のコンタクト
傷が発生するのを防止することができる。このコンタク
ト傷の発生防止は、ワイヤボンディングの強度向上に資
することができる。
【００８７】請求項２に係る発明によれば、傾斜部に沿
ってプローブ針をオーバードライブさせることができる
ので、コンタクト面積を広く且つ十分にとることがで
き、その結果、コンタクト抵抗を格段に低減することが
できる。しかも、プローブ針のプロービング位置を、傾
斜部とワイヤボンディング領域内のプローブパッドの上
面との境界に常に設定することができる。即ち、プロー
ビング位置を一定にできる。それ故、これらの効果によ
って、ＲＦ波及びミリ波評価時の測定誤差を格段に低減
することが可能となる。
【００８８】加えて、上記境界でプローブ針のコンタク
ト位置を決定できるので，ＩＣテストの際に何らワイヤ
ボンディング領域内に評価後のコンタクト傷を発生させ
ずにすむことができるという効果があり、これによりワ
イヤボンディングの強度を向上させることができる。
【００８９】請求項３に係る発明によれば、プローブ針
の凸部への食い込みにより、コンタクト面積を広く、且
つコンタクト圧力を十分にとることが可能となり、これ
によるコンタクト抵抗の低減によってコンタクト性を向
上させることができる。しかも、凸部によってプローブ
針のプロービング位置を決定することができ、コンタク
ト位置決め精度を向上させることができる。従って、こ
れらの効果によってＲＦ波及びミリ評価時の測定誤差を
低減できる。
【００９０】加えて、上記評価時にワイヤボンディング
領域をプロービングしてしまうことは無くなるので、ワ
イヤボンディング領域に評価後のコンタクト傷をなくす
ることができ、ワイヤボンディング強度の向上も実現で
きる。
【００９１】請求項４に係る発明によれば、線状に延び
た凸部の位置においてプローブ針のプロービング位置を
決定できるので、コンタクト位置決め精度を向上させて
ＲＦ波及びミリ波評価時の測定誤差を低減できると共
に、コンタクト面積、コンタクト圧力を共に十分に増大
させることができる結果、コンタクト抵抗の低減によっ
ても上記測定誤差を低減できる。しかも、評価後のワイ
ヤボンディング領域内のプローブパッド上面は何ら荒ら
されていないので損傷は無く、その後に行われるワイヤ
ボンディングの強度をも向上させることができる。
【００９２】請求項５に係る発明によれば、凸部の垂直
な側面とプローブ針とのコンタクトによってプローブ針
のオーバードライブを確実に停止させることができるた
め、プローブ針のコンタクト位置決め精度の向上、コン
タクト抵抗の低減等によるコンタクト性の向上を図るこ
とができ、これによりＲＦ波及びミリ波でのＩＣテスト
評価時の測定誤差を十分に低減することが可能となる。
又、ワイヤボンディング領域内にまでプローブ針がオー
バードライブされることはなくなるので、コンタクト傷
を防止してワイヤボンディングの強度を向上できる。
【００９３】請求項６に係る発明によれば、凸部のテー
パー形状の側面とプローブ針とのコンタクトによってプ
ロービング位置を一定にできるので、プローブ針のコン
タクト位置決め精度を向上させることができる。加え
て、コンタクト面積の増大等によるコンタクト抵抗の低
減によってコンタクト性をも向上させることができ、Ｒ
Ｆ波及びミリ波評価時の測定誤差を低減できる。更に、
ワイヤボンディング領域内にコンタクト傷の発生をなく
すことができ、ワイヤボンディングの強度を向上でき
る。
【００９４】請求項７に係る発明によれば、押しつぶさ
れた新たな凸部とプローブ針とのコンタクト及び凸部の
側面とプローブ針との食い込みによって、コンタクト面
積及びコンタクト圧力を増大させることができ、以てコ
ンタクト性の向上を図ることが可能となる。これによ
り、コンタクト抵抗を減小させることができる。しか
も、上記凸部の存在によってプローブ針のコンタクト位
置を決定できるので、プロービング位置の位置決め精度
の向上をも実現できる。そのため、これらの効果によっ
て、ＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差を低減させて、測
定精度を格段に向上させることができる。加えて、凸部
の存在による分離により、ワイヤボンディング領域内の
コンタクト傷の発生を防止でき、ワイヤボンディング強
度を向上させることができる。
【００９５】請求項８に係る発明によれば、プローブ針
は、凹部への滑り込みの際に凹部の側壁を押しつぶし
て、この押しつぶされた部分と接触するので、コンタク
ト面積及びコンタクト圧力を増大させることができ、そ
の結果、コンタクト性を向上できる。加えて、凹部の存
在によってプローブ針のオーバードライブを止めること
ができ、プロービング位置決め精度を向上させることが
できる。これらの結果により、本発明は、ＲＦ波・ミリ
波評価時の測定誤差を格段に向上させることができる。
【００９６】更に、本発明においても、ワイヤボンディ
ング領域内にはコンタクト傷は一切発生しないので、ワ
イヤボンディングの強度向上を図ることもできる。
【００９７】請求項９に係る発明によれば、プローブ針
のコンタクト位置決めの精度の向上、コンタクト性の向
上を実現して、ＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差を低減
させることができる。しかも、ワイヤボンディング領域
内のコンタクト傷の発生を防止して、ワイヤボンディン
グ強度を向上できる。
【００９８】請求項１０に係る発明によれば、押しつぶ
された新たな凹部とプローブ針とのコンタクト及び凹部
とプローブ針とのコンタクトによって、より一層コンタ
クト性を向上させることができ、しかも凹部の存在によ
ってプロービング位置を一定にすることができるので、
ＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差を格段に低減させるこ
とができる。加えて、ワイヤボンディング領域内にコン
タクト傷が発生するのを防止して、ワイヤボンディング
強度を向上させることができる。
【００９９】請求項１１に係る発明によれば、段差壁と
プローブ針との食い込みによって、コンタクト位置決定
精度の向上及びコンタクト性の向上を図ることができ、
以てＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差を低減することが
できる。又、段差壁でオーバードライブを停止できるの
で、ワイヤボンディング領域内にコンタクト傷が発生す
るのを防止して、ワイヤボンディング強度を向上させる
ことができる。
【０１００】請求項１２に係る発明によれば、段差壁に
設けられた切り欠き部の存在によって、より一層コンタ
クト性を向上させることができると共に、プローブ針の
コンタクト位置決め精度をより一層向上させることがで
き、以てＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差を低減するこ
とが可能となる。又、ワイヤボンディング領域内にコン
タクト傷が発生することをも防止でき、ワイヤボンディ
ングの強度向上に資することができる。
【０１０１】請求項１３に係る発明によれば、その上面
の一部が凸部形状となったプローブパッドを形成するこ
とができるので、プロービング領域とワイヤボンディン
グ領域とが外観上明確に分離されたプローブパッドを実
現できる。そして、この製造方法により製造されたプロ
ーブパッドがＩＣテストに用いられることで、本発明
は、ＲＦ波・ミリ波評価時の測定誤差の低減及びワイヤ
ボンディング強度の向上に大きく寄与することができ
る。
【０１０２】請求項１４に係る発明によれば、その上面
の一部が凹部形状となったプローブパッドを形成するこ
とができるので、プロービング領域とワイヤボンディン
グ領域とが外観上明確に分離されたプローブパッドを実
現できる。そして、この製造方法により製造されたプロ
ーブパッドをＩＣテストに用いることで、本発明は、Ｒ
Ｆ波・ミリ波評価時の測定誤差の低減及びワイヤボンデ
ィング強度の向上に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施例１によるプローブパッドの
構成を示す説明図である。
【図２】 実施例１の動作を示す説明図である。
【図３】 実施例１の動作を示す説明図である。
【図４】 この発明の実施例２を示す斜視図である。
【図５】 この発明の実施例３を示す斜視図である。
【図６】 この発明の実施例４を示す斜視図である。
【図７】 この発明の実施例５を示す斜視図である。
【図８】 この発明の実施例６を示す斜視図である。
【図９】 この発明の実施例７を示す斜視図である。
【図１０】 この発明の実施例８を示す斜視図である。
【図１１】 この発明の実施例９を示す斜視図である。
【図１２】 この発明の実施例１０を示す斜視図であ
る。
【図１３】 この発明の実施例１１を示す斜視図であ
る。
【図１４】 この発明の実施例１２を示す斜視図であ
る。
【図１５】 この発明の実施例１３を示す斜視図であ
る。
【図１６】 この発明の実施例１４を示す構成図であ
る。
【図１７】 この発明の実施例１５を示す構成図であ
る。
【符号の説明】
１ プローブパッド、２ 傾斜プロービング領域、３
ワイヤボンディング領域、４ 基板、２Ａ 傾斜部、５
プローブ針、６ プローブホルダ、７ スペーサ、
８，１０ 凸部、９，１４ プロービング領域、１２，
１３ 凹部、１５段差壁、１６ 切り込み部。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 21/822

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣが搭載又は形成された基板の上面に
    形成され、プローブ針のオーバードライブによりプロー
    ビングされるプロービング領域とワイヤボンディング領
    域とを有するＩＣテスト用のプローブパッドであって、 前記プローブパッド内の所定の位置に所定の形状を有す
    る形状部を形成して、当該形状部によって前記プロービ
    ング領域と前記ワイヤボンディング領域とを分離したこ
    とを特徴とする、ＩＣテスト用プローブパッド。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記形状部は、前記ワイヤボンディング領域内の前記プ
    ローブパッドの上面に対して所定の傾斜を有する傾斜部
    を含み、前記傾斜部は前記プロービング領域内に含まれ
    ており、前記プローブ針は前記傾斜部に沿って前記オー
    バードライブされることを特徴とする、ＩＣテスト用プ
    ローブパッド。
  3. 【請求項３】 請求項１記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記形状部は前記プローブパッドの上面に形成された凸
    部を含むことを特徴とする、ＩＣテスト用プローブパッ
    ド。
  4. 【請求項４】 請求項３記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記形状部は、前記プローブ針のプロービング方向と直
    交する、前記プローブパッドの上面内に含まれる方向に
    線状に延びた凸部を含むことを特徴とする、ＩＣテスト
    用プローブパッド。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記凸部の側面は前記プローブパッドの上面に対して垂
    直であることを特徴とする、ＩＣテスト用プローブパッ
    ド。
  6. 【請求項６】 請求項４記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記凸部の側面はテーパー形状に傾斜していることを特
    徴とする、ＩＣテスト用プローブパッド。
  7. 【請求項７】 請求項３又は請求項４に記載のＩＣテス
    ト用プローブパッドにおいて、 前記形状部は、前記プロービング領域内の前記プローブ
    パッドの上面に形成された新たな凸部を更に備え、前記
    新たな凸部の高さは前記プローブ針のオーバードライブ
    により押しつぶされ得る高さに設定されていることを特
    徴とする、ＩＣテスト用プローブパッド。
  8. 【請求項８】 請求項１記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記形状部は前記プローブパッドの上面に形成された凹
    部を含むことを特徴とする、ＩＣテスト用プローブパッ
    ド。
  9. 【請求項９】 請求項８記載のＩＣテスト用プローブパ
    ッドにおいて、 前記形状部は、前記プローブ針のプロービング方向と直
    交する、前記プローブパッドの上面内に含まれる方向に
    線状に延びた凹部を含むことを特徴とする、ＩＣテスト
    用プローブパッド。
  10. 【請求項１０】 請求項８又は請求項９に記載のＩＣテ
    スト用プローブパッドにおいて、 前記形状部は、前記プロービング領域内の前記プローブ
    パッドの上面に形成された新たな凹部を備え、前記新た
    な凹部は前記プローブ針のオーバードライブ時にその側
    壁が押しつぶされる深さを有していることを特徴とす
    る、ＩＣテスト用プローブパッド。
  11. 【請求項１１】 請求項１記載のＩＣテスト用プローブ
    パッドにおいて、 前記形状部は前記プローブパッドの上面に形成された段
    差壁であり、前記プローブパッドの上面の内で前記基板
    の上面からの高さの低い方が前記プロービング領域に含
    まれることを特徴とする、ＩＣテスト用プローブパッ
    ド。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載のＩＣテスト用プロー
    ブパッドにおいて、 前記段差壁に切り欠き部が形成されていることを特徴と
    する、ＩＣテスト用プローブパッド。
  13. 【請求項１３】 プローブ針がオーバードライブされる
    プロービング領域とワイヤボンディング領域とを有し、
    基板に搭載又は形成されたＩＣのテスト用プローブパッ
    ドの製造方法であって、 前記基板の上面の一部に凸部形状のスペーサを形成する
    工程と、 前記基板及び前記スペーサの露出面上に金属膜から成る
    プローブパッドを形成する工程とを、備えたＩＣテスト
    用プローブパッドの製造方法。
  14. 【請求項１４】 プローブ針がオーバードライブされる
    プロービング領域とワイヤボンディング領域とを有し、
    基板に搭載又は形成されたＩＣのテスト用プローブパッ
    ドの製造方法であって、 前記基板の上面下部の一部に凹部を形成する工程と、 前記凹部を含む前記基板の上面に金属膜から成るプロー
    ブパッドを形成する工程とを、備えたＩＣテスト用プロ
    ーブパッドの製造方法。
JP6243856A 1994-10-07 1994-10-07 Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法 Pending JPH08111431A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6243856A JPH08111431A (ja) 1994-10-07 1994-10-07 Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6243856A JPH08111431A (ja) 1994-10-07 1994-10-07 Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08111431A true JPH08111431A (ja) 1996-04-30

Family

ID=17109984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6243856A Pending JPH08111431A (ja) 1994-10-07 1994-10-07 Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08111431A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004198352A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Yamaha Corp 導通試験方法及びそれに用いるプローブユニット
JP2005286266A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその検査方法と製造方法
JP2008053428A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Seiko Instruments Inc 半導体装置
US7612573B2 (en) 2005-05-17 2009-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe sensing pads and methods of detecting positions of probe needles relative to probe sensing pads
US7616020B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe pad, substrate having a semiconductor device, method of testing a semiconductor device and tester for testing a semiconductor device
JP2016141149A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法、及び該製造方法で製造された液体吐出ヘッド用基板
JP2020080384A (ja) * 2018-11-13 2020-05-28 ローム株式会社 チップコンデンサおよびチップコンデンサの製造方法
CN116338262A (zh) * 2023-03-30 2023-06-27 胜科纳米(苏州)股份有限公司 一种测试盘及芯片失效分析测试的方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004198352A (ja) * 2002-12-20 2004-07-15 Yamaha Corp 導通試験方法及びそれに用いるプローブユニット
JP2005286266A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその検査方法と製造方法
US7616020B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe pad, substrate having a semiconductor device, method of testing a semiconductor device and tester for testing a semiconductor device
US7612573B2 (en) 2005-05-17 2009-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Probe sensing pads and methods of detecting positions of probe needles relative to probe sensing pads
JP2008053428A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Seiko Instruments Inc 半導体装置
JP2016141149A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基板の製造方法、及び該製造方法で製造された液体吐出ヘッド用基板
JP2020080384A (ja) * 2018-11-13 2020-05-28 ローム株式会社 チップコンデンサおよびチップコンデンサの製造方法
CN116338262A (zh) * 2023-03-30 2023-06-27 胜科纳米(苏州)股份有限公司 一种测试盘及芯片失效分析测试的方法
CN116338262B (zh) * 2023-03-30 2023-12-12 胜科纳米(苏州)股份有限公司 一种测试盘及芯片失效分析测试的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI711825B (zh) 探針導件、探針卡及探針導件之製造方法
TW492219B (en) Membrane probing system
US5347226A (en) Array spreading resistance probe (ASRP) method for profile extraction from semiconductor chips of cellular construction
JP3723232B2 (ja) プローブ針調整ツール及びプローブ針調整法
US6909300B2 (en) Method for fabricating microelectronic fabrication electrical test apparatus electrical probe tip having pointed tips
CN101356443B (zh) 探针以及采用该探针的电气连接装置
US20090102495A1 (en) Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US20090039907A1 (en) Probe card for semiconductor test
KR20070115998A (ko) 웨이퍼 테스트 장치용 프로브
JPH08111431A (ja) Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法
US20020017914A1 (en) Intergrated circuit test probe having ridge contact
JPH0442944A (ja) 半導体装置
KR100586675B1 (ko) 수직형 전기적 접촉체의 제조방법 및 이에 따른 수직형전기적 접촉체
JPS58173841A (ja) プロ−ブカ−ド
JP2004228314A (ja) パッドを有する半導体装置
JPH1151970A (ja) プローブカード
JP2945666B1 (ja) プローブカード
JP3138366B2 (ja) プローブ装置
US6207575B1 (en) Local interconnect etch characterization using AFM
JP2004311799A (ja) 半導体試験装置
JP3587488B2 (ja) コンタクター及びその製造方法
JPH10325844A (ja) 集積回路テスト用プローブパッド
CN113533929B (zh) 一种探针卡
KR102644534B1 (ko) 접촉 프로브
KR20040105035A (ko) 전자소자 검사용 전기적 접촉체