JPH10325844A - 集積回路テスト用プローブパッド - Google Patents

集積回路テスト用プローブパッド

Info

Publication number
JPH10325844A
JPH10325844A JP9134171A JP13417197A JPH10325844A JP H10325844 A JPH10325844 A JP H10325844A JP 9134171 A JP9134171 A JP 9134171A JP 13417197 A JP13417197 A JP 13417197A JP H10325844 A JPH10325844 A JP H10325844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
pad
integrated circuit
probe pad
needle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9134171A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Hiyouzou
正彦 兵三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP9134171A priority Critical patent/JPH10325844A/ja
Publication of JPH10325844A publication Critical patent/JPH10325844A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
    • H01L2224/10125—Reinforcing structures
    • H01L2224/10126—Bump collar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のＬＳＩ用プローブテストのパッドでは
テストの度にプローブ針の針先がずれたりパッドから外
れたりする課題があった。 【解決手段】 上面にＬＳＩが形成された基板のプロー
ブパッドをプローブ針がプロービングする際に、プロー
ブテストの導通領域内にプローブ針の進行方向に向かっ
て先細りの凸部または凹部を形成して、これがプローブ
針のオーバードライブを食い止めるとともに下部方向へ
の押圧力を高めるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、大規模集積回路
（ＬＳＩ）のテストに用いられる、基板上に形成された
集積回路テスト用プローブパッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１７は、例えば特開昭６１−８１６４
４号公報に示された従来の集積回路テスト用プローブパ
ッド（以下、パッドと略称する）を示す構成図であり、
図において、１はアルミニウム等の低抵抗金属膜からな
るパッド電極、６はＬＳＩ表面保護膜である。このプロ
ーブパッドの構造によれば、パッド電極１の周縁部はＬ
ＳＩ表面保護膜６で包囲されているだけでパッド電極の
表面は平坦そのものであり、しかもＬＳＩ表面保護膜６
の厚みは製造技術上の制約により通常１ミクロン程度な
のでプロービング時にストッパとして働かずプローブ針
の針先はオーバードライブして外れてしまうものであっ
た。
【０００３】このように、従来のプローブパッドの表面
は平坦な構造であったため、プローブ針をパッドに押し
つけて接触させた場合にはその圧力に応じてプローブ針
がパッド表面を滑りながら移動してしまう。そこで停止
したプローブ針の先端位置がプロービング領域に収まる
ようにその進入方向・角度、オーバードライブ量を調節
しながら位置決めをして、プローブ針とパッドが電気的
な接触をとれるようにしてからＬＳＩ用テストを行うも
のであった。
【０００４】また、近年ＬＳＩは高密度化・高集積化に
伴いデザインルールもより小さくなり、パッドの面積も
また縮小化されプロービング領域もその影響で小さくな
る傾向にある。プロービング領域が縮小化された場合に
は、オーバードライブによるプローブ針の滑り量がその
領域の寸法を越え易くなり針先が外れてパッドの導電面
と接触ができなくなる。したがって、そのプローブ針の
位置合わせにはより精度が要求されることとなる。
【０００５】また、従来技術では、プローブ針の針先の
位置決定がウェーハテストを重ねるたびに変化するが、
この理由の１つにはプローブ針をパッドに電気的に接触
させるために、最初にプローブ針がパッドに接触してか
らさらに垂直方向に数十ミクロン分プローブ針をパッド
面に押しつけて移動させ、これによりパッドへの接触時
の圧力を高めているためにプローブ針にかかる力がプロ
ーブ針の形状を変化させてしまっていることにある。こ
のとき、プローブ針は平坦なパッドの上を滑りながら形
状が変化する。滑る方向はプローブ針のプローブカード
基板上での取付位置やわずかな取付角度によっても変化
してしまうものと考えられる。
【０００６】なお、このような従来の集積回路テスト用
プローブパッドについて、たとえば特開平８−１１１４
３１号公報がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
集積回路テスト用プローブパッドの上部表面は平坦な構
造であり、そのため現状のウェーハテストに使用されて
いるプローブカードではウェーハテストの実施回数を重
ねるにつれてプローブ針の針先の停止位置が徐々にズレ
て正規の位置から移動してしまうなどの課題があった。
加えてＬＳＩ集積度の向上によるパッド面積の縮小化に
伴い、このズレによるプローブ針の移動程度によっては
コンタクト領域から外れてプローブ針がパッドと接触で
きなくなるなどの課題があった。
【０００８】以上のようなプローブ針のオーバードライ
ブによるパッドのコンタクト領域からの外れおよびプロ
ーブ針の経年使用による針先変形を抑制する方法として
は、プローブ針をパッド表面に押しつける力がかかった
状態での針先の位置をパッド上の特定の位置に強制的に
固定する方法が考えられる。また、この方法を採用すれ
ば、新品時での針先位置の精度バラツキの矯正も見込む
ことができる。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、プロービングの際にプローブ針の
針先がプローブパッドの接触表面から脱落するのを防止
するとともにその針先が所望のプローブパッドの接触位
置に矯正・誘導するＬＳＩテスト用プローブパッドを得
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る集積回路テスト用プローブパッドは、集積回路が形成
された基板の上面に形成され、プローブ針のオーバード
ライブによりプロービングされ導通する領域を有してお
り、この領域内の所定の位置に所定の形状を有する凸部
または凹部を形成して、この形状部に当接したプローブ
針のオーバードライブを制御するものである。
【００１１】請求項２記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、凸部または凹部がプロービング時
のプローブ針の進行方向に向かって先細りする雌形状を
有するものである。
【００１２】請求項３記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、先細りする凸部または凹部の上面
形状が多角形を有するものである。
【００１３】請求項４記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、先細りする凸部または凹部の上面
形状が曲線形状を有するものである。
【００１４】請求項５記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、プローブパッドには他の導電性膜
が部分的に形成されこの導電性膜にプロービング時のプ
ローブ針を収容する凹部が形成されているものである。
【００１５】請求項６記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、プローブパッドがプロービング方
向に下り傾斜を有するものである。
【００１６】請求項７記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、プローブパッドがプロービング方
向に下り階段状の段差を有するものである。
【００１７】請求項８記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、凸部が導電性または非導電性を有
するものである。
【００１８】請求項９記載の発明に係る集積回路テスト
用プローブパッドは、ワイヤボンディング領域を有する
ものである。
【００１９】請求項１０記載の発明に係る集積回路テス
ト用プローブパッドは、集積回路が形成された基板の上
面に形成され、プローブ針のオーバードライブによりプ
ロービングされ導通する領域を有するものであり、この
領域の周縁部は絶縁膜で包囲されこの絶縁膜は上面から
見てプローブ針の進行方向に頂点を有する三角形を成し
ているものである。
【００２０】請求項１１記載の発明に係る集積回路テス
ト用プローブパッドは、絶縁膜が形成されていない導通
領域には導電性膜または他の絶縁膜による多角形状の島
部が形成されているものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるプ
ローブパッドの構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）
は側面図である。図において、１はアルミニウム等の低
抵抗金属膜により形成されたパッド電極（プローブパッ
ド）、２は金属ないし絶縁保護膜からなる突起物（凸
部）、３は一定の可撓性を有するように屈曲した、片持
ち針と呼ばれるプローブ針である。突起物２の上から眺
めた形状はＶ字形で線対称に拡がる凹部をなしており、
これがプロービングしてくるプローブ針３を受け止め
る。
【００２２】また、突起物２はアルミニウム等の金属で
もパッシベーション膜のような絶縁保護膜でもよく、プ
ローブ針３の押圧力を支えることができる程度の剛性が
少なくとも必要である。例えば、この突起物２を構成す
る金属がアルミニウムの場合には、突起物２の箇所以外
にフォトリソグラフィー法等によりレジストパターンを
形成しこれにアルミニウム膜を蒸着等により形成し、そ
の後にレジストを除去することにより形成することがで
きる。また、これがアルミニウムの代わりに絶縁保護膜
の場合でも同様にして形成することができる。この突起
物２はプローブ針の針飛びを防止するために数ミクロン
すなわち２〜３ミクロン程度の高さを必要とする。
【００２３】次に動作について説明する。プローブ針３
は、図１（ａ），（ｂ）の矢印方向すなわちパッド電極
１の表面に斜め方向より降下しながら進入してきて接触
する。プローブ針３は上下方向に可撓性を有するのでパ
ッド電極１の表面と接触した後も矢印方向にスライドし
ていく。このスライドをオーバードライブという。この
オーバードライブ量は一般に針先がパッド電極１と接触
した点すなわち作用点から９０ミクロン程度に設定され
る。この針先が滑走してＶ字形の突起物２に当接する
と、これがプローブ針３の押圧力に耐える程度の剛性を
有するのでストッパとして働くとともに針先をＶ字形の
突起物２の頂点に誘導していく。針先は頂点ないしはス
トッパ壁面に食い込むとともに下方向への押圧力が高ま
り、さらにパッド電極１とのコンタクト状態は良好にな
る。
【００２４】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、パッド電極１の表面に突起物２を形成しプローブ針
３のオーバードライブによる滑り量を制限するととも
に、突起物２のＶ字形状によりプローブ針３の先端位置
を決定できるように構成したので、設定本来のオーバー
ドライブ量をその途中で制限するためにパッド電極１に
対するプローブ針３の押圧力が高まり、プローブ針３と
プローブパッドの接触性が改善されるという効果が得ら
れる。また、プローブ針３の先端の停止位置がＶ字突起
物２の側壁に沿って一定の位置に誘導されることで、従
来のように経年変化によりプローブ針３先端の位置決定
にバラツキが生じてしまうということがなくなる効果が
得られる。更に、新品の状態で既に生じているプローブ
針３の先端停止位置のバラツキが使用を重ねるにしたが
って矯正できるという効果が得られる。
【００２５】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２によるプローブパッドの構成図であり、（ａ）は上
面図、（ｂ）はＡ−Ａに沿った断面図である。図におい
て、１はアルミニウム等の低抵抗金属膜からなるパッド
電極、４はパッド電極１に形成された５角形の窪み（凹
部）である。
【００２６】窪み４は、形成すべき部分以外にフォトリ
ソグラフィ法によりレジストパターンを形成してエッチ
ング等によりプローブパッドの金属膜を薄くすることで
形成できる。また、タングステン等の剛性の高い彫刻刀
のような部材を用いてプローブパッドの形成すべき部分
を削ることによっても形成できる。
【００２７】次に動作について説明する。ＬＳＩテスト
のためにはプローブ針がプローブパッドとコンタクトし
なければならないが、上述したようにパッド電極１の表
面に斜め方向から降下しながら進入していく。プローブ
針の動作条件は前記実施の形態１と同様なので省略す
る。プローブ針の針先は滑走して５角形の窪み４の内面
に当接すると押圧力に耐える程度の剛性を有するので、
ストッパとして働くとともにその針先を窪み４の５角形
の頂点に誘導して位置決めをする。
【００２８】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、プローブパッド１の表面に窪み４を形成しプローブ
針の滑り量を制限するとともに、窪み４の５角形形状に
よりプローブ針の先端位置を決定できるように構成した
ので、本来のその滑り量をその途中で制限するためにプ
ローブパッドに対するプローブ針３の押圧力が高まり、
プローブ針とプローブパッド１の接触性が改善されると
いう効果が得られる。また、経年変化による針先コンタ
クト位置のバラツキの低減やその矯正効果は前記実施の
形態１と同様である。
【００２９】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３によるプローブパッドの構成図であり、（ａ）は上
面図、（ｂ）はＢ−Ｂに沿った断面図である。図におい
て、１はアルミニウム等の低抵抗金属膜からなるパッド
電極、４はパッド電極１に形成された５角形の窪み、５
は金属製のバンプ電極（他の導電性膜）である。図３の
プローブパッド構造は、パッド電極１上には予めバンプ
電極５が形成されこれに図２と同様な窪み４が形成され
たものである。このバンプ電極５の上部には後にＴＡＢ
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の
インナーリードが接着される。
【００３０】図３（ａ），（ｂ）を見て分かるように、
窪み４の右側部分がバンプ電極５の端部にまで拡がるよ
うに形成したのは、プローブ針がパッド電極５の表面に
進入し易くするためと、インナーリード接着の際に発生
する気泡を窪み４から端部を介して除去できるようにす
るためである。窪み４の形成方法は前記実施の形態２の
場合と同様にすればよいが、この実施の形態３の場合は
窪み４の深さをバンプ電極５の厚み分だけ深くすること
ができる。動作についても前記実施の形態２と同様なの
で、ここでは省略する。
【００３１】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、前記実施の形態２と同様な効果が得られる。加えて
形成された窪み４はパッド電極１の端部にまで及ぶので
インナーリード接着の際の気泡を逃し接着性を改善する
効果がある。更に、バンプ電極５の厚み分だけ窪み４を
深く形成できるので、この側壁によりプローブ針の針先
支持がより確実に行われる効果がある。
【００３２】実施の形態４．図４〜図６は、図１〜図３
に示される実施の形態１から実施の形態３にそれぞれ対
応する変形例１〜３のプローブパッドの構成図で、各図
の（ａ）はそれぞれ上面図、（ｂ）はＣ−Ｃ、Ｄ−Ｄ、
Ｅ−Ｅに沿った断面図である。図において、１はパッド
電極、２は突起物、４は窪み、５はバンプ電極である。
図４（ａ），（ｂ）のプローブパッドは、パッド電極１
の表面全体に傾斜をつけてから突起物２を形成するもの
であり、図５（ａ），（ｂ）のプローブパッドは、単に
パッド電極１に傾斜付きの窪み４を形成するものであ
り、図６（ａ），（ｂ）のプローブパッドは、パッド電
極１にバンプ電極５を形成してから傾斜付きの窪み４を
バンプ電極５の厚みの範囲内で形成するものである。こ
れらの傾斜は、前述の切削部材を装備したＮＣ工作機械
等を用いて、パッド電極１の表面を漸次的に切削加工を
することにより実現できる。
【００３３】この実施の形態４によれば、変形例１〜３
はそれぞれ上述の実施の形態１から実施の形態３の効果
に加えて、パッド電極１の表面にプロービング方向に向
かって下がり傾斜がつくように構成したので、パッド電
極１の表面に形成された突起物２または窪み４がこれら
の側壁に沿ってプローブ針のオーバードライブ量を制御
することと、この針先の位置決定のバラツキを矯正する
ことに加えて、傾斜により針先がより突起物２または窪
み４の側壁に誘導され易くなりプローブ針のプロービン
グ方向に対する滑走を容易にできる効果がある。
【００３４】実施の形態５．図７〜図９は、図１〜図３
に示される実施の形態１から実施の形態３にそれぞれ対
応する変形例４〜６のプローブパッドの構成図で、各図
の（ａ）はそれぞれ上面図、図７（ｂ）は側面図、図
８，図９の（ｂ）はそれぞれＦ−Ｆ、Ｇ−Ｇに沿った断
面図である。図において、１はパッド電極、２は上面が
曲線状の突起物、４は上面が曲線状の窪みであり、これ
らの突起物２あるいは窪み４の曲線形状は上述の実施の
形態１から実施の形態３の形成方法と同様にしてつけら
れる。
【００３５】この実施の形態５によれば、突起物２ある
いは窪み４の形状が曲線状の構成にしたので、上述の実
施の形態１から実施の形態３の効果の１つであるプロー
ブ針の針先の位置決定精度は多少減少するもののパッド
電極１との接触領域が増大するのでプローブ針の位置合
わせ自由度が向上する効果がある。また、パッド電極１
の表面に前記実施の形態４のような斜面を設ければプロ
ーブ針の針先がより滑走し易くなるのはいうまでもな
い。
【００３６】実施の形態６．図１０〜図１２は、それぞ
れ図４〜図６に示される実施の形態４での傾斜を階段状
にした変形例７〜９のプローブパッドの構成図であり、
各図の（ａ）はそれぞれ上面図、（ｂ）はＨ−Ｈ、Ｉ−
Ｉ、Ｊ−Ｊに沿った断面図である。図において、１はパ
ッド電極、２は突起物、４は窪み、５はバンプ電極、９
は段差である。この階段状の段差９の形成は、前述の切
削部材を装備したＮＣ工作機械により段階的に切削深度
を調整しながら加工を行うか、フォトリソグラフィ法に
より窓の大きさを調節しながらエッチング量を可変すれ
ば実現できる。
【００３７】この実施の形態６によれば、パッド電極１
表面のプロービング領域にプロービング方向に向かって
下り階段となる段差９をつけるように構成したので、パ
ッド電極１の表面に形成された突起物２または窪み４が
プローブ針のオーバードライブ量を制御することと、そ
の針先の停止位置決めのバラツキを矯正することとに加
えて、階段形状の段差９の各ステップがプローブ針の滑
走を係止するように作用するので、プローブ針の針先の
位置決めがより効果的に行われる効果がある。
【００３８】実施の形態７．図１３はこの発明の実施の
形態７によるプローブパッドの構成図であり、（ａ）は
上面図、（ｂ）はＫ−Ｋに沿った断面図である。図にお
いて、１はアルミニウム等の低抵抗金属膜からなるパッ
ド電極、６はパッド電極１に形成されたＬＳＩ表面保護
膜（絶縁膜）である。このプローブパッドを通常のフォ
トリソグラフィ法に基づいて開口してこのＬＳＩ表面保
護膜６をエッチングしてコンタクト窓を形成すればよ
い。この実施の形態７のプローブパッドの構成によれ
ば、パッド電極１の周囲に通常作成されているＬＳＩ表
面保護膜６の形状を変えるだけで、上述の実施の形態１
と同様な働きを得るものであり、ＬＳＩ表面保護膜６の
形状を変えるだけでＬＳＩ製造工程数を増やさないので
製造コスト削減の効果がある。
【００３９】また、図１３（ａ）においてプローブ針の
先端の停止位置からＬＳＩ表面保護膜６の端までの距離
を通常の保護膜での距離よりも長くすることによって
（図１３（ａ）の長さＬ）、プローブ針の先端の接触に
よって保護膜にひび割れ等が生じたとしても、その長さ
Ｌの範囲内でひび割れの進行が停止するのでＬＳＩ表面
保護膜としての機能が損なわれることがなくなる耐湿性
を向上させる効果がある。ただし、このＬＳＩ表面保護
膜を比較的硬度のある窒化膜等で構成すればひび割れが
起きにくくなるので、必ずしも上述の長さＬも必要とせ
ず短くて済む。したがって、パッド電極１とコンタクト
のとれる領域が広く形成できる効果がある。
【００４０】更に、図１３（ａ）の例では、ＬＳＩ表面
保護膜６は三角形を有するものを示したが、プロービン
グ領域の確保の点からは半円のような面積が大きいもの
がよい。尚、プローブ針の針飛びの防止のために、ＬＳ
Ｉ表面保護膜６の厚みは少なくとも１ミクロン程度は必
要である。もしデバイス設計・製造上その厚みがとれな
い場合には、コンタクト領域の導電膜をエッチング等に
より掘り下げるのも有効である。
【００４１】この実施の形態７によれば、通常ＬＳＩ製
造プロセス上必要なＬＳＩ保護膜のコンタクト窓の形状
を三角形、半円形等にするだけでプローブパッドを構成
したので、プロセス工程数を増やすことなく上述の実施
の形態１と同様の効果がある。
【００４２】実施の形態８．図１４はこの発明の実施の
形態８によるプローブパッドの構成図であり、（ａ）は
上面図、（ｂ）はＬ−Ｌに沿った断面図である。図にお
いて、１はアルミニウム等の低抵抗金属膜からなるパッ
ド電極、６はパッド電極１に形成されたＬＳＩ表面保護
膜、７は保護膜（他の絶縁膜）である。この実施の形態
８のプローブパッドの構成は、前記実施の形態７の変形
例にあたるもので、コンタクト窓の中に島状の保護膜７
の段差を形成したものである。また、この保護膜７は他
の金属により形成されてもよく、これによりプロービン
グ領域が拡大する効果がある。図１４（ａ）に示される
ように、この保護膜７の形状はプロービング時に進入し
てくるプローブ針をある点に誘導して収容できるように
雌形になっている。これによっても、前記実施の形態７
と同様な効果が得られる。加えて、保護膜７の厚みを可
変できるのでより確実にプローブ針を支持できるように
厚めに設定ができる効果がある。
【００４３】実施の形態９．図１５はこの発明の実施の
形態９によるプローブパッドの構成図であり、（ａ）は
上面図、（ｂ）は側面図である。図において、１はアル
ミニウム等の低抵抗金属膜により形成されたパッド電
極、２は金属ないし絶縁保護膜からなる突起物、８はパ
ッケージ用のワイヤボンディングのための領域（ワイヤ
ボンディング領域）である。この領域８は表面に凹凸も
なく平坦でありワイヤボンディングとプロービングは別
領域で行われるので、ワイヤボンディングはパッド電極
１上の凹凸に影響されることなく確実に行うことができ
る効果がある。
【００４４】実施の形態１０．図１６はこの発明の実施
の形態１０によるプローブパッドの構成図で上述の実施
の形態１の変形例であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側
面図である。図において、１はアルミニウム等の低抵抗
金属膜により形成されたパッド電極、２は金属ないし絶
縁保護膜からなる突起物、３はプローブ針である。プロ
ーブ針３の針先の進行方向は通常四角形のパッド電極の
辺に対して垂直とは限らない。そのため、突起物２の形
成角度をプローブ針３の実際の進行方向に合わせて作成
する必要がある。このように構成すれば、突起物２は、
これが有する各種の上面形状が有効にプローブ針を収容
できるように、方向を変えて形成できる。
【００４５】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、上述の実施の形態１の効果に加えて、実際のプロー
ブ針の動きに基づいて突起物２の方向性を最適に設定す
るように構成したので、針先を所望の停止位置に誘導し
易くなりプロービング操作が安定する効果がある。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、プローブパッド内の所定の位置に所定の形状を有
する凸部または凹部を形成するように構成したので、プ
ローブ針にかかるオーバードライブ量が導通する領域か
らはみ出してしまうものであっても、その針先はプロー
ブパッド内に形成された凸部または凹部の形状部に当接
して食い込むのでプローブ針がその領域内に収まるとと
もに、プローブ針のパッド表面への押圧力も高まるので
接触抵抗も下がり、したがって測定誤差を低減した集積
回路テスト結果すなわちプローブテストを実現できる効
果がある。
【００４７】請求項２記載の発明によれば、凸部または
凹部がプロービング時のプローブ針の進行方向に先細り
する雌形状を有するように構成したので、プローブ針が
凸部または凹部の側壁に沿って誘導されその先細りの頂
点に到達し、プローブ針の針先は同じ位置に決定され
る。したがって、プローブ針の針先の精度バラツキを矯
正して集積回路テストの測定安定に寄与する効果があ
る。
【００４８】請求項３記載の発明によれば、凸部または
凹部の上面形状が多角形を有するように構成したので、
その頂点でプローブ針の針先を受けとめることができ、
余分なオーバードライブを止めることができる効果があ
る。
【００４９】請求項４記載の発明によれば、凸部または
凹部の上面形状が曲線形状を有するように構成したの
で、集積回路テストを行える領域を広く確保できる効果
がある。
【００５０】請求項５記載の発明によれば、プローブパ
ッドには他の導電性膜が部分的に形成されこの導電性膜
にプロービング時のプローブ針を収容する凹部が形成さ
れるように構成したので、この他の導電性膜の分だけ凹
部を深く形成でき、したがってよりプローブ針の支持を
確実にでき測定エラーを低減する効果がある。加えて、
インナーリードを接着する際に発生する気泡をその凹部
を介して逃がすのでその接着を確実にできる効果があ
る。
【００５１】請求項６記載の発明によれば、プローブパ
ッドがプロービング方向に下り傾斜を有するように構成
したので、プローブ針がその傾斜方向に対して滑走し易
くなり凸部または凹部への到達が容易となり、上述のよ
うな針先の位置決定の確実性および測定精度の向上を実
現できる効果がある。
【００５２】請求項７記載の発明によれば、プローブパ
ッドがプロービング方向に下り階段状の段差を有するよ
うに構成したので、その階段に沿ってプローブ針の針先
がトレースして滑走していく。したがって、前記のよう
な針先の位置決定の確実性および測定精度の向上を実現
できる効果がある。
【００５３】請求項８記載の発明によれば、凸部が導電
性または非導電性を有するように構成したので、導電性
の場合はその側壁に食い込むようにプロービングを設定
することでより確実な導通を実現することができ、一
方、非導電性の場合は窒化膜等の硬度の高い物質で構成
すれば、凸部の占有面積を小さくできるので導通領域を
広く設定できる効果がある。
【００５４】請求項９記載の発明によれば、プローブパ
ッドはワイヤボンディング領域を有するように構成した
ので、プローブテストの導通領域とワイヤボンディング
領域を別々に設定できるので、ワイヤボンディングをこ
の導通領域上の凹凸形状に左右されることなく実施でき
る効果がある。
【００５５】請求項１０記載の発明によれば、導通領域
の周縁部は絶縁膜で包囲されこの絶縁膜は上面から見て
プローブ針の進行方向に頂点を有する三角形を成すよう
に構成したので、通常工程数で上述の測定誤差の低減お
よび針先の矯正を実現できる効果がある。
【００５６】請求項１１記載の発明によれば、絶縁膜が
形成されていない導通領域には導電性膜または他の絶縁
膜による多角形状の島部が形成されるように構成したの
で、上述のように導電性膜の場合は食い込みによる確実
な導通を実現することができ、一方、他の絶縁膜の場合
は窒化膜等の硬質の物質で構成すれば、島部の占有面積
を小さくできるので導通領域を広く設定できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１によるプローブパッ
ドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面
図である。
【図２】 この発明の実施の形態２によるプローブパッ
ドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−
Ａに沿った断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３によるプローブパッ
ドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＢ−
Ｂに沿った断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態４の変形例１によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＣ−Ｃに沿った断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４の変形例２によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＤ−Ｄに沿った断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態４の変形例３によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＥ−Ｅに沿った断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態５の変形例４によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は側面図である。
【図８】 この発明の実施の形態５の変形例５によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＦ−Ｆに沿った断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態５の変形例６によるプ
ローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＧ−Ｇに沿った断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態６の変形例７による
プローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＨ−Ｈに沿った断面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態６の変形例８による
プローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態６の変形例９による
プローブパッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）はＪ−Ｊに沿った断面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態７によるプローブパ
ッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＫ
−Ｋに沿った断面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態８によるプローブパ
ッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＬ
−Ｌに沿った断面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態９によるプローブパ
ッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側
面図である。
【図１６】 この発明の実施の形態１０によるプローブ
パッドを示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は
側面図である。
【図１７】 従来例によるプローブパッドを示す構成図
であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＸ−Ｘに沿った断面
図である。
【符号の説明】
１ パッド電極（プローブパッド）、２ 突起物（凸
部）、３ プローブ針、４ 窪み（凹部）、５ バンプ
電極（他の導電性膜）、６ ＬＳＩ表面保護膜（絶縁
膜）、７ 保護膜（他の絶縁膜）、８ 領域（ワイヤボ
ンディング領域）、９ 段差。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 集積回路が形成された基板の上面に形成
    され、プローブ針のオーバードライブによりプロービン
    グされ導通する領域を有する集積回路テスト用プローブ
    パッドにおいて、 上記領域内の所定の位置に所定の形状を有する凸部また
    は凹部を形成して、当該形状部に当接した上記プローブ
    針のオーバードライブを制御することを特徴とする集積
    回路テスト用プローブパッド。
  2. 【請求項２】 凸部または凹部がプロービング時のプロ
    ーブ針の進行方向に向かって先細りする雌形状を有する
    ことを特徴とする請求項１記載の集積回路テスト用プロ
    ーブパッド。
  3. 【請求項３】 先細りする凸部または凹部の上面形状が
    多角形であることを特徴とする請求項２記載の集積回路
    テスト用プローブパッド。
  4. 【請求項４】 先細りする凸部または凹部の上面形状が
    曲線形状を有することを特徴とする請求項２記載の集積
    回路テスト用プローブパッド。
  5. 【請求項５】 プローブパッドには他の導電性膜が部分
    的に形成されこの導電性膜にプロービング時のプローブ
    針を収容する凹部が形成されていることを特徴とする請
    求項２または請求項３記載の集積回路テスト用プローブ
    パッド。
  6. 【請求項６】 プローブパッドがプロービング方向に下
    り傾斜を有する請求項１から請求項５のうちのいずれか
    １項記載の集積回路テスト用プローブパッド。
  7. 【請求項７】 プローブパッドがプロービング方向に下
    り階段状の段差を有する請求項１から請求項５のうちの
    いずれか１項記載の集積回路テスト用プローブパッド。
  8. 【請求項８】 凸部が導電性または非導電性を有するこ
    とを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか
    １項記載の集積回路テスト用プローブパッド。
  9. 【請求項９】 プローブパッドはワイヤボンディング領
    域を有することを特徴とする請求項１記載の集積回路テ
    スト用プローブパッド。
  10. 【請求項１０】 集積回路が形成された基板の上面に形
    成され、プローブ針のオーバードライブによりプロービ
    ングされ導通する領域を有する集積回路テスト用のプロ
    ーブパッドであって、 上記領域の周縁部は絶縁膜で包囲されこの絶縁膜は上面
    から見てプローブ針の進行方向に頂点を有する三角形を
    成していることを特徴とする集積回路テスト用プローブ
    パッド。
  11. 【請求項１１】 絶縁膜が形成されていない導通領域に
    は導電性膜または他の絶縁膜による多角形状の島部が形
    成されていることを特徴とする請求項１０記載の集積回
    路テスト用プローブパッド。
JP9134171A 1997-05-23 1997-05-23 集積回路テスト用プローブパッド Pending JPH10325844A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9134171A JPH10325844A (ja) 1997-05-23 1997-05-23 集積回路テスト用プローブパッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9134171A JPH10325844A (ja) 1997-05-23 1997-05-23 集積回路テスト用プローブパッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10325844A true JPH10325844A (ja) 1998-12-08

Family

ID=15122114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9134171A Pending JPH10325844A (ja) 1997-05-23 1997-05-23 集積回路テスト用プローブパッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10325844A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239090A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Fujitsu Microelectronics Ltd パッドと半導体装置の製造方法
WO2011111642A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2013135195A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置
JP2017050963A (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 トヨタ自動車株式会社 電力制御装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009239090A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Fujitsu Microelectronics Ltd パッドと半導体装置の製造方法
WO2011111642A1 (ja) * 2010-03-08 2011-09-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JPWO2011111642A1 (ja) * 2010-03-08 2013-06-27 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US8698188B2 (en) 2010-03-08 2014-04-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and method for producing the same
JP2013135195A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置
JP2017050963A (ja) * 2015-09-01 2017-03-09 トヨタ自動車株式会社 電力制御装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6654061B2 (ja) プローブガイド、プローブカード及びプローブガイドの製造方法
US7161250B2 (en) Projected contact structures for engaging bumped semiconductor devices and methods of making the same
WO2005085877A1 (ja) プローブ及びプローブの製造方法
JP2006351793A (ja) 半導体装置
KR20040069259A (ko) 컨택트 프로브
JPH0369131A (ja) 半導体集積回路試験用プローブおよび該プローブを用いる試験工程を含む半導体装置の製造方法
US11442080B2 (en) Contact probe and relative probe head of an apparatus for testing electronic devices
JPH1138041A (ja) プローブカード用片持ち型プローブ針とその製造方法ならびに制御方法
JPH10325844A (ja) 集積回路テスト用プローブパッド
JP2001033487A (ja) 半導体集積回路テスト用のプローブカードおよびこのプローブカードの製造方法
US6667627B2 (en) Probe for inspecting semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4954492B2 (ja) プローブおよびその製造方法
JPH08111431A (ja) Ｉｃテスト用プローブパッド及びその製造方法
JP2001060567A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4359196B2 (ja) 凸型スパイラル状接触子、それを用いた電子部品用接続端子、コネクタ、および、その製造方法
JPH06174748A (ja) 狭小ピッチ対応型プローブカード
US8168526B2 (en) Semiconductor chip package and method for manufacturing thereof
JP2001284394A (ja) 半導体素子
JP2005032983A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2842430B2 (ja) Ｔａｂテープ
US5981370A (en) Method for maximizing interconnection integrity and reliability between integrated circuits and external connections
JP2008216206A (ja) コンタクタ、プローブカード及びプローブカードの製造方法
JPH0982742A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2956097B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4354366B2 (ja) 半導体装置の製造方法と検査方法