JP2013135195A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013135195A JP2013135195A JP2011286643A JP2011286643A JP2013135195A JP 2013135195 A JP2013135195 A JP 2013135195A JP 2011286643 A JP2011286643 A JP 2011286643A JP 2011286643 A JP2011286643 A JP 2011286643A JP 2013135195 A JP2013135195 A JP 2013135195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- film
- emitting laser
- probe
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体層と、前記半導体層上に形成された電極と、前記電極の少なくとも周辺の領域に形成された緻密性の絶縁膜と、を備える前記絶縁膜は、誘電体からなる。好ましくは、前記絶縁膜は、ビッカース硬さが7.8kN/mm2以上である。好ましくは、前記絶縁膜は、誘電体からなる。好ましくは、前記絶縁膜は、屈折率が1.9以上の窒化珪素からなる。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の模式的な断面斜視図である。図1に示すように、半導体装置10は、裏面に下部電極11が形成された基板12上に、半導体層13が形成されている。半導体層13の表面には上部電極パッド14が形成されている。半導体層13の表面の、上部電極パッド14を除く全面には、半導体層13の表面を保護するためのパッシベーション膜としての絶縁膜15が形成されている。なお、半導体装置10を、たとえばダイオードやFET等の所望の半導体装置として機能させるために、半導体層13の表面には、他の上部電極パッドが形成されていても良い。また、上部電極パッド14と半導体層13との間には、適宜ゲート絶縁膜が形成されていても良い。また、半導体層13は、多層構造となっていても良い。また、半導体層13の材料は特に限定されず、Si、GaAs系半導体材料、または窒化物系半導体材料等を使用できる。また、上部電極パッド14についても、使用する半導体材料等に応じて適宜公知の金属材料等を使用することができる。
つぎに、本発明の実施の形態2としての、面発光レーザ素子である光半導体装置について説明する。図6は、実施の形態2に係る面発光レーザ素子の模式的な断面図である。
なお、計算では、図6に示す面発光レーザ素子において、SiO2膜および窒化珪素膜で構成される11ペアの上部DBRミラー構造とした。このとき、しきい値電流と効率は、それぞれ、0.174mA、0.34W/Aであった。これに効率調整膜として、SiO2膜または窒化珪素膜の効率調整膜を用いて、膜厚を、0.025λ間隔で0.25λ(但し、λ=1060nm)まで変化させたときの効率としきい値電流の計算を行った。
つぎに、本発明の実施の形態3としての、端面発光型レーザ素子である光半導体装置について説明する。図14は、実施の形態3に係る端面発光型レーザ素子の模式的な断面斜視図である。
11、21a、31 下部電極
12、22、32 基板
13 半導体層
14 上部電極パッド
15、38 絶縁膜
20 面発光レーザ素子
21b、37 上部電極
23 下部DBRミラー
24a、33a n型クラッド層
24b、33b、33c p型クラッド層
25、34 活性層
26 電流狭窄層
26a 開口部
26b 選択酸化層
27 上部DBRミラー
28 効率調整膜
29 上部電極パッド
30 端面発光型レーザ素子
35 埋め込み半導体層
36 コンタクト層
100 ウェハ
1000 オンウェハ測定装置
1001 ステージ
1002、1002A、1002B プローブ
Claims (7)
- 半導体層と、
前記半導体層上に形成された電極と、
前記電極の少なくとも周辺の領域に形成された緻密性の絶縁膜と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁膜は、ビッカース硬さが7.8kN/mm2以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、誘電体からなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記絶縁膜は、屈折率が1.9以上の窒化珪素からなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 光半導体装置であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 垂直共振器型面発光レーザであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記垂直共振器型面発光レーザは、上部多層膜ミラーを備え、前記絶縁膜は、前記上部多層膜ミラー上に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011286643A JP5922400B2 (ja) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 半導体装置の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011286643A JP5922400B2 (ja) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 半導体装置の測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013135195A true JP2013135195A (ja) | 2013-07-08 |
JP5922400B2 JP5922400B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=48911679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011286643A Active JP5922400B2 (ja) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 半導体装置の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5922400B2 (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60107841A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Ltd | 窒化シリコン膜の形成方法 |
JPH0541421A (ja) * | 1990-08-06 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置 |
JPH0560790A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電気探針の位置補正装置 |
JPH10325844A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路テスト用プローブパッド |
JPH11340512A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体検査装置及び端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法 |
JP2000332357A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US6160834A (en) * | 1998-11-14 | 2000-12-12 | Cielo Communications, Inc. | Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies |
JP2007109737A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2009055002A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2011086911A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-04-28 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2011253847A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子と、その製造方法およびランプ、電子機器、機械装置 |
-
2011
- 2011-12-27 JP JP2011286643A patent/JP5922400B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60107841A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Ltd | 窒化シリコン膜の形成方法 |
JPH0541421A (ja) * | 1990-08-06 | 1993-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 電気回路測定用探針の接触検知装置及びこの接触検知装置を用いた電気回路測定装置 |
JPH0560790A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電気探針の位置補正装置 |
JPH10325844A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路テスト用プローブパッド |
JPH11340512A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Ricoh Co Ltd | 半導体検査装置及び端面発光型発光光半導体素子ウェハーの検査方法 |
US6160834A (en) * | 1998-11-14 | 2000-12-12 | Cielo Communications, Inc. | Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies |
JP2000332357A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2007109737A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2009055002A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2011086911A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-04-28 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、及び画像形成装置 |
JP2011253847A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子と、その製造方法およびランプ、電子機器、機械装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5922400B2 (ja) | 2016-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106505410B (zh) | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 | |
JP6137318B2 (ja) | 垂直共振面発光レーザアレイ | |
WO2015011984A1 (ja) | 垂直共振面発光レーザアレイおよびその製造方法 | |
CN111564753A (zh) | 垂直腔面发射激光器 | |
JP4058635B2 (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2015522217A (ja) | キャビティ内コンタクトを有するvcsel | |
WO2021117411A1 (ja) | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、電子機器及び面発光レーザの製造方法 | |
US20210175687A1 (en) | Method of producing vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser, distance sensor, and electronic apparatus | |
US8228964B2 (en) | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and image formation apparatus | |
TW201743523A (zh) | 垂直諧振器面發光雷射 | |
JP5190038B2 (ja) | 面発光レーザ | |
JP2019009225A (ja) | 量子カスケード半導体レーザ | |
US9762030B2 (en) | Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element | |
JP7200721B2 (ja) | 面発光レーザモジュール、光源装置、検出装置 | |
JP5922400B2 (ja) | 半導体装置の測定方法 | |
JP2021009895A (ja) | 面発光レーザ | |
US20230006421A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser element, vertical cavity surface emitting laser element array, vertical cavity surface emitting laser module, and method of producing vertical cavity surface emitting laser element | |
US20070127533A1 (en) | Long-wavelength vertical cavity surface emitting lasers having oxide aperture and method for manufacturing the same | |
KR20080052197A (ko) | 장파장 표면 방출 레이저 소자 및 그 제조 방법 | |
US20220149595A1 (en) | Vertical cavity surface emitting device | |
US7885312B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser element | |
JP2007165501A (ja) | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2007129010A (ja) | 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 | |
JP2021009896A (ja) | 面発光レーザ | |
JP7255332B2 (ja) | 発光素子、および発光素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141001 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160414 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5922400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |