JP2520823B2 - 半導体ウエハ―測定方法 - Google Patents

半導体ウエハ―測定方法

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JP2520823B2
JP2520823B2 JP4215685A JP21568592A JP2520823B2 JP 2520823 B2 JP2520823 B2 JP 2520823B2 JP 4215685 A JP4215685 A JP 4215685A JP 21568592 A JP21568592 A JP 21568592A JP 2520823 B2 JP2520823 B2 JP 2520823B2
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semiconductor wafer
needle
tip
probe card
pad
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鉄也 宇都宮
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Tokyo Electron Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】開示技術は、半導体ウエハーの測
定技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハーの最終チェック工程を担
う半導体ウエハープローバーにあっては、近時該半導体
ウエハーのサイズが大型化,超集積化、及び、多ピン化
が要求されていることから、これに対処するに、半導体
ウエハーの電気的特性の測定技術が提案されている。
【0003】而して、従来の一般態様の半導体ウエハー
測定技術は、図4,図5に示す様に、プローブカード7
がヘットプレート21の略中央に設けられ、その各々の
針(図示の都合上2つ示してある。)3,4の先端は全
て載置台5とは相対近接した状態では同一の高さを保つ
ように配列されており、該ヘットプレート21に対して
回転する支点1、作用点2、及び、半導体ウエハー13
の載置台5、作用点2を上下するネジ6より成ってお
り、支点1と作用点2を結ぶ直線上の中点位置にプロー
ブカード7を設け、その下面に針3,4の先端を並設し
てある。
【0004】又、ヘットプレート21の後部の支点1を
中心にネジ6の回転により該ヘットプレート21を載置
台5に降下して該載置台5上の半導体ウエハー13に針
先3,4を着接するようにして使用している。
【0005】而して、オーバードライブをかけると、図
6に示す様に、支点1に近い方の針先4は遠い方の針先
3より先に該半導体ウエハー13と接するようにされる
が、更に、作用点2に近い方の針先3を該半導体ウエハ
ー13に着接するためにネジ6を回転させると、該作用
点2に近い方の針先3も図4に示す様に、該半導体ウエ
ハー13に着接しはするが、支点1に近い方の針先4は
該半導体ウエハー13に抑えられて当該図6に示す様
に、tだけ撓み、又、pだけずれが生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この状態で外部よりの
オーバードライブをかけることは半導体ウエハー13に
形成されている図示しない電極パッド面全体に不均等の
針圧をかけることになり、パッドより針3,4がはみ出
る虞がある。
【0007】又、針圧荷重は、半導体ウエハー13のチ
ップの大きさに比例して大きくなる欠点があり、針先4
が電極パッドに突き刺さり、該半導体ウエハー13に接
触したりする等して安定した測定が困難となる難点があ
る。
【0008】
【発明の目的】この発明の目的は上述従来技術に基づく
プローブカードの針先と半導体ウエハーの接触の問題点
を解決すべき技術的課題とし、該半導体ウエハーの各チ
ップの電極パッドとプローブカードの針先とが良好で確
実な電気的な接触を得られるようにして半導体製造産業
における計測技術利用分野に益する優れた半導体ウエハ
ー測定方法を提供せんとするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段・作用】上述目的に沿い先
述特許請求の範囲を要旨とするこの発明の構成は、前述
課題を解決するために、載置台に載置された半導体ウエ
ハーのパッドと、固定台のヘットプレートに固定された
プローブカードに並設された針の先端部とを着接させ
て、該半導体ウエハの電気的特性を測定するウエハープ
ローバーにおいて、上記プローブカードに対して上記載
置台の上昇により上記針の先端部と上記半導体のウエハ
ーのパッドとが直交状態で着接後、更にオーバードライ
ブをかけることにより、該針の先端部の着接位置が前記
パッド表面でずれるようにプローブカードに対し各針を
撓み自在に配設するウエハープローバーにより載置台を
上昇させて半導体ウエハのパッドと、固定台に固定され
た前記プローブカードの針の先端部とを直交状態に着接
させて、更にオーバードライブをかけて、前記針の撓み
により着接位置をコンピュータにより設定量だけずら
し、確実に良好に半導体ウエハーの電気的特性を測定し
得るようにした技術的手段を講じたものである。
【0010】
【実施例】次に、この発明の1実施例を図1乃至図3に
従って説明すれば以下の通りである。
【0011】尚、図4以下の図面と同一態様部分は同一
符号を用いて説明するものとする。
【0012】図示態様において、21はヘットプレート
であり、ヘットプレート固定台18,19に固定されプ
ローブカード14に支持している。
【0013】而して、該プローブカード14の下面に並
設してある各々の針15,16は図3に示す様にその針
の先端部まではθの角度で斜めに取付けられ該先部分は
半導体ウエハー13の頂面12に対し直交する垂直姿勢
で曲折形成され、それらの相互は該半導体ウエハー13
の載置台11の頂面12に平行な平面に在るように該プ
ローブカード14の下側に並列状態で予め取り付けられ
ており、したがって、各針15,16の先端部が半導体
ウエハー13の図示しないパッドに着接後オーバードラ
イブを作用されるとθ' だけ撓みその先端部はパッドに
対して設定量P' だけずれるようにされていることにな
る。
【0014】而して、半導体ウエハー13を載置した載
置台11は、該半導体ウエハー13と前記各針の先端1
5,16の先端部とが着接するまで、専用のスイッチに
より上昇させる。
【0015】この操作においては顕微鏡,エッジセンサ
ー、又は、テレビカメラ等により半導体ウエハー13の
パッドと各々の針先15,16との着接を確認する。
【0016】その後、続いて予め外部より予めコンピュ
ータに入力されている針15,16の先端部が設定量
P' だけずれるオーバードライブ量だけ専用のスイッチ
で載置台11を更に上昇させてオーバードライブをかけ
る。
【0017】而して、該載置台11を各々の針15,1
6の先端部の集合して成す面に対し平行移動的に上昇さ
せるには図示しないネジ機構を用い、ネジの回転によっ
て載置台11を昇降させる。
【0018】該載置台11の平行姿勢での上昇移動、及
び、その際の上記ずれP' 量だけのオーバードライブの
動作調整制御は、マイクロコンピュータを利用した適宜
の制御手段で行う。
【0019】そして、この発明は、半導体ウエハーの各
種自動測定に広く利用出来る。
【0020】
【発明の効果】この発明によれば、プローブカードに設
けられた針の先端部と半導体ウエハーのパッドとの着接
後に、オーバードライブにより前記針の先端部の着接位
置が前記パッド表面で設定量ずれることにより、該針の
先端部と前記パッドとの電気的接触が良くなり、半導体
ウエハーの電気的特性試験の信頼性が向上するという優
れた効果が奏される。
【0021】而して、針の先端部が半導体ウエハのパッ
ドに着接後にオーバードライブがかけられ、着接位置が
前記パッド表面で設定量コンピュータを介してずらされ
ることにより、前記針先と前記パッドとの電気的接触が
更に良くなり、半導体ウエハーの電気的特性試験の信頼
性が向上するという効果がある。
【0022】請求項3の発明及び請求項4の半導体ウエ
ハー測定方法によれば、プローブカードに設けられた針
先が半導体ウエハーの載置面に対して斜めに設けられる
ことにより、前記針先と前記半導体ウエハーのパッドと
の着接後にオーバードライブをかけると前記針先は着接
位置をコンピュータにより設定量ずらされて前記半導体
ウエハーのパッドと確実に接触し、電気的接触をより良
好にして、前記半導体ウエハーの電気的特性試験を確実
なものにするという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の1実施例の載置台の平行移動のオー
バードライブをかける前の断面図である。
【図2】同、載置台の平行移動のオーバードライブをか
けた後の断面図である。
【図3】オーバードライブ作用の前後の針の姿勢状態の
側面図である。
【図4】従来のオーバードライブ機構でオーバドライブ
をかける前の断面図である。
【図5】第2図は従来のオーバードライブ機構でオーバ
ードライブをかけた後の断面図である。
【図6】図4と図5の合成基本動作模式図である。
【符号の説明】
1 支点 2 作用点 3,4 針の先端(在来態様) 6 ネジ 5,11 載置台 12 頂面 13 半導体ウエハー 7,14 プローブカード 15,16 針 18,19 ヘットプレート固定台 21 ヘットプレート

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハーをプローブカードに対し上
    昇させ該プローブカードの複数の針端部と半導体ウ
    エハーのパッドを直交状態で着接させ続いて針に対して
    オーバードライブを作用させて電気的特性を測定する半
    導体ウエハー測定方法において、プローブカードに対し
    予め各針先端をウエハー載置台の頂面と直交する姿
    勢で平行状態に並列し該先端部以外の針部分に傾斜状態
    にして取り付けし、次いで該プローブカードを固定台に
    固定の状態にし、その後、プローブカードに対し上記半
    導体ウエハーを載置した載置台を該半導体ウエハーをし
    て上記各針の先端部の成す面に対し平行に保持した状態
    で上昇させて上記針先と上記パッドを直交状態で着接さ
    せ、続いて着接状態より更にオーバードライブを作用さ
    せるに、該オーバードライブを針の撓みを利用して該針
    の先端部がパッドに当接した姿勢のまま設定量パッドに
    対してずれる量だけマイクロコンピュータにより調整制
    御して行うようにすることを特徴とする半導体ウエハー
    測定方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4328553A (en) * 1976-12-07 1982-05-04 Computervision Corporation Method and apparatus for targetless wafer alignment
JPS55125639A (en) * 1979-03-23 1980-09-27 Hitachi Ltd Inspection apparatus
JPS5811741B2 (ja) * 1980-01-25 1983-03-04 長谷川 義栄 プロ−ブボ−ド
JPS56147076A (en) * 1980-04-18 1981-11-14 Hitachi Ltd Characteristic testing electrode
JPS57155742A (en) * 1981-03-23 1982-09-25 Hitachi Ltd Wafer prober
JPS57193105A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Horn antenna

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