JPH01128535A - 半導体素子測定用プローブ - Google Patents
半導体素子測定用プローブInfo
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- JPH01128535A JPH01128535A JP28531987A JP28531987A JPH01128535A JP H01128535 A JPH01128535 A JP H01128535A JP 28531987 A JP28531987 A JP 28531987A JP 28531987 A JP28531987 A JP 28531987A JP H01128535 A JPH01128535 A JP H01128535A
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Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板(ウェハ)上に設けられた半導体
素子(ICチップ)のプローブ検査工程において、ウエ
ハプローバにプローブカードを装置し、テスタとICチ
ップの電極間の導通をとる半導体素子測定用プローブに
適用して有効な技術に関するものである。
素子(ICチップ)のプローブ検査工程において、ウエ
ハプローバにプローブカードを装置し、テスタとICチ
ップの電極間の導通をとる半導体素子測定用プローブに
適用して有効な技術に関するものである。
半導体素子81す走用プローブは、プローブカードと称
するプローブ用ボードにタングステン等の材料を用いた
先端を102°位に曲げた針を同心円状に固定したもの
がある。
するプローブ用ボードにタングステン等の材料を用いた
先端を102°位に曲げた針を同心円状に固定したもの
がある。
しかしながら1本発明者の検討によれば、前記半導体素
子測定用プローブでは、プローブカードがそれに使用さ
れるプローブ針の形状の制約もあり、プローブカードへ
の針立ては人手で行われているため、プローブカードの
針先の位置精度が製品によりバラバラであるので、この
プローブカードが使用されているプローブ測定工程の合
理化のネックとなっているという問題があった。
子測定用プローブでは、プローブカードがそれに使用さ
れるプローブ針の形状の制約もあり、プローブカードへ
の針立ては人手で行われているため、プローブカードの
針先の位置精度が製品によりバラバラであるので、この
プローブカードが使用されているプローブ測定工程の合
理化のネックとなっているという問題があった。
また、従来のプローブ針は直線形状であり、それをIC
チップの電極に合わせて、プローブ針を同心円状に固定
する方法をとっているので、プロ−ブ針の針先から針の
固定部までの長さがプローブ針毎に異なり、これが原因
でICチップの電極に対するプローブ針の接触圧が異な
り、かつ、プローブ針自身にかかるストレスもプローブ
針毎に異なるため、プローブ針の曲り具合が変りプロー
ブカードとしての寿命を短くしているという問題があっ
た。
チップの電極に合わせて、プローブ針を同心円状に固定
する方法をとっているので、プロ−ブ針の針先から針の
固定部までの長さがプローブ針毎に異なり、これが原因
でICチップの電極に対するプローブ針の接触圧が異な
り、かつ、プローブ針自身にかかるストレスもプローブ
針毎に異なるため、プローブ針の曲り具合が変りプロー
ブカードとしての寿命を短くしているという問題があっ
た。
本発明の目的は、半導体素子測定用プローブにおいて、
プローブ針立での自動化(機械化)とプローブ針の針圧
及び針の寿命を均一化することができる技術を提供する
ことにある。
プローブ針立での自動化(機械化)とプローブ針の針圧
及び針の寿命を均一化することができる技術を提供する
ことにある。
本発明の他の目的は、信頼性の高いプローブ測定を実現
することができる技術を提供することにある。
することができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要をflffl、に説明すれば、下記のとおりである。
要をflffl、に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体基板上に設けられた半導体素子の測定
に用いられるプローブ針を有する半導体素子測定用プロ
ーブにおいて、前記プローブ針の形状を針圧及び寿命を
均一化するように湾曲させたものである。
に用いられるプローブ針を有する半導体素子測定用プロ
ーブにおいて、前記プローブ針の形状を針圧及び寿命を
均一化するように湾曲させたものである。
前記した手段によれば、プローブ針の形状を針圧及び寿
命を均一化するように湾曲させたことにより、従来の直
線型プローブ針と同様の弾性をもつことが可能であり、
かつ、プローブカード上面での針電極固定が可能となる
ので、湾曲型プローブ針の針先位置の調整を容易にする
ことができる。
命を均一化するように湾曲させたことにより、従来の直
線型プローブ針と同様の弾性をもつことが可能であり、
かつ、プローブカード上面での針電極固定が可能となる
ので、湾曲型プローブ針の針先位置の調整を容易にする
ことができる。
この時、湾曲型プローブ針はすべて同一形状のものを使
用するので、針圧及び寿命を均一にすることができる。
用するので、針圧及び寿命を均一にすることができる。
また、針形状を湾曲型にすることにより、針を正確につ
かむことが可能となり、針立ての自動化が可能となる。
かむことが可能となり、針立ての自動化が可能となる。
以下1本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全回において。
同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
の説明は省略する。
第1図は、本発明の一実施例の湾曲型プローブ針の概略
構成を示す側面図。
構成を示す側面図。
第2図は5本発明の一実施例の半導体素子測定用湾曲型
プローブの概略構成を説明するための平面図、 第3図は、第2図に示す半導体素子81q定用湾曲型プ
ローブの側面図である。
プローブの概略構成を説明するための平面図、 第3図は、第2図に示す半導体素子81q定用湾曲型プ
ローブの側面図である。
第1図に示すように、本実施例の湾曲型プローブ針1は
、例えば、タングステン等の金属からなり、弾性を持た
せるための半円形状の湾曲部IAと取付部IBとを有し
ている。そして、前記半円形状の湾曲部IAは、第2図
及び第3図に示すように、その先端(針先)lCが湾曲
部プローブl内の取付部IBをプローブカード2に取り
付けた状態においてプローブカード2の下面より突出す
るような形状になっている。
、例えば、タングステン等の金属からなり、弾性を持た
せるための半円形状の湾曲部IAと取付部IBとを有し
ている。そして、前記半円形状の湾曲部IAは、第2図
及び第3図に示すように、その先端(針先)lCが湾曲
部プローブl内の取付部IBをプローブカード2に取り
付けた状態においてプローブカード2の下面より突出す
るような形状になっている。
前記湾曲型プローブ針1は、第2図及び第3図に示すよ
うに、樹脂、セラミック等の絶縁体からなるプローブカ
ード(基板)2の上面に取付部IBを硬質の半田3で取
り付けて固定される。この時、湾曲型プローブ針1の先
端(針先)ICが、ICチップのテスト用電極に正確に
当るように位置決めされ、湾曲型プローブ針1の取付部
IBを硬質の半田3で取り付けて固定し、半導体素子8
1q定用湾曲型プローブが製作される。
うに、樹脂、セラミック等の絶縁体からなるプローブカ
ード(基板)2の上面に取付部IBを硬質の半田3で取
り付けて固定される。この時、湾曲型プローブ針1の先
端(針先)ICが、ICチップのテスト用電極に正確に
当るように位置決めされ、湾曲型プローブ針1の取付部
IBを硬質の半田3で取り付けて固定し、半導体素子8
1q定用湾曲型プローブが製作される。
前述のように湾曲型プローブ針1を湾曲型に構成するこ
とにより、この湾曲型プローブ針1のプローブカード2
に取り付ける位置をその先端(針先)ICの接触位置に
よって変えて容易に取り付けることができる。
とにより、この湾曲型プローブ針1のプローブカード2
に取り付ける位置をその先端(針先)ICの接触位置に
よって変えて容易に取り付けることができる。
また、前述のような半導体素子測定用湾曲型プローブを
製作することにより、使用する湾曲型プローブ針1がす
べて湾曲型の同一形状であるので。
製作することにより、使用する湾曲型プローブ針1がす
べて湾曲型の同一形状であるので。
湾曲型プローブ針1の針圧及び寿命を均一することがで
き、かつ針立て作業を自動化することができる。これに
より、信頼性の高い半導体素子測定用プローブを提供す
ることができる。
き、かつ針立て作業を自動化することができる。これに
より、信頼性の高い半導体素子測定用プローブを提供す
ることができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、前記実施例では、湾曲型プローブ針1の形状を
半円形状にしたが、その機能を有するものであればどの
ようなものでもよい。
半円形状にしたが、その機能を有するものであればどの
ようなものでもよい。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、使用するプローブ針がすべて弾性を有する湾
曲型の同一形状であるので、半導体素子測定用プローブ
針の針圧及び寿命を均一することができ、かつ針立て作
業を自動化することができる。これにより、信頼性の高
い半導体素子測定用プローブを提供することができる。
曲型の同一形状であるので、半導体素子測定用プローブ
針の針圧及び寿命を均一することができ、かつ針立て作
業を自動化することができる。これにより、信頼性の高
い半導体素子測定用プローブを提供することができる。
第1図は1本発明の一実施例の湾曲型プローブ針の概略
摺成を示す側面図、 第2図は1本発明の一実施例の半導体素子測定用湾曲型
プローブの概略構成を説明するための平面図、 第3図は、第2図に示す半導体素子811定用湾曲型プ
ローブの側面図である。 図中、1・・・湾曲型プローブ針、IA・・・湾曲部、
IB・・・取付部、IC・・・先端(針先)、2・・・
プローブカード(基板)、3・・・硬質の半田である。 01、A#、1オフ4.7.1□・、・;゛・。 ゝニノ
摺成を示す側面図、 第2図は1本発明の一実施例の半導体素子測定用湾曲型
プローブの概略構成を説明するための平面図、 第3図は、第2図に示す半導体素子811定用湾曲型プ
ローブの側面図である。 図中、1・・・湾曲型プローブ針、IA・・・湾曲部、
IB・・・取付部、IC・・・先端(針先)、2・・・
プローブカード(基板)、3・・・硬質の半田である。 01、A#、1オフ4.7.1□・、・;゛・。 ゝニノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板上に設けられた半導体素子の測定に用い
られるプローブ針を有する半導体素子測定用プローブに
おいて、前記プローブ針の形状を針圧及び寿命を均一化
するように湾曲させたことを特徴とする半導体素子測定
用プローブ。 2、前記プローブ針は、半円形状の湾曲部と取付部とか
らなることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
半導体素子測定用プローブ。 3、前記プローブ針は、タングステンからなることを特
徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の半導
体素子測定用プローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28531987A JPH01128535A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体素子測定用プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28531987A JPH01128535A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体素子測定用プローブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01128535A true JPH01128535A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17689997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28531987A Pending JPH01128535A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 半導体素子測定用プローブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01128535A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6794680B2 (en) | 2003-01-22 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device having pad |
USRE43503E1 (en) * | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
USRE44407E1 (en) | 2006-03-20 | 2013-08-06 | Formfactor, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
US9274143B2 (en) | 2007-04-10 | 2016-03-01 | Formfactor, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28531987A patent/JPH01128535A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6794680B2 (en) | 2003-01-22 | 2004-09-21 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device having pad |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
US9316670B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-04-19 | Formfactor, Inc. | Multiple contact probes |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
USRE44407E1 (en) | 2006-03-20 | 2013-08-06 | Formfactor, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
USRE43503E1 (en) * | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US9310428B2 (en) | 2006-10-11 | 2016-04-12 | Formfactor, Inc. | Probe retention arrangement |
US9274143B2 (en) | 2007-04-10 | 2016-03-01 | Formfactor, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
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