JPH0750730B2

JPH0750730B2 - プロ−ブ装置

Info

Publication number: JPH0750730B2
Application number: JP62135673A
Authority: JP
Inventors: 渉唐沢
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1987-05-29
Filing date: 1987-05-29
Publication date: 1995-05-31
Anticipated expiration: 2010-05-31
Also published as: JPS63299352A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、プローブ装置に関する。

（従来の技術）一般に半導体チップの製造は、半導体ウエハに多数個の
半導体チップを形成した（いわゆる前工程）後半導体チ
ップ毎にスクライブを行ない各半導体チップをパッケー
ジングする（いわゆる後工程）。このスクライブ以前に
ウエハ状態でも各チップ毎に電気的な特性測定を行なっ
ている（いわゆるプロービング工程）。そしてその結果
不良品として判定された場合は、その表面にマーキング
を施して良品と区別する。

近年、半導体チップの測定後に不良品と判定された半導
体チップのマーキングをプローブ装置以外で集中マーキ
ングする等の目的で、各半導体チップの測定結果、即ち
良品不良品を例えばフロッピーディスクにウエハマップ
状に記憶することがなされている。このような処理は例
えば特開昭58−215049号公報により周知である。

従来では上記マーキング方法として、インクを付加する
インクマーキングの他、ダイヤモンド針等により傷を付
加するスクラッチマーキング、レーザ光により半導体ウ
エハ表面を溶かすレーザーマーキング等が用いられる。

上述したように半導体ウエハ上へのマーキングを付加す
るマーカーは、プローブ装置に設置されており、半導体
ウエハの品種交換毎にマーカーと半導体チップの間隔を
その都度調整し設定していた。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら上記説明の従来の技術では、マーカーと半
導体チップの間隔設定の調整はマーカーを保持している
ネジ等で行なうため、大変手間のかかる作業となってい
た。

また、上記半導体チップが更に微細であると正確な高さ
合わせが困難になり、高さに誤差が生じるとマークの径
が変化し、マークの径が小さくダイシング後に良品と不
良品を選別する工程において検知できずに不良品を良品
として判断したり、マークの径が大きく隣り合う半導体
チップにはみだし、これにより隣り合う良品の半導体チ
ップを不良品として判断してしまうという問題点があっ
た。

本発明は上記点に対処してなされたもので、被測定体と
マーカーの間隔を自動的に速やかに行ない、間隔誤差に
よる不良マークトラブルを防いだプローブ装置を提供し
ようととするものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、被測定体の良否を測定し、その測定結果に基
づいて上記被測定体にマーカーによりマークを付するプ
ローブ装置において、上記被測定体を載置してＸ・Ｙ及
びＺ方向に移動自在な載置台と、この載置台のＸ・Ｙ方
向の移動範囲内の測定位置に設けられ載置台の上昇時に
上記被測定体の電極に接触するプローブ針を有したプロ
ーブカードと、同じく上記載置台のＸ・Ｙ方向の移動範
囲内のマーキング位置に設けられ載置台の上昇時に上記
被測定体に接触してインクにより上記被測定体にマーキ
ング処理を行うマーカーと、上記載置台に載置された被
測定体の複数点の高さを測定するハイトセンサと、この
ハイトセンサの検知内容を基にしてマーキング位置での
載置台の昇降量を調整する昇降量調整手段とを具備した
ことを特徴とする。

（作用）被測定体を載置した載置台を測定位置に移動し、載置台
を上昇させると、被測定体の電極にプローブカードのプ
ローブ針が接触し、被測定体の電気的特性を測定すると
同時にハイトセンサによって被測定体の複数点の高さを
測定する。

次に、被測定体を載置した載置台がマーキング位置に移
動し、上記ハイトセンサの検知内容を基にしてマーキン
グ位置での載置台の昇降量を調整することにより、上記
被測定体にマーカーが接触してインクにより上記被測定
体にマーキング処理を行う。

（実施例）以下、本発明装置を半導体ウエハ検査工程に適用した一
実施例につき図面を参照して説明する。

プローブ装置（１）は、被測定体例えば半導体ウエハ
（２）をウエハカセット（３）に所定の間隔を設けて25
枚設置する。この半導体ウエハ（２）を収納したウエハ
カセット（３）をカセット収納部（４）に搬入する。こ
の収納部（４）から半導体ウエハ（２）を取出し機構
（図示せず）等で一枚づつ取出し、半導体ウエハの予備
位置決めステージ（５）を搬送する。この予備位置決め
ステージ（５）で半導体ウエハ（２）のオリ・フラを基
準に精度±１°位まで予備位置決めした後、半導体ウエ
ハ（２）載置台例えば測定ステージ（６）に搬送する。
この搬送は半導体ウエハ（２）の裏面を真空吸着して搬
送をする。この測定ステージ（６）に搬送された半導体
ウエハ（２）の設置状態を分析するために容量センサ例
えばハイトセンサ（図示せず）を測定ステージのＸ方向
・Ｙ方向の移動範囲である、例えばプローブ装置（１）
筺体内のプローブカード（７）を保持するインサートリ
ングより前面側の半導体ウエハの正確な位置決めを行な
うアライメント機構が構成されているアライメントブリ
ッジの部分に測定ステージ（６）と垂直に設置する。こ
の設置されたハイトセンサの測定位置に半導体ウエハ
（２）が載置された測定ステージ（６）をＸ方向・Ｙ方
向の移動をさせることとにより設定する。設定された測
定ステージ（６）は、Ｚアップによりハイトセンサとの
間隔を例えば1.6mmに常に保つ。この段階において、測
定ステージ（11）をＸ方向・Ｙ方向の移動により、半導
体ウエハ（２）の中央部および周縁部を90°間隔をおい
ての４箇所、合計５箇所において、ハイトセンサは半導
体ウエハ（２）との距離を測定する。この測定された各
距離により半導体ウエハ（２）表面の凹凸状態を計算
し、測定動作における各半導体チップに対応したＺアッ
プ量を算出して、これと上記各距離をプローブ装置
（１）内に設置されているメモリー機能に記憶してお
く。このハイトセンサによる測定の後、測定ステージ
（６）をテスターに接続している測定部に移動し電気的
諸性能の測定を開始する。この測定動作は、固定された
プローブカード（７）に持着されたプローブ針（８）に
測定ステージ（６）を上記メモリーにより記憶されてい
る各半導体チップの移動量をＺアップし半導体チップの
電極パッドを接触させ電気的諸性能を測定し、１つの半
導体チップの測定が終わりしだいＺダウンする。この動
作を規則的に並んでいる半導体チップに対応して測定ス
テージ（６）をＸ方向・Ｙ方向に移動し、各半導体チッ
プのメモリーにそったＺアップ量の動作を行ない、規則
的な半導体チップの測定順序通りにすべての半導体チッ
プの測定をするものである。

上記測定中、常時半導体チップを目視可能な状態にプロ
ーブカード（７）の上方に拡大鏡、例えばマイクロスコ
ープ（９）が設けられているが、上記マイクロスコープ
（９）では倍率が悪く各チップの電極についた針跡を見
る場合等検出不可能な場合が発生する。この場合、プロ
ーブ装置（１）の後面以外例えば前面部に設けたバキュ
ームピンセット用バキューム取出し口（10）にバキュー
ムピンセット（図示せず）を差し込み、このバキューム
ピンセットの真空吸着部で半導体ウエハ（２）の裏面を
真空吸着し、この半導体ウエハ（２）をプローブ装置
（１）の外部へ搬送して高倍率である拡大鏡で検出可能
な如く、上記バキュームピンセット用バキューム取出し
口（10）が設けられており、適宜使用する。また、上記
バキュームピンセットを使用しない場合、上記プローブ
装置（１）に設けた収納ボックス（11）に収納しておく
と、余計な手間を省くことができる。また、この収納ボ
ックス（11）にウエハカセットやドライバー等を収納し
ておくとクリーンルームの省スペース化を図ることが可
能となる。そして、上記半導体ウエハ（２）に形成され
た複数の半導体チップを測定し、各半導体チップに品質
ランクを付ける。これを第２図に示すように、まず、測
定部（12）により各半導体チップの特性を測定し、この
測定した特性データを測定結果値記憶手段（13）で記憶
する。そして基本品質ランク記憶部（14）に、多少の特
性範囲を有する複数の品質ランクを予め記憶しておき、
比較手段（15）において測定結果値記憶手段（13）に記
憶した特性データと基本品質ランク記憶部（14）に予め
記憶してある多少の範囲を有する複数の品質ランクとを
比較し、上記特性データが該当する品質ランクを選択
し、品質ランクを品質ランク記憶手段（16）で記憶す
る。また、この時上記品質ランク付けした半導体チップ
の位置も同時に記憶しておく。そして上記半導体ウエハ
（２）の各半導体チップの測定終了後、測定日時や歩留
まり等も記憶しておく。

次に上記各半導体チップの測定終了後上記半導体ウエハ
（２）を載置している測定ステージ（６）を測定部であ
るプローブカード（７）の直下からマーキング部である
マーカー（17）直下へ移動する。この時、測定ステージ
（６）に載置した半導体ウエハ（２）からマーカー（1
7）の先端までの距離を正確に設定しなければ、例えば
インクマーキングの際に半導体チップ表面に付するイン
クの大きさが変化してしまうため、上記距離を正確に設
定する。この設定動作は予めハイトセンサにより測定、
記憶した半導体ウエハ（２）の各距離をメモリーより読
み出す。そして、この読み出した各距離から、半導体ウ
エハ（２）とマーカー（17）先端の距離を、測定ステー
ジ（６）の上下動により設定距離に自動的に合わせる。
このように、予め測定した半導体ウエハ（２）の各距離
を記憶しておき、この記憶内容から測定ステージ（６）
の上下動により設定距離に合わせることにより、オペレ
ーターがマーカー（17）の調整による距離の設定の手間
を省くことができる。そして、上記距離の設定後、記憶
した品質ランクに基づき、一定レベル即ち良品半導体チ
ップと不良品半導体チップとの区分レベルより不良品側
にある半導体チップ総てに上記マーカー（17）からイン
クを流出することによりマーキング処理を行なう。この
ように、別エリアによるマーキング処理後、半導体ウエ
ハ（２）を測定ステージ（６）からウエハカセット
（３）へ搬送し、他の半導体ウエハの処理を上記と同様
の処理で実行する。

上記のように、各半導体チップの電気的諸性能を測定
し、半導体チップの実行処理速度等から品質ランクに分
類する。また、一定レベル即ち良品半導体チップと不良
品半導体チップとの区分レベルより不良品側にある半導
体チップの不良要因からも品質ランクに分類する。そし
て、この不良要因から不良要因を持つ装置を分析し、そ
の装置にフィードバックをかける。これにより、各装置
の故障解析が容易になり、オペレーターの手間を省くこ
とができる。

次に、他の実施例を第３図、第４図を参照して説明す
る。

第３図に示すように、この検査装置はテスタ（18）と２
系統のテストヘッド（19）から構成され、１ローダ、２
ステージのプローバ（20）に取付けられている。このプ
ローバ（20）は、第４図に示すように一系統の独立筺体
で形成されたローダ部（21）に対して、複数系統例え
ば、第１のプローバ部（22a）と第２のプローバ部（22
b）の夫々独立筺体から成り、この第１および第２のプ
ローバ部（22a）（22b）はローダ部（21）の左右側面に
位置して配設された構成になっている。このローダ部
（21）の内部構成として前面側は、ウエハカセット収納
部となっている。このウエハカセット収納部には図示し
ないモータが連結され、回動可能なガイド軸（23）４本
がローダ部（21）筺体の側面と平行方向に設置されてお
り、このガイド軸（23）２本に対して１つのウエハカセ
ット載置台（図示せず）の一側面を取付ける。即ち上記
モータの回転によりガイド軸（23）を回転させ、この回
転に合わせウエハカセット載置台を上昇させて、このウ
エハカセット載置台に載置したウエハカセット（24）を
上下動させるものである。このウエハカセット収納部に
は、被測定体である半導体チップが規則的に形成された
半導体ウエハ（２）を夫々適当な間隔を設けて25枚収納
されているウエハカセット（24）が２カセット載置可能
となっている。

このウエハカセット（24）から半導体ウエハ（２）を搬
出入するための真空吸着機構（25）は、平行スライド可
能であり、先端から中央部まで平行な２本の板状物でな
る吸着部（25a）で形成されている。上記真空吸着機構
（25）とウエハカセット収納部との間には、半導体ウエ
ハ（２）を載置可能なプリアラメントステージ（26）が
設定され、図示しないモータに係合しＺ方向およびθ方
向の駆動が可能となっている。また、プリアライメント
ステージ（26）からプローバ部の測定ステージへ半導体
ウエハ（２）を搬送する。スライド回転可能な真空吸着
アーム（27）が設置されている。この真空吸着アーム
（27）は図示しないモータに連結され水平に360°回転
可能となっている。

このローダ部（21）筺体上方の後面側には、支柱が設置
されこの支柱を中心として水平に360°回転可能なアー
ムが支柱に取付けられていて、このアームの先端には半
導体チップを拡大して見るマイクロスコープ（図示せ
ず）が設置され、垂直方向に例えば200mm上下動可能で
ある。次にプローバ部について説明すると、第１のプロ
ーバ部（22a）と第２のプローバ部（22b）は、同一構成
の夫々独立した筺体であり、夫々ローダ部（21）に対し
て左右何れの側からも設置可能な構成である。第１のプ
ローバ部（22a）について説明すると、この第１のプロ
ーバ部（22a）は例えば奥行1000mm、幅620mm、高さ1200
mmの独立筺体で構成され、この第１のプローバ部（22
a）の両側面は、どちら側にもローダ部（21）が設定可
能なように、夫々ボルトを８箇所に螺合するだけで着脱
自在である。この８箇所とは、第１のプローバ部（22
a）筺体の周縁部の四角と各角の中間点である。内部構
成として、測定ステージ（28a）は周知の手段でＸ方向,
Y方向,Z方向，θ方向の駆動が可能であり、特にＸ方向,
Y方向の駆動範囲は、第１のプローバ部（22a）の中心点
において前後左右で対称の動作が可能である。又予備機
構として、プリアライメントステージ（26）に載置され
た半導体ウエハ（２）を測定ステージ（28a）へ真空吸
着して回転搬送する真空吸着アーム（29a）が設置され
ている。このアーム（29a）は、第１のプローバ部（22
a）の筺体の右側面に設置されている。順番待ちのため
の半導体ウエハはこのアーム上で待機させる。また測定
位置において、測定ステージ（28a）と対向した位置に
は、プローブカードが設定されており、周知の手段で被
測定体の測定を行なう。更に上記第１のプローバ部（22
a）の筺体の右側手前に測定ステージ（28a）に載置する
半導体ウエハ（２）にマーキング可能な如くマーカー
（30a）が設けられている。また、第１のプローバ部（2
2a）と第２のプローバ部（22b）は、上述したように同
一の構成であり、第１のプローバ部（22a）について説
明したことは、第２のプローバ部（22b）についても同
様のことがいえる。

第１のプローバ部（22a）と第２のプローバ部（22b）と
同一の機構を用いるため、第２のプローバ部（22b）の
真空吸着アーム（29b）は予備機構と設置されており、
この実施例については直接使用はしない。次にローダ部
（21）と第１および第２のプローバ部（22a），（22b）
の接続と位置設定について説明する。

ローダ部（21）の左右両側面に、例えば向ってローダ部
（21）左側面に第１のプローバ部（22a）を設定し、右
側面に第２のプローバ部（22b）を設定する。この場
合、あらかじめローダ部（21）の両側面板と第１のプロ
ーバ部（22a）の向って右側面板及び第２のプローバ部
（22b）の左側面板を夫々取りはずしておく。この側面
板を取りはずしたプローバ部（22a）（22b）の側面に
は、中央を横断する様にガイド板を設置されており、こ
のガイド板には適当な間隔を設けてガイドピンが突出し
ている。又、側面板を取りはずしたローダ部（21）に
は、プローバ部（22a）（22b）のガイドピンに相応する
様に筒状のガイドホールを設置しており、このガイドホ
ールに、プローバ部のガイドピンを挿入することによ
り、ローダ部（21）のプローバ部（22a）（22b）の位置
決めを行なう。位置決めを行なった後、プローバ部（22
a）（22b）とローダ部（21）をボルトにより螺合し固定
する。

これら第１および第２の測定部には第３図に示すように
夫々テストヘッド（19）を設置する。ここで各プローバ
部に各テストヘッド（19）を配線する。この２つのテス
トヘッド（19）は、同一規格のため各プローバ部への配
線は同一である。即ち、この配線は、プローバ（20）側
の各プローブ針から夫々絶縁した状態でプローブカード
にプリント配線された接続部に夫々対応したテストヘッ
ド（19）の接続基板に接続する。この接続基板から検査
回路へはテストヘッド（19）内で配線されていて、この
検査回路基板からテストヘッド（19）の一側面を通して
テスタ（18）本体までケーブル（31）で配線されてい
る。このケーブル（31）は、テストヘッド（19）からテ
スタ（18）までの距離を最短にするために直線状態で接
続している。即ち、２つの測定部に夫々テストヘッド
（19）を設置し、この２系統のテストヘッド（19）から
１系統のテスタ（18）本体までは、夫々ほぼ直線状態で
ケーブル（31）配線されている。この時、夫々のケーブ
ル（31）配線の長さが異なると、夫々のインピーダンス
が異なり、測定時において高周波特性に誤差が生じ、正
確な検査が実行できない。このため、各テストヘッド
（19）からテスタ（18）までの配線長は同距離とするの
が望ましい。

次に、このプローバで半導体ウエハ（２）を測定する流
れにそって説明する。

ローダ部（21）とプローバ部（22a）（22b）の各機構は
夫々のCPUに入力されている予め定められたプログラム
にそった動作である。

まず、カセット収納部のカセット載置台に、半導体ウエ
ハ（２）が25枚収納してあるウエハカセット（24）を２
カセット搬入設定する。このウエハカセット（24）に真
空吸着機構（25）をスライド挿入し真空吸着部（25a）
に半導体ウエハ（２）を１枚吸着し、この半導体ウエハ
（２）を真空吸着機構（25）でスライド搬出する。この
真空吸着機構（25）の真空吸着部（25a）をプリアライ
メントステージ（26）の設置してある所に設定し、そこ
でプリアライメントステージ（26）を上昇させて搬出し
た半導体ウエハ（２）をプリアライメントステージ（2
6）に載置する。このプリアライメントステージ（26）
に載置した半導体ウエハ（２）をLED-センサー機構の周
知の手段により半導体ウエハ（２）のセンター出しや精
度±１°位の予備位置決めを行なう。この予備位置決め
された半導体ウエハ（２）を第１のプローバ部（22a）
の真空吸着アーム（29a）で測定ステージ（28a）へ回転
搬送する。この第１のプローバ部（22a）の測定ステー
ジ（28a）に載置した半導体ウエハ（２）は、レーザ認
識機構やパターン認識機構で正確に本位置決めした後、
周知の手段により各半導体チップの電極パッドにプロー
ブ針を接触させて電気的測定を実行する。この第１のプ
ローバ部（22a）に半導体ウエハ（２）を搬送するため
にプリアライメントステージ（26）から真空吸着アーム
（29a）に半導体ウエハ（２）を載せかえた後を利用し
て、ウエハカセット（24）を真空吸着機構（25）の水平
位置を固定として、次の半導体ウエハ（２）が取出せる
予め定めた設定間隔だけ上昇させた後、上記１枚目の半
導体ウエハ（２）と同様に２枚目の半導体ウエハ（２）
をウエハカセット（24）より真空吸着機構（25）で搬出
する。この２枚目の半導体ウエハ（２）をプリアライメ
ントステージ（26）で予備位置決めした後、このローダ
部（21）に設置されている真空吸着アーム（27）で２枚
目の半導体ウエハ（２）を吸着して、第２のプローバ部
（22b）の測定ステージ（28b）に真空吸着アーム（27）
吸着部の他端を中心として回転し、半導体ウエハ（２）
を回転搬送する。搬送された半導体ウエハ（２）は、正
確に本位置合わせした後に測定を実行する。そしてこの
２枚目の半導体ウエハ（２）がプリアライメントステー
ジ（26）から真空吸着アーム（27）に載った後、更に上
記同様３枚目の半導体ウエハ（２）をプリアライメント
ステージ（26）にて予備位置決めし、真空吸着アーム
（29a）の下部に位置する同様形状の真空吸着アーム
（図示せず）に載り、次の測定順番待ちをする。次に同
様にして４枚目の半導体ウエハ（２）を真空吸着アーム
（27）の下部に位置する真空吸着アーム（図示せず）上
で待機する。第１のプローバ部（22a）で１枚目の半導
体ウエハ（２）の測定を終えた後、この１枚目の半導体
ウエハ（２）を載置した測定ステージ（28a）がマーカ
ー（30a）直下へ移動する。そして予めハイトセンサに
より測定、記憶した半導体ウエハ（２）の距離をメモリ
ーより読み出す。そして、この読み出した各距離から半
導体ウエハ（２）とマーカー（30a）先端の距離を、測
定ステージ（６）の上下動により設定距離に自動的に合
わせる。第１のプローバ部（22a）で１枚目の半導体ウ
エハ（２）のマーキング処理を終えたタイミングで、１
枚目の半導体ウエハ（２）を真空吸着アーム（29a）で
吸着し、プリアライメントステージ（26）に搬出し、待
機中の３枚目の半導体ウエハ（２）を第１の測定ステー
ジ（28a）に搬送し、１枚目の半導体ウエハ（２）を載
置したプリアライメントステージ（26）を下降させ、真
空吸着機構（25）の吸着部（25a）に半導体ウエハ
（２）を搬送する。ここでウエハカセット（24）は、半
導体ウエハ（２）が元設定されていた場所に搬入設定可
能なように設定間隔だけ下降させておく。このウエハカ
セット（24）に１枚目の半導体ウエハ（２）を吸着した
真空吸着機構（25）を前方向にスライドさせて、１枚目
の半導体ウエハ（２）の元の設定位置に１枚目の半導体
ウエハ（２）を搬入する。次に５枚目の半導体ウエハ
（２）を抜き取り上記したセッティング動作を行ない第
１の真空吸着アーム（29a）上で待機する。上記測定を
終えた２枚目の半導体ウエハ（２）をマーカー（30b）
直下へ移動し、第１のプローバ部（22a）と同様に距離
設定を行ないマーキング処理する。そして、この半導体
ウエハ（２）をプリアライメントステージ（26）に搬出
し４枚目の半導体ウエハ（２）を第２の測定ステージ
（28b）に搬送し、２枚目の半導体ウエハをウエハカセ
ット（24）の元の位置に搬入し、６枚目の半導体ウエハ
（２）について第２の真空吸着アーム（29b）上で待機
させる。このような動作をウエハカセット（24）に収納
している半導体ウエハ（２）をすべて測定する機構にな
っている。ここで半導体ウエハ（２）の測定順序につい
て説明しておくと、ウエハカセット（24）はローダ部
（21）に縦方向に２つ設定されているので内側のウエハ
カセット（24）の最上段に設定されている半導体ウエハ
（２）から測定を開始し次に外側のウエハカセット（2
4）の最上段に設定されている半導体ウエハ（２）の順
序で測定する。

また、ウエハカセット（24）ごとに測定ステージ（28
a）（28b）を変えて測定してよいし、品種ごとに変えて
もよい。この時、複数の品種の半導体ウエハ（２）が１
カセットに収納されている場合、半導体ウエハ（２）上
に記載された識別マーク例えばIDマーク等を読み取り、
品種ごとに上記測定ステージ（28a）（28b）を変えて測
定を行なってもよい。また、内側のウエハカセット（2
4）に収納されているすべての半導体ウエハ（２）を測
定終了後、このウエハカセット（24）は上昇させてお
き、真空吸着機構（25）は、このウエハカセット（24）
の下側をスライド移動して、外側のウエハカセット（2
4）から半導体ウエハ（２）を搬出入する。

このような連続自動工程の実行に先立ちティーチング操
作を行なう必要がある。このティーチング操作を説明す
る。

第１のプローバ部（22a）の測定ステージ（28a）に設置
した半導体ウエハ（２）を正確に位置決めした後、プロ
ーブカードの設置されている測定部に測定ステージ（28
a）を設定する。ここで操作者によりローダ部（21）の
筺体上面に設置されている顕微鏡例えばマイクロスコー
プで半導体ウエハ（２）に形成されている半導体チップ
の電極部とプローブカードに取着されたプローブ針の接
触を確認し、第１のプローバ部（22a）に設置されてい
る、操作パネル部（32a）のジョイスティック（33a）を
操作し、測定ステージ（22a）のXY駆動を操作して半導
体ウエハ（２）に形成されているすべて半導体チップの
測定を可能なようなティーチング操作をする。又第２の
プローバ部（22b）のティーチング操作は、第１のプロ
ーバ部（22a）のCPUがロータ部（21）のCPUを介して第
２のプローバ部（22b）のCPUに接続されているため、こ
の第１のプローバ部（22a）のCPUの情報を基準としてマ
イクロスコープで半導体チップの電極部とプローブカー
ドに取着したプローブ針の接触を確認するだけでよく、
もし、この接触位置がズレている際には、第２のプロー
バ部（22b）の操作パネル（32b）のジョイスティック
（33b）を操作して接触位置を補正する。

又、マイクロスコープがローダ部（21）に設置されてい
るため従来１台ごとに必要であったマイクロスコープが
２台のプローブ装置に１台となり、コストの低減がはか
れテストヘッド（19）は、プローバ筺体の後面側からの
設置が可能となり、或いは又、テストヘッド（19）から
テスター（18）本体へ継がっているケーブル（31）を後
面側へ出すことが可能となり、クリーンルームでのプロ
ーバの設置も、プローバとプローバの間隔を縮めること
が可能となった。さらに、上記の理由によりテストヘッ
ドを左専用、右専用と作る必要がなく同一企画のテスト
ヘッドで良くなりテストヘッドの改造が不用となる。

又、第１のプローバ部（22a）が故障の際、もしくは何
らかの原因で第１のプローバ部（22a）が動作不可能な
場合、ローダ部（21）に内臓されているCPUにより、第
２のプローバ部（22b）のみの測定に自動的に切り替わ
る構成になっている。同様に第２のプローバ部（22b）
が動作不可能のとき、第１のプローバ部（22a）のみの
測定に切り替わる。このローダ部（21）のCPUへの入力
はローダ部筺体に設置されているキーボードを操作する
ことにより行なわれる。

以上述べたようにこの実施例によれば、被測定体とマー
カーの間隔を被測定体を載置する載置台の昇降量の調整
を、予め検知機構により行なう被測定体の載置状態およ
び高さ等の検知を流用して自動的に間隔設定を行なうた
め、半導体製造工程および検査工程に理想な完全自動化
を行なうことが可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、被測定体を載置し
た載置台を測定位置に移動し、載置台を上昇させると、
被測定体の電極にプローブカードのプロープ針が接触
し、被測定体の電気的特性を測定するとともにハイトセ
ンサによって被測定体の複数点の高さを測定できる。測
定後、被測定体を載置した載置台がマーキング位置に移
動し、上記ハイトセンサの検知内容を基にしてマーキン
グ位置での載置台の昇降量を調整することにより、上記
被測定体にマーカーが接触してインクにより上記被測定
体にマーキング処理を行うことができる。

したがって、被測定体の周縁部、中央部等でその高さに
バラツキがあっても、その高さに応じて昇降台の昇降量
が調整されるから、被測定体の表面に付されるインクに
よるマークの大きさが一定となり、正確にマーキング処
理を行うことができる。

さらに、マーカーが固定し、載置台が昇降してマーキン
グを行うことにより、マーカーが昇降するタイプのよう
にインクの流出量の調整が難しく、インクが余分に流出
して被測定体の不必要な箇所にインクが付着するような
問題を解消できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのプロー
ブ装置の構成図、第２図は被測定体に品質ランク付けを
説明するための図、第３図はテストヘッドからテスター
の配線の図、第４図は本発明装置の一実施例を説明する
ためのプローブ装置の構成図を示すものである。２…半導体ウエハ、6,28…測定ステージ、17…マーカ
ー、19,30…テストヘッド。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被測定体の良否を測定し、その測定結果に
基づいて上記被測定体にマーカーによりマークを付する
プローブ装置において、上記被測定体を載置してＸ・Ｙ及びＺ方向に移動自在な
載置台と、この載置台のＸ・Ｙ方向の移動範囲内の測定位置に設け
られ載置台の上昇時に上記被測定体の電極に接触するプ
ローブ針を有したプローブカードと、同じく上記載置台のＸ・Ｙ方向の移動範囲内のマーキン
グ位置に設けられ載置台の上昇時に上記被測定体に接触
してインクにより上記被測定体にマーキング処理を行う
マーカーと、上記載置台に載置された被測定体の複数点の高さを測定
するハイトセンサと、このハイトセンサの検知内容を基にしてマーキング位置
での載置台の昇降量を調整する昇降量調整手段と、を具備したことを特徴とするプローブ装置。